BZX84C2V4TS - BZX84C39TS
LEAD -FREE
TRIPLE表面贴装稳压二极管
ARRAY
SPICE模型： BZX84C2V4TS BZX84C2V7TS BZX84C3V0TS BZX84C3V3TS BZX84C3V6TS BZX84C3V9TS BZX84C4V3TS BZX84C4V7TS BZX84C5V1TS
BZX84C5V6TS BZX84C6V2TS BZX84C6V8TS BZX84C7V5TS BZX84C8V2TS BZX84C9V1TS BZX84C10TS BZX84C11TS BZX84C12TS BZX84C13TS
BZX84C15TS BZX84C16TS BZX84C18TS BZX84C20TS BZX84C22TS BZX84C24TS BZX84C27TS BZX84C30TS BZX84C33TS BZX84C36TS BZX84C39TS
特点
齐纳电压： 2.4 - 39V
在单超小三隔离二极管元件
表面贴装封装
无铅/符合RoHS （注5 ）
A
C
1
C
2
C
3
SOT-363
暗淡
A
B
B C
民
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
0.90
0.25
0.10
0°
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
8°
机械数据
案例： SOT- 363
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
定位：见图
标记：日期代码和标识代码
（见第2页）
重量： 0.006克（近似值）
K
KXX YM
A
1
A
2
A
3
C
D
F
H
J
M
0.65标称
G
H
K
J
D
F
L
L
M
α
尺寸：mm
最大额定值
正向电压
功率耗散（注1 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
@ I
F
= 10毫安
V
F
P
d
R
θJA
T
j,
T
英镑
价值
0.9
200
625
-65到+150
单位
V
mW
° C / W
°C
特征
热阻，结到环境空气（注1 ）
工作和存储温度范围
订购信息
设备
（注4 ）
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
（类型号）-7 -F
*从表2例如添加“ -7 - F”到合适的型号如表1 ： 6.2V稳压= BZX84C6V2TS - 7 -F 。
注意事项：
1.安装在FR4印刷电路板与建议焊盘布局，可以在我们的网站上找到：
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
3， F = 1kHz的。
4.包装方式，得到了我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
5.没有故意添加铅。
DS30187牧师9 - 2
1第3
www.diodes.com
BZX84C2V4TS - BZX84C39TS
Diodes公司
300
见注1
50
T
j
= 25°C
C2V7
C3V9
C5V6
C6V8
C3V3
C4V7
P
D
，功耗（毫瓦）
40
I
Z
，齐纳电流（毫安）
C8V2
200
30
20
100
10
测试电流I
Z
5.0mA
0
0
100
T
A
，环境温度，℃
图。 1.功率降额曲线
200
0
0
1
3
4
5
6
8
9
7
V
Z
齐纳电压（V）
图。 2.齐纳击穿特性
2
10
30
T
j
= 25°C
C10
C12
1000
T
j
= 25 °C
I
Z
，齐纳电流（毫安）
C
T
，总电容（PF ）
V
R
= 1V
V
R
= 2V
20
C15
100
V
R
= 1V
C18
10
测试电流I
Z
5mA
C22
C27
C33
C36 C39
V
R
= 2V
10
1
10
100
0
0
10
20
30
V
Z
齐纳电压（V）
图。 3.齐纳击穿特性
40
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图。 4.总电容VS额定齐纳电压
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
它转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险，并会
同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
DS30187牧师9 - 2
3 3
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BZX84C2V4TS - BZX84C39TS
BZX84C2V4TS - BZX84C39TS
TRIPLE表面贴装齐纳二极管阵列
特点
·
·
齐纳电压： 2.4 - 39V
在单人三隔离二极管元件
超小型表面贴装封装。
SOT-363
A
C
1
C
2
C
3
新产品
暗淡
A
B C
民
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
0.90
0.25
0.10
0°
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
8°
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT- 363 ，模压塑料
外壳材料 - 防火等级94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
定位：见图
标记：日期代码和标识代码
（见第2页）
重0.006克数（大约）
KXX YM
A
1
A
2
A
3
B
C
D
F
H
M
0.65标称
G
H
K
J
K
L
M
a
J
D
F
L
尺寸：mm
最大额定值
正向电压
功率耗散（注1 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
@ I
F
= 10毫安
V
F
P
d
R
qJA
T
j,
T
英镑
价值
0.9
200
625
-65到+150
单位
V
mW
° C / W
°C
特征
热阻，结到环境空气（注1 ）
工作和存储温度范围
订购信息
（注4 ）
设备
（类型号）-7 *
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
*从表2例如添加“ -7”到合适的型号如表1 ： 6.2V稳压= BZX84C6V2TS - 7 。
注意事项：
1.安装在FR4印刷电路板与建议焊盘布局，可以在我们的网站上找到：
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
3， F = 1kHz的。
4.包装方式，得到了我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
DS30187牧师4 - 2
1第3
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BZX84C2V4TS - BZX84C39TS
BZX84C2V4TS - BZX84C39TS
TRIPLE表面贴装齐纳二极管阵列
特点
·
·
齐纳电压： 2.4 - 39V
在单人三隔离二极管元件
超小型表面贴装封装。
SOT-363
A
C
1
C
2
C
3
新产品
暗淡
A
B C
民
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
0.90
0.25
0.10
0°
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
8°
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT- 363 ，模压塑料
外壳材料 - 防火等级94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
定位：见图
标记：日期代码和标识代码
（见第2页）
重0.006克数（大约）
KXX YM
A
1
A
2
A
3
B
C
D
F
H
M
0.65标称
G
H
K
J
K
L
M
a
J
D
F
L
尺寸：mm
最大额定值
正向电压
功率耗散（注1 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
@ I
F
= 10毫安
V
F
P
d
R
qJA
T
j,
T
英镑
价值
0.9
200
625
-65到+150
单位
V
mW
° C / W
°C
特征
热阻，结到环境空气（注1 ）
工作和存储温度范围
订购信息
（注4 ）
设备
（类型号）-7 *
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
*从表2例如添加“ -7”到合适的型号如表1 ： 6.2V稳压= BZX84C6V2TS - 7 。
注意事项：
1.安装在FR4印刷电路板与建议焊盘布局，可以在我们的网站上找到：
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
3， F = 1kHz的。
4.包装方式，得到了我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
DS30187牧师4 - 2
1第3
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BZX84C2V4TS - BZX84C39TS
BZX84C2V4TS - BZX84C39TS
TRIPLE表面贴装齐纳二极管阵列
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
齐纳电压： 2.4 - 39V
在单超小型表面三个隔离二极管元件
贴装封装
无铅/符合RoHS （注2 ）
"Green"设备（注3,4）
机械数据
案例： SOT- 363
外壳材料：模压塑料。 UL可燃性分类
等级94V -0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
定位：见图
标识信息：见第3页
订购信息：见第3页
重量： 0.006克（近似值）
C
1
C
2
C
3
A
1
A
2
A
3
顶视图
封装引脚
CON组fi guration
最大额定值
正向电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
@ I
F
= 10毫安
V
F
价值
0.9
单位
V
特征
热特性
特征
功耗
热阻，结到环境空气
工作和存储温度范围
注意事项：
1.
2.
3.
4.
符号
（注1 ）
（注1 ）
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
200
625
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
安装在FR4印刷电路板与建议焊盘布局，可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
没有故意添加铅。
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
产品与日期代码UO制造（ 40周， 2007年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码UO都建有非绿色塑封料，可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
BZX84C2V4TS - BZX84C39TS
文件编号： DS30187牧师11 - 2
1 4
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2008年5月
Diodes公司
BZX84C2V4TS - BZX84C39TS
电气特性
TYPE
数
记号
CODE
喃（ V）
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
15.0
16.0
18.0
20.0
22.0
24.0
27.0
30.0
33.0
36.0
39.0
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
齐纳电压
范围（注5）
V
@ IZT
敏（ V）
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
MAX（ V）
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
I
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
最大齐纳阻抗
（注6 ）
Z
ZT
@ I
ZT
Ω
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
Z
ZK
@ I
ZK
I
ZK
mA
0.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
最大反向
电流（注5 ）
I
R
uA
50
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
@V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
@ I
ZT
=
5mA
mV
/
°C
民
最大
-3.5
0
-3.5
0
-3.5
0
-3.5
0
-3.5
0
-3.5
0
-3.5
0
-3.5
0.2
-2.7
1.2
-2.0
2.5
0.4
3.7
1.2
4.5
2.5
5.3
3.2
6.2
3.8
7.0
4.5
8.0
5.4
9.0
6.0
10.0
7.0
11.0
9.2
13.0
10.4
14.0
12.4
16.0
14.4
18.0
16.4
20.0
18.4
22.0
21.4
25.3
24.4
29.4
27.4
33.4
30.4
37.4
33.4
41.2
BZX84C2V4TS
BZX84C2V7TS
BZX84C3V0TS
BZX84C3V3TS
BZX84C3V6TS
BZX84C3V9TS
BZX84C4V3TS
BZX84C4V7TS
BZX84C5V1TS
BZX84C5V6TS
BZX84C6V2TS
BZX84C6V8TS
BZX84C7V5TS
BZX84C8V2TS
BZX84C9V1TS
BZX84C10TS
BZX84C11TS
BZX84C12TS
BZX84C13TS
BZX84C15TS
BZX84C16TS
BZX84C18TS
BZX84C20TS
BZX84C22TS
BZX84C24TS
BZX84C27TS
BZX84C30TS
BZX84C33TS
BZX84C36TS
BZX84C39TS
注意事项：
KRB
KRC
KRD
KRE
KRF
KRG
KRH
KR1
KR2
KR3
KR4
KR5
KR6
KR7
KR8
KR9
KP1
KP2
KP3
KP4
KP5
KP6
KP7
KP8
KP9
帕
KPB
KPC
KPD
KPE
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
6， F = 1kHz的。
300
50
P
D
，功耗（毫瓦）
200
I
Z
，齐纳电流（毫安）
0
100
T
A
，环境温度，℃
图。 1.功率降额曲线
40
30
20
100
10
0
200
0
0
3
4
5
6
8
9 10
7
V
Z
齐纳电压（V）
图。 2.典型的齐纳击穿特性
1
2
BZX84C2V4TS - BZX84C39TS
文件编号： DS30187牧师11 - 2
2 4
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2008年5月
Diodes公司
BZX84C2V4TS - BZX84C39TS
30
1,000
T
j
= 25 °C
C
T
，总电容（PF ）
I
Z
，齐纳电流（毫安）
V
R
= 1V
V
R
= 2V
20
100
V
R
= 1V
10
V
R
= 2V
0
0
10
20
30
40
V
Z
齐纳电压（V）
图。 3.典型的齐纳击穿特性
10
100
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图。 4.典型的总电容量与标称齐纳电压
1
订购信息
产品型号
（类型号）-7 -F *
（注7 ）
例
SOT-363
包装
3000 /磁带&卷轴
*添加“ -7 - F”到相应型号的电气特性表第2页例如： 6.2V稳压= BZX84C6V2TS - 7 -F 。
注意事项：
7.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
KXX =产品型号标识代码
（请参阅电气特性表）
YM =日期代码标
Y =年（例如： N = 2002）
M =月（例如： 9 =九月）
2006
T
五月
5
JUN
6
2007
U
JUL
7
2008
V
八月
8
2009
W
SEP
9
2010
X
十月
O
2111
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
KXX
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2002
N
JAN
1
2003
P
FEB
2
2004
R
MAR
3
2005
S
APR
4
包装外形尺寸
A
YM
B C
H
K
M
J
D
F
L
SOT-363
暗淡
民
最大
A
0.10
0.30
B
1.15
1.35
C
2.00
2.20
D
0.65标称
0.40
0.45
F
H
1.80
2.20
J
0
0.10
K
0.90
1.00
L
0.25
0.40
M
0.10
0.22
0°
8°
α
尺寸：mm
BZX84C2V4TS - BZX84C39TS
文件编号： DS30187牧师11 - 2
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2008年5月
Diodes公司
BZX84C2V4TS - BZX84C39TS
拟议的焊盘布局
E
E
Z
G
C
尺寸值（单位：mm）
Z
2.5
G
1.3
X
0.42
Y
0.6
C
1.9
E
0.65
Y
X
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生命支持
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审批Diodes公司的总裁。
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