C3D1P7060Q
碳化硅肖特基二极管
V
RRM
I
F;
=
600 V
为Z-R
ec
R
ECTIFIER
特点
包
T
C
<150C
= 1.7 A
Q
c
=
5.6 nC
600-Volt Schottky Rectifier
优化PFC升压二极管的应用
零反向恢复电流
高频率工作
温度独立的开关行为
极快的切换
在V正温度系数
F
PowerQFN 3.3x3.3
好处
小型紧凑的表面贴装封装
基本上没有开关损耗
高效率
降低散热器的要求
并行设备无热失控
应用
开关模式电源
LED照明
产品型号
C3D1P7060Q
包
QFN 3.3
记号
C3D1P7060
最大额定值
符号参数
V
RRM
V
RSM
V
DC
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
T
J
, T
英镑
T
c
重复峰值反向电压
浪涌峰值反向电压
阻断电压DC
连续正向电流
重复峰值正向浪涌电流
非重复性峰值正向浪涌电流
功耗
工作结温和存储温度
最大外壳温度
价值
600
600
600
1.7
3
7
4.4
15
12
39
17
-55
+175
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
C
C
测试条件
记
T
C
<150C, No AC Component
T
C
<135C, No AC Component
T
C
=25C, t
P
=10 ms, Half Sine pulse
T
C
=110C, t
P
=10 ms, Half Sine pulse
T
C
=25C, t
P
=10 ms, Half Sine pulse
T
C
=110C, t
P
=10 ms, Half Sine pulse
T
C
=25C
T
C
=110C
SEE
Fig 3
-
D
1
P
760
Q
Re
v.
Da
ta
sh
欧洲东部时间：
C3
如有更改，恕不另行通知。
www.cree.com
1
电气特性
符号
V
F
I
R
Q
C
参数
正向电压
反向电流
总容性充电
典型值。
1.5
1.8
10
20
5.6
100
7
6
马克斯。
1.7
2.4
50
100
单位
V
μA
nC
测试条件
I
F
= 1.7 A T
J
=25°C
I
F
= 1.7 A T
J
=175°C
V
R
= 600 V T，
J
=25°C
V
R
= 600 V T，
J
=175°C
V
R
= 600 V, I
F
= 1.7A
di/dt = 500 A/μs
T
J
= 25°C
V
R
= 0 V, T
J
= 25°C, f = 1 MHz
V
R
= 200 V, T
J
= 25C, f = 1 MHz
V
R
= 400 V, T
J
= 25C, f = 1 MHz
记
C
总电容
pF
注意：
1.
这是多数载流子二极管，所以没有反向恢复电荷。
热特性
符号
R
θJC
参数
封装热阻从结到管壳
典型值。
3.8
单位
° C / W
典型性能
3.5
10.00
9.00
3.0
2.5
T
J
=-55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 75°C
T
J
=125°C
T
J
=150°C
8.00
7.00
6.00
I
F
(A)
I
R
(μA)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
2.0
5.00
4.00
3.00
2.00
1.5
1.0
0.5
1.00
0.0
0.00
0
200
400
600
800
1000
1200
V
F
(V)
Figure 1. Forward Characteristics
V
R
(V)
Figure 2. Reverse Characteristics
2
C3D1P7060Q启示录 -
典型性能
18
16
14
12
10
20% Duty*
30% Duty*
50% Duty*
70% Duty*
DC
40.0
35.0
30.0
25.0
I
F
(A)
8
6
4
2
0
P
合计
(W)
20.0
15.0
10.0
5.0
0.0
25
50
75
100
125
150
175
25
50
75
100
125
150
175
T
C
C
Figure 3. Current Derating
T
C
C
Figure 4. Power Derating
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
100
200
300
V
R
(V)
400
500
600
120
100
80
QRR （ NC ）
C（ pF）的
60
40
20
0
0.1
1
10
V
R
(V)
100
1000
Figure 5. Recovery Charge vs. Reverse Voltage
Figure 6. Capacitance vs. Reverse Voltage
3
C3D1P7060Q启示录 -
典型性能
10
热阻（ ° C / W）
1
0.1
0.01
1E-6
10E-6
100E-6
1E-3
10E-3
100E-3
T（秒）
Figure 7. Transient Thermal Impedance
二极管模型
二极管型号CSD10060
Vf
V
V
T
如果* R
Vf
T
T
=
=
T
+
+如果* R
T
T
V
T
= 0.99+(T
J
-1.35*10
-3
)
-3
)
V
T=
0.92 + (T
j
*
* -1.5*10
R
T
= 0.22+(T
J
* 2.6*10
-3
)
0.052 + （ T * 0.29 * 10
-3
)
T=
j
注：t
j
=二极管结温摄氏度
V
T
R
T
4
C3D1P7060Q启示录 -
包装尺寸
Package QFN 3.3
所有尺寸均为毫米
Tolerances are 0.05 mm if not specified
NC =无连接
5
C3D1P7060Q启示录 -
QQ：2881677436 复制
