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BUZ 80A
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
销1
G
销2
D
3脚
S
TYPE
BUZ 80A
V
DS
800 V
I
D
3A
R
DS （ ON）
3
包
的TO-220 AB
订购代码
C67078-A1309-A3
最大额定值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
符号
值
800
800
单位
V
V
DS
V
DGR
I
D
R
GS
= 20 k
连续漏电流
A
3
T
C
= 50 °C
漏电流脉冲
I
Dpuls
12
T
C
= 25 °C
门源电压
功耗
V
GS
P
合计
±
20
75
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... ...+ 150 °C
-55 ... ...+ 150
≤
1.67
75
E
55 / 150 / 56
K / W
半导体集团
1
07/96
BUZ 80A
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
800
-
3
20
100
10
2.7
-
4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
2.1
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
250
1000
A
V
DS
= 800 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 800 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
3
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1.5 A
半导体集团
2
07/96
BUZ 80A
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
1
1.8
1600
90
30
-
S
pF
-
2100
150
55
ns
-
30
45
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 1.5 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
40
60
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
110
140
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
60
80
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
07/96
BUZ 80A
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
C
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
A
-
-
-
-
1.05
1.8
12
3
12
V
-
1.3
s
-
-
C
-
-
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 6 A
反向恢复时间
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
07/96
BUZ 80A
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
3.2
80
W
A
P
合计
I
D
60
2.4
50
2.0
40
1.6
30
1.2
20
0.8
10
0
0
0.4
0.0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25°C
10
2
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
1
A
K / W
t
= 670.0ns
p
I
D
10
1
1 s
10 s
Z
thJC
10
0
DS
(o
n)
10
0
=
V
DS
/
I
D
100 s
10
-1
D = 0.50
1毫秒
R
0.20
0.10
10
-2
0.05
单脉冲
0.02
0.01
10毫秒
10
-1
DC
10
-2
0
10
10
1
10
2
V 10
3
10
-3
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
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C512G102J5CK5CP
CLC502AJE
CSR13B564KC
CM75E3Y24E
CA3255E
CAT24WC129KI-3TE13
CAT28C65BW-90T
CB1SSA421560200
COP8SGA928M6
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