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BUP 401
IGBT
初步数据
低正向压降
高开关速度
低尾电流
闭锁免费
额定雪崩
销1
G
TYPE
BUP 401
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
符号
值
600
600
单位
V
销2
C
订购代码
C67078-A4404-A2
3脚
E
V
CE
600V
I
C
29A
包
的TO-220 AB
V
CE
V
CGR
V
GE
I
C
R
GE
= 20 k
栅极 - 发射极电压
DC集电极电流
± 20
A
29
18
T
C
= 25 °C
T
C
= 90 °C
集电极电流脉冲，
t
p
= 1毫秒
I
Cpuls
56
34
T
C
= 25 °C
T
C
= 90 °C
雪崩能量，单脉冲
E
AS
24
mJ
I
C
= 15 A,
V
CC
= 50 V,
R
GE
= 25
L
= 200 H,
T
j
= 25 °C
功耗
P
合计
125
W
-55 ... + 150
-55 ... + 150
°C
T
C
= 25 °C
芯片或工作温度
储存温度
T
j
T
英镑
半导体集团
1
Jul-31-1996
BUP 401
最大额定值
参数
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
热阻
热电阻，片式案例
符号
-
-
值
E
55 / 150 / 56
单位
-
R
thJC
≤
1
K / W
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
栅极阈值电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
GE （日）
4.5
5.5
2.1
2.2
3
3.3
-
-
6.5
2.7
2.8
-
-
V
V
GE
=
V
CE，
I
C
= 0.35毫安
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
-
-
-
-
V
GE
= 15 V,
I
C
= 15 A,
T
j
= 25 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 15 A,
T
j
= 125 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 30 A,
T
j
= 25 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 30 A,
T
j
= 125 °C
零栅极电压集电极电流
I
CES
-
100
A
nA
-
100
V
CE
= 600 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
栅极 - 发射极漏电流
I
GES
V
GE
= 25 V,
V
CE
= 0 V
AC特性
跨
g
fs
3
-
800
85
52
-
S
pF
-
1100
130
80
V
CE
= 20 V,
I
C
= 15 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
半导体集团
2
Jul-31-1996
BUP 401
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
开关特性，感性负载时
T
j
= 125 °C
导通延迟时间
值
典型值。
马克斯。
单位
t
D（上）
-
40
60
ns
V
CC
= 300 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 15 A
R
坤
= 68
上升时间
t
r
-
60
90
V
CC
= 300 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 15 A
R
坤
= 68
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
250
470
V
CC
= 300 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 15 A
R
高夫
= 68
下降时间
t
f
-
500
680
V
CC
= 300 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 15 A
R
高夫
= 68
半导体集团
3
Jul-31-1996
BUP 401
功耗
P
合计
=
(T
C
)
参数：
T
j
≤
150 °C
130
W
110
集电极电流
I
C
=
(T
C
)
参数：
V
GE
≥
15 V ,
T
j
≤
150 °C
30
A
26
P
合计
100
90
I
C
24
22
20
80
70
60
50
40
30
18
16
14
12
10
8
6
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
4
2
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
C
=
(V
CE
)
参数：
D
= 0,
T
C
= 25°C ,
T
j
≤
150 °C
10
2
t
= 21.0s
p
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
1
IGBT
K / W
A
I
C
100 s
Z
thJC
10
1
10
0
10
-1
D = 0.50
1毫秒
0.20
0.10
10
-2
0.05
0.02
10
0
10毫秒
单脉冲
DC
10
-1
0
10
1
2
3
0.01
10
10
V 10
10
-3
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
CE
t
p
半导体集团
4
Jul-31-1996
BUP 401
典型值。输出特性
典型值。输出特性
I
C
=
f
(V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 25 °C
30
A
26
17V
15V
13V
11V
9V
7V
I
C
=
f
(V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 125 °C
30
A
26
17V
15V
13V
11V
9V
7V
I
C
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
I
C
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
V
5
1
2
3
V
5
V
CE
V
CE
典型值。传输特性
I
C
=
f
(V
GE
)
参数：
t
p
= 80 s,
V
CE
= 20 V
30
A
26
I
C
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
V
14
V
GE
半导体集团
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CPM2CS100C
CMXZ8V2TO
CD74HC4514M
CS-222
CY7C433-15PI
CYM1465LPD-100C
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