【C106系列首选设备敏感栅硅控制整流器反向阻断晶闸管专为大批量消费类Glassivated PNPN】,IC型号C106DG,C106DG PDF资料,C106DG经销商,ic,电子元器件-51电子网

C106系列

首选设备

敏感栅硅

控制整流器

反向阻断晶闸管

专为大批量消费类Glassivated PNPN设备

应用，如温度，光，和速度控制;过程和

遥控器，和警报系统，其中运行的可靠性是

非常重要的。

特点

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可控硅

4有效值， 200 - 600伏

Glassivated表面的可靠性和一致性

电源额定功率为经济的价格

实际电平触发和保持特性

地势平坦，坚固， Thermopad建设实现低热阻，

高散热性和耐用性

敏感的门极触发

无铅包可用*

TO225AA

CASE 077

方式2

标记图&引脚分配

1.阴极

2.阳极

3.门

YWW

C106xxG

C106xx

=年

=工作周

=器件代码

= B，D ， D1 ，男， M1

= Pb-Free包装

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年8月 - 修订版8

出版订单号：

C106/D

C106系列

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

特征

重复峰值断态电压（注1 ）

（正弦波， 50-60赫兹，R

= 1千瓦，

= -40°至110℃ ）

C106B

C106D ， C106D1 *

C106M ， C106M1 *

开启状态RMS电流

（ 180 °导通角，T

= 80°C)

平均通态电流

（ 180 °导通角，T

= 80°C)

峰值不重复浪涌电流

（ 1/2周期，正弦波， 60赫兹，T

= +110°C)

电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）

正向峰值功率门

（脉冲宽度

v1.0

毫秒，

= 80°C)

正向平均栅极电源

（脉冲宽度

v1.0

毫秒，

= 80°C)

正向栅极峰值电流

（脉冲宽度

v1.0

毫秒，

= 80°C)

工作结温范围

存储温度范围

安装扭矩（注2）

T（ RMS ）

T（ AV ）

TSM

G（ AV ）

英镑

符号

DRM ，

RRM

最大

单位

200

400

600

4.0

2.55

1.65

0.5

0.1

0.2

-40到+110

-40到+150

6.0

°C

英寸磅。

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限

值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，

可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。

1. V

DRM

和V

RRM

对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;然而，正栅极

电压不应被施加一致与在阳极上的负电位。阻断电压不得以恒定电流测试

源，使得器件的电压额定值被超过。

2.额定扭矩适用与使用压缩垫圈（ B52200F006 ）的。安装扭矩超过6英寸英镑不会明显降低

外壳到散热器的热阻。阳极引线和散热片接触片是常见的。

热特性

= 25 ° C除非另有说明。）

特征

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

铅的最大温度在焊接用1/8 。从案例10秒

符号

QJC

qJA

最大

3.0

260

单位

° C / W

°C

订购信息

设备

C106B

C106BG

C106D

C106DG

C106D1*

C106D1G*

C106M

C106MG

C106M1*

C106M1G*

包

TO225AA

（无铅）

TO225AA

（无铅）

TO225AA

（无铅）

TO225AA

（无铅）

TO225AA

（无铅）

航运

500单位/箱

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

* D1标志着欧洲相当于后缀和M1标志着欧洲相当于对M后缀。

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C106系列

电气特性

= 25 ° C除非另有说明。）

特征

开关特性

峰值重复正向或反向阻断电流

=额定V

DRM

或V

RRM

, R

= 1000欧姆）

基本特征

正向峰值通态电压（注3 ）

= 4 A)

门极触发电流（连续DC）（注4 ）

= 6伏，R

= 100欧姆）

峰值反向栅极电压（I

= 10

毫安）

门极触发电压（连续DC ）（注4 ）

= 6伏，R

= 100欧姆）

门非触发电压（连续DC）（注4 ）

= 12 V ，R

= 100欧姆，T

= 110°C)

闭锁电流

= 12 V，I

= 20 mA）的

保持电流（V

= 12 V直流）

（起爆电流= 20 mA时，门打开）

= 25°C

= 40°C

= 25°C

= 40°C

= +110°C

0.19

0.33

0.07

3.0

6.0

2.0

= 25°C

= 40°C

0.20

0.35

5.0

7.0

= 25°C

= 40°C

GRM

0.4

0.5

0.2

0.60

0.75

0.8

1.0

200

500

6.0

2.2

DRM

, I

RRM

= 25°C

= 110°C

100

符号

民

典型值

最大

单位

动态特性

爆击率-的高层断态电压

=额定V

DRM

，指数波形，R

= 1000欧姆，

= 110°C)

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

2.0毫秒，占空比

≤

2%.

4. R

不包括在测量。

dv / dt的

8.0

V / ms的

可控硅电压电流特性

+电流

阳极+

在国家

RRM

在V

RRM

符号

DRM

RRM

参数

重复峰值关闭状态正向电压

峰值正向阻断电流

峰值重复关闭状态反向电压

峰值反向电流阻断

山顶上的电压状态

保持电流

反向隔离区

（关断状态）

反向雪崩区

阳极 -

+电压

DRM

在V

DRM

正向阻断区

（关断状态）

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C106系列

P（ AV ），通态平均功耗（瓦）

110

100

TC ，外壳温度（

半正弦波

电阻性或电感性负载。

50到400Hz

结温

≈

110°C

半正弦波

负载电阻或电感

50至400Hz 。

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

3.2

3.6

4.0

1.2

1.6

2.0

2.4

2.6

3.2

3.6

4.0

T（ AV ）

通态平均电流（安培）

T（ AV ）

通态平均电流（安培）

图1.平均电流降额

图2.最大通态功耗

100

IGT ，门触发电流（

1000

IH ，保持电流（

110

100

40 25

110

，结温（ ° C）

图3.典型栅极触发电流与

结温

1.0

VGT ，门极触发电压（ V）

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

45 25

110

1000

I L ，擎住电流（

图4.典型的保持电流与

结温

100

40 25

110

，结温（ ° C）

图5.典型门极触发电压与

结温

图6.典型的闭锁电流对

结温

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C106系列

包装互换性

下面的二维图比较安森美半导体的C- 106封装的关键尺寸

有竞争力的设备。已经证实，该半导体封装的尺寸更小，使其

在大多数铅贴装和机箱安装应用程序兼容。建议用户比较所有关键要素

安装兼容性。

.295

____

.305

.145

____

.155

.148

____

.158

.425

____

.435

1 2 3

.050

____

.095

.115

____

.130

.095

____

.105

.400

____

.360

.135

____

.115

.127

____ DIA

.123

.026

____

.019

典型值

.385

____

.365

.520

____

.480

.315

____

.285

.420

____

.400

.015

____

.025

.045

____

.055

.105

____

.095

.054

____

.046

.105

____

.095

.575

____

.655

.040

.094 BSC

.025

____

.035

.190

____

.170

.020

____

.026

安森美半导体的C- 106封装

有竞争力的C- 106封装

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