BZX85C
硅平面功率齐纳二极管
为稳定并具有高削波电路用
额定功率。
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。其他公差和
高齐纳电压要求。
黑
阴极带
黑
产品型号
黑
"ST"品牌
最大。 0.7
马克斯。 2.8
分钟。 25.4
XXX
ST
马克斯。 4.2
分钟。 25.4
玻璃外壳DO- 41
尺寸（mm）
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
1)
符号
P
合计
T
j
T
S
价值
1.3
1)
单位
W
O
200
- 55至+ 200
C
C
O
有效的提供，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 200毫安
1)
符号
R
THA
V
F
马克斯。
130
1)
1.2
单位
K / W
V
有效的提供，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 12/06/2007
BZX85C
齐纳电压范围
1)
TYPE
V
ZNOM
V
l
ZT
mA
为
V
ZT
V
2.5...2.9
2.8...3.2
3.1...3.5
3.4...3.8
3.7...4.1
4...4.6
4.4...5
4.8...5.4
5.2...6
5.8...6.6
6.4...7.2
7...7.9
7.7...8.7
8.5...9.6
9.4...10.6
10.4...11.6
11.4...12.7
12.4...14.1
13.8...15.6
15.3...17.1
16.8...19.1
18.8...21.2
20.8...23.3
22.8...25.6
25.1...28.9
28...32
31...35
34...38
37...41
40...46
44...50
48...54
52...60
58...66
64...72
70...79
77...87
85...96
94...106
104...116
114...127
124...141
138...156
153...171
168...191
188...212
最大动态性
r
ZJT
20
20
20
15
15
13
13
10
7
4
3.5
3
5
5
7
8
9
10
15
15
20
24
25
25
30
30
35
40
50
50
90
115
120
125
130
135
200
250
350
450
550
700
1000
1100
1200
1500
r
张家口
400
400
400
500
500
500
600
500
400
300
300
200
200
200
200
300
350
400
500
500
500
600
600
600
750
1000
1000
1000
1000
1000
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
在我
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
最大反向
漏电流
I
R
A
150
100
40
20
10
3
3
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
在V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
4.5
6.2
6.8
7
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
BZX85C2V7
2.7
80
BZX85C3V0
3.0
80
BZX85C3V3
3.3
70
BZX85C3V6
3.6
60
BZX85C3V9
3.9
60
BZX85C4V3
4.3
50
BZX85C4V7
4.7
45
BZX85C5V1
5.1
45
BZX85C5V6
5.6
45
BZX85C6V2
6.2
35
BZX85C6V8
6.8
35
BZX85C7V5
7.5
35
BZX85C8V2
8.2
25
BZX85C9V1
9.1
25
BZX85C10
10
25
BZX85C11
11
20
BZX85C12
12
20
BZX85C13
13
20
BZX85C15
15
15
BZX85C16
16
15
BZX85C18
18
15
BZX85C20
20
10
BZX85C22
22
10
BZX85C24
24
10
BZX85C27
27
8
BZX85C30
30
8
BZX85C33
33
8
BZX85C36
36
8
BZX85C39
39
6
BZX85C43
43
6
BZX85C47
47
4
BZX85C51
51
4
BZX85C56
56
4
BZX85C62
62
4
BZX85C68
68
4
BZX85C75
75
4
BZX85C82
82
2.7
BZX85C91
91
2.7
BZX85C100
100
2.7
BZX85C110
110
2.7
BZX85C120
120
2
BZX85C130
130
2
BZX85C150
150
2
BZX85C160
160
1.5
BZX85C180
180
1.5
BZX85C200
200
1.5
1)
测试了脉冲吨
p
= 20毫秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 12/06/2007
BZX85C
击穿特性
在TJ =常数（脉冲）
mA
240
C3V9
200
C5V6
Iz
160
C6V8
C8V2
120
C10
C12
80
C4V7
BZX 85 ...
Tj=25
o
C
C15
40
C18
C22
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Vz
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24V
击穿特性
在TJ =常数（脉冲）
mA
50
Iz
40
C33
C39
30
C47
C68
C27
Tj=25
o
C
BZX 85 ...
20
C 75
C 91
10
0
20
25
30
35
40
45
50
55
60
Vz
65
70
75
80
85
90
95V
受理的功耗
随环境温度
有效的条件是引线保持在环境
温度从个案的距离为10毫米
w
P
合计
T
AMB
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 12/06/2007
电气特性
(TA=25
O
C
齐纳电压
范围（注1 ）
设备
V
z
@ I
zt
V
民
最大
BZX85C2V7
BZX85C3V0
BZX85C3V3
BZX85C3V6
BZX85C3V9
BZX85C4V3
BZX85C4V7
BZX85C5V1
BZX85C5V6
BZX85C6V2
BZX85C6V8
BZX85C7V5
BZX85C8V2
BZX85C9V1
BZX85C10
BZX85C11
BZX85C12
BZX85C13
BZX85C15
BZX85C16
BZX85C18
BZX85C20
BZX85C22
BZX85C24
BZX85C27
BZX85C30
BZX85C33
BZX85C36
BZX85C39
BZX85C43
BZX85C47
BZX85C51
BZX85C56
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
f
ZT
（注3）
欧姆
<20
<20
<20
<20
<15
<13
<13
<10
<7
<4
<3.5
<3
<5
<5
<7
<8
<9
<10
<15
<15
<20
<24
<25
<25
<30
<30
<35
<40
<50
<50
<90
<115
<120
I
ZT
mA
80
80
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
f
ZT
（注3）
欧
<400
<400
<400
<500
<500
<500
<600
<500
<400
<300
<300
<200
<200
<200
<200
<300
<350
<400
<500
<500
<500
<600
<600
<600
<750
<1000
<1000
<1000
<1000
<1000
<1500
<1500
<2000
动态电阻
除非另有说明）
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
I
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
V
Z
@
I
Z
=
I
ZT
% /
O
C
民
最大
-0.08
-0.08
-0.08
-0.08
-0.07
-0.05
-0.03
-0.01
0
0.01
0.015
0.02
0.03
0.035
0.04
0.045
0.045
0.05
0.055
0.055
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
-0.05
-0.05
-0.05
-0.05
-0.02
0.01
0.04
0.04
0.045
0.055
0.06
0.065
0.07
0.075
0.08
0.08
0.085
0.085
0.09
0.09
0.09
0.09
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
可受理
反向漏
齐纳
当前
当前
（注2 ）
I
Z
I
R
VR
uA
V
mA
<150
<100
<40
<20
<10
<3
<3
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
4.5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
360
330
300
290
280
250
215.0
200.0
190.0
170.0
155.0
140.0
130.0
120.0
105.0
97.0
88.0
79.0
71.0
66.0
62.0
56.0
52.0
47.0
41.0
36.0
33.0
30.0
28.0
26.0
23.0
21.0
19.0
注：1。有效的规定，设备终端被保持在环境温度下进行。
2.测试用脉冲， 300US的脉冲宽度，周期= 5毫秒。
3， F = 1kHz的。
电气特性
(TA=25
O
C
齐纳电压
范围（注1 ）
设备
V
z
@ I
zt
V
民
最大
BZX85C62
BZX85C68
BZX85C75
BZX85C82
BZX85C91
BZX85C100
BZX85C110
BZX85C120
BZX85C130
BZX85C150
BZX85C160
BZX85C180
BZX85C200
58
64
70
77
85
96
104
114
124
138
153
168
188
66
72
80
87
96
106
116
127
141
156
171
191
212
f
ZT
（注3）
欧姆
<125
<130
<135
<200
<250
<350
<450
<550
<700
<1000
<1100
<1200
<1500
I
ZT
mA
4.0
4.0
4.0
2.7
2.7
2.7
2.7
2.0
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
f
ZT
（注3）
欧
<2000
<2000
<2000
<3000
<3000
<3000
<4000
<4500
<5000
<6000
<6500
<7000
<8000
I
ZK
mA
动态电阻
除非另有说明）
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
V
Z
@
I
Z
=
I
ZT
% /
O
C
民
最大
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
可受理
反向漏电流稳压
当前
当前
（注2 ）
I
Z
I
R
VR
uA
V
mA
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
16
15
14
12
10
9.4
8.6
7.8
7.0
6.4
5.8
5.2
4.7
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.06
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
注：1。有效的规定，设备终端被保持在环境温度下进行。
2.测试用脉冲， 300US的脉冲宽度，周期= 5毫秒。
3， F = 1kHz的。
BZX85C系列
V
Z
： 2.4 - 200伏
P
D
： 1.3瓦
产品特点：
*完整的电压范围2.7到200伏
*高反向峰值功耗
*高可靠性
*低漏电流
硅稳压二极管
DO - 41
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
1.00 (25.4)
分钟。
0.205 (5.2)
0.166 (4.2)
机械数据
*案例： DO- 41模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.339克
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
等级
在T DC功耗
L
= 50
°
C（注1）
最大正向电压在我
F
= 200毫安
最大热阻结到环境空气（注2 ）
结温范围
存储温度范围
符号
P
D
V
F
R
θ
JA
T
J
Ts
价值
1.3
1.0
130
- 55 + 175
- 55 + 175
单位
瓦
伏
K / W
°
C
°
C
注意：
(1) T
L
=铅温度从身体3/8 "设计（9.5mm ）
（2）有效的规定，引线被保持在环境温度下，以10mm的情况下的距离。
图。 1功耗温度降额曲线
1.5
P
D
，最大耗散
（瓦特）
L = 8"分之3设计（9.5mm ）
1.2
0.9
0.6
0.3
0
25
T
L,
50
75
100
125
焊接温度（
°
C)
150
175
更新： 2000年9月9日
BZX85 ...
硅平面功率齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
为稳定并削减与高额定功率的电路中使用。
齐纳电压是按国际分级
E 24标准。其它电压容限和更高的齐纳
电压要求。
DIM ENSIONS
暗淡
A
B
C
D
英寸
分钟。
-
-
-
1.102
马克斯。
0.169
0.110
0.031
-
分钟。
-
-
-
28.0
mm
马克斯。
4.3
2.8
0.8
-
记
绝对最大额定值
(T
a
=25
)
符号
值
单位
齐纳电流见表"Characteristics"
在T功耗
AMB
=25
结温
存储温度范围
P
合计
T
j
T
S
1.3
1)
W
200
-55到+200
注意：
（1）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
特征
热阻
结到环境空气
a
t T
AMB
=25
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
R
THA
V
F
-
-
-
-
130
1.0
1)
K / W
V
在我正向电压
F
=200mA
注意：
（1）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
1
齐纳电压范围
TYPE
V
ZNOM
V
BZX85 / C 2V7
BZX85 / C 3V0
BZX85 / C 3V3
BZX85 / C 3V6
BZX85 / C 3V9
BZX85 / C 4V3
BZX85 / C 4V7
BZX85 / C 5V1
BZX85 / C 5V6
BZX85 / C 6V2
BZX85 / C 6V8
BZX85 / C 7V5
BZX85 / C 8V2
BZX85 / C 9V1
BZX85 / C 10
BZX85 / C 11
BZX85 / C 12
BZX85 / C 13
BZX85 / C 15
BZX85 / C 16
BZX85 / C 18
BZX85 / C 20
BZX85 / C 22
BZX85 / C 24
BZX85 / C 27
BZX85 / C 30
BZX85 / C 33
BZX85 / C 36
BZX85 / C 39
BZX85 / C 43
BZX85 / C 47
BZX85 / C 51
BZX85 / C 56
BZX85 / C 62
BZX85 / C 68
BZX85 / C 75
BZX85 / C 82
BZX85 / C 91
BZX85 / C 100
BZX85 / C 110
BZX85 / C 120
BZX85 / C 130
BZX85 / C 150
BZX85 / C 160
BZX85 / C 180
BZX85 / C 200
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
mA
80
80
70
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
4
4
4
2.7
2.7
2.7
2.7
2
2
2
1.5
1.5
1.5
1)
DYNAM IC阻力
2)
反向漏
当前
I
R
mA
uA
<150
<100
<40
<20
<10
<3
<3
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
2)
温度。 COEF网络cient
齐纳电压
TK
VZ
V
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
4.5
6.2
6.8
7
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
% /K
-0.08 ... -0.05
-0.08 ... -0.05
-0.08 ... -0.05
-0.08 ... -0.05
-0.07 ... -0.02
-0.07 ... +0.01
-0.03 ... +0.04
-0.01 ... +0.04
0 ... +0.045
+0.01 ... +0.055
+0.015 ... +0.06
+0.02 ... +0.065
0.03 ... 0.07
0.035 ... 0.075
0.04 ... 0.08
0.045 ... 0.08
0.045 ... 0.085
0.05 ... 0.085
0.055 ... 0.09
0.055 ... 0.09
0.06 ... 0.09
0.06 ... 0.09
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.07 ... 0.10
0.07 ... 0.10
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
I
ZT
对于V
ZT
r
ZJT
和R
张家口
在我
ZK
在V
R
V
2.5 ... 2.9
2.8 ... 3.2
3.1 ... 3.5
3.4 ... 3.8
3.7 ... 4.1
4.0 ... 4.6
4.4 ... 5.0
4.8 ... 5.4
5.2 ... 6.0
5.8 ... 6.6
6.4 ... 7.2
7.0 ... 7.9
7.7 ... 8.7
8.5 ... 9.6
9.4 ... 10.6
10.4 ... 11.6
11.4 ... 12.7
12.4 ... 14.1
13.8 ... 15.6
15.3 ... 17.1
16.8 ... 19.1
18.8 ... 21.2
20.8 ... 23.3
22.8 ... 25.6
25.1 ... 28.9
28 ... 32
31 ... 35
34 ... 38
37 ... 41
40 ... 46
44 ... 50
48 ... 54
52 ... 60
58 ... 66
64 ... 72
70 ... 79
77 ... 87
85 ... 96
94 ... 106
104 ... 116
114 ... 127
124 ... 141
138 ... 156
153 ... 171
168 ... 191
188 ... 212
<20
<20
<20
<15
<15
<13
<13
<10
<7
<4
<3.5
<3
<5
<5
<7
<8
<9
<10
<15
<15
<20
<24
<25
<25
<30
<30
<35
<40
<50
<50
<90
<115
<120
<125
<130
<135
<200
<250
<350
<450
<550
<700
<1000
<1100
<1200
<1500
<400
<400
<400
<500
<500
<500
<600
<500
<400
<300
<300
<200
<200
<200
<200
<300
<350
<400
<500
<500
<500
<600
<600
<600
<750
<1000
<1000
<1000
<1000
<1000
<1500
<1500
<2000
<2000
<2000
<2000
<3000
<3000
<3000
<4000
<4500
<5000
<6000
<6500
<7000
<8000
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
注意事项：
（ 1 ）测试与脉冲TP = 20毫秒。
（2）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
2
BZX85C系列
V
Z
： 2.4 - 200伏
P
D
： 1.3瓦
产品特点：
*完整的电压范围2.7到200伏
*高反向峰值功耗
*高可靠性
*低漏电流
硅稳压二极管
DO - 41
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
1.00 (25.4)
分钟。
0.205 (5.2)
0.166 (4.2)
机械数据
*案例： DO- 41模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.339克
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
等级
在T DC功耗
L
= 50
°
C（注1）
最大正向电压在我
F
= 200毫安
最大热阻结到环境空气（注2 ）
结温范围
存储温度范围
符号
P
D
V
F
R
θ
JA
T
J
Ts
价值
1.3
1.0
130
- 55 + 175
- 55 + 175
单位
瓦
伏
K / W
°
C
°
C
注意：
(1) T
L
=铅温度从身体3/8 "设计（9.5mm ）
（2）有效的规定，引线被保持在环境温度下，以10mm的情况下的距离。
图。 1功耗温度降额曲线
1.5
P
D
，最大耗散
（瓦特）
L = 8"分之3设计（9.5mm ）
1.2
0.9
0.6
0.3
0
25
T
L,
50
75
100
125
焊接温度（
°
C)
150
175
更新： 2000年9月9日
BZX85 ...
硅平面功率齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
为稳定并削减与高额定功率的电路中使用。
齐纳电压是按国际分级
E 24标准。其它电压容限和更高的齐纳
电压要求。
DIM ENSIONS
暗淡
A
B
C
D
英寸
分钟。
-
-
-
1.102
马克斯。
0.169
0.110
0.031
-
分钟。
-
-
-
28.0
mm
马克斯。
4.3
2.8
0.8
-
记
绝对最大额定值
(T
a
=25
)
符号
值
单位
齐纳电流见表"Characteristics"
在T功耗
AMB
=25
结温
存储温度范围
P
合计
T
j
T
S
1.3
1)
W
200
-55到+200
注意：
（1）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
特征
热阻
结到环境空气
a
t T
AMB
=25
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
R
THA
V
F
-
-
-
-
130
1.0
1)
K / W
V
在我正向电压
F
=200mA
注意：
（1）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
1
齐纳电压范围
TYPE
V
ZNOM
V
BZX85 / C 2V7
BZX85 / C 3V0
BZX85 / C 3V3
BZX85 / C 3V6
BZX85 / C 3V9
BZX85 / C 4V3
BZX85 / C 4V7
BZX85 / C 5V1
BZX85 / C 5V6
BZX85 / C 6V2
BZX85 / C 6V8
BZX85 / C 7V5
BZX85 / C 8V2
BZX85 / C 9V1
BZX85 / C 10
BZX85 / C 11
BZX85 / C 12
BZX85 / C 13
BZX85 / C 15
BZX85 / C 16
BZX85 / C 18
BZX85 / C 20
BZX85 / C 22
BZX85 / C 24
BZX85 / C 27
BZX85 / C 30
BZX85 / C 33
BZX85 / C 36
BZX85 / C 39
BZX85 / C 43
BZX85 / C 47
BZX85 / C 51
BZX85 / C 56
BZX85 / C 62
BZX85 / C 68
BZX85 / C 75
BZX85 / C 82
BZX85 / C 91
BZX85 / C 100
BZX85 / C 110
BZX85 / C 120
BZX85 / C 130
BZX85 / C 150
BZX85 / C 160
BZX85 / C 180
BZX85 / C 200
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
mA
80
80
70
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
4
4
4
2.7
2.7
2.7
2.7
2
2
2
1.5
1.5
1.5
1)
DYNAM IC阻力
2)
反向漏
当前
I
R
mA
uA
<150
<100
<40
<20
<10
<3
<3
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
2)
温度。 COEF网络cient
齐纳电压
TK
VZ
V
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
4.5
6.2
6.8
7
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
% /K
-0.08 ... -0.05
-0.08 ... -0.05
-0.08 ... -0.05
-0.08 ... -0.05
-0.07 ... -0.02
-0.07 ... +0.01
-0.03 ... +0.04
-0.01 ... +0.04
0 ... +0.045
+0.01 ... +0.055
+0.015 ... +0.06
+0.02 ... +0.065
0.03 ... 0.07
0.035 ... 0.075
0.04 ... 0.08
0.045 ... 0.08
0.045 ... 0.085
0.05 ... 0.085
0.055 ... 0.09
0.055 ... 0.09
0.06 ... 0.09
0.06 ... 0.09
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.07 ... 0.10
0.07 ... 0.10
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
I
ZT
对于V
ZT
r
ZJT
和R
张家口
在我
ZK
在V
R
V
2.5 ... 2.9
2.8 ... 3.2
3.1 ... 3.5
3.4 ... 3.8
3.7 ... 4.1
4.0 ... 4.6
4.4 ... 5.0
4.8 ... 5.4
5.2 ... 6.0
5.8 ... 6.6
6.4 ... 7.2
7.0 ... 7.9
7.7 ... 8.7
8.5 ... 9.6
9.4 ... 10.6
10.4 ... 11.6
11.4 ... 12.7
12.4 ... 14.1
13.8 ... 15.6
15.3 ... 17.1
16.8 ... 19.1
18.8 ... 21.2
20.8 ... 23.3
22.8 ... 25.6
25.1 ... 28.9
28 ... 32
31 ... 35
34 ... 38
37 ... 41
40 ... 46
44 ... 50
48 ... 54
52 ... 60
58 ... 66
64 ... 72
70 ... 79
77 ... 87
85 ... 96
94 ... 106
104 ... 116
114 ... 127
124 ... 141
138 ... 156
153 ... 171
168 ... 191
188 ... 212
<20
<20
<20
<15
<15
<13
<13
<10
<7
<4
<3.5
<3
<5
<5
<7
<8
<9
<10
<15
<15
<20
<24
<25
<25
<30
<30
<35
<40
<50
<50
<90
<115
<120
<125
<130
<135
<200
<250
<350
<450
<550
<700
<1000
<1100
<1200
<1500
<400
<400
<400
<500
<500
<500
<600
<500
<400
<300
<300
<200
<200
<200
<200
<300
<350
<400
<500
<500
<500
<600
<600
<600
<750
<1000
<1000
<1000
<1000
<1000
<1500
<1500
<2000
<2000
<2000
<2000
<3000
<3000
<3000
<4000
<4500
<5000
<6000
<6500
<7000
<8000
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
注意事项：
（ 1 ）测试与脉冲TP = 20毫秒。
（2）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
2
BZX85C系列
硅稳压二极管
V
Z
： 2.4 - 200伏
P
D
： 1.3瓦
特点
完整的电压范围2.4到200伏
高反向峰值功耗
高可靠性
低漏电流
无铅/符合RoHS免费
DO-41
.034(0.9)
.028(0.7)
1.0(25.4)
民
DIA 。
机械数据
案例： DO- 41模压塑料
环氧树脂： UL94V -O率阻燃
导语：每轴向引线焊MIL -STD- 202 ，
方法208保证
极性：颜色频带端为负极
安装位置：任意
重量： 0.34克
.205(5.2)
.165(4.2)
.107(2.7)
.080(2.0)
1.0(25.4)
民
迪亚
最大额定值
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
尺寸以英寸（毫米）
等级
在T DC功耗
L
= 50 ° C（注1）
最大正向电压在我
F
= 200毫安
最大热阻结到环境空气（注2 ）
结温范围
存储温度范围
符号
P
D
V
F
R
θJA
T
J
T
英镑
价值
1.3
1.2
130
- 65至+ 200
- 65至+ 200
单位
W
V
K / W
°C
°C
注意事项：
(1) T
L
=铅温度从身体3/8 "设计（9.5mm ）
（2）有效的规定，引线被保持在环境温度下，以10mm的情况下的距离。
图。 1电源温度降额
1.5
P
D
，最大耗散
（瓦特）
L = 8"分之3设计（9.5mm ）
1.2
0.9
0.6
0.3
0
25
50
75 100 125 150 175
T
L,
焊接温度（
°
C)
200
http://www.luguang.cn
邮箱： lge@luguang.cn
BZX85C-SERIES
齐纳二极管
齐纳电压：
2.7-200V
峰值脉冲功率：
1.0W
DO-41
特征
低阻抗齐纳
低调控因子
高温焊接保证：
260 C / 10S / 9.5毫米引线长度在5 lbs紧张
1.0 (25.4)
分钟。
0.107(2.7)
0.080(2.0)
DIA 。
0.205(5.2)
0.166(4.2)
机械数据
案例：
JEDEC DO- 41模压塑体
终端：
镀轴向引线，每MIL -STD 750可焊性，
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
0.012盎司， 0.33克
1.0 (25.4)
分钟。
0.034(0.9)
0.028(0.7)
DIA 。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
MDD产品目录号
符号
价值
单位
齐纳电流见表格特性
在环境温度Tamb功耗= 25℃ （注1 ）
结温
存储温度范围
热电阻交界处的环境（注1
在我正向电压
F
=200mA
P
合计
T
j
T
英镑
R
θJA
V
F
1000
200
-65到+ 200
170
1.2
mW
C
C
K / W
V
注1：有效的规定，导致在从情况下的距离为10mm保持在环境温度下
MDD电子
电气特性（在T
A
= 25°C除非另有说明）
齐纳电压范围
设备类型
V
ZNOM
V
BZX85C39
BZX85C43
BZX85C47
BZX85C51
BZX85C56
BZX85C62
BZX85C68
BZX85C75
BZX85C82
BZX85C91
BZX85C100
BZX85C110
BZX85C120
BZX85C130
BZX85C150
BZX85C160
BZX85C180
BZX85C200
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
I
ZT
mA
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
2.7
2.7
2.7
2.7
2.0
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
V
ZT
V
37...41
40...46
44...50
48...54
52...60
58...66
64...72
70...79
77...87
85...96
94...106
104...116
114...127
124...141
138...156
153...171
168...191
188...212
动态电阻
反向漏电流
温度coefficlent
齐纳电压
Z
ZT
欧
50
50
90
115
120
125
135
135
200
250
350
450
550
700
1000
1100
1200
1500
Z
ZK
欧
1000
1000
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
I
ZK
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
I
R
在V
R
A
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
V
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
TK
VZ
%/ C
0.06...0.095
0.06...0.095
0.06...0.095
0.06...0.095
0.06...0.095
0.06...0.095
0.06...0.095
0.06...0.095
0.07...0.10
0.07...0.10
0.07...0.11
0.07...0.11
0.07...0.11
0.07...0.11
0.07...0.11
0.07...0.11
0.07...0.11
0.07...0.11
受理的功耗与环境温度
在从情况下的距离为10mm有效条件是引线被保持在环境温度
P
TOT ，
功耗，沃茨
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
100
环境温度，C
200
MDD电子
QQ：2880707522 复制
