齐纳二极管（ BZX85C 3V3 - BZX85C 33 ）
齐纳二极管
BZX85C 3V3 - BZX85C 33
绝对最大额定值*
符号
P
D
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
公差： C = 5 ％
参数
功耗
存储温度范围
工作结温
焊接温度（ 1/16“从案例10
秒）
价值
1.3
-65到+200
+ 200
+ 230
单位
W
°C
°C
°C
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
DO-41
颜色频带为负极
电气特性
设备
BZX85C 3V3
BZX85C 3V6
BZX85C 3V9
BZX85C 4V3
BZX85C 4V7
BZX85C 5V1
BZX85C 5V6
BZX85C 6V2
BZX85C 6V8
BZX85C 7V5
BZX85C 8V2
BZX85C 9V1
BZX85C 10
BZX85C 11
BZX85C 12
BZX85C 13
BZX85C 15
BZX85C 16
BZX85C 18
BZX85C 20
BZX85C 22
BZX85C 24
BZX85C 27
BZX85C 30
BZX85C 33
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
(V)
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
Z
Z
()
@
I
Z
（MA ）
20
15
15
13
13
10
7.0
4.0
3.5
3.0
5.0
5.0
7.0
8.0
9.0
10
15
15
20
24
25
25
30
30
35
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8.0
8.0
8.0
Z
ZK
()
@
I
ZK
（MA ）
400
500
500
500
600
500
400
300
300
200
200
200
200
300
350
400
500
500
500
600
600
600
750
1,000
1,200
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
I
R
(A)
@
V
R
(V)
60
30
5.0
3.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
系列
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
3.0
4.0
4.5
5.0
6.5
7.0
7.7
8.4
9.1
10.5
11
12.5
14
15.5
17
19
21
23
I
浪涌
（MA ）
I
ZRM
（MA ）
1,380
1,260
1,190
1,070
970
890
810
730
660
605
550
500
454
414
380
344
304
285
250
225
205
190
170
150
135
276
252
234
217
193
178
162
146
133
121
110
100
91
83
76
69
61
57
50
45
41
38
34
30
27
V
F
FOWARD电压= 1.2 V最大@我
F
= 200毫安的所有BZX85
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
BZX85系列版本C
齐纳二极管（ BZX85C 3V3 - BZX85C 33 ）
齐纳二极管（ BZX85C 3V3 - BZX85C 33 ）
（续）
典型特征
35
5000
V
Z
= 33.0V
V
Z
- 齐纳电压（ V）
25
20
15
10
5
1
V
Z
= 5.1V
V
Z
= 3.3V
T
A
= 25
C
Z
Z
- 阻抗（欧姆）
30
2000
1000
500
V
Z
= 3.3V
200
100
50
V
Z
= 5.1V
T
A
= 25
C
V
Z
= 33.0V
V
Z
= 12.0V
20
10
V
Z
= 12.0V
5
2
1
0.1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
0.2
0.5
1
2
5
I
Z
- 齐纳电流（mA）
10
20
齐纳电流与齐纳电压
齐纳电流与齐纳阻抗
5
6
V
Z
= 3.3V
V
Z
= 5.1V
V
Z
- 齐纳电压（ V）
V
Z
- 齐纳电压（ V）
4
T
A
= -25
C
T
A
= 25
C
5.5
T
A
= 125
C
3
T
A
= 85
C
5
T
A
= 100
C
T
A
= 25
C
T
A
= -25
C
T
A
= 85
C
2
T
A
= 100
C
T
A
= 125
C
4.5
1
4
1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
3.3齐纳电压与温度的关系
5.1齐纳电压与温度的关系
15
V
Z
= 12.0V
40
T
A
= 125
C
V
Z
= 33.0V
T
A
= 100
C
T
A
= 125
C
V
Z
- 齐纳电压（ V）
V
Z
- 齐纳电压（ V）
35
10
T = -25
C
A
T
A
= 25
C
T
A
= 85
C
T
A
= 100
C
30
T
A
= -25
C
T
A
= 25
C
T
A
= 85
C
5
25
0
1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
20
1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
12齐纳电压与稳压温度
33齐纳电压与稳压温度
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
BZX85系列版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
BZX85C...
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
文档编号85608
第3版， 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
5 (5)
重庆平阳县ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
BZX 85 / C 2V7 THRU肿消85 / C 220
硅平面齐纳二极管
特点
●电压
范围： 2.7V至220V
“双
siug式建筑
DO-41
1.0(25.4)
分钟。
.205(5.2)
.166(4.2)
.034(0.9)
.028(0.7)
DIA 。
DIA 。
机械数据
·案例：
模压塑料
·环氧树脂：
UL94V- 0率阻燃
·导语：
MIL -STD- 202E ，方法208保证
·极性：颜色
频带端为负极
·安装
您的位置：
任何
·重量：
0.33克
.107(2.7)
.080(2.0)
1.0(25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电子特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
绝对最大额定值
(T
a
=25°C)
符号
价值
1.3
1)
200
单位
W
°C
齐纳电流见表
“ Characterstics ”
在T功耗
AMB
=25°C
结温
1)
P
合计
T
J
有效的提供，导致在距离为8mm格式的情况下被保持在环境温度。
特点在T
AMB
=25°C
符号
分钟。
--
--
典型值。
--
--
马克斯。
130
1)
1
单位
K / W
V
热阻结到
环境空气
在我正向电压
F
=200mA
R
THA
V
F
1）有效的规定，导致在距离为8mm格式的情况下被保持在环境温度。
１
PDF
文件½用
"pdfFactory Pro"
试用版本创建
www.fineprint.cn
重庆平阳县ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
BZX 85 ...
硅平面功率齐纳二极管
齐纳电压范围
TYPE
V
ZNOM
V
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
1)
动态recsistance
r
ZJT
Ω
20
20
20
15
15
13
13
10
7
4
3.5
3
5
5
7
8
9
10
15
15
20
24
25
25
30
30
35
40
50
50
90
115
120
125
130
135
200
3)
BZX 85 / C 2V7
BZX 85 / C 3V0
BZX 85 / C 3V3
BZX 85 / C 3V6
BZX 85 / C 3V9
BZX 85 / C 4V3
BZX 85 / C 4V7
BZX 85 / C 5V1
BZX 85 / C 5V6
BZX 85 / C 6V2
BZX 85 / C 6V8
BZX 85 / C 7V5
BZX 85 / C 8V2
BZX 85 / C 9V1
BZX 85 / C 10
BZX 85 / C 11
BZX 85 / C 12
BZX 85 / C 13
BZX 85 / C 15
BZX 85 / C 16
BZX 85 / C 18
BZX 85 / C 20
BZX 85 / C 22
BZX 85 / C 24
BZX 85 / C 27
BZX 85 / C 30
BZX 85 / C 33
BZX 85 / C 36
BZX 85 / C 39
BZX 85 / C 43
BZX 85 / C 47
BZX 85 / C 51
BZX 85 / C 56
BZX 85 / C 62
BZX 85 / C 68
BZX 85 / C 75
BZX 85 / C 82
I
ZT
mA
80
80
70
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
4
4
4
2.7
对于V
ZT2)
V
2.5…2.9
2.8…3.2
3.1…3.5
3.4…3.8
3.7…4.1
4.0…4.6
4.4…5.0
4.8…5.4
5.2…6.0
5.8…6.6
6.4…7.2
7.0…7.9
7.7…8.7
8.5…9.6
9.4…10.6
10.4…11.6
11.4…12.7
12.4…14.1
13.8…15.6
15.3…17.1
16.8…19.1
18.8…21.2
20.8…23.3
22.8…25.6
25.1…28.9
28…32
31…35
34…38
37…41
40…46
44…50
48…54
52…60
58…66
64…72
70…79
77…87
R
ZJT
在我
zk
Ω
mA
400
1
400
400
500
500
500
600
500
400
300
300
200
200
200
200
300
350
400
500
500
400
600
600
600
750
1000
1000
1000
1000
1000
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
反向
泄漏
当前
2)
I
R
在V
R
A
V
150
1
100
40
20
10
3
3
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
4.5
6.2
6.8
7
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
温度
系数
齐纳电压
TK
VZ
%/K
-0.08…-0.05
-0.08…-0.05
-0.08…-0.05
-0.08…-0.05
-0.07…-0.02
-0.07…+0.01
-0.03…+0.04
-0.01…+0.04
0…+0.045
+0.01…+0.055
+0.015…+0.06
+0.02…+0.065
0.03…0.07
0.03…0.075
0.04…0.08
0.045…0.08
0.045…0.085
0.05…0.085
0.055…0.09
0.055…0.09
0.06…0.09
0.06…0.09
0.06…0.095
0.06…0.095
0.06…0.095
0.06…0.095
0.06…0.095
0.06…0.095
0.06…0.095
0.06…0.095
0.06…0.095
0.06…0.095
0.06…0.095
0.06…0.095
0.06…0.095
0.06…0.095
0.07…0.10
２
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重庆平阳县ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
BZX 85 / C 91
BZX 85 / C 100
BZX 85 / C 110
BZX 85 / C 120
BZX 85 / C 130
BZX 85 / C 150
BZX 85 / C 160
BZX 85 / C 180
BZX 85 / C 200
BZX 85 / C 220
1)
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
2.7
2.7
2.7
2
2
2
1.5
1.5
1.5
1
85…96
94…106
104…116
114…127
124…141
138…156
153…171
168…191
188…212
218…232
250
350
450
550
700
1000
1100
1200
1500
1600
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
9000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
68
75
82
91
100
110
120
130
150
170
0.07…0.10
0.07…0.11
0.07…0.11
0.07…0.11
0.07…0.11
0.07…0.11
0.07…0.11
0.07…0.11
0.07…0.11
0.07…0.11
测试了脉冲TP = 5毫秒。
特价设施包括：
的电压之间的标称电压的齐纳所示和更严格的
电压容差。关于价格，可用性和交付的详细信息，请联系离您最近的摩托罗拉代表;
齐纳
电压（ VZ ）测量：
VZ后测量测试电流已经施加到40
±
10毫秒，同时保持
铅温度（ TL ）在30°C
±
1 ℃， 3/8 ，从二极管体。
2)
3)
有效的条件是引线保持在环境温度下，以10mm的形式的情况下的距离。
齐纳阻抗从1kHz的周期的交流电压，交流电流具有有效值相等时其导致来自
于直流稳压电流（ IZT ）或（ IZK ）的10％被叠加在IZT或IZK 。
３
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电气特性
(TA=25
O
C
设备
齐纳电压
范围（注1 ）
V
z
@ I
zt
最小V最大
BZX85C3V3
BZX85C3V6
BZX85C3V9
BZX85C4V3
BZX85C4V7
BZX85C5V1
BZX85C5V6
BZX85C6V2
BZX85C6V8
BZX85C7V5
BZX85C8V2
BZX85C9V1
BZX85C10
BZX85C11
BZX85C12
BZX85C13
BZX85C15
BZX85C16
BZX85C18
BZX85C20
BZX85C22
BZX85C24
BZX85C27
BZX85C30
BZX85C33
BZX85C36
BZX85C39
BZX85C43
BZX85C47
BZX85C51
BZX85C56
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
动态电阻
f
ZT
（注3）
欧姆
<20
<20
<15
<13
<13
<10
<7
<4
<3.5
<3
<5
<5
<7
<8
<9
<10
<15
<15
<20
<24
<25
<25
<30
<30
<35
<40
<50
<50
<90
<115
<120
I
ZT
mA
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
f
ZT
（注3）
欧
<400
<500
<500
<500
<600
<500
<400
<300
<300
<200
<200
<200
<200
<300
<350
<400
<500
<500
<500
<600
<600
<600
<750
<1000
<1000
<1000
<1000
<1000
<1500
<1500
<2000
除非另有说明）
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
V
Z
I
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
@
I
Z
=
I
ZT
%
O
最大
闵/ C
-0.08
-0.08
-0.07
-0.05
-0.03
-0.01
0
0.01
0.015
0.02
0.03
0.035
0.04
0.045
0.045
0.05
0.055
0.055
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
-0.05
-0.05
-0.02
0.01
0.04
0.04
0.045
0.055
0.06
0.065
0.07
0.075
0.08
0.08
0.085
0.085
0.09
0.09
0.09
0.09
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
可受理
齐纳
反向漏电流
当前
（注2 ）
I
Z
I
R
VR
uA
V
mA
<40
<20
<10
<3
<3
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
4.5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
300
290
280
250
215.0
200.0
190.0
170.0
155.0
140.0
130.0
120.0
105.0
97.0
88.0
79.0
71.0
66.0
62.0
56.0
52.0
47.0
41.0
36.0
33.0
30.0
28.0
26.0
23.0
21.0
19.0
注：1。有效的规定，设备终端被保持在环境温度下进行。
2.测试用脉冲， 300US的脉冲宽度，周期= 5毫秒。
3， F = 1kHz的。
版本： C08
德昌
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
组件
工业
有限责任公司
为
齐纳科技
和
制品
.
1.耐性与TYPE号指定（V
Z
)
公差代号 - 上市型数字有齐纳电压最小/最大限值，如图所示。
2.特价设施包括
所示的电压和更严格的电压之间的额定齐纳电压，对价格，可用性和交付，联系人的详细信息
您最近德昌代表。
3.齐纳电压（V
Z
）测量
齐纳电压（V
Z
）是脉冲条件下进行测试，例如那件T
J
不超过2 ℃以上牛逼
A
.
4.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
齐纳阻抗从60周期的交流电压，具有RMS值等于10％的交流电流时，其导致来自
直流稳压电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK 。
2006年11月/ C
第3页
德昌
包装外形
案例外形
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
组件
工业
有限责任公司
为
齐纳科技
和
制品
.
D0-41
暗淡
民
MILLIMETERS
最大
民
英寸
最大
A
B
C
D
0.72
4.07
25.40
2.04
0.86
5.20
---
2.71
0.028
0.160
1.000
0.080
0.034
0.205
---
0.107
注意：
所有尺寸JEDEC标准之内。
该数据表呈现德昌的齐纳二极管的技术数据。规格齐全，适合各个设备
在数据表的形式提供。全面的产品选择指南包含简化选择的最好的一组任务
所需的特定的应用程序组件。有关更多信息，请访问我们的网站
http://www.takcheong.com 。
虽然此数据表中的信息已经过仔细核对，对错误的责任可以承担德
畅。详情请咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。
德昌保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，进一步提高可靠性的权利，
功能和设计方面，成本和生产率。
德昌
和
注册德昌电子（集团）有限公司的商标。
2006年11月/ C
第4页
BZX85-Series
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
用于稳定和削波电路
e2
具有高的额定功率
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。更换后缀"C"
与"B"为± 2 ％容差
铅（Pb） -free组件
按照RoHS组件
2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
17173
应用
电压稳定
机械数据
案例：
DO41玻璃案例
重量：
约。 310毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（52毫米磁带） ， 25 K /箱TR / 5 K.
每个弹药盒（52毫米磁带） ， 25 K /盒TAP / 5 K.
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流
（见表"Electrical Characteristics" ）
功耗
1)
测试条件
符号
价值
单位
P
合计
1.3
1)
W
有效的提供，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
储存温度
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
110
1)
175
- 55 + 175
单位
K / W
°C
°C
有效的提供，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
文档编号85607
修订版1.8 ， 5月31日 - 07
www.vishay.com
1
BZX85-Series
威世半导体
电气特性
部分号码
齐纳电压
范围
1)
动态电阻
温度
系数
of
齐纳电压
在我
ZK
mA
民
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
α
VZ
在我
Z
= I
ZT
%/°C
最大
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.02
0.01
0.04
0.04
0.045
0.055
0.06
0.065
0.07
0.075
0.08
0.08
0.085
0.085
0.09
0.09
0.09
0.09
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.07
- 0.05
- 0.03
- 0.01
0
0.01
0.015
0.02
0.03
0.035
0.04
0.045
0.045
0.05
0.055
0.055
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
反向漏电流容许齐纳
当前
当前
2)
V
Z
在我
ZT
V
民
BZX85C2V7
BZX85C3V0
BZX85C3V3
BZX85C3V6
BZX85C3V9
BZX85C4V3
BZX85C4V7
BZX85C5V1
BZX85C5V6
BZX85C6V2
BZX85C6V8
BZX85C7V5
BZX85C8V2
BZX85C9V1
BZX85C10
BZX85C11
BZX85C12
BZX85C13
BZX85C15
BZX85C16
BZX85C18
BZX85C20
BZX85C22
BZX85C24
BZX85C27
BZX85C30
BZX85C33
BZX85C36
BZX85C39
BZX85C43
BZX85C47
BZX85C51
BZX85C56
BZX85C62
BZX85C68
BZX85C75
BZX85C82
BZX85C91
BZX85C100
1)
2)
3)
r
ZT3)
Ω
在我
ZT
mA
80
80
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
4
4
4
2.7
2.7
2.7
r
ZK3)
Ω
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 500
＆ LT ; 400
＆ LT ; 300
＆ LT ; 300
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 300
＆ LT ; 350
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 750
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
< 3000
< 3000
< 3000
在我
R
A
＆ LT ; 150
＆ LT ; 100
＆ LT ; 40
＆ LT ; 20
＆ LT ; 10
<3
<3
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
在V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
4.5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
I
Z
mA
360
330
300
290
280
250
215
200
190
170
155
140
130
120
105
97
88
79
71
66
62
56
52
47
41
36
33
30
28
26
23
21
19
16
15
14
12
10
9.4
最大
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
80
87
96
106
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 15
＆ LT ; 13
＆ LT ; 13
＆ LT ; 10
<7
<4
＆ LT ; 3.5
<3
<5
<5
<7
<8
<9
＆ LT ; 10
＆ LT ; 15
＆ LT ; 15
＆ LT ; 20
＆ LT ; 24
＆ LT ; 25
＆ LT ; 25
＆ LT ;三十
＆ LT ;三十
＆ LT ; 35
＆ LT ; 40
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 90
＆ LT ; 115
＆ LT ; 120
＆ LT ; 125
＆ LT ; 130
＆ LT ; 135
＆ LT ; 200
＆ LT ; 250
＆ LT ; 350
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
96
测量脉冲牛逼
p
= 5毫秒
在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度
测得F = 1千赫
www.vishay.com
2
文档编号85607
修订版1.8 ， 5月31日 - 07
BZX85-Series
威世半导体
电气特性
部分号码
齐纳电压
范围
1)
动态电阻
温度
系数
of
齐纳电压
在我
ZK
mA
民
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
α
VZ
在我
Z
= I
ZT
%/°C
最大
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.02
0.01
0.04
0.04
0.045
0.055
0.06
0.065
0.07
0.075
0.08
0.08
0.085
0.085
0.09
0.09
0.09
0.09
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.07
- 0.05
- 0.03
- 0.01
0
0.01
0.015
0.02
0.03
0.035
0.04
0.045
0.045
0.05
0.055
0.055
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
反向漏电流容许齐纳
当前
当前
2)
V
Z
在我
ZT
V
民
BZX85B2V7
BZX85B3V0
BZX85B3V3
BZX85B3V6
BZX85B3V9
BZX85B4V3
BZX85B4V7
BZX85B5V1
BZX85B5V6
BZX85B6V2
BZX85B6V8
BZX85B7V5
BZX85B8V2
BZX85B9V1
BZX85B10
BZX85B11
BZX85B12
BZX85B13
BZX85B15
BZX85B16
BZX85B18
BZX85B20
BZX85B22
BZX85B24
BZX85B27
BZX85B30
BZX85B33
BZX85B36
BZX85B39
BZX85B43
BZX85B47
BZX85B51
BZX85B56
BZX85B62
BZX85B68
BZX85B75
BZX85B82
BZX85B91
BZX85B100
1)
2)
3)
r
ZT3)
Ω
在我
ZT
mA
80
80
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
4
4
4
2.7
2.7
2.7
r
ZK3)
Ω
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 500
＆ LT ; 400
＆ LT ; 300
＆ LT ; 300
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 300
＆ LT ; 350
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 750
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
< 3000
< 3000
< 3000
在我
R
A
＆ LT ; 150
＆ LT ; 100
＆ LT ; 40
＆ LT ; 20
＆ LT ; 10
<3
<3
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
在V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
4.5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
I
Z
mA
360
330
300
290
280
250
215
200
190
170
155
140
130
120
105
97
88
79
71
66
62
56
52
47
41
36
33
30
28
26
23
21
19
16
15
14
12
10
9.4
最大
2.76
3.06
3.36
3.67
3.98
4.39
4.79
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.4
24.5
27.5
30.6
33.7
36.7
39.8
43.9
47.9
52
57.1
63.2
69.4
76.5
83.6
92.8
102
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 15
＆ LT ; 13
＆ LT ; 13
＆ LT ; 10
<7
<4
＆ LT ; 3.5
<3
<5
<5
<7
<8
<9
＆ LT ; 10
＆ LT ; 15
＆ LT ; 15
＆ LT ; 20
＆ LT ; 24
＆ LT ; 25
＆ LT ; 25
＆ LT ;三十
＆ LT ;三十
＆ LT ; 35
＆ LT ; 40
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 90
＆ LT ; 115
＆ LT ; 120
＆ LT ; 125
＆ LT ; 130
＆ LT ; 135
＆ LT ; 200
＆ LT ; 250
＆ LT ; 350
2.64
2.94
2.24
3.53
3.82
4.21
4.61
5
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.8
11.8
12.7
14.7
15.7
17.6
19.6
21.6
23.5
26.5
29.4
32.3
35.3
38.2
42.1
46.1
50
54.9
60.8
66.6
73.5
80.4
89.2
98
测量脉冲牛逼
p
= 5毫秒
在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度
测得F = 1千赫
文档编号85607
修订版1.8 ， 5月31日 - 07
www.vishay.com
3
电气特性
(TA=25
O
C
齐纳电压
范围（注1 ）
设备
V
z
@ I
zt
V
民
最大
BZX85C2V7
BZX85C3V0
BZX85C3V3
BZX85C3V6
BZX85C3V9
BZX85C4V3
BZX85C4V7
BZX85C5V1
BZX85C5V6
BZX85C6V2
BZX85C6V8
BZX85C7V5
BZX85C8V2
BZX85C9V1
BZX85C10
BZX85C11
BZX85C12
BZX85C13
BZX85C15
BZX85C16
BZX85C18
BZX85C20
BZX85C22
BZX85C24
BZX85C27
BZX85C30
BZX85C33
BZX85C36
BZX85C39
BZX85C43
BZX85C47
BZX85C51
BZX85C56
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
f
ZT
（注3）
欧姆
<20
<20
<20
<20
<15
<13
<13
<10
<7
<4
<3.5
<3
<5
<5
<7
<8
<9
<10
<15
<15
<20
<24
<25
<25
<30
<30
<35
<40
<50
<50
<90
<115
<120
I
ZT
mA
80
80
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
f
ZT
（注3）
欧
<400
<400
<400
<500
<500
<500
<600
<500
<400
<300
<300
<200
<200
<200
<200
<300
<350
<400
<500
<500
<500
<600
<600
<600
<750
<1000
<1000
<1000
<1000
<1000
<1500
<1500
<2000
动态电阻
除非另有说明）
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
I
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
V
Z
@
I
Z
=
I
ZT
% /
O
C
民
最大
-0.08
-0.08
-0.08
-0.08
-0.07
-0.05
-0.03
-0.01
0
0.01
0.015
0.02
0.03
0.035
0.04
0.045
0.045
0.05
0.055
0.055
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
-0.05
-0.05
-0.05
-0.05
-0.02
0.01
0.04
0.04
0.045
0.055
0.06
0.065
0.07
0.075
0.08
0.08
0.085
0.085
0.09
0.09
0.09
0.09
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
可受理
反向漏
齐纳
当前
当前
（注2 ）
I
Z
I
R
VR
uA
V
mA
<150
<100
<40
<20
<10
<3
<3
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
4.5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
360
330
300
290
280
250
215.0
200.0
190.0
170.0
155.0
140.0
130.0
120.0
105.0
97.0
88.0
79.0
71.0
66.0
62.0
56.0
52.0
47.0
41.0
36.0
33.0
30.0
28.0
26.0
23.0
21.0
19.0
注：1。有效的规定，设备终端被保持在环境温度下进行。
2.测试用脉冲， 300US的脉冲宽度，周期= 5毫秒。
3， F = 1kHz的。
电气特性
(TA=25
O
C
齐纳电压
范围（注1 ）
设备
V
z
@ I
zt
V
民
最大
BZX85C62
BZX85C68
BZX85C75
BZX85C82
BZX85C91
BZX85C100
BZX85C110
BZX85C120
BZX85C130
BZX85C150
BZX85C160
BZX85C180
BZX85C200
58
64
70
77
85
96
104
114
124
138
153
168
188
66
72
80
87
96
106
116
127
141
156
171
191
212
f
ZT
（注3）
欧姆
<125
<130
<135
<200
<250
<350
<450
<550
<700
<1000
<1100
<1200
<1500
I
ZT
mA
4.0
4.0
4.0
2.7
2.7
2.7
2.7
2.0
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
f
ZT
（注3）
欧
<2000
<2000
<2000
<3000
<3000
<3000
<4000
<4500
<5000
<6000
<6500
<7000
<8000
I
ZK
mA
动态电阻
除非另有说明）
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
V
Z
@
I
Z
=
I
ZT
% /
O
C
民
最大
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
可受理
反向漏电流稳压
当前
当前
（注2 ）
I
Z
I
R
VR
uA
V
mA
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
16
15
14
12
10
9.4
8.6
7.8
7.0
6.4
5.8
5.2
4.7
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.06
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
注：1。有效的规定，设备终端被保持在环境温度下进行。
2.测试用脉冲， 300US的脉冲宽度，周期= 5毫秒。
3， F = 1kHz的。
BZX85C
硅平面功率齐纳二极管
为稳定并具有高削波电路用
额定功率。
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。其他公差和
高齐纳电压要求。
黑
阴极带
黑
产品型号
黑
"ST"品牌
最大。 0.7
马克斯。 2.8
分钟。 25.4
XXX
ST
马克斯。 4.2
分钟。 25.4
玻璃外壳DO- 41
尺寸（mm）
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
1)
符号
P
合计
T
j
T
S
价值
1.3
1)
单位
W
O
200
- 55至+ 200
C
C
O
有效的提供，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 200毫安
1)
符号
R
THA
V
F
马克斯。
130
1)
1.2
单位
K / W
V
有效的提供，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 12/06/2007
BZX85C
齐纳电压范围
1)
TYPE
V
ZNOM
V
l
ZT
mA
为
V
ZT
V
2.5...2.9
2.8...3.2
3.1...3.5
3.4...3.8
3.7...4.1
4...4.6
4.4...5
4.8...5.4
5.2...6
5.8...6.6
6.4...7.2
7...7.9
7.7...8.7
8.5...9.6
9.4...10.6
10.4...11.6
11.4...12.7
12.4...14.1
13.8...15.6
15.3...17.1
16.8...19.1
18.8...21.2
20.8...23.3
22.8...25.6
25.1...28.9
28...32
31...35
34...38
37...41
40...46
44...50
48...54
52...60
58...66
64...72
70...79
77...87
85...96
94...106
104...116
114...127
124...141
138...156
153...171
168...191
188...212
最大动态性
r
ZJT
20
20
20
15
15
13
13
10
7
4
3.5
3
5
5
7
8
9
10
15
15
20
24
25
25
30
30
35
40
50
50
90
115
120
125
130
135
200
250
350
450
550
700
1000
1100
1200
1500
r
张家口
400
400
400
500
500
500
600
500
400
300
300
200
200
200
200
300
350
400
500
500
500
600
600
600
750
1000
1000
1000
1000
1000
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
在我
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
最大反向
漏电流
I
R
A
150
100
40
20
10
3
3
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
在V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
4.5
6.2
6.8
7
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
BZX85C2V7
2.7
80
BZX85C3V0
3.0
80
BZX85C3V3
3.3
70
BZX85C3V6
3.6
60
BZX85C3V9
3.9
60
BZX85C4V3
4.3
50
BZX85C4V7
4.7
45
BZX85C5V1
5.1
45
BZX85C5V6
5.6
45
BZX85C6V2
6.2
35
BZX85C6V8
6.8
35
BZX85C7V5
7.5
35
BZX85C8V2
8.2
25
BZX85C9V1
9.1
25
BZX85C10
10
25
BZX85C11
11
20
BZX85C12
12
20
BZX85C13
13
20
BZX85C15
15
15
BZX85C16
16
15
BZX85C18
18
15
BZX85C20
20
10
BZX85C22
22
10
BZX85C24
24
10
BZX85C27
27
8
BZX85C30
30
8
BZX85C33
33
8
BZX85C36
36
8
BZX85C39
39
6
BZX85C43
43
6
BZX85C47
47
4
BZX85C51
51
4
BZX85C56
56
4
BZX85C62
62
4
BZX85C68
68
4
BZX85C75
75
4
BZX85C82
82
2.7
BZX85C91
91
2.7
BZX85C100
100
2.7
BZX85C110
110
2.7
BZX85C120
120
2
BZX85C130
130
2
BZX85C150
150
2
BZX85C160
160
1.5
BZX85C180
180
1.5
BZX85C200
200
1.5
1)
测试了脉冲吨
p
= 20毫秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 12/06/2007
BZX85C
击穿特性
在TJ =常数（脉冲）
mA
240
C3V9
200
C5V6
Iz
160
C6V8
C8V2
120
C10
C12
80
C4V7
BZX 85 ...
Tj=25
o
C
C15
40
C18
C22
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Vz
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24V
击穿特性
在TJ =常数（脉冲）
mA
50
Iz
40
C33
C39
30
C47
C68
C27
Tj=25
o
C
BZX 85 ...
20
C 75
C 91
10
0
20
25
30
35
40
45
50
55
60
Vz
65
70
75
80
85
90
95V
受理的功耗
随环境温度
有效的条件是引线保持在环境
温度从个案的距离为10毫米
w
P
合计
T
AMB
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 12/06/2007
BZX85C3V3
THRU
BZX85C33
表面贴装
1.3W硅稳压二极管
3.3伏THRU 33伏
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体BZX85C3V3
系列硅稳压二极管。这些高
质量电压调节二极管被设计为
工业，商业，娱乐使用，
计算机应用。
标记：全部型号
符号
PD
TJ ， TSTG
单位
W
°C
DO- 41 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
功耗
工作和存储温度
1.3
-65到+200
电气特性：
（ TA = 25 ℃） VF = 1.2V MAX @ IF = 200毫安（所有类型）
齐纳电压
TYPE
民
(V)
BZX85C3V3
BZX85C3V6
BZX85C3V9
BZX85C4V3
BZX85C4V7
BZX85C5V1
BZX85C5V6
BZX85C6V2
BZX85C6V8
BZX85C7V5
BZX85C8V2
BZX85C9V1
BZX85C10
BZX85C11
BZX85C12
3.1
3.4
3.7
4.1
4.5
4.8
5.3
5.9
6.5
7.1
7.8
8.6
9.5
10.5
11.4
VZ @ IZT
喃
(V)
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
最大
(V)
3.5
3.8
4.1
4.5
4.9
5.4
5.9
6.5
7.1
7.9
8.6
9.6
10.5
11.6
12.6
IZT
（MA ）
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
ZZT @ IZT
(Ω)
20
15
15
13
13
10
7.0
4.0
3.5
3.0
5.0
5.0
7.0
8.0
9.0
ZZK @ IZK
(Ω)
（MA ）
400
500
500
500
600
500
400
300
300
200
200
200
200
300
350
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
TEST
当前
最大齐纳
阻抗
最大
反向
当前
IR @ VR
(μA)
(V)
60
30
5.0
3.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
3.0
4.0
4.5
5.0
6.5
7.0
7.7
8.4
最大
反向
浪涌
当前
IRSM
（MA ）
1,380
1,260
1,190
1,070
970
890
810
730
660
605
550
500
454
414
380
最大
齐纳
当前
IZM
（MA ）
276
252
234
217
193
178
162
146
133
121
110
100
91
83
76
公差代号
A
B
C
公差
±1%
±2%
±5%
产品型号标识
B Z X 85 C 4V7
标称值码（即4.7伏）
公差代号
设备系列
R0 （ 2009年12月）
中央
TM
半导体公司
BZX85C3V3
THRU
BZX85C33
表面贴装
1.3W硅稳压二极管
3.3伏THRU 33伏
电气特性 - 续：
（ TA = 25 ℃） VF = 1.2V MAX @ IF = 200毫安（所有类型）
齐纳电压
TYPE
民
(V)
BZX85C13
BZX85C15
BZX85C16
BZX85C18
BZX85C20
BZX85C22
BZX85C24
BZX85C27
BZX85C30
BZX85C33
12.4
14.3
15.2
17.1
19.0
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
VZ @ IZT
喃
(V)
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
最大
(V)
13.7
15.8
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
28.4
31.5
34.7
IZT
（MA ）
20
15
15
15
10
10
10
8.0
8.0
8.0
ZZT @ IZT
(Ω)
10
15
15
20
24
25
25
30
30
35
ZZK @ IZK
(Ω)
（MA ）
400
500
500
500
600
600
600
750
1,000
1,200
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
TEST
当前
最大齐纳
阻抗
最大
反向
当前
IR @ VR
(μA)
(V)
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
9.1
10.5
11.0
12.5
14.0
15.5
17.0
19.0
21.0
23.0
最大
反向
浪涌
当前
IRSM
（MA ）
344
304
285
250
225
205
190
170
150
135
最大
齐纳
当前
IZM
（MA ）
69
61
57
50
45
41
38
34
30
27
DO- 41案例 - 机械外形
R0 （ 2009年12月）
QQ：2880707522 复制
