1.2微米CMOS工艺系列[续]
电容（FF /微米
2
)
分钟。
多晶硅间
栅氧化层
N +结
P +结
0.88
1.4
典型值。
1.06
1.5
0.35
0.60
马克斯。
1.27
1.6
亿客*
PWELL
N+
P+
多晶硅栅
多晶硅电容器
35
80
15
75
电阻（ Ω /□ ）。
分钟。
典型值。
570
2300
42
85
22
100
0.038
0.038
55
120
25
125
马克斯。
双极
收益
1
典型值。
金属I
金属II
*对于狭窄的N阱电阻
R = （ 573 ×宽） / （宽 - 2.0 ）
NPN横向[对基板]
垂直PNP
1
TEST
80
10
条件：的Vce = 5伏
图1 ： IV特性的50x1.2μm N-MOSFET
12
VGS = 5伏
图2 ： IV特性的50x1.2μm P-MOSFET
-7
VGS = -5伏
-6
10
VGS = 4伏
-5
IDS （毫安）
IDS （毫安）
8
VGS = -4伏
-4
-3
VGS = -3伏
-2
6
VGS = 3伏
4
VGS = 2伏
2
0
-1
0
0
1
2
3
4
5
6
0
-1
-2
VGS = -2伏
-3
-4
-5
-6
VDS （伏特）
VDS （伏特）
10
图3 ：在Vds的亚阈值特性= 0.1伏的
一50x1.2
1.2m
N-MOSFET
-03
360
320
280
240
图4 ：在Vds的亚阈值特性= -0.1伏的
一个50x1.2μm P-MOSFET
10
-03
10
-04
10
-05
10
-06
14
12
10
8
6
10
-04
10
-05
10
-06
10
-08
10
-09
10
-10
10
-11
10
-12
10
-13
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
IDS （ A）
200
160
120
80
40
0
IDS （ μA ）
10
-08
10
-09
10
-10
10
-11
10
-12
10
-13
0
0.4
0.8
1.2
1.6
-8
-6
4
-4 2
-2
2.0
0
VGS （伏特）
VGS （伏特）
注意：这些值仅作为指导。其中许多可以调整，以满足客户需求。
如需了解完整的流程规范与敏迪的销售办事处或代表。
IDS （ μA ）
IDS （ A）
10
-07
10
-07
QQ：2881677436 复制
