【BZX85C...威世德律风根硅外延平面的Z-二极管特点DDDDD在反向特性锋利的边缘低反向电流低噪】,IC型号BZX85C2V7,BZX85C2V7 PDF资料,BZX85C2V7经销商,ic,电子元器件-51电子网

BZX85C...

威世德律风根

硅外延平面的Z-二极管

特点

D

在反向特性锋利的边缘

低反向电流

低噪音

非常高的稳定性

可以用更严格的公差

应用

94 9369

电压稳定

绝对最大额定值

T

j

= 25

_

C

参数

功耗

结温

存储温度范围

测试条件

L = 4毫米，T

L

=25

°

C

TYPE

符号

P

V

T

j

T

英镑

价值

1.3

175

–65...+175

单位

W

°

C

°

C

最大热阻

T

j

= 25

_

C

参数

交界处的环境

测试条件

L = 4毫米，T

L

=常数

符号

R

thJA

价值

110

单位

K / W

电气特性

T

j

= 25

_

C

参数

正向电压

测试条件

I

F

=200mA

TYPE

符号

V

F

民

典型值

最大

1

单位

V

文档编号85608

第3版， 01 -APR- 99

www.vishay.de

FaxBack + 1-408-970-5600

1 (5)

BZX85C...

威世德律风根

TYPE

BZX85C...

2V7

3V0

3V3

3V6

3V9

4V3

4V7

5V1

5V6

6V2

6V8

7V5

8V2

9V1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

1)

V

ZNOM

V

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

I

ZT

mA

80

60

50

45

35

25

20

15

10

8

6

4

对于V

ZT

和

V

1)

2.5 2.9

2.8到3.2

3.1 3.5

3.4到3.8

3.7 4.1

4.0 4.6

4.4 5.0

4.8 5.4

5.2 6.0

5.8 6.6

6.4到7.2

7.0 7.9

7.7到8.7

8.5到9.6

9.4至10.6

10.4 11.6

11.4至12.7

12.4至14.1

13.8至15.6

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16.8至19.1

18.8至21.2

20.8至23.3

22.8 25.6

25.1 28.9

2832

31 35

34至38

37至41

40至46

44至50

48至54

52至60

58至66

64至72

70至79

W

r

ZJT

r

张家口

at

W

＆ LT ; 20

＆ LT ; 15

＆ LT ; 13

＆ LT ; 10

<7

<4

＆ LT ; 3.5

<3

<5

<7

<8

<9

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

＆ LT ; 24

＆ LT ; 25

＆ LT ;三十

＆ LT ; 35

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 90

＆ LT ; 115

＆ LT ; 120

＆ LT ; 125

＆ LT ; 130

＆ LT ; 135

＆ LT ; 400

＆ LT ; 500

＆ LT ; 400

＆ LT ; 300

＆ LT ; 200

＆ LT ; 300

＆ LT ; 350

＆ LT ; 400

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 750

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

＆ LT ; 2000

I

ZK

mA

1

0.5

0.25

I

R

at

m

A

＆ LT ; 150

＆ LT ; 100

＆ LT ; 40

＆ LT ; 20

＆ LT ; 10

<3

<1

＆ LT ; 0.5

V

R

V

1

1.5

2

3

4

4.5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

TK

VZ

%/K

-0.08 -0.05至

-0.07 -0.02至

-0.07 - -0.01

-0.03至+0.04

-0.01至+0.04

0到0.045

0.01到0.055

0.015至0.06

+0.02至0.065

为0.03 0.07

0.035 0.075

0.04 0.08

0.045 0.08

0.045 0.085

0.05 0.085

0.055 0.09

0.06 0.09

0.06 0.095

根据要求提供严格的公差：

BZX85B...

±

Ⅴ的2％

ZNOM

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2 (5)

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BZX85C...

威世德律风根

特征

(T

j

= 25

_

C除非另有说明）

2.0

P

合计

- 总功耗（ W）

C

D

- 二极管电容（pF ）

1000

1.6

100

V

R

= 0V

V

R

= 2V

V

R

= 5V

V

R

= 20V

V

R

= 30V

1.2

l=4mm

0.8

l=20mm

0.4

0

–50

l=10mm

10

1

0

50

100

150

200

95 9616

F = 1 MHz的

T

AMB

= 25°C

0

10

20

30

40

50

60

95 9612

T

AMB

- 环境温度（

°C

)

V

Z

- z - 电压（V）

图1.总功率耗散与环境温度

TURE

R

thJA

- 千卡。抗拒。结/环境（K / W）

r

Z

- 微分Z-电阻（

W

)

250

图3.二极管电容与Z-电压

1000

I

Z

=1mA

100

2mA

5mA

10mA

20mA

10

200

150

l

100

50

0

5

10

15

T

L

=常数

20

25

30

l

1

95 9615

10

V

Z

- z - 电压（V）

100

95 9613

L - 引线长度（mm ）

图4.差分Z-电阻与Z-电压

Z

THP

- 脉冲电导率热阻。（K / W）

图2.热电阻与导线长度

1000

t

p

/T=0.01

t

p

/T=0.1

100

t

p

/T=0.5

t

p

/T=0.2

10

单脉冲

i

ZM

=(–V

Z

+(V

Z2

+4r

zj

1

10

–1

10

0

10

1

t

p

- 脉冲宽度（毫秒）

10

2

t

p

/T=0.05

t

p

/T=0.02

D

T=T

JMAX

–T

AMB

R

thJA

=110K/W

D

T /

THP

)

1/2

)/(2r

zj

)

10

3

95 9614

图5.热响应

文档编号85608

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3 (5)

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威世德律风根

尺寸（mm）

阴极鉴定

技术图纸

根据DIN

特定网络阳离子

94 9368

0.85最大。

2.5最大。

标准玻璃柜

54 B 2 DIN 41880

JEDEC DO 41

重最大。 0.3克

26分钟。

4.1最大。

26分钟。

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4 (5)

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BZX85C...

威世德律风根

消耗臭氧层物质的政策声明

它的策略

威世半导体有限公司

to

1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。

2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩

相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的

对环境的影响。

这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛

消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质）。

蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和

在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令

于这些物质。

威世半导体有限公司

已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用

消耗臭氧层物质列在下面的文件。

1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表

2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质

保护局（EPA）在美国

3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质）。

威世半导体有限公司

可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造

物质和不含有这种物质。

我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。

参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证

由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，

买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或

间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。

日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn

电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423

文档编号85608

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威世德律风根

硅外延平面的Z-二极管

特点

D

在反向特性锋利的边缘

低反向电流

低噪音

非常高的稳定性

可以用更严格的公差

应用

94 9369

电压稳定

绝对最大额定值

T

j

= 25

_

C

参数

功耗

结温

存储温度范围

测试条件

L = 4毫米，T

L

=25

°

C

TYPE

符号

P

V

T

j

T

英镑

价值

1.3

175

–65...+175

单位

W

°

C

°

C

最大热阻

T

j

= 25

_

C

参数

交界处的环境

测试条件

L = 4毫米，T

L

=常数

符号

R

thJA

价值

110

单位

K / W

电气特性

T

j

= 25

_

C

参数

正向电压

测试条件

I

F

=200mA

TYPE

符号

V

F

民

典型值

最大

1

单位

V

文档编号85608

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威世德律风根

TYPE

BZX85C...

2V7

3V0

3V3

3V6

3V9

4V3

4V7

5V1

5V6

6V2

6V8

7V5

8V2

9V1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

1)

V

ZNOM

V

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

I

ZT

mA

80

60

50

45

35

25

20

15

10

8

6

4

对于V

ZT

和

V

1)

2.5 2.9

2.8到3.2

3.1 3.5

3.4到3.8

3.7 4.1

4.0 4.6

4.4 5.0

4.8 5.4

5.2 6.0

5.8 6.6

6.4到7.2

7.0 7.9

7.7到8.7

8.5到9.6

9.4至10.6

10.4 11.6

11.4至12.7

12.4至14.1

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W

r

ZJT

r

张家口

at

W

＆ LT ; 20

＆ LT ; 15

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＆ LT ; 10

<7

<4

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<3

<5

<7

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＆ LT ; 15

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＆ LT ;三十

＆ LT ; 35

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＆ LT ; 50

＆ LT ; 90

＆ LT ; 115

＆ LT ; 120

＆ LT ; 125

＆ LT ; 130

＆ LT ; 135

＆ LT ; 400

＆ LT ; 500

＆ LT ; 400

＆ LT ; 300

＆ LT ; 200

＆ LT ; 300

＆ LT ; 350

＆ LT ; 400

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 750

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

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I

ZK

mA

1

0.5

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I

R

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m

A

＆ LT ; 150

＆ LT ; 100

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＆ LT ; 20

＆ LT ; 10

<3

<1

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V

R

V

1

1.5

2

3

4

4.5

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6.8

7.5

8.2

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10

11

12

13

15

16

18

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22

24

27

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33

36

39

43

47

51

56

TK

VZ

%/K

-0.08 -0.05至

-0.07 -0.02至

-0.07 - -0.01

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-0.01至+0.04

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为0.03 0.07

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0.05 0.085

0.055 0.09

0.06 0.09

0.06 0.095

根据要求提供严格的公差：

BZX85B...

±

Ⅴ的2％

ZNOM

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2 (5)

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第3版， 01 -APR- 99

BZX85C...

威世德律风根

特征

(T

j

= 25

_

C除非另有说明）

2.0

P

合计

- 总功耗（ W）

C

D

- 二极管电容（pF ）

1000

1.6

100

V

R

= 0V

V

R

= 2V

V

R

= 5V

V

R

= 20V

V

R

= 30V

1.2

l=4mm

0.8

l=20mm

0.4

0

–50

l=10mm

10

1

0

50

100

150

200

95 9616

F = 1 MHz的

T

AMB

= 25°C

0

10

20

30

40

50

60

95 9612

T

AMB

- 环境温度（

°C

)

V

Z

- z - 电压（V）

图1.总功率耗散与环境温度

TURE

R

thJA

- 千卡。抗拒。结/环境（K / W）

r

Z

- 微分Z-电阻（

W

)

250

图3.二极管电容与Z-电压

1000

I

Z

=1mA

100

2mA

5mA

10mA

20mA

10

200

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l

100

50

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5

10

15

T

L

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20

25

30

l

1

95 9615

10

V

Z

- z - 电压（V）

100

95 9613

L - 引线长度（mm ）

图4.差分Z-电阻与Z-电压

Z

THP

- 脉冲电导率热阻。（K / W）

图2.热电阻与导线长度

1000

t

p

/T=0.01

t

p

/T=0.1

100

t

p

/T=0.5

t

p

/T=0.2

10

单脉冲

i

ZM

=(–V

Z

+(V

Z2

+4r

zj

1

10

–1

10

0

10

1

t

p

- 脉冲宽度（毫秒）

10

2

t

p

/T=0.05

t

p

/T=0.02

D

T=T

JMAX

–T

AMB

R

thJA

=110K/W

D

T /

THP

)

1/2

)/(2r

zj

)

10

3

95 9614

图5.热响应

文档编号85608

第3版， 01 -APR- 99

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3 (5)

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威世德律风根

尺寸（mm）

阴极鉴定

技术图纸

根据DIN

特定网络阳离子

94 9368

0.85最大。

2.5最大。

标准玻璃柜

54 B 2 DIN 41880

JEDEC DO 41

重最大。 0.3克

26分钟。

4.1最大。

26分钟。

www.vishay.de

FaxBack + 1-408-970-5600

4 (5)

文档编号85608

第3版， 01 -APR- 99

BZX85C...

威世德律风根

消耗臭氧层物质的政策声明

它的策略

威世半导体有限公司

to

1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。

2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩

相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的

对环境的影响。

这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛

消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质）。

蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和

在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令

于这些物质。

威世半导体有限公司

已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用

消耗臭氧层物质列在下面的文件。

1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表

2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质

保护局（EPA）在美国

3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质）。

威世半导体有限公司

可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造

物质和不含有这种物质。

我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。

参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证

由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，

买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或

间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。

日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn

电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423

文档编号85608

第3版， 01 -APR- 99

www.vishay.de

FaxBack + 1-408-970-5600

5 (5)

技术规格

半导体

1.3W DO- 41齐纳二极管

RECTRON

BZX85C2V7

THRU

BZX85C47

DO-41

尺寸：mm

电气特性（Ta = 25 ° C）

产品型号

BZX85C2V7

BZX85C3V3

BZX85C3V6

BZX85C3V9

BZX85C4V3

BZX85C4V7

BZX85C5V1

BZX85C5V6

V

ZT NOM

(V)

2.7

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

公差

(r %)

7.4

6.0

5.5

5.1

6.9

6.3

5.8

7.1

r

ZT

(:)

150.000

40.000

20.000

10.000

3.000

1.000

I

ZT

@ （毫安）

80.0

70.0

60.0

50.0

45.0

IR

（ PA ）

150.000

40.000

20.000

10.000

3.000

1.000

V

R

@ (V)

1.0

1.5

2.0

PD

(W)

1.300

电气甜心。续。（ TA = 25 ° C）

产品型号

BZX85C6V2

BZX85C6V8

BZX85C7V5

BZX85C8V2

BZX85C9V1

BZX85C10

BZX85C11

BZX85C12

BZX85C13

BZX85C15

BZX85C16

BZX85C18

BZX85C20

BZX85C22

BZX85C24

BZX85C27

BZX85C30

BZX85C33

BZX85C36

BZX85C39

BZX85C43

BZX85C47

V

ZT NOM

(V)

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10.0

11.0

12.0

13.0

15.0

16.0

18.0

20.0

22.0

24.0

27.0

30.0

33.0

36.0

39.0

43.0

47.0

公差

(

r

%)

6.4

5.8

6.0

5.4

5.3

6.5

6.0

5.6

6.3

6.0

5.7

5.8

7.0

6.6

6.0

5.5

5.1

7.0

6.3

r

ZT

(

:

)

1.000

0.500

@

I

ZT

（MA ）

35.0

25.0

20.0

15.0

10.0

8.0

6.0

4.0

IR

(

P

A)

1.000

0.500

V

R

@ (V)

3.0

4.0

4.5

6.2

6.8

7.0

8.2

9.1

10.0

11.0

12.0

13.0

15.0

16.0

18.0

20.0

22.0

24.0

27.0

30.0

33.0

36.0

P

D

(W)

1.300

RECTRON

重庆平阳县ELECTRONICS CO 。， LTD 。

BZX 85 / C 2V7 THRU肿消85 / C 220

硅平面齐纳二极管

特点

●电压

范围： 2.7V至220V

“双

siug式建筑

DO-41

1.0(25.4)

分钟。

.205(5.2)

.166(4.2)

.034(0.9)

.028(0.7)

DIA 。

机械数据

·案例：

模压塑料

·环氧树脂：

UL94V- 0率阻燃

·导语：

MIL -STD- 202E ，方法208保证

·极性：颜色

频带端为负极

·安装

您的位置：

任何

·重量：

0.33克

.107(2.7)

.080(2.0)

1.0(25.4)

分钟。

尺寸以英寸（毫米）

最大额定值和电子特性

在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。

单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。

对于容性负载，减免电流20 ％。

绝对最大额定值

(T

a

=25°C)

符号

价值

1.3

1)

200

单位

W

°C

齐纳电流见表

“ Characterstics ”

在T功耗

AMB

=25°C

结温

1)

P

合计

T

J

有效的提供，导致在距离为8mm格式的情况下被保持在环境温度。

特点在T

AMB

=25°C

符号

分钟。

--

典型值。

--

马克斯。

130

1)

1

单位

K / W

V

热阻结到

环境空气

在我正向电压

F

=200mA

R

THA

V

F

1）有效的规定，导致在距离为8mm格式的情况下被保持在环境温度。

１

PDF

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试用版本创建

www.fineprint.cn

重庆平阳县ELECTRONICS CO 。， LTD 。

BZX 85 ...

硅平面功率齐纳二极管

齐纳电压范围

TYPE

V

ZNOM

V

2.7

3

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

1)

动态recsistance

r

ZJT

Ω

20

15

13

10

7

4

3.5

3

5

7

8

9

10

15

20

24

25

30

35

40

50

90

115

120

125

130

135

200

3)

BZX 85 / C 2V7

BZX 85 / C 3V0

BZX 85 / C 3V3

BZX 85 / C 3V6

BZX 85 / C 3V9

BZX 85 / C 4V3

BZX 85 / C 4V7

BZX 85 / C 5V1

BZX 85 / C 5V6

BZX 85 / C 6V2

BZX 85 / C 6V8

BZX 85 / C 7V5

BZX 85 / C 8V2

BZX 85 / C 9V1

BZX 85 / C 10

BZX 85 / C 11

BZX 85 / C 12

BZX 85 / C 13

BZX 85 / C 15

BZX 85 / C 16

BZX 85 / C 18

BZX 85 / C 20

BZX 85 / C 22

BZX 85 / C 24

BZX 85 / C 27

BZX 85 / C 30

BZX 85 / C 33

BZX 85 / C 36

BZX 85 / C 39

BZX 85 / C 43

BZX 85 / C 47

BZX 85 / C 51

BZX 85 / C 56

BZX 85 / C 62

BZX 85 / C 68

BZX 85 / C 75

BZX 85 / C 82

I

ZT

mA

80

70

60

50

45

35

25

20

15

10

8

6

4

2.7

对于V

ZT2)

V

2.5…2.9

2.8…3.2

3.1…3.5

3.4…3.8

3.7…4.1

4.0…4.6

4.4…5.0

4.8…5.4

5.2…6.0

5.8…6.6

6.4…7.2

7.0…7.9

7.7…8.7

8.5…9.6

9.4…10.6

10.4…11.6

11.4…12.7

12.4…14.1

13.8…15.6

15.3…17.1

16.8…19.1

18.8…21.2

20.8…23.3

22.8…25.6

25.1…28.9

28…32

31…35

34…38

37…41

40…46

44…50

48…54

52…60

58…66

64…72

70…79

77…87

R

ZJT

在我

zk

Ω

mA

400

1

400

500

600

500

400

300

200

300

350

400

500

400

600

750

1000

1500

2000

3000

1

0.5

0.25

反向

泄漏

当前

2)

I

R

在V

R

A

V

150

1

100

40

20

10

3

1

0.5

1

1.5

2

3

4

4.5

6.2

6.8

7

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

温度

系数

齐纳电压

TK

VZ

%/K

-0.08…-0.05

-0.07…-0.02

-0.07…+0.01

-0.03…+0.04

-0.01…+0.04

0…+0.045

+0.01…+0.055

+0.015…+0.06

+0.02…+0.065

0.03…0.07

0.03…0.075

0.04…0.08

0.045…0.08

0.045…0.085

0.05…0.085

0.055…0.09

0.06…0.09

0.06…0.095

0.07…0.10

２

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重庆平阳县ELECTRONICS CO 。， LTD 。

BZX 85 / C 91

BZX 85 / C 100

BZX 85 / C 110

BZX 85 / C 120

BZX 85 / C 130

BZX 85 / C 150

BZX 85 / C 160

BZX 85 / C 180

BZX 85 / C 200

BZX 85 / C 220

1)

91

100

110

120

130

150

160

180

200

220

2.7

2

1.5

1

85…96

94…106

104…116

114…127

124…141

138…156

153…171

168…191

188…212

218…232

250

350

450

550

700

1000

1100

1200

1500

1600

3000

4000

4500

5000

6000

6500

7000

8000

9000

0.25

0.5

68

75

82

91

100

110

120

130

150

170

0.07…0.10

0.07…0.11

测试了脉冲TP = 5毫秒。

特价设施包括：

的电压之间的标称电压的齐纳所示和更严格的

电压容差。关于价格，可用性和交付的详细信息，请联系离您最近的摩托罗拉代表;

齐纳

电压（ VZ ）测量：

VZ后测量测试电流已经施加到40

±

10毫秒，同时保持

铅温度（ TL ）在30°C

±

1 ℃， 3/8 ，从二极管体。

2)

3)

有效的条件是引线保持在环境温度下，以10mm的形式的情况下的距离。

齐纳阻抗从1kHz的周期的交流电压，交流电流具有有效值相等时其导致来自

于直流稳压电流（ IZT ）或（ IZK ）的10％被叠加在IZT或IZK 。

３

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BZX85-Series

威世半导体

齐纳二极管

特点

硅平面功率齐纳二极管

用于稳定和削波电路

e2

具有高的额定功率

齐纳电压是根据分级

国际E 24标准。更换后缀"C"

与"B"为± 2 ％容差

铅（Pb） -free组件

按照RoHS组件

2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC

17173

应用

电压稳定

机械数据

案例：

DO41玻璃案例

重量：

约。 310毫克

阴极带颜色：

黑

包装代码/选项：

每13"卷轴（52毫米磁带）， 25 K /箱TR / 5 K.

每个弹药盒（52毫米磁带）， 25 K /盒TAP / 5 K.

绝对最大额定值

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

齐纳电流

（见表"Electrical Characteristics" ）

功耗

1)

测试条件

符号

价值

单位

P

合计

1.3

1)

W

有效的提供，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下

热特性

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

热阻结到环境空气

结温

储存温度

1)

测试条件

符号

R

thJA

T

j

T

英镑

价值

110

1)

175

- 55 + 175

单位

K / W

°C

有效的提供，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下

文档编号85607

修订版1.8 ， 5月31日 - 07

www.vishay.com

1

BZX85-Series

威世半导体

电气特性

部分号码

齐纳电压

范围

1)

动态电阻

温度

系数

of

齐纳电压

在我

ZK

mA

民

1

0.5

0.25

α

VZ

在我

Z

= I

ZT

%/°C

最大

- 0.05

- 0.02

0.01

0.04

0.045

0.055

0.06

0.065

0.07

0.075

0.08

0.085

0.09

0.095

- 0.08

- 0.07

- 0.05

- 0.03

- 0.01

0

0.01

0.015

0.02

0.03

0.035

0.04

0.045

0.05

0.055

0.06

0.055

反向漏电流容许齐纳

当前

2)

V

Z

在我

ZT

V

民

BZX85C2V7

BZX85C3V0

BZX85C3V3

BZX85C3V6

BZX85C3V9

BZX85C4V3

BZX85C4V7

BZX85C5V1

BZX85C5V6

BZX85C6V2

BZX85C6V8

BZX85C7V5

BZX85C8V2

BZX85C9V1

BZX85C10

BZX85C11

BZX85C12

BZX85C13

BZX85C15

BZX85C16

BZX85C18

BZX85C20

BZX85C22

BZX85C24

BZX85C27

BZX85C30

BZX85C33

BZX85C36

BZX85C39

BZX85C43

BZX85C47

BZX85C51

BZX85C56

BZX85C62

BZX85C68

BZX85C75

BZX85C82

BZX85C91

BZX85C100

1)

2)

3)

r

ZT3)

Ω

在我

ZT

mA

80

60

50

45

35

25

20

15

10

8

6

4

2.7

r

ZK3)

Ω

＆ LT ; 400

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 500

＆ LT ; 400

＆ LT ; 300

＆ LT ; 200

＆ LT ; 300

＆ LT ; 350

＆ LT ; 400

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 750

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

＆ LT ; 2000

< 3000

在我

R

A

＆ LT ; 150

＆ LT ; 100

＆ LT ; 40

＆ LT ; 20

＆ LT ; 10

<3

<1

＆ LT ; 0.5

在V

R

V

1

1.5

2

3

4

4.5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

I

Z

mA

360

330

300

290

280

250

215

200

190

170

155

140

130

120

105

97

88

79

71

66

62

56

52

47

41

36

33

30

28

26

23

21

19

16

15

14

12

10

9.4

最大

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5

5.4

6

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

80

87

96

106

＆ LT ; 20

＆ LT ; 15

＆ LT ; 13

＆ LT ; 10

<7

<4

＆ LT ; 3.5

<3

<5

<7

<8

<9

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

＆ LT ; 24

＆ LT ; 25

＆ LT ;三十

＆ LT ; 35

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 90

＆ LT ; 115

＆ LT ; 120

＆ LT ; 125

＆ LT ; 130

＆ LT ; 135

＆ LT ; 200

＆ LT ; 250

＆ LT ; 350

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

77

85

96

测量脉冲牛逼

p

= 5毫秒

在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度

测得F = 1千赫

www.vishay.com

2

文档编号85607

修订版1.8 ， 5月31日 - 07

BZX85-Series

威世半导体

电气特性

部分号码

齐纳电压

范围

1)

动态电阻

温度

系数

of

齐纳电压

在我

ZK

mA

民

1

0.5

0.25

α

VZ

在我

Z

= I

ZT

%/°C

最大

- 0.05

- 0.02

0.01

0.04

0.045

0.055

0.06

0.065

0.07

0.075

0.08

0.085

0.09

0.095

- 0.08

- 0.07

- 0.05

- 0.03

- 0.01

0

0.01

0.015

0.02

0.03

0.035

0.04

0.045

0.05

0.055

0.06

0.055

反向漏电流容许齐纳

当前

2)

V

Z

在我

ZT

V

民

BZX85B2V7

BZX85B3V0

BZX85B3V3

BZX85B3V6

BZX85B3V9

BZX85B4V3

BZX85B4V7

BZX85B5V1

BZX85B5V6

BZX85B6V2

BZX85B6V8

BZX85B7V5

BZX85B8V2

BZX85B9V1

BZX85B10

BZX85B11

BZX85B12

BZX85B13

BZX85B15

BZX85B16

BZX85B18

BZX85B20

BZX85B22

BZX85B24

BZX85B27

BZX85B30

BZX85B33

BZX85B36

BZX85B39

BZX85B43

BZX85B47

BZX85B51

BZX85B56

BZX85B62

BZX85B68

BZX85B75

BZX85B82

BZX85B91

BZX85B100

1)

2)

3)

r

ZT3)

Ω

在我

ZT

mA

80

60

50

45

35

25

20

15

10

8

6

4

2.7

r

ZK3)

Ω

＆ LT ; 400

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 500

＆ LT ; 400

＆ LT ; 300

＆ LT ; 200

＆ LT ; 300

＆ LT ; 350

＆ LT ; 400

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 750

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

＆ LT ; 2000

< 3000

在我

R

A

＆ LT ; 150

＆ LT ; 100

＆ LT ; 40

＆ LT ; 20

＆ LT ; 10

<3

<1

＆ LT ; 0.5

在V

R

V

1

1.5

2

3

4

4.5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

I

Z

mA

360

330

300

290

280

250

215

200

190

170

155

140

130

120

105

97

88

79

71

66

62

56

52

47

41

36

33

30

28

26

23

21

19

16

15

14

12

10

9.4

最大

2.76

3.06

3.36

3.67

3.98

4.39

4.79

5.2

5.71

6.32

6.94

7.65

8.36

9.28

10.2

11.2

12.2

13.3

15.3

16.3

18.4

20.4

22.4

24.5

27.5

30.6

33.7

36.7

39.8

43.9

47.9

52

57.1

63.2

69.4

76.5

83.6

92.8

102

＆ LT ; 20

＆ LT ; 15

＆ LT ; 13

＆ LT ; 10

<7

<4

＆ LT ; 3.5

<3

<5

<7

<8

<9

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

＆ LT ; 24

＆ LT ; 25

＆ LT ;三十

＆ LT ; 35

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 90

＆ LT ; 115

＆ LT ; 120

＆ LT ; 125

＆ LT ; 130

＆ LT ; 135

＆ LT ; 200

＆ LT ; 250

＆ LT ; 350

2.64

2.94

2.24

3.53

3.82

4.21

4.61

5

5.49

6.08

6.66

7.35

8.04

8.92

9.8

10.8

11.8

12.7

14.7

15.7

17.6

19.6

21.6

23.5

26.5

29.4

32.3

35.3

38.2

42.1

46.1

50

54.9

60.8

66.6

73.5

80.4

89.2

98

测量脉冲牛逼

p

= 5毫秒

在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度

测得F = 1千赫

文档编号85607

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3

BZX85-Series

威世半导体

典型特征

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

° C / W

10

3

5

4

3

2

° C / W

200

r

THA

10

2

5

4

3

2

0.5

R

THA

100

0.2

马克斯。

典型值。

10

1

0.1

5 0.05

4

3 0.02

2

0.01

t

P

v

=

T

P

___

t

T

P

I

0

10

-1

t

P

1

10 s

18458

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

0

10

20

导线长度

30 mm

18461

图1.脉冲热电阻与脉冲宽度

图4.热敏电阻与导线长度

Ω

10

3

7

5

4

3

2

W

2

r

zj

P

合计

56

10

2

7

5

4

3

2

43

1

10

0.1

0

2

3 4 5

1

2

3 4 5

10毫安

18459

0

100

T

AMB

200 °C

18462

I

Z

图2.动态电阻与齐纳电流

图5.容许功耗与环境温度

Ω

100

7

5

4

3

2

Ω

10

3

5

4

3

2

r

zj

r

zj

43

36

30

24

22

18

10

2

5

4

3

2

5V1

4V3

18

12

10

7

5

4

3

2

10

5

4

3

2

6V2

10

7V5

1

2

3 4 5

10

2

3 4 5

百毫安

18460

1

2

3 4 5 7

10

2

3 4 5

7

百毫安

I

Z

I

Z

18463

图3.动态电阻与齐纳电流

图6.动态电阻与齐纳电流

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4

文档编号85607

修订版1.8 ， 5月31日 - 07

BZX85-Series

威世半导体

mA

240

200

I

Z

160

120

80

40

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

V

Z

图7.击穿特性

3V9

4V7

5V6

6V8

8V2

10

12

T

j

= 25 °C

10 11 12 13 14 15

V

18456

mA

60

50

I

Z

40

33

15

18

22

27

T

j

= 25 °C

30

20

10

0

5

10

15

20

25

30

V

Z

图8.击穿特性

39

47

35

40

45 50

V

18457

包装尺寸

毫米（英寸）

94 9368

文档编号85607

修订版1.8 ， 5月31日 - 07

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5

初步

BZX85C系列

稳压二极管

电压范围

2.4至212伏

1.3Watts功耗

特点

硅平面功率齐纳二极管

对于与稳定和削波电路用

高功率等级

齐纳电压是根据分级

国际E24标准。更换后缀

“C”

DO-41

机械数据

案例：模压塑料DO- 41

铅：轴向引线，每焊

MIIL - STD- 202方法2025

极性：颜色频带端为负极

安装位置：任意

重量： 310毫克（大约）

尺寸以英寸（毫米）

最大额定值和电气特性

评分在25℃环境温度，除非另有规定。

最大额定值

类型编号

功率耗散（注1 ）

热阻结到环境空气

（注1 ）

工作和存储温度范围

符号

Pd

R

θJA

T

J

, T

英镑

价值

1.3

130

-55 + 175

单位

W

O

C / W

O

C

注：1。测量的脉冲TP = 5ms的

2.有效的规定，铅是在环境温度保持在一定距离

10毫米的情况下..

3， F = 1kHz的。

2005年2月17日/转。一

电气特性

(TA=25

O

C

齐纳电压

范围（注1 ）

设备

V

z

@ I

zt

V

民

最大

BZX85C2V7

BZX85C3V0

BZX85C3V3

BZX85C3V6

BZX85C3V9

BZX85C4V3

BZX85C4V7

BZX85C5V1

BZX85C5V6

BZX85C6V2

BZX85C6V8

BZX85C7V5

BZX85C8V2

BZX85C9V1

BZX85C10

BZX85C11

BZX85C12

BZX85C13

BZX85C15

BZX85C16

BZX85C18

BZX85C20

BZX85C22

BZX85C24

BZX85C27

BZX85C30

BZX85C33

BZX85C36

BZX85C39

BZX85C43

BZX85C47

BZX85C51

BZX85C56

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5.0

5.4

6

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

f

ZT

（注3）

欧姆

<20

<15

<13

<10

<7

<4

<3.5

<3

<5

<7

<8

<9

<10

<15

<20

<24

<25

<30

<35

<40

<50

<90

<115

<120

I

ZT

mA

80

60

50

45

35

25

20

15

10

8

6

4

f

ZT

（注3）

欧

<400

<500

<600

<500

<400

<300

<200

<300

<350

<400

<500

<600

<750

<1000

<1500

<2000

动态电阻

除非另有说明）

温度

对COEF网络cient

齐纳电压

I

ZK

mA

1

0.5

0.25

V

Z

@

I

Z

=

I

ZT

% /

O

C

民

最大

-0.08

-0.07

-0.05

-0.03

-0.01

0

0.01

0.015

0.02

0.03

0.035

0.04

0.045

0.05

0.055

0.06

-0.05

-0.02

0.01

0.04

0.045

0.055

0.06

0.065

0.07

0.075

0.08

0.085

0.09

0.095

可受理

反向漏

齐纳

当前

（注2 ）

I

Z

I

R

VR

uA

V

mA

<150

<100

<40

<20

<10

<3

<1

<0.5

1.0

1.5

2.0

3.0

4.0

4.5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

360

330

300

290

280

250

215.0

200.0

190.0

170.0

155.0

140.0

130.0

120.0

105.0

97.0

88.0

79.0

71.0

66.0

62.0

56.0

52.0

47.0

41.0

36.0

33.0

30.0

28.0

26.0

23.0

21.0

19.0

注：1。有效的规定，设备终端被保持在环境温度下进行。

2.测试用脉冲， 300US的脉冲宽度，周期= 5毫秒。

3， F = 1kHz的。

电气特性

(TA=25

O

C

齐纳电压

范围（注1 ）

设备

V

z

@ I

zt

V

民

最大

BZX85C62

BZX85C68

BZX85C75

BZX85C82

BZX85C91

BZX85C100

BZX85C110

BZX85C120

BZX85C130

BZX85C150

BZX85C160

BZX85C180

BZX85C200

58

64

70

77

85

96

104

114

124

138

153

168

188

66

72

80

87

96

106

116

127

141

156

171

191

212

f

ZT

（注3）

欧姆

<125

<130

<135

<200

<250

<350

<450

<550

<700

<1000

<1100

<1200

<1500

I

ZT

mA

4.0

2.7

2.0

1.5

f

ZT

（注3）

欧

<2000

<3000

<4000

<4500

<5000

<6000

<6500

<7000

<8000

I

ZK

mA

动态电阻

除非另有说明）

温度

对COEF网络cient

齐纳电压

V

Z

@

I

Z

=

I

ZT

% /

O

C

民

最大

0.095

可受理

反向漏电流稳压

当前

（注2 ）

I

Z

I

R

VR

uA

V

mA

<0.5

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

16

15

14

12

10

9.4

8.6

7.8

7.0

6.4

5.8

5.2

4.7

0.25

0.06

0.055

注：1。有效的规定，设备终端被保持在环境温度下进行。

2.测试用脉冲， 300US的脉冲宽度，周期= 5毫秒。

3， F = 1kHz的。

额定值和特性曲线（ BZX85C系列）

FIG.1- PULSE热阻VS

脉冲持续时间

FIG.2-动态电阻与齐纳电流

FIG.3-动态电阻与齐纳电流

FIG.4-热电阻与导线长度

FIG.5-容许功耗VS

环境温度

FIG.6-动态电阻与齐纳电流

额定值和特性曲线（ BZX85C系列）

FIG.7-击穿特性

FIG.8-击穿特性

BZX85C

硅平面功率齐纳二极管

为稳定并具有高削波电路用

额定功率。

齐纳电压是根据分级

国际E 24标准。其他公差和

高齐纳电压要求。

黑

阴极带

黑

产品型号

黑

"ST"品牌

最大。 0.7

马克斯。 2.8

分钟。 25.4

XXX

ST

马克斯。 4.2

分钟。 25.4

玻璃外壳DO- 41

尺寸（mm）

绝对最大额定值（T

a

= 25

O

C)

参数

功耗

结温

存储温度范围

1)

符号

P

合计

T

j

T

S

价值

1.3

1)

单位

W

O

200

- 55至+ 200

C

O

有效的提供，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。

特点在T

a

= 25

O

C

参数

热阻结到环境空气

正向电压

在我

F

= 200毫安

1)

符号

R

THA

V

F

马克斯。

130

1)

1.2

单位

K / W

V

有效的提供，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 12/06/2007

BZX85C

齐纳电压范围

1)

TYPE

V

ZNOM

V

l

ZT

mA

为

V

ZT

V

2.5...2.9

2.8...3.2

3.1...3.5

3.4...3.8

3.7...4.1

4...4.6

4.4...5

4.8...5.4

5.2...6

5.8...6.6

6.4...7.2

7...7.9

7.7...8.7

8.5...9.6

9.4...10.6

10.4...11.6

11.4...12.7

12.4...14.1

13.8...15.6

15.3...17.1

16.8...19.1

18.8...21.2

20.8...23.3

22.8...25.6

25.1...28.9

28...32

31...35

34...38

37...41

40...46

44...50

48...54

52...60

58...66

64...72

70...79

77...87

85...96

94...106

104...116

114...127

124...141

138...156

153...171

168...191

188...212

最大动态性

r

ZJT

20

15

13

10

7

4

3.5

3

5

7

8

9

10

15

20

24

25

30

35

40

50

90

115

120

125

130

135

200

250

350

450

550

700

1000

1100

1200

1500

r

张家口

400

500

600

500

400

300

200

300

350

400

500

600

750

1000

1500

2000

3000

4000

4500

5000

6000

6500

7000

8000

在我

ZK

mA

1

0.5

0.25

最大反向

漏电流

I

R

A

150

100

40

20

10

3

1

0.5

在V

R

V

1

1.5

2

3

4

4.5

6.2

6.8

7

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

BZX85C2V7

2.7

80

BZX85C3V0

3.0

80

BZX85C3V3

3.3

70

BZX85C3V6

3.6

60

BZX85C3V9

3.9

60

BZX85C4V3

4.3

50

BZX85C4V7

4.7

45

BZX85C5V1

5.1

45

BZX85C5V6

5.6

45

BZX85C6V2

6.2

35

BZX85C6V8

6.8

35

BZX85C7V5

7.5

35

BZX85C8V2

8.2

25

BZX85C9V1

9.1

25

BZX85C10

10

25

BZX85C11

11

20

BZX85C12

12

20

BZX85C13

13

20

BZX85C15

15

BZX85C16

16

15

BZX85C18

18

15

BZX85C20

20

10

BZX85C22

22

10

BZX85C24

24

10

BZX85C27

27

8

BZX85C30

30

8

BZX85C33

33

8

BZX85C36

36

8

BZX85C39

39

6

BZX85C43

43

6

BZX85C47

47

4

BZX85C51

51

4

BZX85C56

56

4

BZX85C62

62

4

BZX85C68

68

4

BZX85C75

75

4

BZX85C82

82

2.7

BZX85C91

91

2.7

BZX85C100

100

2.7

BZX85C110

110

2.7

BZX85C120

120

2

BZX85C130

130

2

BZX85C150

150

2

BZX85C160

160

1.5

BZX85C180

180

1.5

BZX85C200

200

1.5

1)

测试了脉冲吨

p

= 20毫秒。

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 12/06/2007

BZX85C

击穿特性

在TJ =常数（脉冲）

mA

240

C3V9

200

C5V6

Iz

160

C6V8

C8V2

120

C10

C12

80

C4V7

BZX 85 ...

Tj=25

o

C

C15

40

C18

C22

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

Vz

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24V

击穿特性

在TJ =常数（脉冲）

mA

50

Iz

40

C33

C39

30

C47

C68

C27

Tj=25

o

C

BZX 85 ...

20

C 75

C 91

10

0

20

25

30

35

40

45

50

55

60

Vz

65

70

75

80

85

90

95V

受理的功耗

随环境温度

有效的条件是引线保持在环境

温度从个案的距离为10毫米

w

P

合计

T

AMB

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 12/06/2007

BZX85-Series

www.vishay.com

威世半导体

齐纳二极管

特点

硅平面功率齐纳二极管

用于与稳定和削波电路

高功率等级

齐纳电压是根据分级

国际E 24标准。更换后缀“C”

以“ B”为± 2 ％容差

符合RoHS指令2002/95 / EC和

根据WEEE指令2002/96 / EC

无卤素，符合IEC 61249-2-21定义

主要特征

参数

V

Z

范围NOM 。

测试电流I

ZT

V

Z

规范

诠释。施工

价值

2.7至100

2.7 80

脉冲电流

单身

单位

V

mA

应用

电压稳定

订购信息

设备名称

BZX85-series

订购代码

BZX85-series-TR

BZX85-series-TAP

每卷胶带单位

5000 （上13"卷轴52毫米磁带）

5000元ammopack

（52毫米磁带）

最小起订量

25 000 /盒

包

包名称

DO-41

重量

310毫克

模塑料湿度敏感度

可燃性等级

水平

符合UL 94 V -0

MSL等级1

（根据J- STD- 020 ）

焊接

条件

260 ℃/ 10秒，在终端

绝对最大额定值

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

参数

功耗

齐纳电流

结到环境空气

结温

存储温度范围

测试条件

有效的提供，导致在4mm的距离

从壳体被保持在环境温度下

请参阅表“电气特性”。

有效的提供，导致在4mm的距离

从壳体被保持在环境温度下

R

thJA

T

j

T

英镑

110

175

- 55 + 175

K / W

°C

符号

P

合计

价值

1300

单位

mW

2.1版， 22 -NOV- 11

文档编号： 85607

1

您所在区域内的技术问题：

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受到特定的免责声明，阐明的AT

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BZX85-Series

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威世半导体

温度

系数

齐纳二极管

电压

α

VZ

在我

ZT1

%/°C

马克斯。

＆ LT ; 400

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 500

＆ LT ; 400

＆ LT ; 300

＆ LT ; 200

＆ LT ; 300

＆ LT ; 350

＆ LT ; 400

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 750

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

＆ LT ; 2000

< 3000

分钟。

- 0.08

- 0.07

- 0.05

- 0.03

- 0.01

0

0.01

0.015

0.02

0.03

0.035

0.04

0.045

0.05

0.055

0.06

0.055

马克斯。

- 0.05

- 0.02

0.01

0.04

0.045

0.055

0.06

0.065

0.07

0.075

0.08

0.085

0.09

0.095

360

330

300

290

280

250

215

200

190

170

155

140

130

120

105

97

88

79

71

66

62

56

52

47

41

36

33

30

28

26

23

21

19

16

15

14

12

10

9.4

电气特性

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

齐纳电压

范围

(1)

产品型号

V

Z

在我

ZT1

V

分钟。喃。马克斯。

BZX85C2V7

BZX85C3V0

BZX85C3V3

BZX85C3V6

BZX85C3V9

BZX85C4V3

BZX85C4V7

BZX85C5V1

BZX85C5V6

BZX85C6V2

BZX85C6V8

BZX85C7V5

BZX85C8V2

BZX85C9V1

BZX85C10

BZX85C11

BZX85C12

BZX85C13

BZX85C15

BZX85C16

BZX85C18

BZX85C20

BZX85C22

BZX85C24

BZX85C27

BZX85C30

BZX85C33

BZX85C36

BZX85C39

BZX85C43

BZX85C47

BZX85C51

BZX85C56

BZX85C62

BZX85C68

BZX85C75

BZX85C82

BZX85C91

BZX85C100

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

77

85

96

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5

5.4

6

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

80

87

96

106

80

60

50

45

35

25

20

15

10

8

6

4

2.7

1

0.5

0.25

＆ LT ; 150

＆ LT ; 100

＆ LT ; 40

＆ LT ; 20

＆ LT ; 10

<3

<1

＆ LT ; 0.5

1

1.5

2

3

4

4.5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

TEST

当前

I

ZT1

mA

I

ZT2

反向

LAEKAGE

当前

I

R

在V

R

μA

V

马克斯。

＆ LT ; 20

＆ LT ; 15

＆ LT ; 13

＆ LT ; 10

<7

<4

＆ LT ; 3.5

<3

<5

<7

<8

<9

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

＆ LT ; 24

＆ LT ; 25

＆ LT ;三十

＆ LT ; 35

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 90

＆ LT ; 115

＆ LT ; 120

＆ LT ; 125

＆ LT ; 130

＆ LT ; 135

＆ LT ; 200

＆ LT ; 250

＆ LT ; 350

动态

阻力

Z

在我

ZT1

Ω

(3)

可受理

齐纳

当前

(2)

I

Z

mA

Z

ZK

在我

ZT2

笔记

(1)

测量脉冲T = 5毫秒

p

(2)

在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度

(3)

测得F = 1千赫

2.1版， 22 -NOV- 11

文档编号： 85607

2

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威世半导体

温度

系数

齐纳二极管

电压

α

VZ

在我

ZT1

%/°C

马克斯。

＆ LT ; 400

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 500

＆ LT ; 400

＆ LT ; 300

＆ LT ; 200

＆ LT ; 300

＆ LT ; 350

＆ LT ; 400

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 750

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

＆ LT ; 2000

< 3000

分钟。

- 0.08

- 0.07

- 0.05

- 0.03

- 0.01

0

0.01

0.015

0.02

0.03

0.035

0.04

0.045

0.05

0.055

0.06

0.055

马克斯。

- 0.05

- 0.02

0.01

0.04

0.045

0.055

0.06

0.065

0.07

0.075

0.08

0.085

0.09

0.095

360

330

300

290

280

250

215

200

190

170

155

140

130

120

105

97

88

79

71

66

62

56

52

47

41

36

33

30

28

26

23

21

19

16

15

14

12

10

9.4

电气特性

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

齐纳电压

范围

(1)

产品型号

V

Z

在我

ZT1

V

分钟。喃。马克斯。

BZX85B2V7

BZX85B3V0

BZX85B3V3

BZX85B3V6

BZX85B3V9

BZX85B4V3

BZX85B4V7

BZX85B5V1

BZX85B5V6

BZX85B6V2

BZX85B6V8

BZX85B7V5

BZX85B8V2

BZX85B9V1

BZX85B10

BZX85B11

BZX85B12

BZX85B13

BZX85B15

BZX85B16

BZX85B18

BZX85B20

BZX85B22

BZX85B24

BZX85B27

BZX85B30

BZX85B33

BZX85B36

BZX85B39

BZX85B43

BZX85B47

BZX85B51

BZX85B56

BZX85B62

BZX85B68

BZX85B75

BZX85B82

BZX85B91

BZX85B100

2.64

2.94

2.24

3.53

3.82

4.21

4.61

5

5.49

6.08

6.66

7.35

8.04

8.92

9.8

10.8

11.8

12.7

14.7

15.7

17.6

19.6

21.6

23.5

26.5

29.4

32.3

35.3

38.2

42.1

46.1

50

54.9

60.8

66.6

73.5

80.4

89.2

98

2.7

3

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

2.76

3.06

3.36

3.67

3.98

4.39

4.79

5.2

5.71

6.32

6.94

7.65

8.36

9.28

10.2

11.2

12.2

13.3

15.3

16.3

18.4

20.4

22.4

24.5

27.5

30.6

33.7

36.7

39.8

43.9

47.9

52

57.1

63.2

69.4

76.5

83.6

92.8

102

80

60

50

45

35

25

20

15

10

8

6

4

2.7

1

0.5

0.25

＆ LT ; 150

＆ LT ; 100

＆ LT ; 40

＆ LT ; 20

＆ LT ; 10

<3

<1

＆ LT ; 0.5

1

1.5

2

3

4

4.5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

TEST

当前

I

ZT1

mA

I

ZT2

反向

LAEKAGE

当前

I

R

在V

R

μA

V

马克斯。

＆ LT ; 20

＆ LT ; 15

＆ LT ; 13

＆ LT ; 10

<7

<4

＆ LT ; 3.5

<3

<5

<7

<8

<9

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

＆ LT ; 24

＆ LT ; 25

＆ LT ;三十

＆ LT ; 35

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 90

＆ LT ; 115

＆ LT ; 120

＆ LT ; 125

＆ LT ; 130

＆ LT ; 135

＆ LT ; 200

＆ LT ; 250

＆ LT ; 350

动态

阻力

Z

在我

ZT1

Ω

(3)

可受理

齐纳

当前

(2)

I

Z

mA

Z

ZK

在我

ZT2

笔记

(1)

测量脉冲T = 5毫秒

p

(2)

在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度

(3)

测得F = 1千赫

2.1版， 22 -NOV- 11

文档编号： 85607

3

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受到特定的免责声明，阐明的AT

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基本特征

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

° C / W

10

3

5

4

3

2

威世半导体

° C / W

200

r

THA

10

2

5

4

3

2

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

R

THA

100

马克斯。

典型值。

10

5

4

3

2

t

P

v

=

T

P

___

t

T

P

I

1

10

-5

0

10

-1

t

P

1

10 s

18458

10

-4

10

-3

10

-2

0

10

20

导线长度

30 mm

18461

图。 1 -

脉冲热电阻与脉冲宽度

图。 4 -

热敏电阻与导线长度

Ω

10

3

7

5

4

W

2

r

zj

3

2

P

合计

56

10

2

7

5

4

3

2

43

1

10

0.1

0

2

3 4 5

1

2

3 4 5

10毫安

18459

0

100

T

AMB

200 °C

18462

I

Z

图。 2 -

动态电阻与齐纳电流

图。 5 -

受理的功耗与环境温度

Ω

100

7

5

4

3

2

Ω

10

3

5

4

3

2

r

zj

r

zj

43

36

30

24

22

18

10

2

5

4

3

2

5V1

4V3

18

12

10

7

5

4

3

2

10

5

4

3

2

6V2

10

7V5

1

2

3 4 5

10

2

3 4 5

百毫安

18460

1

2

3 4 5 7

10

2

3 4 5

7

百毫安

I

Z

I

Z

18463

图。 3 -

动态电阻与齐纳电流

图。 6 -

动态电阻与齐纳电流

2.1版， 22 -NOV- 11

文档编号： 85607

4

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受到特定的免责声明，阐明的AT

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BZX85-Series

www.vishay.com

威世半导体

mA

240

200

I

Z

160

120

80

40

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

V

Z

图。 7 -

击穿特性

3V9

4V7

5V6

6V8

8V2

10

12

T

j

= 25 °C

10 11 12 13 14 15

V

18456

mA

60

50

I

Z

40

33

15

18

22

27

T

j

= 25 °C

30

20

10

0

5

10

15

20

25

30

V

Z

图。 8 -

击穿特性

39

47

35

40

45 50

V

18457

包装尺寸

以毫米（英寸）：

DO-41

阴极鉴定

0.86（ 0.034 ）最大。

26 （ 1.024 ）分钟。

4.1 （ 0.161 ）最大。

26 （ 1.024 ）分钟。

94 9368

2.1版， 22 -NOV- 11

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2.6 （ 0.102 ）最大。

BZX85C系列

V

Z

： 2.4 - 200伏

P

D

： 1.3瓦

产品特点：

*完整的电压范围2.7到200伏

*高反向峰值功耗

*高可靠性

*低漏电流

硅稳压二极管

DO - 41

0.107 (2.7)

0.080 (2.0)

1.00 (25.4)

分钟。

0.205 (5.2)

0.166 (4.2)

机械数据

*案例： DO- 41模压塑料

*环氧： UL94V -O率阻燃

*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，

方法208保证

*极性：颜色频带端为负极

*安装位置：任意

*重量： 0.339克

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

1.00 (25.4)

分钟。

尺寸以英寸（毫米）

最大额定值

等级25

°

除非另有说明C的环境温度

等级

在T DC功耗

L

= 50

°

C（注1）

最大正向电压在我

F

= 200毫安

最大热阻结到环境空气（注2 ）

结温范围

存储温度范围

符号

P

D

V

F

R

θ

JA

T

J

Ts

价值

1.3

1.0

130

- 55 + 175

单位

瓦

伏

K / W

°

C

°

C

注意：

(1) T

L

=铅温度从身体3/8 "设计（9.5mm ）

（2）有效的规定，引线被保持在环境温度下，以10mm的情况下的距离。

图。 1功耗温度降额曲线

1.5

P

D

，最大耗散

（瓦特）

L = 8"分之3设计（9.5mm ）

1.2

0.9

0.6

0.3

0

25

T

L,

50

75

100

125

焊接温度（

°

C)

150

175

更新： 2000年9月9日

电气特性

评级为= 25

°

除非另有说明C的环境温度

TYPE

额定齐纳

电压

V

Z

@ I

ZT

I

ZT

(V)

（MA ）

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

160

180

200

80

70

60

50

45

35

25

20

15

10

8.0

6.0

4.0

2.7

2.0

1.5

Z

ZT

@ I

ZT

()

20

15

13

10

7.0

4.0

3.5

3.0

5.0

7.0

8.0

9.0

10

15

20

24

25

30

35

40

50

90

115

120

125

130

135

200

250

350

450

550

700

1000

1100

1200

1500

最大齐纳

阻抗

Z

ZK

@ I

ZK

()

400

500

400

300

200

300

350

400

500

600

750

1000

1500

2000

3000

4000

4500

5000

6000

6500

7000

8000

I

ZK

（MA ）

1.0

0.5

0.25

最大反向

漏电流

I

R

@ V

R

(V)

(

A)

150

100

40

20

10

3.0

1.0

50

0.5

1.0

1.5

2.0

3.0

4.0

4.5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

最大直流

齐纳电流

I

ZM

（MA ）

410

370

340

320

290

280

250

215

200

190

170

155

140

130

120

105

97

88

79

71

66

62

56

52

47

41

36

33

30

28

26

23

21

19

16

15

14

12

10

9.4

8.6

7.8

7.0

6.4

5.8

5.2

4.7

BZX85 C2V4

BZX85 C2V7

BZX85 C3V0

BZX85 C3V3

BZX85 C3V6

BZX85 C3V9

BZX85 C4V3

BZX85 C4V7

BZX85 C5V1

BZX85 C5V6

BZX85 C6V2

BZX85 C6V8

BZX85 C7V5

BZX85 C8V2

BZX85 C9V1

BZX85 C10

BZX85 C11

BZX85 C12

BZX85 C13

BZX85 C15

BZX85 C16

BZX85 C18

BZX85 C20

BZX85 C22

BZX85 C24

BZX85 C27

BZX85 C30

BZX85 C33

BZX85 C36

BZX85 C39

BZX85 C43

BZX85 C47

BZX85 C51

BZX85 C56

BZX85 C62

BZX85 C68

BZX85 C75

BZX85 C82

BZX85 C91

BZX85 C100

BZX85 C110

BZX85 C120

BZX85 C130

BZX85 C150

BZX85 C160

BZX85 C180

BZX85 C200

注意：

（1）中列出的类型数对的标称齐纳电压的标准公差

±

5.0%.

（2） " "肿消将在标记上的二极管可以省略

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BZX85 ...

硅平面功率齐纳二极管

特点

硅平面功率齐纳二极管

为稳定并削减与高额定功率的电路中使用。

齐纳电压是按国际分级

E 24标准。其它电压容限和更高的齐纳

电压要求。

DIM ENSIONS

暗淡

A

B

C

D

英寸

分钟。

-

1.102

马克斯。

0.169

0.110

0.031

-

分钟。

-

28.0

mm

马克斯。

4.3

2.8

0.8

-

记

绝对最大额定值

(T

a

=25

)

符号

值

单位

齐纳电流见表"Characteristics"

在T功耗

AMB

=25

结温

存储温度范围

P

合计

T

j

T

S

1.3

1)

W

200

-55到+200

注意：

（1）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。

特征

热阻

结到环境空气

a

t T

AMB

=25

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

R

THA

V

F

-

130

1.0

1)

K / W

V

在我正向电压

F

=200mA

注意：

（1）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。

1

齐纳电压范围

TYPE

V

ZNOM

V

BZX85 / C 2V7

BZX85 / C 3V0

BZX85 / C 3V3

BZX85 / C 3V6

BZX85 / C 3V9

BZX85 / C 4V3

BZX85 / C 4V7

BZX85 / C 5V1

BZX85 / C 5V6

BZX85 / C 6V2

BZX85 / C 6V8

BZX85 / C 7V5

BZX85 / C 8V2

BZX85 / C 9V1

BZX85 / C 10

BZX85 / C 11

BZX85 / C 12

BZX85 / C 13

BZX85 / C 15

BZX85 / C 16

BZX85 / C 18

BZX85 / C 20

BZX85 / C 22

BZX85 / C 24

BZX85 / C 27

BZX85 / C 30

BZX85 / C 33

BZX85 / C 36

BZX85 / C 39

BZX85 / C 43

BZX85 / C 47

BZX85 / C 51

BZX85 / C 56

BZX85 / C 62

BZX85 / C 68

BZX85 / C 75

BZX85 / C 82

BZX85 / C 91

BZX85 / C 100

BZX85 / C 110

BZX85 / C 120

BZX85 / C 130

BZX85 / C 150

BZX85 / C 160

BZX85 / C 180

BZX85 / C 200

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

160

180

200

mA

80

70

60

50

45

35

25

20

15

10

8

6

4

2.7

2

1.5

1)

DYNAM IC阻力

2)

反向漏

当前

I

R

mA

uA

<150

<100

<40

<20

<10

<3

<1

<0.5

2)

温度。 COEF网络cient

齐纳电压

TK

VZ

V

1

1.5

2

3

4

4.5

6.2

6.8

7

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

% /K

-0.08 ... -0.05

-0.07 ... -0.02

-0.07 ... +0.01

-0.03 ... +0.04

-0.01 ... +0.04

0 ... +0.045

+0.01 ... +0.055

+0.015 ... +0.06

+0.02 ... +0.065

0.03 ... 0.07

0.035 ... 0.075

0.04 ... 0.08

0.045 ... 0.08

0.045 ... 0.085

0.05 ... 0.085

0.055 ... 0.09

0.06 ... 0.09

0.06 ... 0.095

0.07 ... 0.10

0.07 ... 0.11

I

ZT

对于V

ZT

r

ZJT

和R

张家口

在我

ZK

在V

R

V

2.5 ... 2.9

2.8 ... 3.2

3.1 ... 3.5

3.4 ... 3.8

3.7 ... 4.1

4.0 ... 4.6

4.4 ... 5.0

4.8 ... 5.4

5.2 ... 6.0

5.8 ... 6.6

6.4 ... 7.2

7.0 ... 7.9

7.7 ... 8.7

8.5 ... 9.6

9.4 ... 10.6

10.4 ... 11.6

11.4 ... 12.7

12.4 ... 14.1

13.8 ... 15.6

15.3 ... 17.1

16.8 ... 19.1

18.8 ... 21.2

20.8 ... 23.3

22.8 ... 25.6

25.1 ... 28.9

28 ... 32

31 ... 35

34 ... 38

37 ... 41

40 ... 46

44 ... 50

48 ... 54

52 ... 60

58 ... 66

64 ... 72

70 ... 79

77 ... 87

85 ... 96

94 ... 106

104 ... 116

114 ... 127

124 ... 141

138 ... 156

153 ... 171

168 ... 191

188 ... 212

<20

<15

<13

<10

<7

<4

<3.5

<3

<5

<7

<8

<9

<10

<15

<20

<24

<25

<30

<35

<40

<50

<90

<115

<120

<125

<130

<135

<200

<250

<350

<450

<550

<700

<1000

<1100

<1200

<1500

<400

<500

<600

<500

<400

<300

<200

<300

<350

<400

<500

<600

<750

<1000

<1500

<2000

<3000

<4000

<4500

<5000

<6000

<6500

<7000

<8000

1

0.5

0.25

注意事项：

（ 1 ）测试与脉冲TP = 20毫秒。

（2）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。

2

收视率和特性曲线

3

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