【SIMOPAC模块BSM 151 FVDS= 500 VID= 56 ARDS （ ON）= 0.1】,IC型号C67076-A1050-A2,C67076-A1050-A2 PDF资料,C67076-A1050-A2经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SIMOPAC

模块

BSM 151 F

V

DS

= 500 V

I

D

= 56 A

R

DS （ ON）

= 0.11

q

q

q

q

q

q

q

电源模块

单开关

FREDFET

N沟道

增强型

带有绝缘的金属基底板包

1)

封装外形/电路图： 1

TYPE

BSM 151 F

最大额定值

参数

漏源电压

订购代码

C67076-A1050-A2

符号

值

500

500

±

20

56

224

– 55 … + 150

700

≤

0.18

2500

16

11

F

55/150/56

单位

V

V

DS

V

DGR

V

GS

I

D

I

PULS

T

j

,

T

英镑

P

合计

R

日JC

V

is

–

–

–

–

漏极 - 栅极电压，

R

GS

= 20 k

栅源电压

连续漏电流，

T

C

= 32 C

脉冲漏极电流，

T

C

= 32 C

工作和存储温度范围

功耗，

T

C

= 25 C

热阻

芯片案

绝缘测试电压

2)

,

t

= 1分钟。

爬电距离，漏 - 源

清关，漏 - 源

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

1)

2)

A

C

W

K / W

V

ac

mm

–

见包装外形和电路图。

漏极和底板之间的绝缘测试电压在ACC称为标准的气候23/50 。同

DIN 50 014 ， IEC 146 ，第492.1 。

半导体集团

50

03.96

BSM 151 F

电气特性

at

T

j

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

静态特性

漏源击穿电压

V

GS

= 0,

I

D

= 0.25毫安

栅极阈值电压

V

DS

=

V

GS

,

I

D

= 1毫安

零栅极电压漏极电流

V

DS

= 500 V,

V

GS

= 0

T

j

= 25 C

T

j

= 125 C

栅极 - 源极漏电流

V

GS

= 20 V,

V

DS

= 0

漏源导通电阻

V

GS

= 10 V,

I

D

= 36 A

动态特性

正向跨导

V

DS

≥

2

×

I

D

×

R

DS （ ON）最大值。

,

I

D

= 36 A

输入电容

V

GS

= 0,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

GS

= 0,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

V

GS

= 0,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

开启时间

t

on

(

t

on

=

t

D（上）

+

t

r

)

V

CC

= 250 V,

V

GS

= 10 V

I

D

= 36 A,

R

GS

= 3.3

打开-O FF时间

t

关闭

(

t

关闭

=

t

D（关闭）

+

t

f

)

V

CC

= 250 V,

V

GS

= 10 V

I

D

= 36 A,

R

GS

= 3.3

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） DSS

500

–

3.0

–

4.0

V

V

GS （ TH）

2.1

I

DSS

–

–

50

300

10

0.09

250

1000

A

I

GSS

–

100

nA

–

0.11

R

DS （ ON）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

20

–

–

–

–

–

–

–

30

22

1.6

0.65

60

35

350

70

–

30

2.4

1.0

–

–

–

–

S

nF

ns

半导体集团

51

BSM 151 F

电气特性

（续）

at

T

j

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

快速恢复二极管的反向

连续反向漏电流

T

C

= 25 C

脉冲反向漏电流

T

C

= 25 C

二极管正向导通电压

I

F

= 96 A ,

V

GS

= 0

反向恢复时间

I

F

=

I

S

, d

i

F

/d

t

= 100 A/

s,

V

R

= 100 V

T

j

= 25 C

T

j

= 150 C

反向恢复电荷

I

F

=

I

S

, d

i

F

/d

t

= 100 A/

s,

V

R

= 100 V

T

j

= 25 C

T

j

= 150 C

反向重复峰值电流

I

F

=

I

S

, d

i

F

/d

t

= 100 A/

s,

V

R

= 100 V

T

j

= 25 C

T

j

= 150 C

值

典型值。

马克斯。

单位

I

S

–

–

–

1.3

56

224

A

I

SM

–

V

SD

–

1.6

V

ns

–

–

200

350

280

500

C

–

–

1.5

8.5

2.5

12

A

–

–

12

28

–

–

t

rr

Q

rr

I

RRM

半导体集团

52

BSM 151 F

在特色

T

j

= 25 C,

除非另有规定ED 。

功耗

P

合计

=

f

(

T

C

)

参数：

T

j

= 150 C

典型值。输出特性

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

t

p

= 80

s

脉冲测试

安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：单脉冲，

T

C

= 25 C,

T

j

≤

150 C (

V

DS

)

典型值。传输特性

I

D

=

f

(

V

GS

)

参数：

t

p

= 80

s

,

V

DS

= 25 V

半导体集团

53

BSM 151 F

连续漏电流

I

D

=

f

(

T

C

)

参数：

V

GS

≥

10 V,

T

j

= 150 C

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

(

T

j

)

=

b

×

V

（ BR ） DSS

(25 C)

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

=

f

(

T

j

)

参数：

I

D

= 36 A;

V

GS

= 10 V ，（扩散）

典型的电容

C

=

f

(

V

DS

)

参数：

V

GS

= 0,

f

= 1兆赫

半导体集团

54

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