【BZX85C...日前，Vishay半导体硅外延平面的Z-二极管特点DDDDD在反向特性锋利的边缘低】,IC型号BZX85C2V7-TAP,BZX85C2V7-TAP PDF资料,BZX85C2V7-TAP经销商,ic,电子元器件-51电子网

BZX85C...

日前，Vishay

半导体

硅外延平面的Z-二极管

特点

D

在反向特性锋利的边缘

低反向电流

低噪音

非常高的稳定性

可以用更严格的公差

应用

94 9369

电压稳定

订购说明

TYPE

BZX85C2V7

订购代码

BZX85C2V7–TAP

BZX85C2V7–TR

备注

Ammopack

磁带和卷轴

绝对最大额定值

T

j

= 25

_

C

参数

功耗

结温

存储温度范围

测试条件

升= 4毫米，T

L

=25

°

C

TYPE

符号

P

V

T

j

T

英镑

价值

1.3

175

–65...+175

单位

W

°

C

°

C

最大热阻

T

j

= 25

_

C

参数

交界处的环境

测试条件

升= 4毫米，T

L

=常数

符号

R

thJA

价值

110

单位

K / W

电气特性

T

j

= 25

_

C

参数

正向电压

测试条件

I

F

=200mA

TYPE

符号

V

F

民

典型值

最大

1

单位

V

文档编号85608

牧师A4 ， 12 -MAR -01

www.vishay.com

1 (5)

BZX85C...

日前，Vishay

半导体

TYPE

BZX85C...

2V7

3V0

3V3

3V6

3V9

4V3

4V7

5V1

5V6

6V2

6V8

7V5

8V2

9V1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

1)

V

ZNOM

V

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

mA

80

60

50

45

35

25

20

15

10

8

6

4

I

ZT

对于V

ZT

和R

ZJT

V

1)

2.5 2.9

＆ LT ; 20

2.8到3.2

＆ LT ; 20

3.1 3.5

＆ LT ; 20

3.4到3.8

＆ LT ; 20

3.7 4.1

＆ LT ; 15

4.0 4.6

＆ LT ; 13

4.4 5.0

＆ LT ; 13

4.8 5.4

＆ LT ; 10

5.2 6.0

<7

5.8 6.6

<4

6.4到7.2

＆ LT ; 3.5

7.0 7.9

<3

7.7到8.7

<5

8.5到9.6

<5

9.4至10.6

<7

10.4 11.6

<8

11.4至12.7

<9

12.4至14.1

＆ LT ; 10

13.8至15.6

＆ LT ; 15

15.3至17.1

＆ LT ; 15

16.8至19.1

＆ LT ; 20

18.8至21.2

＆ LT ; 24

20.8至23.3

＆ LT ; 25

22.8 25.6

＆ LT ; 25

25.1 28.9

＆ LT ;三十

2832

＆ LT ;三十

31 35

＆ LT ; 35

34至38

＆ LT ; 40

37至41

＆ LT ; 50

40至46

＆ LT ; 50

44至50

＆ LT ; 90

48至54

＆ LT ; 115

52至60

＆ LT ; 120

58至66

＆ LT ; 125

64至72

＆ LT ; 130

70至79

＆ LT ; 135

W

r

张家口

在我

ZK

mA

＆ LT ; 400

1

＆ LT ; 400

1

＆ LT ; 400

1

＆ LT ; 500

1

＆ LT ; 500

1

＆ LT ; 500

1

＆ LT ; 500

1

＆ LT ; 500

1

＆ LT ; 400

1

＆ LT ; 300

1

＆ LT ; 300

1

＆ LT ; 200

0.5

＆ LT ; 200

0.5

＆ LT ; 200

0.5

＆ LT ; 200

0.5

＆ LT ; 300

0.5

＆ LT ; 350

0.5

＆ LT ; 400

0.5

＆ LT ; 500

0.5

＆ LT ; 500

0.5

＆ LT ; 500

0.5

＆ LT ; 600

0.5

＆ LT ; 600

0.5

＆ LT ; 600

0.5

< 750 0.25

< 1000 0.25

< 1500 0.25

< 2000 0.25

W

I

R

在V

R

A

V

＆ LT ; 150

1

＆ LT ; 100

1

＆ LT ; 40

1

＆ LT ; 20

1

＆ LT ; 10

1

<3

1

<3

1

<1

1.5

<1

2

<1

3

<1

4

<1

4.5

<1

6.2

<1

6.8

＆ LT ; 0.5

7.5

＆ LT ; 0.5

8.2

＆ LT ; 0.5

9.1

＆ LT ; 0.5

10

＆ LT ; 0.5

11

＆ LT ; 0.5

12

＆ LT ; 0.5

13

＆ LT ; 0.5

15

＆ LT ; 0.5

16

＆ LT ; 0.5

18

＆ LT ; 0.5

20

＆ LT ; 0.5

22

＆ LT ; 0.5

24

＆ LT ; 0.5

27

＆ LT ; 0.5

30

＆ LT ; 0.5

33

＆ LT ; 0.5

36

＆ LT ; 0.5

39

＆ LT ; 0.5

43

＆ LT ; 0.5

47

＆ LT ; 0.5

51

＆ LT ; 0.5

56

m

TK

VZ

%/K

-0.08 -0.05至

-0.07 -0.02至

-0.07 - -0.01

-0.03至+0.04

-0.01至+0.04

0到0.045

0.01到0.055

0.015至0.06

+0.02至0.065

为0.03 0.07

0.035 0.075

0.04 0.08

0.045 0.08

0.045 0.085

0.05 0.085

0.055 0.09

0.06 0.09

0.06 0.095

可根据要求更严格的公差： BZX85B ...

±

Ⅴ的2％

ZNOM

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BZX85C...

日前，Vishay

半导体

特征

(T

j

= 25

_

C除非另有说明）

2.0

P

合计

- 总功耗（ W）

C

D

- 二极管电容（pF ）

1000

1.6

100

V

R

= 0V

V

R

= 2V

V

R

= 5V

V

R

= 20V

V

R

= 30V

1.2

l=4mm

0.8

l=20mm

0.4

0

–50

l=10mm

10

1

0

50

100

150

200

95 9616

F = 1 MHz的

T

AMB

= 25°C

0

10

20

30

40

50

60

95 9612

T

AMB

- 环境温度（

°C

)

V

Z

- z - 电压（V）

图1.总功耗对比

环境温度

R

thJA

- 千卡。抗拒。结/环境（K / W）

250

r

Z

- 微分Z-电阻（

W

)

图3.二极管电容与Z-电压

1000

I

Z

=1mA

100

2mA

5mA

10mA

20mA

10

200

150

l

100

50

0

5

10

15

T

L

=常数

20

25

30

L - 引线长度（mm ）

l

1

95 9615

10

V

Z

- z - 电压（V）

100

95 9613

图2.热电阻与导线长度

Z

THP

- 脉冲电导率热阻。（K / W）

1000

t

p

/T=0.01

t

p

/T=0.1

100

t

p

/T=0.5

t

p

/T=0.2

10

单脉冲

t

p

/T=0.05

t

p

/T=0.02

图4.差分Z-电阻与Z-电压

D

T=T

JMAX

–T

AMB

R

thJA

=110K/W

i

ZM

=(–V

Z

+(V

Z2

+4r

zj

1

10

–1

10

0

10

1

t

p

- 脉冲宽度（毫秒）

10

2

D

T /

THP

)

1/2

)/(2r

zj

)

10

3

95 9614

图5.热响应

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BZX85C...

日前，Vishay

半导体

尺寸（mm）

阴极鉴定

技术图纸

根据DIN

特定网络阳离子

94 9368

0.85最大。

2.5最大。

标准玻璃柜

54 B 2 DIN 41880

JEDEC DO 41

重最大。 0.3克

26分钟。

4.1最大。

26分钟。

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日前，Vishay

半导体

消耗臭氧层物质的政策声明

它的策略

威世半导体有限公司

to

1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。

2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩

相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的

对环境的影响。

这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛

消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质）。

蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和

在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令

于这些物质。

威世半导体有限公司

已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用

消耗臭氧层物质列在下面的文件。

1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表

2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质

保护局（EPA）在美国

3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质）。

威世半导体有限公司

可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造

物质和不含有这种物质。

我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。

参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证

由客户。如买方使用的Vishay -半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序时，

买方应赔偿日前，Vishay ，半导体的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或

间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。

日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn

电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423

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