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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第942页 > C5356
SMD型
硅NPN三重DIFFUSED TYPE
2SC5356
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
晶体管
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
特点
收藏家高击穿电压： V
首席执行官
= 800 V
高直流电流增益：H
FE
= 15 （分钟） （我
C
= 0.15 A)
+0.2
9.70
-0.2
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（DC）的
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散功率
TA = 25
T
C
= 25
结温
存储温度范围
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
等级
900
800
7
3
5
1
1.5
25
150
-55到+150
A
W
单位
V
V
V
A
3
.8
0
出色的开关时间：吨
f
= 0.5 （最大） （我
C
= 1.2 A)
www.kexin.com.cn
1
SMD型
2SC5356
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
开关时间上升时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
t
r
Testconditons
V
CB
= 720 V，I
E
= 0
V
EB
= 7 V，I
C
= 0
I
C
= 1毫安，我
E
= 0
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
V
CE
= 5 V，I
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 0.15 A
I
C
= 1.2 A，I
B
= 0.24 A
I
C
= 2 A，I
B
= 0.24 A
晶体管
民
典型值
最大
100
10
单位
ìA
ìA
V
V
900
800
10
15
1.0
1.3
0.7
V
V
开关时间贮存时间
t
英镑
4.0
ìs
开关时间下降时间
t
f
0.5
记号
记号
C5356
2
www.kexin.com.cn
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CAT24WC04UI-1.8TE13F
CY7C1168KV18-400BZXC
CH204KPT
CAT93C86VE-1.8T3
C0805C103G4RAC
CK45-R3DD102K-NR
COP8781CJ
CM431LBCS
CY7C1425BV18-200BZC
CDALA10M7CA001
CK1026
CQ92M104K250
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    C5356
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    -
    -
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电话：13528893675
联系人：朱先生
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TOS
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TOSHIBA
2024
18000
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原装现货上海库存，欢迎查询
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地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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