SBD
牛逼 P E:
C20T10Q
20T10Q
外形绘图
特点
* SQUARE -PAK TO- 263AB ( SMD )
包装24毫米磁带和卷轴
*双二极管 - 通用阴极
*低正向压降
*高浪涌能力
*Tj=150
°C
手术
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
平均整流输出电流
RMS正向电流
正向电流浪涌
经营范围JunctionTemperature
存储温度范围
约净重:
1.4g
符号
V
RRM
I
O
I
F( RMS )
I
FSM
T
jw
T
英镑
180
20
C20T10Q
100
50 Hz的完整正弦波
Tc=120°C
阻性负载
22.2
50Hz的全正弦波,回循环
不重复
-40到+150
-40到+150
单位
V
A
A
A
°C
°C
电动
热特性
特征
峰值反向电流
峰值正向电压
热阻
符号
I
RM
V
FM
条件
TJ = 25 ° C,V
RM
= V
RRM
每臂
TJ = 25 ° C,I
FM
= 10 A
每臂
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
1
0.88
1.5
单位
mA
V
°C
/W
RTH
(
J- C)结到管壳
正向电流与电压
C20T10Q / C20T10Q -11A (每组)
50
正向电流(A )
20
Tj=25°C
Tj=150°C
10
5
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
正向电压( V)
0°
θ
180°
导通角
正向平均功耗
C20T10Q / C20T10Q -11A (总)
RECT 180 °
正弦波
20
正向平均功耗( W)
16
12
8
4
0
0
4
8
12
16
20
24
平均正向电流( A)
峰值反向电流VS.峰值反向电压
TJ = 150℃
50
C20T10Q / C20T10Q -11A (每组)
反向峰值电流(mA)
20
10
5
0
20
40
60
80
100
120
峰值反向电压( V)
平均反向功率耗散
C20T10Q / C20T10Q -11A (总)
3.5
平均反向功率耗散( W)
3.0
RECT 180 °
2.5
2.0
正弦波
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
反向电压( V)
0°
θ
180°
导通角
平均正向电流与外壳温度
V
R M
= 100V
C20T10Q / C20T10Q -11A (总)
RECT 180 °
24
平均正向电流( A)
20
正弦波
16
12
8
4
0
0
25
50
75
100
125
150
外壳温度( ° C)
浪涌额定电流
F = 50Hz的正弦波,不重复,无负荷
200
C20T10Q/C20T10Q-11A
正向浪涌电流(A)
160
120
80
40
我FSM
0.02s
0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
时间(s)