BZX84J系列
单齐纳二极管
版本01 - 2007年3月1日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
在SOD323F通用的齐纳二极管（ SC- 90 ）非常小，扁平的铅
表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
1.2产品特点
I
非重复性峰值反向功率
功耗：
≤
40 W
I
总功耗：
≤
550毫瓦
I
两个公差系列：
±2
％和
±5
%
I
宽工作电压范围：额定
2.4 V至75 V （ E24范围）
I
低压微分电阻
I
适用于小塑料包
表面安装设计
1.3应用
I
一般调节功能
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
F
P
ZSM
[1]
[2]
快速参考数据
参数
正向电压
非重复性峰值反向
功耗
条件
I
F
= 100毫安
[1]
[2]
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.1
40
单位
V
W
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
t
p
= 100
s;
方波;牛逼
j
= 25
°C
暴涨前
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
1
2
符号
1
2
006aaa152
[1]
标记栏显示的阴极。
恩智浦半导体
BZX84J系列
单齐纳二极管
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BZX84J - B2V4到
BZX84J-C75
[1]
[1]
类型编号
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
VERSION
SOD323F
SC-90
该系列由74种标称工作电压为2.4 V至75 V.
4.标记
表4 。
标记代码
记号
CODE
SL
SM
ST
SU
SV
SW
SZ
TA
TD
TE
TH
TK
TM
TN
TP
S8
S9
SA
SB
类型编号
BZX84J-B15
BZX84J-B16
BZX84J-B18
BZX84J-B20
BZX84J-B22
BZX84J-B24
BZX84J-B27
BZX84J-B30
BZX84J-B33
BZX84J-B36
BZX84J-B39
BZX84J-B43
BZX84J-B47
BZX84J-B51
BZX84J-B56
BZX84J-B62
BZX84J-B68
BZX84J-B75
-
记号
CODE
SC
SD
SE
SF
SG
SH
SK
SN
SP
SR
SS
SX
SY
TB
TC
TF
TG
TL
-
类型编号
BZX84J-C2V4
BZX84J-C2V7
BZX84J-C3V0
BZX84J-C3V3
BZX84J-C3V6
BZX84J-C3V9
BZX84J-C4V3
BZX84J-C4V7
BZX84J-C5V1
BZX84J-C5V6
BZX84J-C6V2
BZX84J-C6V8
BZX84J-C7V5
BZX84J-C8V2
BZX84J-C9V1
BZX84J-C10
BZX84J-C11
BZX84J-C12
BZX84J-C13
记号
CODE
U3
U4
U9
UA
UB
UC
UF
UG
UL
UM
UR
US
UU
UV
UW
TR
TS
TT
TU
类型编号
BZX84J-C15
BZX84J-C16
BZX84J-C18
BZX84J-C20
BZX84J-C22
BZX84J-C24
BZX84J-C27
BZX84J-C30
BZX84J-C33
BZX84J-C36
BZX84J-C39
BZX84J-C43
BZX84J-C47
BZX84J-C51
BZX84J-C56
BZX84J-C62
BZX84J-C68
BZX84J-C75
-
记号
CODE
TV
TW
TX
TY
TZ
U1
U2
U5
U6
U7
U8
UD
UE
UH
UK
UN
UP
UT
-
类型编号
BZX84J-B2V4
BZX84J-B2V7
BZX84J-B3V0
BZX84J-B3V3
BZX84J-B3V6
BZX84J-B3V9
BZX84J-B4V3
BZX84J-B4V7
BZX84J-B5V1
BZX84J-B5V6
BZX84J-B6V2
BZX84J-B6V8
BZX84J-B7V5
BZX84J-B8V2
BZX84J-B9V1
BZX84J-B10
BZX84J-B11
BZX84J-B12
BZX84J-B13
BZX84J_SER_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2007年3月1日
2 12
恩智浦半导体
BZX84J系列
单齐纳二极管
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
I
F
I
ZSM
参数
正向电流
非重复性峰值反向
当前
非重复性峰值反向
功耗
总功耗
结温
环境温度
储存温度
t
p
= 100
s;
方波;牛逼
j
= 25
°C
暴涨前
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫
阴极1厘米
2
.
[1]
条件
民
-
-
最大
250
SEE
表8
和
9
40
550
150
+150
+150
单位
mA
P
ZSM
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[1]
-
-
-
65
65
W
mW
°C
°C
°C
T
AMB
≤
25
°C
[2]
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结点到焊点
条件
在自由空气
[1]
民
-
-
典型值
-
-
最大
230
55
单位
K / W
K / W
[2]
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
焊接点阴极标签。
7.特点
表7中。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
[1]
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
条件
[1]
民
-
-
典型值
-
-
最大
0.9
1.1
单位
V
V
BZX84J_SER_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2007年3月1日
3 12
恩智浦半导体
BZX84J系列
单齐纳二极管
表8 。
每种类型的特点; BZX84J - B2V4到BZX84J - C24
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
BZX84J SEL
-xxx
工作
电压
V
Z
(V)
I
Z
= 5毫安
民
2V4
2V7
3V0
3V3
3V6
3V9
4V3
4V7
5V1
5V6
6V2
6V8
7V5
8V2
9V1
10
11
12
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
BZX84J_SER_1
迪FF erential
阻力
r
DIF
()
I
Z
= 1毫安我
Z
= 5毫安
最大
400
450
500
500
500
500
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
最大
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
10
10
10
10
10
10
反向
当前
I
R
(A)
温度
COEF网络cient
S
Z
（毫伏/ K）的
I
Z
= 5毫安
二极管
不重复
电容反向峰值
当前
C（ pF）的
[1]
d
I
ZSM
(A)
[2]
最大
2.45
2.6
2.75
2.9
3.06
3.2
3.37
3.5
3.67
3.8
3.98
4.1
4.39
4.6
4.79
5
5.2
5.4
5.71
6
6.32
6.6
6.94
7.2
7.65
7.9
8.36
8.7
9.28
9.6
10.2
10.6
11.2
11.6
12.2
12.7
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
最大
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
V
R
（V ）最小
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
2.7
2
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6
最大
0
0
0
0
0
0
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7
8
9
10
最大
450
440
425
410
390
370
350
325
300
275
250
215
170
150
120
110
108
105
最大
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
4
4
3
3
2.5
2.5
2.35
2.2
2.65
2.5
2.94
2.8
3.23
3.1
3.53
3.4
3.82
3.7
4.21
4
4.61
4.4
5
4.8
5.49
5.2
6.08
5.8
6.66
6.4
7.35
7
8.04
7.7
8.92
8.5
9.8
9.4
10.8
10.4
11.8
11.4
产品数据表
版本01 - 2007年3月1日
4 12
恩智浦半导体
BZX84J系列
单齐纳二极管
表8 。
每种类型的特点; BZX84J - B2V4到BZX84J - C24
- 续
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
BZX84J SEL
-xxx
工作
电压
V
Z
(V)
I
Z
= 5毫安
民
13
15
16
18
20
22
24
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
[1]
[2]
迪FF erential
阻力
r
DIF
()
I
Z
= 1毫安我
Z
= 5毫安
最大
170
200
200
225
225
250
250
最大
10
15
20
20
20
25
30
反向
当前
I
R
(A)
温度
COEF网络cient
S
Z
（毫伏/ K）的
I
Z
= 5毫安
二极管
不重复
电容反向峰值
当前
C（ pF）的
[1]
d
I
ZSM
(A)
[2]
最大
13.3
14.1
15.3
15.6
16.3
17.1
18.4
19.1
20.4
21.2
22.4
23.3
24.5
25.6
0.05
16.8
18.4
22
80
1.25
0.05
15.4
16.4
20
84
1.25
0.05
14
14.4
18
88
1.5
0.05
12.6
12.4
16
93
1.5
0.05
11.2
10.4
14
97
1.5
0.05
10.5
9.2
13
99
2
最大
0.1
V
R
（V ）最小
8
7
最大
11
最大
103
最大
2.5
12.7
12.4
14.7
13.8
15.7
15.3
17.6
16.8
19.6
18.8
21.6
20.8
23.5
22.8
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
t
p
= 100
s;
方波;牛逼
j
= 25
°C
暴涨前
BZX84J_SER_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2007年3月1日
5 12
QQ：2881677436 复制
