PL
IA
NT
特点
■
以前
■
■
■
■
■
■
应用
■
组合语音/ xDSL的线路卡
■
声线卡
■
中密度纤维板,主要保护模块
■
过程控制设备
■
测试和测量设备
■
一般电子产品
BRAND
极高速性能
座高电压和电流
非常高的带宽; GHz的兼容
小型封装,最小PCB面积
简单,出众的电路保护
符合RoHS标准* , UL认证
*R
oH
S
CO
M
TBU
C650和C850保护器
瞬时闭锁装置 - TBU
器件
BOURNS
C650和C850系列产品有高速
双向保护元件,采用构建
MOSFET半导体技术,旨在保护
对造成短路故障,交流电源交叉,
感应和雷电浪涌。
该TBU 高速保护器,作为触发的函数
MOSFET的,潮块,并提供一个有效的屏障
后面这些敏感的电子不暴露于大
在浪涌事件的电压或电流。该TBU 设备
在一个表面贴装提供DFN封装,并且符合行业
标准要求,如RoHS和无铅焊料
再溢流廓。
绝对最大额定值(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
IMP
V
RMS
T
op
T
英镑
参数
最大程度的保护电压脉冲断层上升时间
≥
1微秒
最大程度的保护电压的连续V
RMS
故障
工作温度范围
存储温度范围
C650-xxx-WH
C850-xxx-WH
C650-xxx-WH
C850-xxx-WH
价值
650
850
300
425
-40至+85
-65到+150
单位
V
V
°C
°C
机构认证
UL认证组件文件号E315805 。
行业标准
描述
GR-1089
Telcordia公司
GR-974
ITU -T
K.20 , K.20E , K.21 , K.21E , K.45
端口类型1 , 3,5
模型
C650
C850
C650
C850
C850
电气特性(T
AMB
= 25 °C)
符号
I
op
参数
最大电流通过器件,不会引起
电流阻断
典型电流为设备正常运行去
国家为保护状态
Cx50-100-WH
Cx50-180-WH
Cx50-260-WH
Cx50-100-WH
Cx50-180-WH
Cx50-260-WH
Cx50-100-WH
Cx50-180-WH
Cx50-260-WH
C650-100-WH
C650-180-WH
C650-260-WH
C850-100-WH
C850-180-WH
C850-260-WH
12
8
8
17
11
11
150
220
330
200
360
520
14.5
10
10
19
14
14
1
1
14
分钟。
典型值。
马克斯。
100
180
260
单位
mA
I
TRIGGER
mA
I
OUT
最大电流通过器件
mA
R
TBU
该TBU的串联电阻
设备
Ω
t
块
I
静
V
RESET
最大时间为设备从正常工作去
国家为保护状态
电流通过触发TBU
器件具有50伏直流电路
电压
低于该电压触发TBU
设备将过渡到
正常运行状态
s
mA
V
C650和C850 TBU
保护是双向的;特定网络连接的阳离子是在两个方向上有效。
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日,包括附件。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TBU
C650和C850保护器
工作参数
下图展示了TBU的运作特点
保护者。对于每一个图形化的故障电压,保护端
电压和电流呈现。
测试配置图
V1
V2
负载
C650闪电, 650 V
C850闪电, 850 V
3
100 V / DIV 。
3
400毫安/ DIV 。
100 V / DIV 。
2
2
1
1
1
微秒/格。
通道1 V1
CH2 V2
CH3当前
通道1 V1
1
微秒/格。
CH2 V2
CH3当前
C650电源故障, 300 Vrms的, 100 A
C850电源故障, 425 Vrms的, 100 A
3
2
2
3
1
1
200毫安/ DIV 。
100 V / DIV 。
4 ms /格。
通道1 V1
CH2 V2
CH3当前
通道1 V1
4 ms /格。
CH2 V2
CH3当前
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
200毫安/ DIV 。
100 V / DIV 。
400毫安/ DIV 。
TBU
C650和C850保护器
产品外形尺寸
K
J
B
C
K
E
F
E
J
N
DIM 。
A
B
H
分钟。
3.90
(.154)
8.15
(.321)
0.80
(.031)
0.000
(.000)
2.55
(.100)
1.10
(.043)
3.45
(.136)
0.20
(.008)
0.65
(.026)
0.20
(.008)
尺寸:
典型值。
4.00
(.157)
8.25
(.325)
0.85
(.033)
0.025
(.001)
2.60
(.102)
1.15
(.045)
3.50
(.138)
0.25
(.010)
0.70
(.028)
0.25
(.010)
MM
(英寸)
马克斯。
4.10
(.161)
8.35
(.329)
0.90
(.035)
0.050
(.002)
2.65
(.104)
1.20
(.047)
3.55
(.140)
0.30
(.012)
0.75
(.030)
0.30
(.012)
3
A
2
1
C
D
销1
D
N
E
F
H
顶视图
SIDE VIEW
底部视图
推荐焊盘布局
0.70
(.028)
2.625
(.103)
1.15
(.045)
垫名称
垫#
1
2
申请
IN / OUT
NC
IN / OUT
J
K
N
3.55
(.140)
3
NC =焊接到印刷电路板;不要让电
连接,不连接到地面。
TBU 保护有雾锡端接连接的光洁度。建议布局应使用非阻焊德网络NE ( NSMD ) 。推荐模板
厚度为0.10-0.12毫米( 0.004 - 0.005英寸)与模板开口尺寸0.025毫米( 0.0010英寸)小于器件焊盘尺寸。至于何时散热
任何动力装置,所以建议尽可能多PCB的覆铜面积是允许的。对于最小寄生电容,不
允许任何信号,接地或电源信号,下面的任何一个装置的垫。
热阻
符号
R
号(j -a)的
参数
结到引线(包)
价值
116
单位
° C / W
再溢流廓
廓特征
平均升温速度(Tsmax至Tp )
预热
- 最低温度。 ( Tsmin )
- 温度最高。 (在Tsmax )
- 时间(tsmin至tsmax )
时间保持高于:
- 温度(TL )
- 时间( TL )
峰值/分类音响阳离子温度(Tp )
在5 ℃,在实际峰值温度的时间。 (TP)
下降斜率
时间25 ° C到峰值温度
无铅封装
3°C /秒。 MAX 。
150 °C
200 °C
60-180秒。
217 °C
60-150秒。
260 °C
20-40秒。
6 ° C /秒。 MAX 。
8分钟。最大。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TBU
C650和C850保护器
如何订购
典型最热
650 - 180 - WH
外形
C =一个TBU
保护器在设备
冲击电压额定值
650 = 650 V
850 = 850 V
IOP指标
100 =百毫安
180 = 180毫安
260 = 260毫安
销1
制造商
*商标
标识号
C65A = C650-100 -WH
C65B = C650-180 -WH
C65C = C650-260 -WH
C85A = C850-100 -WH
C85B = C850-180 -WH
C85C = C850-260 -WH
制造业
日期代码*
- 第1个数字表示年份的6个月。
- 第2个数字表示的星期数在6个月。
- 第三&第四届数字表示特定批次的一周。
6个月期码:
A = JAN- 2009年6月
C = JAN- 2010年06月
B = JUL- 2009年12月
D = JUL- 2010年12月
E = JAN- 2011年6月
F = JUL - 2011年12月
示例: ARBC
- 第1位'A' = JAN- 2009年6月
- 第2位' R' = 18周;周4月27日
- 第三&第四位数值' BC ' = LOT具体信息
*跃迁从FULTEC商标和批号
TO BOURNS商标和日期码在2009年。
包装特定网络阳离子(每EIA468 -B )
P0
E
B
t
顶部
盖
TAPE
N
D
C
F
W
D
P2
A
B0
K0
A0
P
G(测量HUB )
饲料用户方向
中心
线
空穴
D1
浮雕
产品数量: 3000个每卷
设备
C650, C850
A0
分钟。
4.2
(.165)
K0
分钟。
1.1
(.043)
马克斯。
1.3
(.051)
马克斯。
4.4
(.173)
A
分钟。
326
(12.835)
马克斯。
330.25
(13.002)
B0
分钟。
8.45
(.333)
P
分钟。
7.9
(.311)
马克斯。
8.1
(.319)
分钟。
3.9
(.159)
马克斯。
8.65
(.341)
分钟。
1.5
(.059)
分钟。
1.5
(.059)
B
马克斯。
2.5
(.098)
D
马克斯。
1.6
(.063)
P0
马克斯。
4.1
(.161)
分钟。
1.9
(.075)
分钟。
1.5
(.059)
分钟。
12.8
(.504)
C
马克斯。
13.5
(.531)
D1
马克斯。
-
P2
马克斯。
2.1
(.083)
分钟。
0.25
(.010)
分钟。
1.65
(.065)
分钟。
20.2
(.795)
D
马克斯。
-
E
马克斯。
1.85
(.073)
t
马克斯。
0.35
(.014)
G
REF 。
16.5
(.650)
F
分钟。
7.4
(.291)
W
分钟。
15.7
(.618)
尺寸:
N
REF 。
102
(4.016)
设备
C650, C850
设备
C650, C850
马克斯。
7.6
(.299)
马克斯。
16.3
(.642)
MM
(英寸)
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
C600系列
5 0 0
W AT&T S
( A C )
D C / D C
S I N G - L E
ü T P上ü牛逼
欧元CASSETTE
特点
单路输出
3U X 42TE X 166.5毫米
重量: 3.5千克
INPUT伏
10-16
C 600
C 601
C 602
C 603
C 604
C 605
C 606
C 607
C 608
C 609
VAC输入1 )
45-90 80-160 160-320 185-264 93-138输出
185-264 AMPS
C 640
C 641
C 642
C 643
C 644
C 645
C 646
C647
C 648
C 649
C 650
C 651
C 652
C 653
C 654
C 655
C 656
C657
C 658
C 659
C 670
C 671
C 672
C 673
C 674
C 675
C 676
C677
C 678
C 679
C 680
C 681
C 682
C 683
C 684
C 685
C 686
C 687
C 688
C 689
C 690
C 691
C 692
C 693
C 694
C 695
C 696
C 697
C 698
C 699
80
50
40
32
20
17
7,5
4
2
9
输出VDC
分钟。
4,5
8
11
14
23
26
58
100
200
45
产量
安培
50
30
25
20
12
10
5
2,5
1,2
6
18-36输出36-75
安培
C 620
C 621
C 622
C 623
C 624
C 625
C 626
C 627
C 628
C 629
70
45
35
28
18
15
7
3,5
1,8
8
C 630
C 631
C 632
C 633
C 634
C 635
C 636
C 637
C 638
C 639
马克斯。
5,5
10
13
16
26
30
68
130
250
55
技术插图
S600
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