摩托罗拉
半导体技术资料
可控硅整流器器
反向阻断三极晶闸管
。 。 。主要为全波交流控制应用中，如电机控制设计，
加热控制和电源;或任何半波硅栅控，
需要的固态器件。
玻璃钝化路口和中心火门为大参数
均匀性和稳定性
体积小，坚固耐用， Thermowatt建设实现低热阻，高耐热
散热和耐用性
阻断电压为800伏特
不同Leadform配置，
后缀（ 2 ）至（ 6 ），请参阅Leadform选项（第4节）的信息
C122( )1
系列
可控硅
8 RMS安培
50通800伏
G
A
K
CASE 221A -04
(TO-220AB)
方式3
最大额定值
（ TJ = 25 ° C除非另有说明。 ）
等级
重复峰值断态电压（ 1 ） （ TJ = 25 100 ℃，门开）
反向重复峰值电压
C122F1
C122A1
C122B1
C122D1
C122M1
C122N1
峰值不重复反向电压（ 1 ）
C122F1
C122A1
C122B1
C122D1
C122M1
C122N1
正向电流有效值
（所有的导通角）
峰值正向浪涌电流
（1/2周期，正弦波， 60赫兹）
电路熔断注意事项
（T = 8.3毫秒）
TC
符号
VDRM
VRRM
价值
50
100
200
400
600
800
伏
75
200
300
500
700
800
IT （ RMS ）
ITSM
I2t
8
90
34
安培
安培
A2s
单位
伏
VRSM
p
75°C
1. VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;然而， （续）
正栅极电压不应被施加一致与阳极上的负电位。阻断电压不得与测试
恒定电流源，使得器件的电压额定值被超过。
36
摩托罗拉晶闸管设备数据
C122 （ ） 1系列
最大额定值 -
持续
等级
正向峰值功率门控（ T = 10
s)
正向平均栅极电源
正向栅极峰值电流
工作结温范围
存储温度范围
符号
PGM
PG （AV）
IGM
TJ
TSTG
价值
5
0.5
2
-40至+100
-40到+125
单位
瓦
瓦
安培
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
1.8
单位
° C / W
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
峰值正向或反向阻断电流
（ VAK =额定VDRM或VRRM ，门打开）
峰值通态电压（ 1 ）
（ ITM = 16 A峰值， TC = 25°C ）
门极触发电流（连续直流）
（ VD = 6 V ， RL = 91欧姆， TC = 25 ° C）
（ VD = 6 V ， RL = 45欧姆， TC = -40°C ）
门极触发电压（连续直流）
（ VD = 6 V ， RL = 91欧姆， TC = 25 ° C）
（ VD = 6 V ， RL = 45欧姆， TC = -40°C ）
（ VD =额定VDRM ， RL = 1000欧姆， TC = 100 ° C）
保持电流
（ VD = 24伏直流电， IT = 0.5 A ， 0.1 10毫秒的脉冲，
门极触发源= 7 V ， 20欧姆）
TC = 25°C
TC = -40°C
关断时间（ VD =额定VDRM ）
（ ITM = 8 A， IR = 8 A）
爆击率-的高层断态电压
（ VD =额定VDRM ，线性， TC = 100 ° C）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 1毫秒，占空比
TC = 25°C
TC = 100℃
VTM
IGT
—
—
VGT
—
—
0.2
IH
—
—
tq
dv / dt的
—
—
—
—
50
50
30
60
—
—
s
V / μs的
—
—
—
1.5
2
—
mA
—
—
25
40
伏
符号
IDRM ， IRRM
—
—
—
—
—
—
10
0.5
1.83
民
典型值
最大
单位
A
mA
伏
mA
p
2%.
TC ，最大允许外壳温度（
°
C)
100
TC ，最大允许外壳温度（
°
C)
图1 - 电流降额（半波）
图2 - 电流降额（全波）
100
95
90
85
80
75
70电阻或
感性负载。
65
50到400Hz
60
0
1
2
3
4
5
6
7
8
IT （ AV ） ，平均通态电流（安培）
传导
角= 60 °
120°
180°
240°
360°
0
360
ONE CYCLE电源频率
传导
角
传导
角
90
80
60° 90°
120°
180°
0
传导
角
DC
70传导
角= 30 °
60
0
360
1
2
3
4
5
6
7
8
IT （ AV ）通态平均正向电流（安培）
摩托罗拉晶闸管设备数据
37
C122 （ ） 1系列
图3 - 最大功耗（半波）图4 - 最大功耗（全波）
P（ AV ） ，通态平均功耗（瓦）
14
电阻性或电感性负载。 50到400Hz
12
10
8
90°
6传导
角30 °
4
2
0
0
3
5
4
6
2
7
IT （ AV ） ，平均通态电流（安培）
1
8
60°
180°
120°
DC
T，通态平均功耗（瓦）
C
10
240°
8
6
4
2
0
0
传导
角= 60 °
120°
180°
360°
传导
角
传导
角
0°
360°
ONE CYCLE电源频率
电阻性或电感性负载。 50到400Hz
1
2
3
4
5
6
7
IT （ AV ） ，平均通态电流（安培）
8
38
摩托罗拉晶闸管设备数据
摩托罗拉
半导体技术资料
可控硅整流器器
反向阻断三极晶闸管
。 。 。主要为全波交流控制应用中，如电机控制设计，
加热控制和电源;或任何半波硅栅控，
需要的固态器件。
玻璃钝化路口和中心火门为大参数
均匀性和稳定性
体积小，坚固耐用， Thermowatt建设实现低热阻，高耐热
散热和耐用性
阻断电压为800伏特
不同Leadform配置，
后缀（ 2 ）至（ 6 ），请参阅Leadform选项（第4节）的信息
C122( )1
系列
可控硅
8 RMS安培
50通800伏
G
A
K
CASE 221A -04
(TO-220AB)
方式3
最大额定值
（ TJ = 25 ° C除非另有说明。 ）
等级
重复峰值断态电压（ 1 ） （ TJ = 25 100 ℃，门开）
反向重复峰值电压
C122F1
C122A1
C122B1
C122D1
C122M1
C122N1
峰值不重复反向电压（ 1 ）
C122F1
C122A1
C122B1
C122D1
C122M1
C122N1
正向电流有效值
（所有的导通角）
峰值正向浪涌电流
（1/2周期，正弦波， 60赫兹）
电路熔断注意事项
（T = 8.3毫秒）
TC
符号
VDRM
VRRM
价值
50
100
200
400
600
800
伏
75
200
300
500
700
800
IT （ RMS ）
ITSM
I2t
8
90
34
安培
安培
A2s
单位
伏
VRSM
p
75°C
1. VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;然而， （续）
正栅极电压不应被施加一致与阳极上的负电位。阻断电压不得与测试
恒定电流源，使得器件的电压额定值被超过。
36
摩托罗拉晶闸管设备数据
C122 （ ） 1系列
最大额定值 -
持续
等级
正向峰值功率门控（ T = 10
s)
正向平均栅极电源
正向栅极峰值电流
工作结温范围
存储温度范围
符号
PGM
PG （AV）
IGM
TJ
TSTG
价值
5
0.5
2
-40至+100
-40到+125
单位
瓦
瓦
安培
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
1.8
单位
° C / W
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
峰值正向或反向阻断电流
（ VAK =额定VDRM或VRRM ，门打开）
峰值通态电压（ 1 ）
（ ITM = 16 A峰值， TC = 25°C ）
门极触发电流（连续直流）
（ VD = 6 V ， RL = 91欧姆， TC = 25 ° C）
（ VD = 6 V ， RL = 45欧姆， TC = -40°C ）
门极触发电压（连续直流）
（ VD = 6 V ， RL = 91欧姆， TC = 25 ° C）
（ VD = 6 V ， RL = 45欧姆， TC = -40°C ）
（ VD =额定VDRM ， RL = 1000欧姆， TC = 100 ° C）
保持电流
（ VD = 24伏直流电， IT = 0.5 A ， 0.1 10毫秒的脉冲，
门极触发源= 7 V ， 20欧姆）
TC = 25°C
TC = -40°C
关断时间（ VD =额定VDRM ）
（ ITM = 8 A， IR = 8 A）
爆击率-的高层断态电压
（ VD =额定VDRM ，线性， TC = 100 ° C）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 1毫秒，占空比
TC = 25°C
TC = 100℃
VTM
IGT
—
—
VGT
—
—
0.2
IH
—
—
tq
dv / dt的
—
—
—
—
50
50
30
60
—
—
s
V / μs的
—
—
—
1.5
2
—
mA
—
—
25
40
伏
符号
IDRM ， IRRM
—
—
—
—
—
—
10
0.5
1.83
民
典型值
最大
单位
A
mA
伏
mA
p
2%.
TC ，最大允许外壳温度（
°
C)
100
TC ，最大允许外壳温度（
°
C)
图1 - 电流降额（半波）
图2 - 电流降额（全波）
100
95
90
85
80
75
70电阻或
感性负载。
65
50到400Hz
60
0
1
2
3
4
5
6
7
8
IT （ AV ） ，平均通态电流（安培）
传导
角= 60 °
120°
180°
240°
360°
0
360
ONE CYCLE电源频率
传导
角
传导
角
90
80
60° 90°
120°
180°
0
传导
角
DC
70传导
角= 30 °
60
0
360
1
2
3
4
5
6
7
8
IT （ AV ）通态平均正向电流（安培）
摩托罗拉晶闸管设备数据
37
C122 （ ） 1系列
图3 - 最大功耗（半波）图4 - 最大功耗（全波）
P（ AV ） ，通态平均功耗（瓦）
14
电阻性或电感性负载。 50到400Hz
12
10
8
90°
6传导
角30 °
4
2
0
0
3
5
4
6
2
7
IT （ AV ） ，平均通态电流（安培）
1
8
60°
180°
120°
DC
T，通态平均功耗（瓦）
C
10
240°
8
6
4
2
0
0
传导
角= 60 °
120°
180°
360°
传导
角
传导
角
0°
360°
ONE CYCLE电源频率
电阻性或电感性负载。 50到400Hz
1
2
3
4
5
6
7
IT （ AV ） ，平均通态电流（安培）
8
38
摩托罗拉晶闸管设备数据
C122F1 ， C122B1
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
铅的最大温度在焊接用1/8 。从案例10秒
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
1.8
62.5
260
单位
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流
(V
AK
=额定V
DRM
或V
RRM
，门打开）
基本特征
峰值通态电压（注2 ）
(I
TM
= 16 A峰值，T
C
= 25°C)
门极触发电流（连续直流）
(V
AK
= 12 V ，R
L
= 100
W)
门极触发电压（连续直流）
(V
AK
= 12 V ，R
L
= 100
W)
门非触发电压（连续DC）
(V
AK
= 12 V ，R
L
= 100
W,
T
C
= 125°C)
保持电流
(V
AK
= 12 VDC，起爆电流为200 mA时，门开）T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
关断时间（V
D
=额定V
DRM
)
(I
TM
= 8 A，I
R
= 8 A)
动态特性
爆击率-的高层断态电压
(V
AK
=额定V
DRM
，指数波形，门打开，T
C
= 100°C)
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
1毫秒，占空比
≤
2%.
dv / dt的
50
V / ms的
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
V
GT
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
V
GD
I
H
t
q
50
30
60
ms
0.2
1.5
2.0
V
mA
V
TM
I
GT
25
40
V
1.83
V
mA
I
DRM
, I
RRM
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
10
0.5
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
C122F1 ， C122B1
包装尺寸
TO220AB
案例221A -07
ISSUE AA
T
B
F
C
座位
飞机
T
S
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.014
0.022
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
0.080
阴极
阳极
门
阳极
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.36
0.55
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
2.04
4
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
J
R
方式3 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
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4
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