4微米CMOS工艺系列
特点
工艺参数
工艺参数
4m
10伏
我的金属间距（宽度/间距）
金属二间距（宽度/间距）
聚间距（宽度/间距）
联系
通过
门几何
P-阱的结深
N +结深
P +结深
栅氧化层厚度
国米聚氧厚。
4/4
3/4
4/4
4x4
3x3
4.0
5.7
1.5
0.90
640
800
双聚/双金属
4m
15伏
4 /4
3/4
4 /4
4x4
3x3
4.0
7.0
1.4
0.95
800
625
m
m
m
m
m
m
m
m
m
单位
8微米的聚和金属间距
10伏特，最大工作电压
15伏的高压选项
隔离垂直PNP双极模块
描述
DALSA半导体公司4μm的过程是一个双聚/双
金属CMOS工艺的5 10的工作电压范围
伏。另外，高电压的选择也是可用
其中一个特别漏极结构允许的最大工作
电压增加至18伏。不妥协是由
与堆积密度，因为所有的高电压门被画在
为4μm 。此外，一个孤立的垂直PNP双极型具有良好的模块
增益特性和高BVceo下可以实现上
这两个选项。
MOSFET电气参数
电动
参数
4 MICRON - 10伏
N沟道
分钟。
典型值。
马克斯。
VT（ 50x4μm ）
IDS （ 50x4μm ）
0.4
0.7
32
0.9
P沟道
分钟。
典型值。
马克斯。
0.4
0.7
17
0.9
4 MICRON - 15伏
N沟道
分钟。
典型值。
马克斯。
0.6
0.9
94
1.2
P沟道
分钟。
典型值。
马克斯。
0.8
1.1
37
1.4
单位
条件
V
μA /微米
饱和
10V ： VDS = VGS = 3V
15V ： VDS = VGS = 7.5V
身体因素
BVDSS
15
0.8
>20
15
0.4
>20
20
1.3
27
20
0.5
22
√v
V
10V ： IDS = 1μA
15V ： IDS = 20nA
Vds=0.1v
IDS = 14 μA
L =抽4μm的
Subthres 。坡
场阈值
l有效
12
114
34
1.6
12
90
25
2.6
18
108
24
1.9
18
80
22
2.6
毫伏/减速
V
m
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J2L 1S7
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(450) 534-3201
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4微米CMOS工艺系列（续）
电阻（ Ω /□ ）。
4
m
- 10伏
分钟。
PWELL
Pfield在P阱
N+
P+
多晶硅栅
多晶硅电容器
金属I
金属II
1000
6
70
14
30
典型值。
5200
2000
9
94
21
43
0.038
0.038
3000
14
110
26
80
1000
30
75
16
20
马克斯。
图1：I -V特性的50x4μm N-MOSFET
（ 4微米高压工艺）
VGS = 18V
VGS = 15V
4
m
- 15伏
IDS （毫安）
分钟。
典型值。
3300
2000
39
90
20
28
0.038
0.038
3000
50
125
马克斯。
VGS = 12V
VGS = 9V
VGS = 6V
VGS = 3V
28
50
VDS （伏特）
图2 ： IV特性的50x4μm P-MOSFET
（ 4微米高压工艺）
VGS = -18V
VGS = -15V
电容（FF /微米
2
)
4
m
- 10伏
分钟。
多晶硅间
栅氧化层
N +结
P +结
0.35
0.51
典型值。
0.43
0.54
0.33
0.14
马克斯。
0.55
0.58
4
m
- 15伏
分钟。
0.45
0.41
典型值。
0.55
0.43
0.29
0.10
马克斯。
0.65
0.46
IDS （毫安）
VGS = -12V
VGS = -9V
VGS = -6V
VGS = -3V
VDS （伏特）
图3 ：每门宽度衬底电流的50x4μm
N-MOSFET （ 4微米高压工艺）
VDS = 18V
4
m
- 10伏
分钟。
NPN
垂直
PNP
垂直
*
4
m
- 15伏
分钟。
典型值。
240
70
90
马克斯。
ISUB （ μA /微米）
双极特点
典型值。
580
马克斯。
VDS = 16V
VDS = 14V
收益
*
BVCEO （ V）
收益
*
BVCEO （ V）
70
-
-
90
-
-
-
-
VGS （伏特）
50
20
120
30
200
图4 ：垂直PNP双极晶体管
IB = -10mA
测试条件：的Vce = 5伏
-2.5
-2.0
IC （MA ）
-1.5
-1.0
IB = -5mA
注意：这些值仅作为指导。他们中的许多可
调整，以适应客户的要求。对于全过程
规格请与Dalsa公司半导体销售办事处或代表处。
-0.5
0
0
-20
IB = -1mA
-40
的Vce （伏）
QQ：2881677436 复制
