【C系列1W A牛逼牛逼S1 0 0 - 8 K·VS I N G - L E ü T P上ü牛逼D】,IC型号C30,C30 PDF资料,C30经销商,ic,电子元器件-51电子网

C系列

W A牛逼牛逼S

1 0 0 - 8 K·V

S I N G - L E

ü T P上ü牛逼

D C / D C

我N D ü S T R I A L

模块

特点

低纹波

微型尺寸

监管

0-100 ％可编程输出

高稳定性，通常<50pm /°C的

宽输入电压范围， 11.5V至16V

非常低的EMI / RFI

精钢表壳与孤立的情况下，地面

外部增益调整

特定网络阳离子

输入

电压

当前

控制电压

产量

动力

电压

1W.

可编程，见表。

国内

振荡器

频率

控制

响应时间

关闭

环境的

11.5到16VDC 。

见附表。

0 5V ， <100毫安。

工作温度

储存温度

一般

尺寸

方案A： 35.56 X 27.94 X 12.70毫米。

案例B： 44.45 X 27.94 X 12.70毫米。

案例C ： 53.34 X 27.94 X 12.70毫米。

方案D： 63.50 X 31.75 ×15.24毫米。

-10 ° C至+ 60°C 。

-20 ° C至+ 90°C 。

技术插图

模型

数

修剪％

增益调整

情况A

C01

C02

C02N

C03

C05

C05N

C06

C06N

C10

C10N

C12

C12N

C15

C15N

C20

C20N

C25

C25N

C30

C30N

C40

C40N

C50

C50N

C60

C60N

C80

200KHz的 - 250kHz的

250kHz的 - 334KHz

91KHz - 143KHz

为200KHz - 285KHz

250kHz的 - 334KHz

为200KHz - 334KHz

250kHz的 - 285KHz

142KHz - 200KHz的

200KHz的 - 250kHz的

111KHz - 125KHz的

为100KHz - 125KHz的

91KHz - 100KHz的

91KHz - 111KHz

91KHz - 100KHz的

为125KHz - 142KHz

91KHz - 100KHz的

为125KHz - 142KHz

77KHz - 100KHz的

84KHz - 91KHz

72KHz - 125KHz的

77KHz - 100KHz的

90KHz的 - 145KHz

140KHz - 170KHz

125KHz的 - 为160kHz

140KHz - 170KHz

为100KHz - 150KHz的

10%

11%

10%

11%

12%

10%

2ms

3.5ms

30ms

16ms

25ms

30ms

25ms

60ms

70ms

60ms

80ms

50ms

60ms

100ms

140ms

35ms

60ms

90ms

160ms

140ms

100ms

60ms

200ms

1.5ms

4ms

35ms

12ms

35ms

30ms

35ms

80ms

70ms

100ms

120ms

140ms

300ms

500ms

35ms

120ms

140ms

160ms

200ms

180ms

250ms

60ms

250ms

情况B

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211

模块

C系列

W A牛逼牛逼S

1 0 0 - 8 K·V

S I N G - L E

ü T P上ü牛逼

D C / D C

我N D ü S T R I A L

案例C

方案D

选型表

模型

数

C01

C02

C02N

C03

C05

C05N

C06

C06N

C10

C10N

C12

C12N

C15

C15N

C20

C20N

C25

C25N

C30

C30N

C40

C40N

C50

C50N

C60

C60N

C80

C80N

产量

电压

0到+ 100V

0到+ 200V

0 ± 200V

0到+ 300V

0到+ 500V

0 ± 500V

0 + 600V的

0 ± 600V

0到+ 1000V

0 ± 1000V

0到+ 1250V

0 ± 1250V

0到+ 1500V

0 ± 1500V

0到+ 2000V

0 ± 2000V

0到+ 2500V

0 ± 2500V

0到+ 3000V

0 ± 3000V

0到+ 4000V

0 ± 4000V

0到+ 5000V

0 ± 5000V

0到+ 6000V

0 ± 6000V

0到+ 8000V

0到-8000V

产量

当前

0至10mA

0至5毫安

0至3.3毫安

0至2mA

0至1.67毫安

0至1mA

0至0.67毫安

0至0.5毫安

0至0.4mA

0至0.33毫安

0至0.25毫安

0至0.200毫安

0至0.166毫安

0至0.125毫安

<0.03%

<0.02%

<0.0025%

<0.002%

<0.005%

<0.001%

<0.005%

<0.004%

<0.001%

<0.002%

<0.001%

<0.02%

<0.025%

<0.03%

<0.1%

<0.2%

纹波

空载

满载

<0.75%

<0.05%

<0.03%

<0.004%

<0.005%

<0.003%

<0.006%

<0.05%

<0.002%

<0.004%

<0.003%

<0.002%

<0.08%

<0.20%

<0.1%

<0.07%

<0.1%

<0.2%

输入电流

空载

<8mA

<10mA

<8mA

<10mA

<16mA

<20mA

<25mA

<50mA

<35mA

<50mA

<60mA

<50mA

<70mA

<40mA

<50mA

<60mA

<75mA

<70mA

<85mA

<80mA

<100mA

满载

<250mA

<180mA

<210mA

<175mA

<150mA

<160mA

<150mA

<175mA

<170mA

<190mA

<150mA

<170mA

<150mA

<190mA

<150mA

<160mA

<180mA

<200mA

<150mA

<200mA

<225mA

<250mA

规

负载0-100 ％

<0.10%

<0.07%

<0.50%

<0.05%

<0.50%

<0.30%

<0.50%

<0.10%

<.1750%

<0.10%

<0.20%

<0.15%

<0.30%

<0.20%

<0.30%

<0.25%

<0.20%

<0.25%

<0.75%

LINE 11.5-16V

<0.10%

<1.00%

<0.10%

<0.50%

<0.10%

<0.30%

<0.10%

<0.20%

<0.10%

<0.20%

<0.05%

<0.075%

<0.20%

<0.10%

<0.15%

例

212

D10 ， D15 ， D20 ， D22 ， C20 ， C30

微型模块

内存微型模块

为D1 ， D2和C封装一般资讯

微型组件是专为开发

在智能卡和存储卡嵌入

微型组件提供：

- 支持芯片

- 电触点

- 适合嵌入接口刷胶

模块的塑料包

注入侧

接触侧

D15

物理尺寸和触点位置

兼容于ISO 7816标准

输送作为连续的超微型组件

35毫米磁带。（这不同于标准

之间的间隔距离35毫米胶带

索引孔。）

D10

D20

描述

存储器卡包括两个主要部分组成：

塑料卡，和嵌入式微型组件

（其中，反过来，进行硅芯片）。

塑料卡是由PVC，ABS或类似

材料，并且可以是在印有图形，

文本，和磁条。微型组件是

嵌入在塑料卡的腔。

微型组件安装在超级35毫米

金属化环氧树脂胶带，并交付卷轴。

这些含有所有的芯片的从若干

晶片，包括那些被认为是该芯片

在测试过程中的非功能。可追溯性是

由固定在卷轴的标签保证。

D22

C30

C20

表1.存储卡和内存标签集成电路

MODUL ê

D10

D15

D20

D22

C30

C20

请参阅这些产品的数据表介绍的这些例子说明

微型模块

ST1200 ， ST1305B ， ST1331 ， ST1333 ， ST1335 ， ST1336 ， ST1353 ， ST1355

ST14C02 ， ST1305B ， ST1335 ， ST1336 ， ST1355

ST14C02 ， M14C04 ， M14C16 ， M14C32

M14C64 ， M14128 ， M14256

M35101, M35102

1999年12月

1/13

微型模块

表2.存储卡产品

TYPE

ST14C02C

M14C04

M14C16

M14C32

M14C64

M14128

M14256

ST1200

ST1305B

ST1331

ST1333

ST1335

ST1336

M35101

M35102

非接触式存储器芯片， 13.56兆赫， 2048位EEPROM

非接触式存储器芯片具有64位唯一ID ，

13.56兆赫， 2048位EEPROM

记忆卡IC， 272位高耐久性EEPROM

具有高级安全机制

说明（请参阅个别产品数据

张全规格）

记忆卡IC， 2千位（ 256 ×8 ）串行I

C总线EEPROM

记忆卡IC， 4千位串行I

C总线EEPROM

记忆卡IC， 16千位串行I

C总线EEPROM

记忆卡IC， 32千位串行I

C总线EEPROM

记忆卡IC， 64千位串行I

C总线EEPROM

记忆卡IC， 128 Kbit的串行I

C总线EEPROM

记忆卡IC， 256 Kbit的串行I

C总线EEPROM

记忆卡IC， 256位OTP EPROM与锁定功能

记忆卡IC， 192位高耐久性EEPROM

与安全逻辑访问控制

过程

1.2

0.6

3.5

1.5

1.2

0.6

技术

CMOS

NMOS

CMOS

模块式

D15, D20

D20

D22

D10

D10, D15

D10

D10, D15

C20, C30

组装流如下：

1.骰子锯

2.附加骰子

3.引线键合

4.灌封胶

5.铣削（取决于产品）

性的产品类型的微型组件的范围

总结在表1和表2中。对于大

卷， ST能够提供定制模块

胶带。

交货

超级35毫米金属环氧胶带

传送卷轴，如示于图1中。这些

包含的所有芯片的从多个晶片，

包括那些被发现芯片是不

在测试过程中发挥作用。可追溯性保证

由固定在卷轴的标签。

典型的量为每卷万的模块，

优先考虑在卷筒上很多的完整性。该

最大数量为15000每卷。

这部分有故障（机械或电气

有缺陷的）的确定打孔。该

规格为拒绝打孔示于

图4为D10微型组件，在图5中为

的D15微型组件，在图6中为D20的

微型组件，并且在图7中为D22

微型组件。

胶带连接（带拼接）从未超过10

每10米的长度，如图2和

网络连接gure 3 。

至少领先2.1 m的， 2.1米的拖车是

包含在每个卷轴上。每一个由PVC超

35毫米带，无金属化，并且是不透明的

红外和白光。

“失败”的拒绝孔标记包含在

开始和至少5的带的端

连续的模块间距（双位置）。

模块应的温度范围内被存储

-40

°C

至+ 85

°C,

不超过1年。

每个卷轴装在防静电袋，以及

干燥剂袋，和一个湿度指示卡。

此卡指示湿度的水平如下：

30 - 蓝色：保护放心

40 - 粉红：更新干燥剂袋

50 - 粉红：保护不再保证

三自粘的塑料标识标签

附：一个卷轴，一个防静电袋，

2/13

微型模块

表3.生产流程和生产设施的位置

手术

法国Rousset 。 6 “晶圆厂。

晶圆扩散

的Agrate ，意大利。只有6 “晶圆厂：标准EEPROM

法国Rousset 。

电气晶圆测试

唯一的标准EEPROM ： Agrate建成，意大利

装配

最终测试

摩洛哥的卡萨布兰卡。

法国Rousset 。

位置及设施

表4.材料规范

材料

TAPE

基础材料

胶粘剂

层压铜箔

粘接强度

磁带表面

表面粗糙度

接触面

镍厚度

的金层厚度

磁带总厚度

控制，帕尔默

MCTS T2或揖斐电粗糙，典型厚度120

改性环氧树脂，典型厚度18

典型厚度35

> 0.8N / mm的室温。通过使用胶带的制造商监视

合适的测试方法

整个环氧树脂粘合剂表面被控制为游离的污垢，油脂，清洁

化合物和化合物离别

通常情况下RZ ： 3-12

在第一次接受交付

镍金，电镀处理

（分）

接触面， 0.1

（分）

160

“特平”直径为3毫米， F = 1.5N的

芯片互连

骰子合

焊线

环（ D22只）

银环氧树脂

黄金25

BRONZE

防护涂层

材料

装配

UV环氧树脂，环氧黑

摩洛哥的卡萨布兰卡。

描述

3/13

微型模块

和1至卷轴框。每个标签携带

下列信息：

- 产品：

销售类型

- 拍品编号：卷号

- POS ：

位置的总数

- 好：

好职位数

- 故障：

故障位置数

- 日期：

密封的日期

此外，防静电包装和输送箱

携带自粘的塑料“ ESD ”的警告标签，

85× 38毫米在大小，表示“静电

敏感设备“ 。

每个卷轴被装在卷轴中，由回收

硬纸板。带盘盒的尺寸取决于它的

起源。几个卷轴盒是装在一个输送

框，它也是由回收的纸板。

送货单提供，列出以下

信息：

- 封口日期

- 卷号

- 总数立场，与细节

每卷的位置

- 订单号和客户名

- 销售型

- 磁带式

推荐的验收标准

产品标识应针对检查

传送文档和数量

所记录的卷轴好位置。该产品

也可以按照相应的测试

数据表，条件取决于

产品类型，与发行人或用户模式（

ST13xx产品）。

对于交货验收， ST建议

从开始时采样的微型组件

卷轴。采样的AQL应适用，以

在ISO 2859标准（ II级测试，一般测试）。

表5的卷轴盒尺寸

生产地点

鲁塞

CASABLANCA

卷盒的大小

370 X 390 ×80mm的

373 X 370 X 78毫米

表6. AQL水平

缺陷

共向的缺陷 - 机电

机械故障

电气缺陷

AQL

0.65

任何观察到的差异应当在报

写ST质量部门。表6

给出了推荐的AQL水平。

视觉和机械测试规范和

试验条件在表7中描述。

缺陷录取率

每卷包含的缺陷的数量表示

设备，分布式，使得不超过20％的

它们被发现在磁带上的一个连续的块。

ST自己的质量验收标准保证

该用户将被告知当

电产率小于90％。

该部件号和重复订购信息

根据意法半导体目前的产品编码设置

政策，如对个别产品数据

张，或与客户商定。

卷轴未通过检查应该是

后15个工作日内返回ST

交货。

表7.视觉和机械规格和测试条件

TEST

说明与方法

接触面积

不合格标准

胶水或颗粒，划痕打印，就断绝接触面积缺损

损坏的金层。目测距离30厘米，肉眼。

厚度和外形尺寸测量超过总

厚度或其他方面不符合图纸

模具剪切力< 10牛顿

钢丝升降或断裂的拉力测试与< 4克

芯片覆盖

芯片粘结强度

引线键合

注：1，试验3和4是按照MIL-STD- 833进行的。

4/13

微型模块

可靠性

产品资质和持续的可靠性

监测是通过ST执行。主要步骤

列于表8和表9 。

表8.包装相关测试

TEST

描述

几何

视觉检测

温度循环

盐雾

接触腐蚀

耐湿性

振动电机

测量

法

ST规格

康迪特离子

监控/批号

AQL = 0.040

lptd

准则

（注1 ）

0/45

0/315

0/45

0/15

0/32

ST规格呼出/批号

MIL-STD-883

方法1010

MIL-STD-883

方法1009

MIL-STD-883

方法1004

ISO / IEC 10373

-40

°C

150

°C,

100次

°C,

5 ％的NaCl ，24小时

°C,

85 ％的HR偏5.5 V ，

168小时

1倍频程/分，加速度达

10 G（重复20次）

在25测量内存检查

°C

长边：偏转2厘米

空方：偏转1厘米

每分钟30次弯曲

最大位移15 °

±1°

1000扭转，每分钟30扭转

适用于长边只

0/11

弯曲性能

ISO / IEC 7816-1

0/11

扭力特性

ISO / IEC 7816-1

0/11

注： 1，符号

M / N

意思是：如果超过拒收整批

设备从样品失败

设备。例如， 0/45指

从大量的拍摄，与整幅45设备样品只接受每一位45样品的设备通过了测试。

表9.产品相关测试

TEST

描述

寿命试验

静电放电

数据保留，

储存温度

写/擦除周期

法

MIL-STD-883

方法1005

MIL-STD-883

方法3015

MIL-STD-883

方法3015

MIL-STD-883

方法1005

ST规格

康迪特离子

140

°C,

6 V ， 504小时测量

25内存检查

°C

人体模型：

1.5 kΩ的， 100 pF的，

5000 V

不适用

lptd

准则

0/76

0/9

0/45

0/32

机器型号： 0

200 pF的，

200 V N / A

在25测量内存检查

°C

150

°C,

1000小时无偏见

在25测量内存检查

°C

100,000次

200 PPM /

1024字节/

1000周期

磁场，存储器

查

X射线，内存检查

UV灯，内存检查

ISO IEC 10373

79,500 /米

70千伏， 0.1灰色

15 W.S /厘米

，最大30分钟

1/25

5/13