BZX84C ... SEW系列
硅平面齐纳二极管
3
1
2
1.阳极3.阴极
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
工作结存储温度范围
符号
P
D
T
j
,T
S
价值
200
- 55至+ 150
单位
mW
O
C
电气特性
( T
a
= 25
O
C除非另有说明，V
F
< 0.9V于我
F
= 10 mA）的
TYPE
BZX84C2V4SEW
BZX84C2V7SEW
BZX84C3V0SEW
BZX84C3V3SEW
BZX84C3V6SEW
BZX84C3V9SEW
BZX84C4V3SEW
BZX84C4V7SEW
BZX84C5V1SEW
BZX84C5V6SEW
BZX84C6V2SEW
BZX84C6V8SEW
BZX84C7V5SEW
BZX84C8V2SEW
BZX84C9V1SEW
BZX84C10SEW
BZX84C11SEW
BZX84C12SEW
BZX84C13SEW
BZX84C15SEW
BZX84C16SEW
BZX84C18SEW
BZX84C20SEW
BZX84C22SEW
BZX84C24SEW
BZX84C27SEW
BZX84C30SEW
BZX84C33SEW
BZX84C36SEW
BZX84C39SEW
1)
记号
CODE
RF
RH
RJ
RK
RM
RN
RP
RR
RX
RY
RZ
XA
XB
XC
XD
XE
XF
XH
XJ
XK
XM
XN
XP
XR
XX
XY
XZ
YA
YB
YC
齐纳电压范围
1)
V
Z
MIN 。 （ V）
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
MAX 。 （ V）
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
在升
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
Z
ZT
最大值（ Ω ）
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
动态电阻
在升
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
Z
ZK
最大值（ Ω ）
600
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
在我
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
反向电流
I
R
最大（ μA ）
50
20
20
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
在V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
25.2
27.3
测试了脉冲TP = 20毫秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 30/01/2008
BZX84C ... SEW系列
电气特性
( T
a
= 25
O
C除非另有说明，V
F
< 0.9V于我
F
= 10 mA）的
TYPE
BZX84C43SEW
BZX84C47SEW
BZX84C51SEW
BZX84C56SEW
BZX84C62SEW
BZX84C68SEW
BZX84C75SEW
1)
记号
CODE
YD
YE
YF
YH
YJ
YK
YM
齐纳电压范围
1)
V
Z
MIN 。 （ V）
40
44
48
52
58
64
70
MAX 。 （ V）
46
50
54
60
66
72
79
在升
ZT
mA
2
2
2
2
2
2
2
Z
ZT
最大值（ Ω ）
150
170
180
200
215
240
255
动态电阻
在升
ZT
mA
2
2
2
2
2
2
2
Z
ZK
最大值（ Ω ）
375
375
400
425
450
475
500
在我
ZK
mA
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
反向电流
I
R
最大（ μA ）
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
在V
R
V
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
测试了脉冲TP = 20毫秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 30/01/2008
BZX84C…Series
硅平面齐纳二极管
这一系列齐纳二极管提供了
方便，表面贴装塑料SOT- 23封装。
这些设备被设计为提供电压
调节以最小的空间要求。他们是
非常适合用于诸如蜂窝电话，
手持便携式设备，并且高密度的印刷电路板。
1
3
2
1.阳极3.阴极
SOT- 23塑料包装
特点
齐纳击穿电压范围为 - 2.0 V至75 V
封装专为优化自动板
装配
针对高密度应用的小封装尺寸
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
热阻，结到环境
1)
1)
符号
P
D
R
θJA
T
j
,T
S
价值
350
417
- 65至+ 150
单位
mW
O
C / W
O
结温和存储温度范围
氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024中，99.5％的氧化铝
C
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
BZX84C…Series
电气特性
( T
a
= 25
O
C除非另有说明，V
F
< 0.9V于我
F
= 10 mA）的
TYPE
记号
CODE
A8
B8
C8
D8
E8
F8
H8
J8
K8
M8
N8
P8
R8
X8
Y8
Z8
A9
B9
C9
D9
E9
F9
H9
J9
K9
M9
N9
记号
CODE
P9
R9
X9
Y9
Z9
A0
B0
C0
D0
E0
F0
H0
V
Z1
(V)
@ I
ZT1
= 5毫安
1)
分钟。
1.8
2.08
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
14.3
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
喃。
2.0
2.2
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
V
Z1
下面
@ I
ZT1
= 2毫安
分钟。
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
喃。
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
马克斯。
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
马克斯。
2.15
2.33
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
Z
ZT1
()
@ I
ZT1
=
5毫安
100
100
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
Z
ZT1
下面
@ I
ZT1
=
2毫安
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
V
Z2
(V)
@ I
ZT2
= 1毫安
1)
分钟。
-
-
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
马克斯。
-
-
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4
4.7
5.3
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14
15.5
17
19
21.1
23.2
25.5
Z
ZT2
()
@ I
ZT2
=
1毫安
2)
-
-
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
Z
ZT2
下面
@ I
ZT4
=
0.5毫安
2)
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
V
Z3
(V)
@ I
ZT3
= 20毫安
1)
分钟。
-
-
2.6
3
3.3
3.6
3.9
4.1
4.4
4.5
5
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.5
13.9
15.4
16.9
18.9
20.9
22.9
马克斯。
-
-
3.2
3.6
3.9
4.2
4.5
4.7
5.1
5.4
5.9
6.3
6.8
7.4
8
8.8
9.7
10.7
11.8
12.9
14.2
15.7
17.2
19.2
21.4
23.4
25.7
Z
ZT3
()
@ I
ZT3
=
20毫安
-
-
50
50
50
40
40
30
30
15
15
10
6
6
6
6
8
10
10
10
15
20
20
20
20
25
25
Z
ZT3
下面
@ I
ZT3
=
10毫安
45
50
55
60
70
80
90
100
110
120
130
140
最大反向
漏电流
I
R
@
A
120
120
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
V
0.5
0.7
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
BZX84C2V0
BZX84C2V2
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3V0
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
BZX84C11
BZX84C12
BZX84C13
BZX84C15
BZX84C16
BZX84C18
BZX84C20
BZX84C22
BZX84C24
TYPE
V
Z2
下面
@ I
ZT2
- 0.1毫安
分钟。
25
27.8
30.8
33.8
36.7
39.7
43.7
47.6
51.5
57.4
63.4
69.4
马克斯。
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
V
Z3
下面
@ I
ZT3
= 10毫安
分钟。
25.2
28.1
31.1
34.1
37.1
40.1
44.1
48.1
52.1
58.2
64.2
70.3
马克斯。
29.3
32.4
35.4
38.4
41.5
46.5
50.5
54.6
60.8
67
73.2
80.2
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
A
V
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
BZX84C27
BZX84C30
BZX84C33
BZX84C36
BZX84C39
BZX84C43
BZX84C47
BZX84C51
BZX84C56
BZX84C62
BZX84C68
BZX84C75
1)
2)
测试了脉冲TP = 20毫秒。
齐纳阻抗Z
ZT2
，为27至75伏的类型，在0.5毫安而不是0.1mA的测试电流采用V测试
Z2
２
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
BZX84C2V4系列
表面贴装硅稳压二极管
电压
2.4 75伏特
动力
410毫瓦
特点
平面模施工
410mW功耗
从2.4齐纳电压75V
非常适合于自动装配程序
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
机械数据
案例： SOT -23 ，模压塑料
终端：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性
极性：参见下图
约。重量： 0.008克
安装位置：任意
最大额定值和电气特性
参数
25最大功率耗散（注一）
O
C
工作结storagetemperature范围
符号
价值
410
-55到+150
单位
mW
O
P
D
T
J
C
注意事项：
A.安装在5.0毫米
2
（ 0.013毫米厚）土地面积。
单身
REV.0.1-OCT.5.2009
PAGE 。 1
BZX84C2V4系列
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 12K每13"塑料卷
T / R - 每7 “的塑料卷盘3K
法律声明
版权所有强茂国际2009年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息
如有更改，恕不另行通知。潘日新公司对于是否适合任何担保，声明或保证其
产品针对任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新
不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
REV.0.1-OCT.5.2009
PAGE 。 4
BZX84C ... SEW系列
硅平面齐纳二极管
3
1
2
1.阳极3.阴极
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
工作结存储温度范围
符号
P
D
T
j
,T
S
价值
200
- 55至+ 150
单位
mW
O
C
电气特性
( T
a
= 25
O
C除非另有说明，V
F
< 0.9V于我
F
= 10 mA）的
TYPE
BZX84C2V4SEW
BZX84C2V7SEW
BZX84C3V0SEW
BZX84C3V3SEW
BZX84C3V6SEW
BZX84C3V9SEW
BZX84C4V3SEW
BZX84C4V7SEW
BZX84C5V1SEW
BZX84C5V6SEW
BZX84C6V2SEW
BZX84C6V8SEW
BZX84C7V5SEW
BZX84C8V2SEW
BZX84C9V1SEW
BZX84C10SEW
BZX84C11SEW
BZX84C12SEW
BZX84C13SEW
BZX84C15SEW
BZX84C16SEW
BZX84C18SEW
BZX84C20SEW
BZX84C22SEW
BZX84C24SEW
BZX84C27SEW
BZX84C30SEW
BZX84C33SEW
BZX84C36SEW
BZX84C39SEW
1)
记号
CODE
RF
RH
RJ
RK
RM
RN
RP
RR
RX
RY
RZ
XA
XB
XC
XD
XE
XF
XH
XJ
XK
XM
XN
XP
XR
XX
XY
XZ
YA
YB
YC
齐纳电压范围
1)
V
Z
MIN 。 （ V）
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
MAX 。 （ V）
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
在升
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
Z
ZT
最大值（ Ω ）
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
动态电阻
在升
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
Z
ZK
最大值（ Ω ）
600
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
在我
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
反向电流
I
R
最大（ μA ）
50
20
20
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
在V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
25.2
27.3
测试了脉冲TP = 20毫秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 30/01/2008
BZX84C ... SEW系列
电气特性
( T
a
= 25
O
C除非另有说明，V
F
< 0.9V于我
F
= 10 mA）的
TYPE
BZX84C43SEW
BZX84C47SEW
BZX84C51SEW
BZX84C56SEW
BZX84C62SEW
BZX84C68SEW
BZX84C75SEW
1)
记号
CODE
YD
YE
YF
YH
YJ
YK
YM
齐纳电压范围
1)
V
Z
MIN 。 （ V）
40
44
48
52
58
64
70
MAX 。 （ V）
46
50
54
60
66
72
79
在升
ZT
mA
2
2
2
2
2
2
2
Z
ZT
最大值（ Ω ）
150
170
180
200
215
240
255
动态电阻
在升
ZT
mA
2
2
2
2
2
2
2
Z
ZK
最大值（ Ω ）
375
375
400
425
450
475
500
在我
ZK
mA
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
反向电流
I
R
最大（ μA ）
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
在V
R
V
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
测试了脉冲TP = 20毫秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 30/01/2008
300mW的表面贴装
齐纳二极管
BZX84C2V4
-
BZX84C75
300mW的表面贴装齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
350mW的功耗
标准的齐纳电压容差为± 5 ％
非常适合于自动装配程序
高温焊接保证： 260 ℃/ 10秒
在回流焊接工艺
符合RoHS
SOT-23
机械数据
案例：
终端：
重量：
SOT -23 ，模压塑料
每MIL -STD- 202G ，方法208可焊性，
0.0088克
最大额定值&电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
功率耗散高达TA = 25℃
价值
300
250
420
150
-65到+150
单位
mW
mW
° C / W
°C
°C
条件
注1
注2
P
D
功率耗散高达TC = 25℃
热阻结到
环境空气
结温
存储温度范围
R
thJA
T
J
T
英镑
记
:
1.装置安装在陶瓷校友
2.设备安装在FR- 5的印刷电路板
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
联系电话： （ 800 ） -TAITRON
传真： （ 800 ） -TAITFAX
(800)-824-8766
(800)-824-8329
(661)-257-6060
(661)-257-6415
版本A / AH 2007-12-21
第1页5
300mW的表面贴装齐纳二极管
BZX84C2V4
-
BZX84C75
公称齐纳电压
@
I
ZT
产品型号
记号
CODE
喃。
TEST
当前
马克斯。齐纳阻抗
马克斯。反向
漏电流
I
R
@
V
R
V
Z
(V)
分钟。
马克斯。
I
ZT
（MA ）
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
Z
ZT
@
I
ZT
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
Z
ZK
@
I
ZK
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
I
ZK
（MA ）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
I
R
(μA)
50.00
20.00
10.00
5.00
5.00
3.00
3.00
3.00
2.00
1.00
3.00
2.00
1.00
0.70
0.50
0.20
0.10
0.10
0.10
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
0.7
0.7
0.7
0.7
0.7
0.7
0.7
0.7
0.7
0.7
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3V0
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
BZX84C11
BZX84C12
BZX84C13
BZX84C15
BZX84C16
BZX84C18
BZX84C20
BZX84C22
BZX84C24
BZX84C27
BZX84C30
BZX84C33
BZX84C36
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
2.6
2.9
3.2
3.5
3.6
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
版本A / AH 2007-12-21
www.taitroncomponents.com
页2的5
300mW的表面贴装齐纳二极管
BZX84C2V4
-
BZX84C75
公称齐纳电压
@
I
ZT
产品型号
记号
CODE
喃。
TEST
当前
马克斯。齐纳阻抗
马克斯。反向
漏电流
I
R
@
V
R
V
Z
(V)
分钟。
马克斯。
I
ZT
（MA ）
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
Z
ZT
@
I
ZT
130
150
170
180
200
215
240
255
Z
ZK
@
I
ZK
350
375
375
400
425
450
475
500
I
ZK
（MA ）
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
I
R
(μA)
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
(V)
0.7
0.7
0.7
0.7
0.7
0.7
0.7
0.7
BZX84C39
BZX84C43
BZX84C47
BZX84C51
BZX84C56
BZX84C62
BZX84C68
BZX84C75
Y14
Y15
Y16
Y17
Y18
Y19
Y20
Y21
39
43
47
51
56
62
68
75
37.0
40.0
44.0
48.0
52.0
58.0
64.0
70.0
41.0
46.0
50.0
54.0
60.0
66.0
72.0
79.0
特性曲线
图1功率降额曲线
正向电流（A ）
P
D
马克斯。功耗（MW ）
图2正向特性
环境温度T
a
(°C)
正向电压（ V）
版本A / AH 2007-12-21
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第3 5
300mW的表面贴装齐纳二极管
BZX84C2V4
-
BZX84C75
图3击穿特性
IZ齐纳电流（mA ）
齐纳电压（V）
英制尺寸（mm）
SOT-23
版本A / AH 2007-12-21
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第4 5
300mW的表面贴装齐纳二极管
BZX84C2V4
-
BZX84C75
如何联系我们：
美国总部
28040西哈里森PARKAWAY ，瓦伦西亚，CA 91355-4162
联系电话： （ 800 ） TAITRON （ 800 ） 824-8766 （ 661 ） 257-6060
传真： （ 800 ） TAITFAX （ 800 ） 824-8329 （ 661 ） 257-6415
电子邮件：
taitron@taitroncomponents.com
Http://www.taitroncomponents.com
TAITRON组件墨西哥， S.A .DE C.V。
中央大道5000室内5 PARQUE工业ATITALAQUIA ，伊达尔戈CP
42970 MEXICO
电话： + 52-55-5560-1519
传真： + 52-55-5560-2190
TAITRON COMPONETS Incorporated电子REPRESENTAES DO BRASIL LTDA
RUA DOMINGOS DE MORAIS ， 2777 ， 2.ANDAR ， SALA 24 SADE - 圣保罗 - SP 04035-001
巴西
电话： + 55-11-5574-7949
传真： + 55-11-5572-0052
TAITRON COMPONETS INCORPORATED上海代表处
首都银行大厦1160西延安路， SUITE 1503 ，上海， 200052 ，中国
电话： + 86-21-5424-9942
传真： + 86-21-5424-9931
版本A / AH 2007-12-21
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页5
BZX84 - C2V4系列
表面贴装硅稳压二极管
电压
2.4 75伏特
动力
410毫瓦
SOT- 23
单位：英寸（毫米）
特点
平面模施工
410mW功耗
.056(1.40)
.119(3.00)
.110(2.80)
从2.4齐纳电压75V
非常适合于自动装配程序
无铅产品： 99 ％以上的锡能满足RoHS指令的环境
物质diective要求
.047(1.20)
.007(.20)MIN
.103(2.60)
.083(2.10)
.066(1.70)
.006(.15)
.002(.05)
机械数据
.044(1.10)
案例： SOT -23 ，模压塑料
终端：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性
极性：参见下图
约。重量： 0.008克
安装位置：任意
.006(.15)MAX
.020(.50)
.013(.35)
最大额定值和电气特性
参数
25最大功率耗散（注一）
O
C
工作结storagetemperature范围
符号
价值
410
-50至+150
.035(0.90)
单位
mW
O
P
D
T
J
C
注意事项：
A.安装在5.0毫米
2
（ 0.013毫米厚）土地面积。
STAD-JAN.13.2006
.086(2.20)
PAGE 。 1
BZX84 - C2V4系列
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 12K每13"塑料卷
T / R - 每个7"塑料卷3K
法律声明
版权所有强茂国际， 2006年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格及信息
本文如有更改，恕不另行通知。潘日新使得对于任何担保，声明或保证
适合其产品的任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或使用
系统。潘日新不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
STAD-JAN.13.2006
PAGE 。 3
300mW的表面贴装
齐纳二极管
BZX84C2V4
-
BZX84C75
300mW的表面贴装齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
350mW的功耗
标准的齐纳电压容差为± 5 ％
非常适合于自动装配程序
高温焊接保证： 260 ℃/ 10秒
在回流焊接工艺
符合RoHS
SOT-23
机械数据
案例：
终端：
重量：
SOT -23 ，模压塑料
每MIL -STD- 202G ，方法208可焊性，
0.0088克
最大额定值&电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
功率耗散高达TA = 25℃
价值
300
250
420
150
-65到+150
单位
mW
mW
° C / W
°C
°C
条件
注1
注2
P
D
功率耗散高达TC = 25℃
热阻结到
环境空气
结温
存储温度范围
R
thJA
T
J
T
英镑
记
:
1.装置安装在陶瓷校友
2.设备安装在FR- 5的印刷电路板
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
联系电话： （ 800 ） -TAITRON
传真： （ 800 ） -TAITFAX
(800)-824-8766
(800)-824-8329
(661)-257-6060
(661)-257-6415
版本A / AH 2007-12-21
第1页5
300mW的表面贴装齐纳二极管
BZX84C2V4
-
BZX84C75
公称齐纳电压
@
I
ZT
产品型号
记号
CODE
喃。
TEST
当前
马克斯。齐纳阻抗
马克斯。反向
漏电流
I
R
@
V
R
V
Z
(V)
分钟。
马克斯。
I
ZT
（MA ）
5.0
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300mW的表面贴装齐纳二极管
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公称齐纳电压
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产品型号
记号
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当前
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特性曲线
图1功率降额曲线
正向电流（A ）
P
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马克斯。功耗（MW ）
图2正向特性
环境温度T
a
(°C)
正向电压（ V）
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300mW的表面贴装齐纳二极管
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图3击穿特性
IZ齐纳电流（mA ）
齐纳电压（V）
英制尺寸（mm）
SOT-23
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300mW的表面贴装齐纳二极管
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300mW的表面贴装
齐纳二极管
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BZX84C75
300mW的表面贴装齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
350mW的功耗
标准的齐纳电压容差为± 5 ％
非常适合于自动装配程序
高温焊接保证： 260 ℃/ 10秒
在回流焊接工艺
符合RoHS
SOT-23
机械数据
案例：
终端：
重量：
SOT -23 ，模压塑料
每MIL -STD- 202G ，方法208可焊性，
0.0088克
最大额定值&电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
功率耗散高达TA = 25℃
价值
300
250
420
150
-65到+150
单位
mW
mW
° C / W
°C
°C
条件
注1
注2
P
D
功率耗散高达TC = 25℃
热阻结到
环境空气
结温
存储温度范围
R
thJA
T
J
T
英镑
记
:
1.装置安装在陶瓷校友
2.设备安装在FR- 5的印刷电路板
TAITRON零部件股份有限公司
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联系电话： （ 800 ） -TAITRON
传真： （ 800 ） -TAITFAX
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300mW的表面贴装齐纳二极管
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公称齐纳电压
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产品型号
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当前
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马克斯。反向
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225
250
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300
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325
350
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0.05
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0.05
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BZX84C9V1
BZX84C10
BZX84C11
BZX84C12
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300mW的表面贴装齐纳二极管
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66.0
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特性曲线
图1功率降额曲线
正向电流（A ）
P
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马克斯。功耗（MW ）
图2正向特性
环境温度T
a
(°C)
正向电压（ V）
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300mW的表面贴装齐纳二极管
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齐纳电压（V）
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350mW的表面贴装稳压二极管
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1.60
3.00
1.05
1.00
2.10
3.10
0.13
1.30
0.61
0.25
机械数据
案例： SOT -23 ，塑料以英寸尺寸
（毫米）
码头：每MIL -STD- 202方法208
极性：见图
重量： 0.008克
D
E
G
H
K
J
3
M
L
最大额定值，电器性能额定值在25 ° C环境温度，除非另有指明
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载，减免电流20 ％
最大反向
公称
最大齐纳阻抗
TEST
漏电流
齐纳
当前
电压
JEDEC
I
ZT
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@ I
ZK
IR
键入不
测试电压
V
Z
@ I
ZT
★
伏
2.2 – 2.6
2.5 – 2.9
2.8 – 3.2
3.1 – 3.5
3.4 – 4.1
3.7 – 4.1
4.0 – 4.6
4.4 – 5.0
4.8 – 5.4
5.2 – 6.0
5.8 – 6.6
6.4 – 7.2
7.0 – 7.9
7.7 – 8.7
8.5 – 9.6
9.4 – 10.6
10.4 – 11.6
11.4 – 12.7
12.4 – 14.1
13.8 – 15.6
15.3 – 17.1
16.8 – 19.1
mA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
欧
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
欧
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
μA
50.00
20.00
10.00
5.00
5.00
3.00
3.00
3.00
2.00
1.00
3.00
2.00
1.00
0.70
0.50
0.20
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
电压
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
BZX84C11
BZX84C12
BZX84C13
BZX84C15
BZX84C16
BZX84C18
注： VZ齐纳二极管，V码是INSTEAD OF小数点
＊
测量脉冲牛逼
P
= 20米SEC
BZX84C2V4 THRU BZX84C75
页： 1
JEDEC
键入不
公称
齐纳
电压
V
Z
@ I
ZT
★
伏
TEST
当前
I
ZT
mA
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
最大齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
欧
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
欧
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
Z
ZK
@ I
ZK
mA
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
最大反向
漏电流
IR
μA
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
测试电压
电压
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
BZX84C20
BZX84C22
BZX84C24
BZX84C27
BZX84C30
BZX84C33
BZX84C36
BZX84C39
BZX84C43
BZX84C47
BZX84C51
BZX84C56
BZX84C62
BZX84C68
BZX84C75
18.8 – 21.2
20.8 – 23.3
22.8 – 25.6
25.1 – 28.9
28 – 32
31 – 35
34 – 38
37 – 41
40 – 46
44 – 50
48 – 54
52 – 60
58 – 66
64 – 72
70 – 79
注： VZ齐纳二极管，V码是INSTEAD OF小数点
＊
测量脉冲牛逼
P
= 20米SEC
BZX84C2V4 THRU BZX84C75
第2页
额定值和特性曲线BZX84C2V4 THRU BZX84C75
FIG.1-击穿特性
mA
50
5V
10V
15V
20V
25V
30
40
Iz
30
20
10
0
BZX84C3V9
BZX84C2V7
BZX84C6V8
BZX84C6V2
BZX84C5V6
BZX84C5V1
BZX84C4V7
BZX84C 4V3
500
400
300
200
100
BZX84C9V1
BZX84C11
BZX84C12
BZX84C15
BZX84C20
BZX84C24
BZX84C27
BZX84C18
Vz
FIG.2-功率，温度降额曲线
加入Pd（ mW）的
功耗
50
100
150
200
300
TA（
o
C)
环境温度
注：安装在5.0毫米
2
（ 0.13毫米厚）土地面积。
BZX84C2V4 THRU BZX84C75
第3页：
BZX84-Series
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威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
3
硅平面稳压二极管
齐纳电压是根据分级
E24国际标准。标准齐纳
电压容差为± 5 ％ ，由“C”表示
在订货代码。替换“ C”与“B”为
± 2 ％的误差。
AEC- Q101标准
ESD能力ACC 。符合AEC - Q101 ：
人体模特： > 8千伏，
机器型号： > 800 V
单位
V
mA
1
2
20421
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.4 75
2; 5
脉冲电流
单身
基P / N - E3 - 符合RoHS标准的商用级
基P / N - HE3 - 符合RoHS标准，符合AEC - Q101标准
材料分类：为符合定义
请参阅
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订购信息
设备名称
订购代码
BZX84C2V4 - E3-08到BZX84C75 - E3-08
BZX84B2V4 - E3-08到BZX84B75 - E3-08
BZX84C2V4 - HE3-08到BZX84C75 - HE3-08
BZX84-series
BZX84B2V4 - HE3-08到BZX84B75 ， HE3-08
BZX84C2V4 - E3-18到BZX84C75 - E3-18
BZX84B2V4 - E3-18到BZX84B75 - E3-18
BZX84C2V4 - HE3-18到BZX84C75 - HE3-18
BZX84B2V4 - HE3-18到BZX84B75 ， HE3-18
10 000（ 13"上排8毫米磁带）
10 000
3000 （上7"卷轴8mm带）
15 000
每卷胶带单位
最小起订量
包
包名称
SOT-23
重量
8.8毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气敏感度
水平
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
参数
功耗
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
工作温度范围
测试条件
T
AMB
= 25 ℃，在玻璃纤维基材的设备，
ACC 。第7页布局
T
AMB
= 25 ℃，在玻璃纤维基材的设备，
ACC 。第7页布局
符号
P
合计
R
thJA
T
j
T
英镑
T
op
价值
300
420
150
- 65至+ 150
- 55至+ 150
单位
mW
K / W
°C
°C
°C
2.0版本， 28 -FEB- 13
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威世半导体
反向
泄漏
当前
I
R
在V
R
μA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
马克斯。
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
动态
阻力
F = 1千赫
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
在我
ZT2
马克斯。
275
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
-9
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
9
9
10
10
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
部分
数
记号
CODE
分钟。
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3V0
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
BZX84C11
BZX84C12
BZX84C13
BZX84C15
BZX84C16
BZX84C18
BZX84C20
BZX84C22
BZX84C24
BZX84C27
BZX84C30
BZX84C33
BZX84C36
BZX84C39
BZX84C43
BZX84C47
BZX84C51
BZX84C56
BZX84C62
BZX84C68
BZX84C75
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
Y16
Y17
Y18
Y19
Y20
Y21
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
马克斯。
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
温度
系数
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
分钟。
马克斯。
-4
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
11
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反向
泄漏
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R
在V
R
μA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
马克斯。
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
动态
阻力
F = 1千赫
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
在我
ZT2
马克斯。
275
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
-9
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
9
9
10
10
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
部分
数
记号
CODE
分钟。
BZX84B2V4
BZX84B2V7
BZX84B3V0
BZX84B3V3
BZX84B3V6
BZX84B3V9
BZX84B4V3
BZX84B4V7
BZX84B5V1
BZX84B5V6
BZX84B6V2
BZX84B6V8
BZX84B7V5
BZX84B8V2
BZX84B9V1
BZX84B10
BZX84B11
BZX84B12
BZX84B13
BZX84B15
BZX84B16
BZX84B18
BZX84B20
BZX84B22
BZX84B24
BZX84B27
BZX84B30
BZX84B33
BZX84B36
BZX84B39
BZX84B43
BZX84B47
BZX84B51
BZX84B56
BZX84B62
BZX84B68
BZX84B75
Z50
Z51
Z52
Z53
Z54
Z55
Z56
Z57
Z58
Z59
Z60
Z61
Z62
Z63
Z64
Z65
Z66
Z67
Z68
Z69
Z70
Z71
Z72
Z73
Z74
Z75
Z76
Z77
Z78
Z79
Z80
Z81
Z82
Z83
Z84
Z85
Z86
2.35
2.65
2.94
3.23
3.53
3.82
4.21
4.61
5.0
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.8
11.8
12.7
14.7
15.7
17.6
19.6
21.6
23.5
26.5
29.4
32.3
35.3
38.2
42.1
46.1
50
54.9
60.8
66.6
73.5
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
马克斯。
2.45
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.4
24.5
27.5
30.6
33.7
36.7
39.8
43.9
47.9
52
57.1
63.2
69.4
76.5
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
温度
系数
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
分钟。
马克斯。
-4
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
11
12
12
12
2.0版本， 28 -FEB- 13
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
mA
10
3
10
2
Ω
100
T
J
= 25 °C
5
4
威世半导体
I
F
10
1
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
T
J
= 100 °C
r
zj
3
2
33
27
22
18
15
12
10
6.8/8.2
6.2
T
J
= 25 °C
10
5
4
3
2
10
-5
0
18114
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1V
0.1
18119
2
5
1
2
5
V
F
10
I
Z
2
5
百毫安
图。 1 - 正向特性
图。 4 - 动态电阻与齐纳电流
mW
500
Ω
10
3
7
5
4
T
j
= 25 °C
400
R
zj
3
2
P
合计
300
47 + 51
43
39
36
10
2
7
200
5
4
3
2
100
0
0
18115
100
200 °C
10
0.1
18120
2
3
4 5
1
2
3 4 5
T
AMB
I
Z
10
mA
图。 2 - 容许功耗与环境温度
图。 5 - 动态电阻与齐纳电流
Ω
1000
5
4
3
2
Ω
10
3
T
J
= 25 °C
5
4
3
2
R
ZTH
= R
THA
X V
Z
x
Δ
V
Z
Δ
T
j
r
zj
R
ZTH
100
5
4
3
2
10
2
5
4
3
2
10
5
4
3
2
2.7
3.6
4.7
5.1
5.6
10
5
4
3
2
负
积极
1
0.1
18117
2
5
1
1
18121
2
3
4 5
1
2
5
10
I
Z
2
5
百毫安
10
2
3 4 5
100 V
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 3 - 动态电阻与齐纳电流
图。 6 - 热微分电阻与齐纳电压
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威世半导体
毫伏/°C的
100
I
Z
= 5毫安
Ω
100
7
5
4
R
zj
3
2
Δ
V
Z
Δ
T
j
80
60
10
7
5
4
3
2
40
20
T
j
= 25 °C
I
Z
= 5毫安
1
2
3
4 5
1
10
2
0
0
18125
3 4 5
100 V
20
40
60
80
100 V
18122
V
Z
V
Z
图。 7 - 动态电阻与齐纳电压
图。 10 - 齐纳电压与温度的关系
齐纳电压
V
9
8
毫伏/°C的
25
20
15
10
5
0
-5
1
18123
2
3
4 5
Δ
V
Z
Δ
T
j
5毫安
I
Z
= 1毫安
20毫安
7
Δ
V
Z
6
5
4
3
2
1
0
-1
51
43
36
I
Z
= 2毫安
0
20
40
60
80 100 120
T
j
140 °C
10
2
3 4 5
100 V
V
Z
18126
图。 8 - 温度的齐纳电压与依赖
齐纳电压
图。 11 - 更改齐纳电压与结温
V
0.8
0.7
0.6
V
Z
在我
Z
= 5毫安
25
15
10
V
1.6
1.4
1.2
Δ
V
Z
= R
ZTH
X我
Z
Δ
V
Z
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-1
- 0.2
0
18124
3.6
4.7
8
7
6.2
5.9
5.6
5.1
Δ
V
Z
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 0.2
- 0.4
20
40
60
80
100 120 140 C
18127
1
2
3
4 5
10
2
3 4 5
100 V
T
j
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 12 - 更改齐纳电压从打开上最多的点
热平衡与齐纳电压
图。 9 - 更改齐纳电压与结温
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