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BSM 50 GD 60 DN2
IGBT功率模块
电源模块
3相全桥
包括快速续流二极管
与绝缘金属基板封装
TYPE
BSM 50 GD 60 DN2
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
符号
值
600
600
单位
V
V
CE
600V
I
C
50A
包
ECONOPACK 2K
订购代码
C67076-A2515-A67
V
CE
V
CGR
V
GE
I
C
R
GE
= 20 k
栅极 - 发射极电压
DC集电极电流
± 20
A
50
T
C
= 40 °C
集电极电流脉冲，
t
p
= 1毫秒
I
Cpuls
100
T
C
= 40 °C
每个IGBT功率耗散
P
合计
200
W
+ 150
-55 ... + 150
≤
0.6
≤
1.5
2500
16
11
F
55 / 150 / 56
美国证券交易委员会
VAC
mm
K / W
°C
T
C
= 25 °C
芯片的温度
储存温度
热电阻，片式案例
二极管的热电阻，片式案例
绝缘测试电压，
t
= 1分。
爬电距离
净空
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJCD
V
is
-
-
-
-
半导体集团
1
Jan-10-1997
BSM 50 GD 60 DN2
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
栅极阈值电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
GE （日）
4.5
5.5
2.1
2.2
-
-
6.5
2.7
2.8
V
V
GE
=
V
CE，
I
C
= 1毫安
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
-
-
V
GE
= 15 V,
I
C
= 50 A,
T
j
= 25 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 50 A,
T
j
= 125 °C
零栅极电压集电极电流
I
CES
-
1.5
mA
nA
-
100
V
CE
= 600 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
栅极 - 发射极漏电流
I
GES
V
GE
= 25 V,
V
CE
= 0 V
AC特性
跨
g
fs
10
-
2.8
0.3
0.2
-
S
nF
-
-
-
-
V
CE
= 20 V,
I
C
= 50 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
半导体集团
2
Jan-10-1997
BSM 50 GD 60 DN2
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
开关特性，感性负载时
T
j
= 125 °C
导通延迟时间
值
典型值。
马克斯。
单位
t
D（上）
-
60
-
ns
V
CC
= 300 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 50 A
R
坤
= 22
上升时间
t
r
-
80
-
V
CC
= 300 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 50 A
R
坤
= 22
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
330
-
V
CC
= 300 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 50 A
R
高夫
= 22
下降时间
t
f
-
550
-
V
CC
= 300 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 50 A
R
高夫
= 22
续流二极管
二极管的正向电压
V
F
-
-
2
1.8
-
-
V
I
F
= 50 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
I
F
= 50 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
反向恢复时间
t
rr
-
0.2
-
s
I
F
= 50 A,
V
R
= -300 V,
V
GE
= 0 V
di
F
/ DT = -500 A / μs的，
T
j
= 125 °C
反向恢复电荷
Q
rr
C
I
F
= 50 A,
V
R
= -300 V,
V
GE
= 0 V
di
F
/ DT = -500 A / μs的
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
-
-
2.8
5
-
-
半导体集团
3
Jan-10-1997
BSM 50 GD 60 DN2
功耗
P
合计
=
(T
C
)
参数：
T
j
≤
150 °C
220
W
安全工作区
I
C
=
(V
CE
)
参数：
D
= 0,
T
C
= 25°C ,
T
j
≤
150 °C
10
3
A
P
合计
180
160
140
I
C
10
2
tp
= 16.0s
100 s
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
1
1毫秒
10
0
10毫秒
DC
10
-1
0
10
10
1
10
2
V 10
3
T
C
V
CE
集电极电流
I
C
=
(T
C
)
参数：
V
GE
≥
15 V ,
T
j
≤
150 °C
60
A
50
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
0
IGBT
K / W
I
C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
Z
thJC
10
-1
D = 0.50
0.20
10
-2
0.10
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-3
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
T
C
t
p
半导体集团
4
Jan-10-1997
BSM 50 GD 60 DN2
典型值。输出特性
典型值。输出特性
I
C
= F（V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 25 °C
100
A
I
C
= F（V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 125 °C
100
A
17V
15V
13V
11V
9V
7V
I
C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
I
C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
17V
15V
13V
11V
9V
7V
1
2
3
V
5
1
2
3
V
5
V
CE
V
CE
典型值。传输特性
I
C
= F（V
GE
)
参数：
t
p
= 80 s,
V
CE
= 20 V
100
A
I
C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
V
14
V
GE
半导体集团
5
Jan-10-1997
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CAT93C66PI
CVH252009-3R3M
CXOHV-DPY-25.000
C67076-A2010-A70
C066T102K1X5CS
CY74FCT162823T
CZRV5229B-G
CAT24WC65JA-1.8TE13D
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