BZX85-Series
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
用于稳定和削波电路
e2
具有高的额定功率
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。更换后缀"C"
与"B"为± 2 ％容差
铅（Pb） -free组件
按照RoHS组件
2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
17173
应用
电压稳定
机械数据
案例：
DO41玻璃案例
重量：
约。 310毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（52毫米磁带） ， 25 K /箱TR / 5 K.
每个弹药盒（52毫米磁带） ， 25 K /盒TAP / 5 K.
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流
（见表"Electrical Characteristics" ）
功耗
1)
测试条件
符号
价值
单位
P
合计
1.3
1)
W
有效的提供，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
储存温度
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
110
1)
175
- 55 + 175
单位
K / W
°C
°C
有效的提供，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
文档编号85607
修订版1.8 ， 5月31日 - 07
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1
BZX85-Series
威世半导体
电气特性
部分号码
齐纳电压
范围
1)
动态电阻
温度
系数
of
齐纳电压
在我
ZK
mA
民
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
α
VZ
在我
Z
= I
ZT
%/°C
最大
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.02
0.01
0.04
0.04
0.045
0.055
0.06
0.065
0.07
0.075
0.08
0.08
0.085
0.085
0.09
0.09
0.09
0.09
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.07
- 0.05
- 0.03
- 0.01
0
0.01
0.015
0.02
0.03
0.035
0.04
0.045
0.045
0.05
0.055
0.055
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
反向漏电流容许齐纳
当前
当前
2)
V
Z
在我
ZT
V
民
BZX85C2V7
BZX85C3V0
BZX85C3V3
BZX85C3V6
BZX85C3V9
BZX85C4V3
BZX85C4V7
BZX85C5V1
BZX85C5V6
BZX85C6V2
BZX85C6V8
BZX85C7V5
BZX85C8V2
BZX85C9V1
BZX85C10
BZX85C11
BZX85C12
BZX85C13
BZX85C15
BZX85C16
BZX85C18
BZX85C20
BZX85C22
BZX85C24
BZX85C27
BZX85C30
BZX85C33
BZX85C36
BZX85C39
BZX85C43
BZX85C47
BZX85C51
BZX85C56
BZX85C62
BZX85C68
BZX85C75
BZX85C82
BZX85C91
BZX85C100
1)
2)
3)
r
ZT3)
Ω
在我
ZT
mA
80
80
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
4
4
4
2.7
2.7
2.7
r
ZK3)
Ω
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 500
＆ LT ; 400
＆ LT ; 300
＆ LT ; 300
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 300
＆ LT ; 350
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 750
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
< 3000
< 3000
< 3000
在我
R
A
＆ LT ; 150
＆ LT ; 100
＆ LT ; 40
＆ LT ; 20
＆ LT ; 10
<3
<3
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
在V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
4.5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
I
Z
mA
360
330
300
290
280
250
215
200
190
170
155
140
130
120
105
97
88
79
71
66
62
56
52
47
41
36
33
30
28
26
23
21
19
16
15
14
12
10
9.4
最大
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
80
87
96
106
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 15
＆ LT ; 13
＆ LT ; 13
＆ LT ; 10
<7
<4
＆ LT ; 3.5
<3
<5
<5
<7
<8
<9
＆ LT ; 10
＆ LT ; 15
＆ LT ; 15
＆ LT ; 20
＆ LT ; 24
＆ LT ; 25
＆ LT ; 25
＆ LT ;三十
＆ LT ;三十
＆ LT ; 35
＆ LT ; 40
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 90
＆ LT ; 115
＆ LT ; 120
＆ LT ; 125
＆ LT ; 130
＆ LT ; 135
＆ LT ; 200
＆ LT ; 250
＆ LT ; 350
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
96
测量脉冲牛逼
p
= 5毫秒
在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度
测得F = 1千赫
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2
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BZX85-Series
威世半导体
电气特性
部分号码
齐纳电压
范围
1)
动态电阻
温度
系数
of
齐纳电压
在我
ZK
mA
民
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
α
VZ
在我
Z
= I
ZT
%/°C
最大
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.02
0.01
0.04
0.04
0.045
0.055
0.06
0.065
0.07
0.075
0.08
0.08
0.085
0.085
0.09
0.09
0.09
0.09
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.07
- 0.05
- 0.03
- 0.01
0
0.01
0.015
0.02
0.03
0.035
0.04
0.045
0.045
0.05
0.055
0.055
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
反向漏电流容许齐纳
当前
当前
2)
V
Z
在我
ZT
V
民
BZX85B2V7
BZX85B3V0
BZX85B3V3
BZX85B3V6
BZX85B3V9
BZX85B4V3
BZX85B4V7
BZX85B5V1
BZX85B5V6
BZX85B6V2
BZX85B6V8
BZX85B7V5
BZX85B8V2
BZX85B9V1
BZX85B10
BZX85B11
BZX85B12
BZX85B13
BZX85B15
BZX85B16
BZX85B18
BZX85B20
BZX85B22
BZX85B24
BZX85B27
BZX85B30
BZX85B33
BZX85B36
BZX85B39
BZX85B43
BZX85B47
BZX85B51
BZX85B56
BZX85B62
BZX85B68
BZX85B75
BZX85B82
BZX85B91
BZX85B100
1)
2)
3)
r
ZT3)
Ω
在我
ZT
mA
80
80
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
4
4
4
2.7
2.7
2.7
r
ZK3)
Ω
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 500
＆ LT ; 400
＆ LT ; 300
＆ LT ; 300
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 300
＆ LT ; 350
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 750
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
< 3000
< 3000
< 3000
在我
R
A
＆ LT ; 150
＆ LT ; 100
＆ LT ; 40
＆ LT ; 20
＆ LT ; 10
<3
<3
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
在V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
4.5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
I
Z
mA
360
330
300
290
280
250
215
200
190
170
155
140
130
120
105
97
88
79
71
66
62
56
52
47
41
36
33
30
28
26
23
21
19
16
15
14
12
10
9.4
最大
2.76
3.06
3.36
3.67
3.98
4.39
4.79
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.4
24.5
27.5
30.6
33.7
36.7
39.8
43.9
47.9
52
57.1
63.2
69.4
76.5
83.6
92.8
102
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 15
＆ LT ; 13
＆ LT ; 13
＆ LT ; 10
<7
<4
＆ LT ; 3.5
<3
<5
<5
<7
<8
<9
＆ LT ; 10
＆ LT ; 15
＆ LT ; 15
＆ LT ; 20
＆ LT ; 24
＆ LT ; 25
＆ LT ; 25
＆ LT ;三十
＆ LT ;三十
＆ LT ; 35
＆ LT ; 40
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 90
＆ LT ; 115
＆ LT ; 120
＆ LT ; 125
＆ LT ; 130
＆ LT ; 135
＆ LT ; 200
＆ LT ; 250
＆ LT ; 350
2.64
2.94
2.24
3.53
3.82
4.21
4.61
5
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.8
11.8
12.7
14.7
15.7
17.6
19.6
21.6
23.5
26.5
29.4
32.3
35.3
38.2
42.1
46.1
50
54.9
60.8
66.6
73.5
80.4
89.2
98
测量脉冲牛逼
p
= 5毫秒
在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度
测得F = 1千赫
文档编号85607
修订版1.8 ， 5月31日 - 07
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3
电气特性
(TA=25
O
C
齐纳电压
范围（注1 ）
设备
V
z
@ I
zt
V
民
最大
BZX85C2V7
BZX85C3V0
BZX85C3V3
BZX85C3V6
BZX85C3V9
BZX85C4V3
BZX85C4V7
BZX85C5V1
BZX85C5V6
BZX85C6V2
BZX85C6V8
BZX85C7V5
BZX85C8V2
BZX85C9V1
BZX85C10
BZX85C11
BZX85C12
BZX85C13
BZX85C15
BZX85C16
BZX85C18
BZX85C20
BZX85C22
BZX85C24
BZX85C27
BZX85C30
BZX85C33
BZX85C36
BZX85C39
BZX85C43
BZX85C47
BZX85C51
BZX85C56
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
f
ZT
（注3）
欧姆
<20
<20
<20
<20
<15
<13
<13
<10
<7
<4
<3.5
<3
<5
<5
<7
<8
<9
<10
<15
<15
<20
<24
<25
<25
<30
<30
<35
<40
<50
<50
<90
<115
<120
I
ZT
mA
80
80
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
f
ZT
（注3）
欧
<400
<400
<400
<500
<500
<500
<600
<500
<400
<300
<300
<200
<200
<200
<200
<300
<350
<400
<500
<500
<500
<600
<600
<600
<750
<1000
<1000
<1000
<1000
<1000
<1500
<1500
<2000
动态电阻
除非另有说明）
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
I
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
V
Z
@
I
Z
=
I
ZT
% /
O
C
民
最大
-0.08
-0.08
-0.08
-0.08
-0.07
-0.05
-0.03
-0.01
0
0.01
0.015
0.02
0.03
0.035
0.04
0.045
0.045
0.05
0.055
0.055
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
-0.05
-0.05
-0.05
-0.05
-0.02
0.01
0.04
0.04
0.045
0.055
0.06
0.065
0.07
0.075
0.08
0.08
0.085
0.085
0.09
0.09
0.09
0.09
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
可受理
反向漏
齐纳
当前
当前
（注2 ）
I
Z
I
R
VR
uA
V
mA
<150
<100
<40
<20
<10
<3
<3
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
4.5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
360
330
300
290
280
250
215.0
200.0
190.0
170.0
155.0
140.0
130.0
120.0
105.0
97.0
88.0
79.0
71.0
66.0
62.0
56.0
52.0
47.0
41.0
36.0
33.0
30.0
28.0
26.0
23.0
21.0
19.0
注：1。有效的规定，设备终端被保持在环境温度下进行。
2.测试用脉冲， 300US的脉冲宽度，周期= 5毫秒。
3， F = 1kHz的。
电气特性
(TA=25
O
C
齐纳电压
范围（注1 ）
设备
V
z
@ I
zt
V
民
最大
BZX85C62
BZX85C68
BZX85C75
BZX85C82
BZX85C91
BZX85C100
BZX85C110
BZX85C120
BZX85C130
BZX85C150
BZX85C160
BZX85C180
BZX85C200
58
64
70
77
85
96
104
114
124
138
153
168
188
66
72
80
87
96
106
116
127
141
156
171
191
212
f
ZT
（注3）
欧姆
<125
<130
<135
<200
<250
<350
<450
<550
<700
<1000
<1100
<1200
<1500
I
ZT
mA
4.0
4.0
4.0
2.7
2.7
2.7
2.7
2.0
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
f
ZT
（注3）
欧
<2000
<2000
<2000
<3000
<3000
<3000
<4000
<4500
<5000
<6000
<6500
<7000
<8000
I
ZK
mA
动态电阻
除非另有说明）
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
V
Z
@
I
Z
=
I
ZT
% /
O
C
民
最大
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
可受理
反向漏电流稳压
当前
当前
（注2 ）
I
Z
I
R
VR
uA
V
mA
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
16
15
14
12
10
9.4
8.6
7.8
7.0
6.4
5.8
5.2
4.7
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.06
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
注：1。有效的规定，设备终端被保持在环境温度下进行。
2.测试用脉冲， 300US的脉冲宽度，周期= 5毫秒。
3， F = 1kHz的。
BZX85C
硅平面功率齐纳二极管
为稳定并具有高削波电路用
额定功率。
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。其他公差和
高齐纳电压要求。
黑
阴极带
黑
产品型号
黑
"ST"品牌
最大。 0.7
马克斯。 2.8
分钟。 25.4
XXX
ST
马克斯。 4.2
分钟。 25.4
玻璃外壳DO- 41
尺寸（mm）
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
1)
符号
P
合计
T
j
T
S
价值
1.3
1)
单位
W
O
200
- 55至+ 200
C
C
O
有效的提供，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 200毫安
1)
符号
R
THA
V
F
马克斯。
130
1)
1.2
单位
K / W
V
有效的提供，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 12/06/2007
BZX85C
齐纳电压范围
1)
TYPE
V
ZNOM
V
l
ZT
mA
为
V
ZT
V
2.5...2.9
2.8...3.2
3.1...3.5
3.4...3.8
3.7...4.1
4...4.6
4.4...5
4.8...5.4
5.2...6
5.8...6.6
6.4...7.2
7...7.9
7.7...8.7
8.5...9.6
9.4...10.6
10.4...11.6
11.4...12.7
12.4...14.1
13.8...15.6
15.3...17.1
16.8...19.1
18.8...21.2
20.8...23.3
22.8...25.6
25.1...28.9
28...32
31...35
34...38
37...41
40...46
44...50
48...54
52...60
58...66
64...72
70...79
77...87
85...96
94...106
104...116
114...127
124...141
138...156
153...171
168...191
188...212
最大动态性
r
ZJT
20
20
20
15
15
13
13
10
7
4
3.5
3
5
5
7
8
9
10
15
15
20
24
25
25
30
30
35
40
50
50
90
115
120
125
130
135
200
250
350
450
550
700
1000
1100
1200
1500
r
张家口
400
400
400
500
500
500
600
500
400
300
300
200
200
200
200
300
350
400
500
500
500
600
600
600
750
1000
1000
1000
1000
1000
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
在我
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
最大反向
漏电流
I
R
A
150
100
40
20
10
3
3
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
在V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
4.5
6.2
6.8
7
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
BZX85C2V7
2.7
80
BZX85C3V0
3.0
80
BZX85C3V3
3.3
70
BZX85C3V6
3.6
60
BZX85C3V9
3.9
60
BZX85C4V3
4.3
50
BZX85C4V7
4.7
45
BZX85C5V1
5.1
45
BZX85C5V6
5.6
45
BZX85C6V2
6.2
35
BZX85C6V8
6.8
35
BZX85C7V5
7.5
35
BZX85C8V2
8.2
25
BZX85C9V1
9.1
25
BZX85C10
10
25
BZX85C11
11
20
BZX85C12
12
20
BZX85C13
13
20
BZX85C15
15
15
BZX85C16
16
15
BZX85C18
18
15
BZX85C20
20
10
BZX85C22
22
10
BZX85C24
24
10
BZX85C27
27
8
BZX85C30
30
8
BZX85C33
33
8
BZX85C36
36
8
BZX85C39
39
6
BZX85C43
43
6
BZX85C47
47
4
BZX85C51
51
4
BZX85C56
56
4
BZX85C62
62
4
BZX85C68
68
4
BZX85C75
75
4
BZX85C82
82
2.7
BZX85C91
91
2.7
BZX85C100
100
2.7
BZX85C110
110
2.7
BZX85C120
120
2
BZX85C130
130
2
BZX85C150
150
2
BZX85C160
160
1.5
BZX85C180
180
1.5
BZX85C200
200
1.5
1)
测试了脉冲吨
p
= 20毫秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 12/06/2007
BZX85C
击穿特性
在TJ =常数（脉冲）
mA
240
C3V9
200
C5V6
Iz
160
C6V8
C8V2
120
C10
C12
80
C4V7
BZX 85 ...
Tj=25
o
C
C15
40
C18
C22
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Vz
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24V
击穿特性
在TJ =常数（脉冲）
mA
50
Iz
40
C33
C39
30
C47
C68
C27
Tj=25
o
C
BZX 85 ...
20
C 75
C 91
10
0
20
25
30
35
40
45
50
55
60
Vz
65
70
75
80
85
90
95V
受理的功耗
随环境温度
有效的条件是引线保持在环境
温度从个案的距离为10毫米
w
P
合计
T
AMB
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 12/06/2007
德昌
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
组件
工业
有限责任公司
为
齐纳科技
和
制品
.
1.耐性与TYPE号指定（V
Z
)
公差代号 - 上市型数字有齐纳电压最小/最大限值，如图所示。
2.特价设施包括
所示的电压和更严格的电压之间的额定齐纳电压，对价格，可用性和交付，联系人的详细信息
您最近德昌代表。
3.齐纳电压（V
Z
）测量
齐纳电压（V
Z
）是脉冲条件下进行测试，例如那件T
J
不超过2 ℃以上牛逼
A
.
4.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
齐纳阻抗从60周期的交流电压，具有RMS值等于10％的交流电流时，其导致来自
直流稳压电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK 。
2006年11月/ C
第3页
德昌
包装外形
案例外形
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
组件
工业
有限责任公司
为
齐纳科技
和
制品
.
D0-41
暗淡
民
MILLIMETERS
最大
民
英寸
最大
A
B
C
D
0.72
4.07
25.40
2.04
0.86
5.20
---
2.71
0.028
0.160
1.000
0.080
0.034
0.205
---
0.107
注意：
所有尺寸JEDEC标准之内。
该数据表呈现德昌的齐纳二极管的技术数据。规格齐全，适合各个设备
在数据表的形式提供。全面的产品选择指南包含简化选择的最好的一组任务
所需的特定的应用程序组件。有关更多信息，请访问我们的网站
http://www.takcheong.com 。
虽然此数据表中的信息已经过仔细核对，对错误的责任可以承担德
畅。详情请咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。
德昌保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，进一步提高可靠性的权利，
功能和设计方面，成本和生产率。
德昌
和
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2006年11月/ C
第4页
BZX85-Series
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威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
用于与稳定和削波电路
高功率等级
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。更换后缀“C”
以“ B”为± 2 ％容差
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.7至100
2.7 80
脉冲电流
单身
单位
V
mA
应用
电压稳定
订购信息
设备名称
BZX85-series
BZX85-series
订购代码
BZX85-series-TR
BZX85-series-TAP
每卷胶带单位
5000 （上13"卷轴52毫米磁带）
5000元ammopack
（52毫米磁带）
最小起订量
25 000 /盒
25 000 /盒
包
包名称
DO-41
重量
310毫克
模塑料湿度敏感度
可燃性等级
水平
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
功耗
齐纳电流
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
有效的提供，导致在4mm的距离
从壳体被保持在环境温度下
请参阅表“电气特性”。
有效的提供，导致在4mm的距离
从壳体被保持在环境温度下
R
thJA
T
j
T
英镑
110
175
- 55 + 175
K / W
°C
°C
符号
P
合计
价值
1300
单位
mW
2.1版， 22 -NOV- 11
文档编号： 85607
1
您所在区域内的技术问题：
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受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
BZX85-Series
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威世半导体
温度
系数
齐纳二极管
电压
α
VZ
在我
ZT1
%/°C
马克斯。
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 500
＆ LT ; 400
＆ LT ; 300
＆ LT ; 300
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 300
＆ LT ; 350
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 750
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
< 3000
< 3000
< 3000
分钟。
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.07
- 0.05
- 0.03
- 0.01
0
0.01
0.015
0.02
0.03
0.035
0.04
0.045
0.045
0.05
0.055
0.055
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
马克斯。
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.02
0.01
0.04
0.04
0.045
0.055
0.06
0.065
0.07
0.075
0.08
0.08
0.085
0.085
0.09
0.09
0.09
0.09
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
360
330
300
290
280
250
215
200
190
170
155
140
130
120
105
97
88
79
71
66
62
56
52
47
41
36
33
30
28
26
23
21
19
16
15
14
12
10
9.4
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
(1)
产品型号
V
Z
在我
ZT1
V
分钟。喃。马克斯。
BZX85C2V7
BZX85C3V0
BZX85C3V3
BZX85C3V6
BZX85C3V9
BZX85C4V3
BZX85C4V7
BZX85C5V1
BZX85C5V6
BZX85C6V2
BZX85C6V8
BZX85C7V5
BZX85C8V2
BZX85C9V1
BZX85C10
BZX85C11
BZX85C12
BZX85C13
BZX85C15
BZX85C16
BZX85C18
BZX85C20
BZX85C22
BZX85C24
BZX85C27
BZX85C30
BZX85C33
BZX85C36
BZX85C39
BZX85C43
BZX85C47
BZX85C51
BZX85C56
BZX85C62
BZX85C68
BZX85C75
BZX85C82
BZX85C91
BZX85C100
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
96
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
80
87
96
106
80
80
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
4
4
4
2.7
2.7
2.7
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
＆ LT ; 150
＆ LT ; 100
＆ LT ; 40
＆ LT ; 20
＆ LT ; 10
<3
<3
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
4.5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
TEST
当前
I
ZT1
mA
I
ZT2
反向
LAEKAGE
当前
I
R
在V
R
μA
V
马克斯。
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 15
＆ LT ; 13
＆ LT ; 13
＆ LT ; 10
<7
<4
＆ LT ; 3.5
<3
<5
<5
<7
<8
<9
＆ LT ; 10
＆ LT ; 15
＆ LT ; 15
＆ LT ; 20
＆ LT ; 24
＆ LT ; 25
＆ LT ; 25
＆ LT ;三十
＆ LT ;三十
＆ LT ; 35
＆ LT ; 40
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 90
＆ LT ; 115
＆ LT ; 120
＆ LT ; 125
＆ LT ; 130
＆ LT ; 135
＆ LT ; 200
＆ LT ; 250
＆ LT ; 350
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Ω
(3)
可受理
齐纳
当前
(2)
I
Z
mA
Z
ZK
在我
ZT2
笔记
(1)
测量脉冲T = 5毫秒
p
(2)
在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度
(3)
测得F = 1千赫
2.1版， 22 -NOV- 11
文档编号： 85607
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威世半导体
温度
系数
齐纳二极管
电压
α
VZ
在我
ZT1
%/°C
马克斯。
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 500
＆ LT ; 400
＆ LT ; 300
＆ LT ; 300
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
＆ LT ; 300
＆ LT ; 350
＆ LT ; 400
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 750
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 1500
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
＆ LT ; 2000
< 3000
< 3000
< 3000
分钟。
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.07
- 0.05
- 0.03
- 0.01
0
0.01
0.015
0.02
0.03
0.035
0.04
0.045
0.045
0.05
0.055
0.055
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.055
0.055
0.055
0.055
0.055
马克斯。
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.02
0.01
0.04
0.04
0.045
0.055
0.06
0.065
0.07
0.075
0.08
0.08
0.085
0.085
0.09
0.09
0.09
0.09
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
360
330
300
290
280
250
215
200
190
170
155
140
130
120
105
97
88
79
71
66
62
56
52
47
41
36
33
30
28
26
23
21
19
16
15
14
12
10
9.4
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
(1)
产品型号
V
Z
在我
ZT1
V
分钟。喃。马克斯。
BZX85B2V7
BZX85B3V0
BZX85B3V3
BZX85B3V6
BZX85B3V9
BZX85B4V3
BZX85B4V7
BZX85B5V1
BZX85B5V6
BZX85B6V2
BZX85B6V8
BZX85B7V5
BZX85B8V2
BZX85B9V1
BZX85B10
BZX85B11
BZX85B12
BZX85B13
BZX85B15
BZX85B16
BZX85B18
BZX85B20
BZX85B22
BZX85B24
BZX85B27
BZX85B30
BZX85B33
BZX85B36
BZX85B39
BZX85B43
BZX85B47
BZX85B51
BZX85B56
BZX85B62
BZX85B68
BZX85B75
BZX85B82
BZX85B91
BZX85B100
2.64
2.94
2.24
3.53
3.82
4.21
4.61
5
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.8
11.8
12.7
14.7
15.7
17.6
19.6
21.6
23.5
26.5
29.4
32.3
35.3
38.2
42.1
46.1
50
54.9
60.8
66.6
73.5
80.4
89.2
98
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
2.76
3.06
3.36
3.67
3.98
4.39
4.79
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.4
24.5
27.5
30.6
33.7
36.7
39.8
43.9
47.9
52
57.1
63.2
69.4
76.5
83.6
92.8
102
80
80
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
4
4
4
2.7
2.7
2.7
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
＆ LT ; 150
＆ LT ; 100
＆ LT ; 40
＆ LT ; 20
＆ LT ; 10
<3
<3
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.5
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
4.5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
TEST
当前
I
ZT1
mA
I
ZT2
反向
LAEKAGE
当前
I
R
在V
R
μA
V
马克斯。
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 15
＆ LT ; 13
＆ LT ; 13
＆ LT ; 10
<7
<4
＆ LT ; 3.5
<3
<5
<5
<7
<8
<9
＆ LT ; 10
＆ LT ; 15
＆ LT ; 15
＆ LT ; 20
＆ LT ; 24
＆ LT ; 25
＆ LT ; 25
＆ LT ;三十
＆ LT ;三十
＆ LT ; 35
＆ LT ; 40
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 90
＆ LT ; 115
＆ LT ; 120
＆ LT ; 125
＆ LT ; 130
＆ LT ; 135
＆ LT ; 200
＆ LT ; 250
＆ LT ; 350
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Ω
(3)
可受理
齐纳
当前
(2)
I
Z
mA
Z
ZK
在我
ZT2
笔记
(1)
测量脉冲T = 5毫秒
p
(2)
在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度
(3)
测得F = 1千赫
2.1版， 22 -NOV- 11
文档编号： 85607
3
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BZX85-Series
www.vishay.com
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
° C / W
10
3
5
4
3
2
威世半导体
° C / W
200
r
THA
10
2
5
4
3
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
R
THA
100
马克斯。
典型值。
10
5
4
3
2
t
P
v
=
T
P
___
t
T
P
I
1
10
-5
0
10
-1
t
P
1
10 s
18458
10
-4
10
-3
10
-2
0
10
20
导线长度
30 mm
18461
图。 1 -
脉冲热电阻与脉冲宽度
图。 4 -
热敏电阻与导线长度
Ω
10
3
7
5
4
W
2
r
zj
3
2
P
合计
56
10
2
7
5
4
3
2
43
1
10
0.1
0
2
3 4 5
1
2
3 4 5
10毫安
18459
0
100
T
AMB
200 °C
18462
I
Z
图。 2 -
动态电阻与齐纳电流
图。 5 -
受理的功耗与环境温度
Ω
100
7
5
4
3
2
Ω
10
3
5
4
3
2
r
zj
r
zj
43
36
30
24
22
18
10
2
5
4
3
2
5V1
4V3
18
12
10
7
5
4
3
2
10
5
4
3
2
6V2
10
7V5
1
1
1
2
3 4 5
10
2
3 4 5
百毫安
18460
1
2
3 4 5 7
10
2
3 4 5
7
百毫安
I
Z
I
Z
18463
图。 3 -
动态电阻与齐纳电流
图。 6 -
动态电阻与齐纳电流
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4
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BZX85-Series
www.vishay.com
威世半导体
mA
240
200
I
Z
160
120
80
40
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
Z
图。 7 -
击穿特性
3V9
4V7
5V6
6V8
8V2
10
12
T
j
= 25 °C
10 11 12 13 14 15
V
18456
mA
60
50
I
Z
40
33
15
18
22
27
T
j
= 25 °C
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
V
Z
图。 8 -
击穿特性
39
47
35
40
45 50
V
18457
包装尺寸
以毫米（英寸）：
DO-41
阴极鉴定
0.86（ 0.034 ）最大。
26 （ 1.024 ）分钟。
4.1 （ 0.161 ）最大。
26 （ 1.024 ）分钟。
94 9368
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2.6 （ 0.102 ）最大。
齐纳二极管BZX85C3V3 - BZX85C100
齐纳二极管
BZX85C3V3 - BZX85C100
绝对最大额定值*
符号
P
D
参数
功耗
@ TL
≤
50 ° C，引线长度= 3/8 “
减免上述50℃
T
J
, T
英镑
工作和存储温度范围
T
A
= 25 ° C除非另有说明
容差±5 ％
单位
W
毫瓦/°C的
°C
价值
1.0
6.67
-65到+200
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
DO- 41玻璃柜
颜色频带为负极
电气特性
设备
BZX85C3V3
BZX85C3V6
BZX85C3V9
BZX85C4V3
BZX85C4V7
BZX85C5V1
BZX85C5V6
BZX85C6V2
BZX85C6V8
BZX85C7V5
BZX85C8V2
BZX85C9V1
BZX85C10
BZX85C11
BZX85C12
BZX85C13
BZX85C15
BZX85C16
BZX85C18
BZX85C20
BZX85C22
BZX85C24
BZX85C27
BZX85C30
BZX85C33
BZX85C36
BZX85C39
BZX85C43
BZX85C47
BZX85C51
V
Z
（伏）
分钟。
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
马克斯。
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
T
A
= 25 ° C除非另有说明
齐纳电压
（注1 ）
I
Z
mA
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
齐纳阻抗
Z
Z
@ I
Z
()
20
15
15
13
13
10
7
4
3.5
3
5
5
7
8
9
10
15
15
20
24
25
25
30
30
35
40
45
50
90
115
Z
ZK
@ I
ZK
()
400
500
500
500
600
500
400
300
300
200
200
200
200
300
350
400
500
500
500
600
600
600
750
1000
1000
1000
1000
1000
1500
1500
（MA ）
漏电流
I
R
@ V
R
A
马克斯。
伏
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
60
30
5
3
3
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1
1
1
1
1.5
2
2
3
4
4.5
5
6.5
7
7.7
8.4
9.1
10.5
11
12.5
14
15.5
17
19
21
23
25
27
30
33
36
BZX85C3V3 - BZX85C100 ， E1牧师
2004仙童半导体公司
齐纳二极管BZX85C3V3 - BZX85C100
电气特性
（续）T = 25° C除非另有说明
A
齐纳电压
（注1 ）
设备
BZX85C56
BZX85C62
BZX85C68
BZX85C75
BZX85C82
BZX85C91
BZX85C100
V
Z
（伏）
分钟。
52
58
64
70
77
85
96
马克斯。
60
66
72
80
87
96
106
I
Z
mA
4
4
4
4
2.7
2.7
2.7
齐纳阻抗
Z
Z
@ I
Z
()
120
125
130
150
200
250
350
Z
ZK
@ I
ZK
()
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
（MA ）
漏电流
I
R
@ V
R
A
马克斯。
伏
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
39
43
47
51
56
62
68
V
F
正向电压= 1.2V最大@ I
F
= 200毫安
注意事项：
1.齐纳电压（V
Z
)
齐纳电压的测量可以在引线温度的热平衡的器件结（T
L
）在30C ± 1C和3/8 “引线长度。
2004仙童半导体公司
BZX85C3V3 - BZX85C100 ， E1牧师
齐纳二极管BZX85C3V3 - BZX85C100
顶标信息
设备
BZX85C3V3
BZX85C3V6
BZX85C3V9
BZX85C4V3
BZX85C4V7
BZX85C5V1
BZX85C5V6
BZX85C6V2
BZX85C6V8
BZX85C7V5
BZX85C8V2
BZX85C9V1
BZX85C10
BZX85C11
BZX85C12
BZX85C13
BZX85C15
BZX85C16
BZX85C18
BZX85C20
BZX85C22
BZX85C24
BZX85C27
BZX85C30
BZX85C33
BZX85C36
BZX85C39
BZX85C43
BZX85C47
BZX85C51
BZX85C56
BZX85C62
BZX85C68
BZX85C75
BZX85C82
BZX85C91
BZX85C100
1号线
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
2号线
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
LINE 3
3V3
3V6
3V9
4V3
4V7
5V1
5V6
6V2
6V8
7V5
8V2
9V1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
4号线
5号线
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
2004仙童半导体公司
BZX85C3V3 - BZX85C100 ， E1牧师
齐纳二极管BZX85C3V3 - BZX85C100
顶标信息
（续）
47
36
A
XY
F
1
st
行：F - 仙童标志
2
nd
行：设备名称 - 3
rd
4
th
设备名称1Nxx一系列字符
或4
th
6
th
字符BZXyy系列
3
rd
行：设备名称 - 5
th
6
th
设备名称1Nxx一系列字符
或额定电压为BZXyy系列
4
th
行：设备名称 - 7
th
8
th
设备名称1Nxx一系列字符
只为BZXyy系列或大型模具的识别
th
5号线：日期代码 - 两个数字 - 六个星期日期代码
F
一般要求：
1.0阴极乐队
2.0第一行：F - 仙童标志
3.0第二行：设备名称 - 1Nxx系列： 3
rd
4
th
设备名称的字符。
对于BZxx系列： 4
th
6
th
设备名称的字符。
4.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 5
th
6
th
设备名称的字符。
对于BZXyy系列：额定电压
5.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 7
th
8
th
设备名称的字符。
（第8字符是大型模具识别）
对于BZXyy系列：大型模具字符识别
6.0四线：日期代码 - 两个数字 - 六个星期日期代码
式中： X表示历年的最后一位数字
Y代表六个星期的数字代码
7.0设备应标记为需要在设备规范（ PID或FSC测试规格） 。
8.0最大无。标记线： 5
9.0最大无。的每行的数字： 3
10.0 FSC标志必须比字母数字标记高20％，并且应该占据指定的行的2个字符。
11.0标识字体：宋体（除FSC标志）
12.0一是每个标记行的字符必须垂直对齐
2004仙童半导体公司
BZX85C3V3 - BZX85C100 ， E1牧师
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT静音系列
ActiveArray
快
深不见底
FASTr
CoolFET
FPS
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK GTO
E
2
CMOS
HiSeC
Ensigna
I
2
C
FACT
我罗
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
MICROCOUPLER 的PowerSaver
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I10
BZX85C系列
V
Z
： 2.4 - 200伏
P
D
： 1.3瓦
产品特点：
*完整的电压范围2.7到200伏
*高反向峰值功耗
*高可靠性
*低漏电流
硅稳压二极管
DO - 41
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
1.00 (25.4)
分钟。
0.205 (5.2)
0.166 (4.2)
机械数据
*案例： DO- 41模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.339克
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
等级
在T DC功耗
L
= 50
°
C（注1）
最大正向电压在我
F
= 200毫安
最大热阻结到环境空气（注2 ）
结温范围
存储温度范围
符号
P
D
V
F
R
θ
JA
T
J
Ts
价值
1.3
1.0
130
- 55 + 175
- 55 + 175
单位
瓦
伏
K / W
°
C
°
C
注意：
(1) T
L
=铅温度从身体3/8 "设计（9.5mm ）
（2）有效的规定，引线被保持在环境温度下，以10mm的情况下的距离。
图。 1功耗温度降额曲线
1.5
P
D
，最大耗散
（瓦特）
L = 8"分之3设计（9.5mm ）
1.2
0.9
0.6
0.3
0
25
T
L,
50
75
100
125
焊接温度（
°
C)
150
175
更新： 2000年9月9日
BZX85 ...
硅平面功率齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
为稳定并削减与高额定功率的电路中使用。
齐纳电压是按国际分级
E 24标准。其它电压容限和更高的齐纳
电压要求。
DIM ENSIONS
暗淡
A
B
C
D
英寸
分钟。
-
-
-
1.102
马克斯。
0.169
0.110
0.031
-
分钟。
-
-
-
28.0
mm
马克斯。
4.3
2.8
0.8
-
记
绝对最大额定值
(T
a
=25
)
符号
值
单位
齐纳电流见表"Characteristics"
在T功耗
AMB
=25
结温
存储温度范围
P
合计
T
j
T
S
1.3
1)
W
200
-55到+200
注意：
（1）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
特征
热阻
结到环境空气
a
t T
AMB
=25
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
R
THA
V
F
-
-
-
-
130
1.0
1)
K / W
V
在我正向电压
F
=200mA
注意：
（1）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
1
齐纳电压范围
TYPE
V
ZNOM
V
BZX85 / C 2V7
BZX85 / C 3V0
BZX85 / C 3V3
BZX85 / C 3V6
BZX85 / C 3V9
BZX85 / C 4V3
BZX85 / C 4V7
BZX85 / C 5V1
BZX85 / C 5V6
BZX85 / C 6V2
BZX85 / C 6V8
BZX85 / C 7V5
BZX85 / C 8V2
BZX85 / C 9V1
BZX85 / C 10
BZX85 / C 11
BZX85 / C 12
BZX85 / C 13
BZX85 / C 15
BZX85 / C 16
BZX85 / C 18
BZX85 / C 20
BZX85 / C 22
BZX85 / C 24
BZX85 / C 27
BZX85 / C 30
BZX85 / C 33
BZX85 / C 36
BZX85 / C 39
BZX85 / C 43
BZX85 / C 47
BZX85 / C 51
BZX85 / C 56
BZX85 / C 62
BZX85 / C 68
BZX85 / C 75
BZX85 / C 82
BZX85 / C 91
BZX85 / C 100
BZX85 / C 110
BZX85 / C 120
BZX85 / C 130
BZX85 / C 150
BZX85 / C 160
BZX85 / C 180
BZX85 / C 200
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
mA
80
80
70
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
4
4
4
2.7
2.7
2.7
2.7
2
2
2
1.5
1.5
1.5
1)
DYNAM IC阻力
2)
反向漏
当前
I
R
mA
uA
<150
<100
<40
<20
<10
<3
<3
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
<0.5
2)
温度。 COEF网络cient
齐纳电压
TK
VZ
V
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
4.5
6.2
6.8
7
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
% /K
-0.08 ... -0.05
-0.08 ... -0.05
-0.08 ... -0.05
-0.08 ... -0.05
-0.07 ... -0.02
-0.07 ... +0.01
-0.03 ... +0.04
-0.01 ... +0.04
0 ... +0.045
+0.01 ... +0.055
+0.015 ... +0.06
+0.02 ... +0.065
0.03 ... 0.07
0.035 ... 0.075
0.04 ... 0.08
0.045 ... 0.08
0.045 ... 0.085
0.05 ... 0.085
0.055 ... 0.09
0.055 ... 0.09
0.06 ... 0.09
0.06 ... 0.09
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.06 ... 0.095
0.07 ... 0.10
0.07 ... 0.10
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
0.07 ... 0.11
I
ZT
对于V
ZT
r
ZJT
和R
张家口
在我
ZK
在V
R
V
2.5 ... 2.9
2.8 ... 3.2
3.1 ... 3.5
3.4 ... 3.8
3.7 ... 4.1
4.0 ... 4.6
4.4 ... 5.0
4.8 ... 5.4
5.2 ... 6.0
5.8 ... 6.6
6.4 ... 7.2
7.0 ... 7.9
7.7 ... 8.7
8.5 ... 9.6
9.4 ... 10.6
10.4 ... 11.6
11.4 ... 12.7
12.4 ... 14.1
13.8 ... 15.6
15.3 ... 17.1
16.8 ... 19.1
18.8 ... 21.2
20.8 ... 23.3
22.8 ... 25.6
25.1 ... 28.9
28 ... 32
31 ... 35
34 ... 38
37 ... 41
40 ... 46
44 ... 50
48 ... 54
52 ... 60
58 ... 66
64 ... 72
70 ... 79
77 ... 87
85 ... 96
94 ... 106
104 ... 116
114 ... 127
124 ... 141
138 ... 156
153 ... 171
168 ... 191
188 ... 212
<20
<20
<20
<15
<15
<13
<13
<10
<7
<4
<3.5
<3
<5
<5
<7
<8
<9
<10
<15
<15
<20
<24
<25
<25
<30
<30
<35
<40
<50
<50
<90
<115
<120
<125
<130
<135
<200
<250
<350
<450
<550
<700
<1000
<1100
<1200
<1500
<400
<400
<400
<500
<500
<500
<600
<500
<400
<300
<300
<200
<200
<200
<200
<300
<350
<400
<500
<500
<500
<600
<600
<600
<750
<1000
<1000
<1000
<1000
<1000
<1500
<1500
<2000
<2000
<2000
<2000
<3000
<3000
<3000
<4000
<4500
<5000
<6000
<6500
<7000
<8000
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
注意事项：
（ 1 ）测试与脉冲TP = 20毫秒。
（2）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
2
齐纳二极管BZX85C3V3 - BZX85C100
齐纳二极管
BZX85C3V3 - BZX85C100
绝对最大额定值*
符号
P
D
参数
功耗
@ TL
≤
50 ° C，引线长度= 3/8 “
减免上述50℃
T
J
, T
英镑
工作和存储温度范围
T
A
= 25 ° C除非另有说明
容差±5 ％
单位
W
毫瓦/°C的
°C
价值
1.0
6.67
-65到+200
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
DO- 41玻璃柜
颜色频带为负极
电气特性
设备
BZX85C3V3
BZX85C3V6
BZX85C3V9
BZX85C4V3
BZX85C4V7
BZX85C5V1
BZX85C5V6
BZX85C6V2
BZX85C6V8
BZX85C7V5
BZX85C8V2
BZX85C9V1
BZX85C10
BZX85C11
BZX85C12
BZX85C13
BZX85C15
BZX85C16
BZX85C18
BZX85C20
BZX85C22
BZX85C24
BZX85C27
BZX85C30
BZX85C33
BZX85C36
BZX85C39
BZX85C43
BZX85C47
BZX85C51
V
Z
（伏）
分钟。
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
马克斯。
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
T
A
= 25 ° C除非另有说明
齐纳电压
（注1 ）
I
Z
mA
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
齐纳阻抗
Z
Z
@ I
Z
()
20
15
15
13
13
10
7
4
3.5
3
5
5
7
8
9
10
15
15
20
24
25
25
30
30
35
40
45
50
90
115
Z
ZK
@ I
ZK
()
400
500
500
500
600
500
400
300
300
200
200
200
200
300
350
400
500
500
500
600
600
600
750
1000
1000
1000
1000
1000
1500
1500
（MA ）
漏电流
I
R
@ V
R
A
马克斯。
伏
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
60
30
5
3
3
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1
1
1
1
1.5
2
2
3
4
4.5
5
6.5
7
7.7
8.4
9.1
10.5
11
12.5
14
15.5
17
19
21
23
25
27
30
33
36
BZX85C3V3 - BZX85C100 ， E1牧师
2004仙童半导体公司
齐纳二极管BZX85C3V3 - BZX85C100
电气特性
（续）T = 25° C除非另有说明
A
齐纳电压
（注1 ）
设备
BZX85C56
BZX85C62
BZX85C68
BZX85C75
BZX85C82
BZX85C91
BZX85C100
V
Z
（伏）
分钟。
52
58
64
70
77
85
96
马克斯。
60
66
72
80
87
96
106
I
Z
mA
4
4
4
4
2.7
2.7
2.7
齐纳阻抗
Z
Z
@ I
Z
()
120
125
130
150
200
250
350
Z
ZK
@ I
ZK
()
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
（MA ）
漏电流
I
R
@ V
R
A
马克斯。
伏
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
39
43
47
51
56
62
68
V
F
正向电压= 1.2V最大@ I
F
= 200毫安
注意事项：
1.齐纳电压（V
Z
)
齐纳电压的测量可以在引线温度的热平衡的器件结（T
L
）在30C ± 1C和3/8 “引线长度。
2004仙童半导体公司
BZX85C3V3 - BZX85C100 ， E1牧师
齐纳二极管BZX85C3V3 - BZX85C100
顶标信息
设备
BZX85C3V3
BZX85C3V6
BZX85C3V9
BZX85C4V3
BZX85C4V7
BZX85C5V1
BZX85C5V6
BZX85C6V2
BZX85C6V8
BZX85C7V5
BZX85C8V2
BZX85C9V1
BZX85C10
BZX85C11
BZX85C12
BZX85C13
BZX85C15
BZX85C16
BZX85C18
BZX85C20
BZX85C22
BZX85C24
BZX85C27
BZX85C30
BZX85C33
BZX85C36
BZX85C39
BZX85C43
BZX85C47
BZX85C51
BZX85C56
BZX85C62
BZX85C68
BZX85C75
BZX85C82
BZX85C91
BZX85C100
1号线
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
2号线
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
85C
LINE 3
3V3
3V6
3V9
4V3
4V7
5V1
5V6
6V2
6V8
7V5
8V2
9V1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
4号线
5号线
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
2004仙童半导体公司
BZX85C3V3 - BZX85C100 ， E1牧师
齐纳二极管BZX85C3V3 - BZX85C100
顶标信息
（续）
47
36
A
XY
F
1
st
行：F - 仙童标志
2
nd
行：设备名称 - 3
rd
4
th
设备名称1Nxx一系列字符
或4
th
6
th
字符BZXyy系列
3
rd
行：设备名称 - 5
th
6
th
设备名称1Nxx一系列字符
或额定电压为BZXyy系列
4
th
行：设备名称 - 7
th
8
th
设备名称1Nxx一系列字符
只为BZXyy系列或大型模具的识别
th
5号线：日期代码 - 两个数字 - 六个星期日期代码
F
一般要求：
1.0阴极乐队
2.0第一行：F - 仙童标志
3.0第二行：设备名称 - 1Nxx系列： 3
rd
4
th
设备名称的字符。
对于BZxx系列： 4
th
6
th
设备名称的字符。
4.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 5
th
6
th
设备名称的字符。
对于BZXyy系列：额定电压
5.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 7
th
8
th
设备名称的字符。
（第8字符是大型模具识别）
对于BZXyy系列：大型模具字符识别
6.0四线：日期代码 - 两个数字 - 六个星期日期代码
式中： X表示历年的最后一位数字
Y代表六个星期的数字代码
7.0设备应标记为需要在设备规范（ PID或FSC测试规格） 。
8.0最大无。标记线： 5
9.0最大无。的每行的数字： 3
10.0 FSC标志必须比字母数字标记高20％，并且应该占据指定的行的2个字符。
11.0标识字体：宋体（除FSC标志）
12.0一是每个标记行的字符必须垂直对齐
2004仙童半导体公司
BZX85C3V3 - BZX85C100 ， E1牧师
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT静音系列
ActiveArray
快
深不见底
FASTr
CoolFET
FPS
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK GTO
E
2
CMOS
HiSeC
Ensigna
I
2
C
FACT
我罗
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
MICROCOUPLER 的PowerSaver
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I10
德昌
电气特性
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有说明）。
齐纳电压
（注2 & 3 ）
设备
（注1 ）
设备
记号
民
BZX85C3V3
BZX85C3V6
BZX85C3V9
BZX85C4V3
BZX85C4V7
BZX85C5V1
BZX85C5V6
BZX85C6V2
BZX85C6V8
BZX85C7V5
BZX85C8V2
BZX85C9V1
BZX85C10
BZX85C11
BZX85C12
BZX85C13
BZX85C15
BZX85C16
BZX85C18
BZX85C20
BZX85C22
BZX85C24
BZX85C27
BZX85C30
BZX85C33
BZX85C36
BZX85C39
BZX85C43
BZX85C47
BZX85C56
BZX85C62
BZX85C75
BZX85C91
BZX85C100
BZX85C3V3
BZX85C3V6
BZX85C3V9
BZX85C4V3
BZX85C4V7
BZX85C5V1
BZX85C5V6
BZX85C6V2
BZX85C6V8
BZX85C7V5
BZX85C8V2
BZX85C9V1
BZX85C10
BZX85C11
BZX85C12
BZX85C13
BZX85C15
BZX85C16
BZX85C18
BZX85C20
BZX85C22
BZX85C24
BZX85C27
BZX85C30
BZX85C33
BZX85C36
BZX85C39
BZX85C43
BZX85C47
BZX85C56
BZX85C62
BZX85C75
BZX85C91
BZX85C100
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34
37
40
44
52
58
70
85
96
V
Z
（伏）
喃
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
56
62
75
91
100
最大
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38
41
46
50
60
66
80
96
106
@I
ZT
（MA ）
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
4
2.7
2.7
李社版B Y形
安森美半导体condu CTO
,
的贸易米柜
s EMICON公爵于r
康宝NE TS
我ndustri ES ，
有限责任公司
为
基苯牛逼echnolo GY
和
P RO管s
.
齐纳阻抗
（注4 ）
Z
ZT
@I
ZT
(Ω)
20
15
15
13
13
10
7
4
3.5
3
5
5
7
8
9
10
15
15
20
24
25
25
30
30
35
40
45
50
90
120
125
150
250
350
Z
ZK
@I
ZK
(Ω)
400
500
500
500
600
500
400
300
300
200
200
200
200
300
350
400
500
500
500
600
600
600
750
1000
1000
1000
1000
1000
1500
2000
2000
2000
3000
3000
（MA ）
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
（UA最大值）
60
30
5
3
3
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
（伏）
1
1
1
1
1.5
2
2
3
4
4.5
5
6.5
7
7.7
8.4
9.1
10.5
11.0
12.5
14.0
15.5
17.0
19.0
21.0
23.0
25
27
30
33
39
43
51
62
68
V
F
= 1.2V最大@I
F
= 200毫安为30V以下的类型，V
F
= 2.0V最大@I
F
= 200毫安为30 56V的类型，和V
F
= 3.0V最大@I
F
= 200毫安的
60V以上类型
1.耐性与TYPE号指定（V
Z
)
公差代号 - 上市型数字有齐纳电压最小/最大限值，如图所示。
2.特价设施包括
所示的电压和更严格的电压之间的额定齐纳电压，对价格，可用性和交付，联系人的详细信息
您最近德昌代表。
3.齐纳电压（V
Z
）测量
齐纳电压（V
Z
）是脉冲条件下进行测试，例如那件T
J
不超过2 ℃以上牛逼
A
.
4.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
齐纳阻抗从60周期的交流电压，具有RMS值等于10％的交流电流时，其导致来自
直流稳压电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK 。
编号： DB- 069
2010年09月/女
第2页
德昌
DISC LA MER我ê诺蒂奇
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更改，恕不另行通知此处显示的产品规格。
这里所列出的产品被设计成与普通的电子设备或装置，并且不使用
设计成与设备或需要高度可靠的设备和与故障用
将直接危及人的生命（如医疗器械，交通运输设备，航空航天
机械，核反应控制器，燃料控制器等安全装置） ，德昌半导体
有限责任公司，或任何代表其承担此类产生的任何damagers不承担任何责任
使用不当销售。
本出版物取代&替换reviously提供的所有信息。有关更多信息，请访问：
我们的网站
http://www.takcheong.com ，
或咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。
编号： DB- 100
2008年4月14日/ A
QQ：2880707522 复制
