WTE
功率半导体
BZX84C2V4 - BZX84C39
350mW的表面贴装稳压二极管
特点
!
!
!
!
!
!
平面模具结构
A
L
350mW的功耗
2.4 - 39V额定齐纳电压
5％的标准Vz的公差
专为表面贴装应用
B
塑料材料 - UL认证防火
分类94V -O
顶视图
C
M
E
H
D
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
SOT-23
民
0.37
1.19
2.10
0.89
0.45
1.78
2.65
0.013
0.89
0.45
0.076
最大
0.51
1.40
2.50
1.05
0.61
2.05
3.05
0.15
1.10
0.61
0.178
机械数据
!
!
!
!
!
案例： SOT -23 ，模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：见图
重量： 0.008克（约）
标识：设备代码（见表下一页）
K
J
G
顶视图
尺寸：mm
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
在T峰值脉冲功率耗散
A
= 25 ° C（注1 ）
正向电压@ I
F
= 10毫安
热阻结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
注：1。有效的规定，设备终端被保持在环境温度下进行。
符号
P
d
V
F
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
350
0.9
357
-65到+150
单位
mW
V
° C / W
°C
BZX84C2V4 - BZX84C39
1 4
2002韩元鼎好电子
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
TYPE
数
（注1 ）
设备
记号
CODE
齐纳电压范围
（注2 ）
V
Z
@ I
ZT
喃（ V）
敏（ V）
2.28
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
MAX（ V）
2.56
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
最大齐纳阻抗
（注3）
Z
ZT
@ I
ZT
()
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
（MA ）
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
Z
ZK
@ I
ZK
()
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
（MA ）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
最大反向
漏电流
I
R
(A)
50
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
@ V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
25.2
27.3
温度。 Coeffi-
齐纳二极管的cient
电压@我
ZT
毫伏/°C的
民
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-2.7
-2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
最大
0
0
0
0
0
0
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10
11
13
14
16
18
20
22
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
BZX84C11
BZX84C12
BZX84C13
BZX84C15
BZX84C16
BZX84C18
BZX84C20
BZX84C22
BZX84C24
BZX84C27
BZX84C30
BZX84C33
BZX84C36
BZX84C39
W1
W2
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
WA
WB
WC
WD
WE
WF
WG
WH
WI
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
注： 1所列类型的数字对的±5％的额定齐纳电压标准公差。
2.测得脉冲吨
p
= 5毫秒。
3， F = 1KHz的
BZX84C2V4 - BZX84C39
2 4
2002韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
!
BZX84Cxx-T1
BZX84Cxx-T3
套餐类型
SOT-23
SOT-23
送货数量
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
产品上市
胆大
是WTE
首选
设备。
!
T1后缀是指一个7 “卷轴。 T3后缀是指一个13 “卷轴。
鉴于航运量仅为最小包装量。最小订单
量，请咨询售楼部。
推荐足迹
0.035
(0.90)
0.079
(2.0)
0.035
(0.90)
0.031
(0.8)
0.037
(0.95)
英寸（毫米）
韩元鼎好电子有限公司（ WTE ）已仔细检查了所有的信息，并认为它是正确的，准确的。然而， WTE不承担任何
责任不准确。此外，这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息，而无需另行通知的权利。
警告：
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路，茅根陈DIST。 ，高雄，台湾
电话：
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真：
886-7-822-5417
电子邮件：
sales@wontop.com
互联网：
http://www.wontop.com
我们日常供电。
BZX84C2V4 - BZX84C39
4 4
2002韩元鼎好电子
BZX84C3V3 THRU BZX84C33
350mW的稳压二极管
3.3伏THRU 33伏
5 ％的容差
中央
描述：
TM
半导体公司
中央半导体
BZX84C3V3系列硅稳压二极管是一种
在使用高品质稳压器
工业，商业，娱乐，
计算机应用。
SOT- 23 CASE
绝对最大额定值
功率耗散（ @ TA = 25
o
C)
工作和存储温度
热阻
符号
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
350
-65到+150
357
单位
mW
o
C
o
C / W
电气特性
(TA=25
o
C） ， VF = 0.9V MAX @ IF = 10毫安对所有类型。
TYPE
齐纳
电压
V
Z
@I
ZT
TEST
当前
IZT
最大
齐纳阻抗
ZZT @ IZT
ZZK @ Izk
最大
反向
当前
IR @ VR
A
最大
齐纳
当前
最大
ZenerVoltage
温度
系数
记号
CODE
民
最大
IZM
mA
76
69
64
58
53
49
45
40
37
33
30
27
25
23
21
19
17
16
14
12
11
10
9
8
7
伏伏
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
BZX84C11
BZX84C12
BZX84C13
BZX84C15
BZX84C16
BZX84C18
BZX84C20
BZX84C22
BZX84C24
BZX84C27
BZX84C30
BZX84C33
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.9
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
mA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
Θ
VZ
%/
o
C
-0.06
-0.06
-0.06
-0.05
-0.03
0.02
0.03
0.04
0.05
0.05
0.06
0.06
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
W6
W7
W8
W9
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
62
BZX84C2V7–BZX84C51
威世德律风根
350毫瓦表面贴装齐纳二极管
特点
D
D
D
D
平面模具结构
350 mW的功耗
从2.7V齐纳电压 - 51V
非常适合于自动装配程序
94 8550
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
功耗
齐纳电流（参见图1-3所示）
结存储
温度范围
测试条件
在陶瓷基板
10毫米x10采用8mm x 0.7毫米
符号
P
d
价值
350
单位
mW
T
j
=T
英镑
–55...+150
°
C
最大热阻
T
j
= 25
_
C
参数
交界处的环境
测试条件
在陶瓷基板10毫米x10采用8mm x 0.7毫米
符号
R
thJA
价值
420
单位
K / W
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 10毫安
TYPE
符号
V
F
民
典型值
最大
0.9
单位
V
文档编号85606
第1版， 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (5)
BZX84C2V7–BZX84C51
威世德律风根
TYPE
BZX84C...
2V7
3V0
3V3
3V6
3V9
4V3
4V7
5V1
5V6
6V2
6V8
7V5
8V2
9V1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
记号
KZC
KZD
KZE
KZF
KZG
KZH
KZ1
KZ2
KZ3
KZ4
KZ5
KZ6
KZ7
KZ8
KZ9
KY1
KY2
KY3
KY4
KY5
KY6
KY7
KY8
KY9
KYA
KYB
KYC
KYD
KYE
KYF
KYG
KYH
V
Z
V
@ I
ZT
2.5 2.9
2.8到3.2
3.1 3.5
3.4到3.8
3.7 4.1
4.0 4.6
4.4 5.0
4.8 5.4
5.2 6.0
5.8 6.6
6.4到7.2
7.0 7.9
7.7到8.7
8.5到9.6
9.4至10.6
10.4 11.6
11.4至12.7
12.4至14.1
13.8至15.6
15.3至17.1
16.8至19.1
18.8至21.2
20.8至23.3
22.8 25.6
25.1 28.9
2832
31 35
34至38
37至41
40至46
44至50
48至54
Z
ZT
W
@ I
ZT
mA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
Z
ZK
W
@ I
ZK
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
T
C
%/
°
C
–0.065
–0.060
–0.055
–0.055
–0.050
–0.035
–0.015
+0.005
+0.020
+0.030
+0.045
+0.050
+0.055
+0.065
+0.065
+0.070
+0.075
+0.080
+0.080
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.110
+0.110
+0.110
+0.110
I
R
m
A
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
4.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
@ V
R
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
0.7V
ZNOM
0.7V
ZNOM
0.7V
ZNOM
0.7V
ZNOM
0.7V
ZNOM
0.7V
ZNOM
0.7V
ZNOM
0.7V
ZNOM
0.7V
ZNOM
0.7V
ZNOM
0.7V
ZNOM
0.7V
ZNOM
0.7V
ZNOM
0.7V
ZNOM
100
100
95
95
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
1 ）设备安装在陶瓷基板8mmx10mmx0.7mm
2) V
Z
测量我
ZT
使用脉冲试验。我
Z
脉冲宽度= 5毫秒。标准电压容差为5 ％ 。
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第1版， 01 -APR- 99
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威世德律风根
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明）
T
j
=25°C
C2V7
C3V9
C3V3 C4V7
C5V6
C6V8
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
50
500
见注1
40
C8V2
400
I
Z
- Z-电流（mA ）
30
300
20
200
10
测试电流I
z
5.0mA
100
0
0
0
15251
1
2
4 5 6 7
V
Z
- z - 电压（V）
3
8
9
10
15254
0
100
200
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1. Z-电流与Z-电压
图4.总功耗对比
环境温度
1000
C
D
- 二极管电容（pF ）
T
j
=25°C
30
T
j
=25°C
C10
C12
V
R
= 1V
V
R
= 2V
I
Z
- Z-电流（mA ）
20
C15
C18
测试电流I
z
2.0mA
C22
100
V
R
= 1V
10
测试电流I
z
5.0mA
C27
C33
C36
V
R
= 2V
0
0
15252
10
10
20
30
V
Z
- z - 电压（V）
40
15255
1
10
V
Z
- z - 电压（V）
100
图2. Z-电流与Z-电压
10
T
j
=25°C
C39
C43
C47
C51
图5.二极管电容与Z-电压
8
I
Z
- Z-电流（mA ）
6
4
测试电流I
z
2.0mA
2
0
0
15253
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
V
Z
- z - 电压（V）
图3： Z-电流与Z-电压
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威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
系统
相对于它们对健康和员工的安全和公众的影响，以及其上的冲击
环境。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
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BZX84C39
表面贴装稳压二极管
电压范围2.4 39伏特，额定功率350毫瓦
特点
*
*
*
*
平面模具结构
350mW的功耗
齐纳Volages从2.4V - 39V
非常适合于自动装配程序
SOT-23
机械数据
*
*
*
*
*
案例：模压塑料
环氧树脂： UL94V-O率阻燃
导语： MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置：任意
重量： 0.008克
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.007(0.178)
0.003(0.076)
0.024(0.61)
0.018(0.45)
0.043(1.10)
0.035(0.89)
0.006(0.150)
0.001(0.013)
0.020(0.51)
0.015(0.37)
0.098(2.50)
0.083(2.10)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
o
0.081(2.05)
0.070(1.78)
0.120(3.05)
0.104(2.65)
尺寸以英寸（毫米）
最大RATINGES
( @ T
A
= 25
o
C除非另有说明）
评级
马克斯。稳态功耗@T
A
=25
o
C（注1 ）
马克斯。工作温度范围
存储温度范围
符号
P
D
T
J
T
英镑
价值
350
150
-65到+150
单位
mW
o
o
C
C
电气特性
( @ T
A
= 25
o
C除非另有说明）
特征
热阻结到环境（注1 ）
在我正向电压
F=
10mA
符号
R
q
JA
V
F
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
357
0.9
单位
o
C / W
伏
2007-09
注1.有效的规定，设备terminats被保持在环境温度。
2. "Fully ROHS compliant" ， "100 ％锡电镀（无铅） " 。
电气特性
齐纳电压范围（注1 ）
TYPE
V
Z
（ V） @我
ZT
喃
伏
民
伏
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
最大
伏
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
(@T
A
= 25℃ ，除非另有规定）
O
最大齐纳阻抗
（注2 ）
Z
ZT
在我
ZT
(W)
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
Z
ZK
(W)
600
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
325
350
350
at
I
ZK
（MA ）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
最大
反向漏电流
I
R
（ UA）
50
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
在V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
温度
齐纳二极管的系数中
电压@I
ZT
=5mA
毫伏/
O
C
分钟。
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-2.7
-2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
马克斯。
0
0
0
0
0
0
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
13.0
14.0
16.0
18.0
20.0
22.0
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3V0
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
BZX84C11
BZX84C12
BZX84C13
BZX84C15
BZX84C16
BZX84C18
BZX84C20
BZX84C22
BZX84C24
BZX84C27
BZX84C30
BZX84C33
BZX84C36
BZX84C39
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
注意事项1.测试与脉冲周期 - 为5ms ，脉冲宽度 - 30US 。
2， F = 1KHz的。
免责声明
RECTRON公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利
此规范，责令改正，修改，增强或其他
变化。 RECTRON公司或任何代其不承担任何责任或liabi-
lity的任何错误或不准确之处。数据表规格及其信息
包含的意在仅提供一个产品的描述。 "Typical" paramet-
这可能包括在RECTRON数据表和/或规格ERS钙
n和做不同的应用和实际性能可能会随TI-
我。 RECTRON公司不承担因应用程序的任何责任或
使用任何产品或电路。
RECTRON产品不是设计，意或授权使用的医疗，
救命的植入物或用于生命维持或其他厘清的其他应用程序
泰德应用组件或电路的故障或失灵可能迪
rectly或间接导致伤害或威胁生命没有明确的书面appr-
对使用或销售RECTRON组件在使用RECTRON公司客户椭圆形
这样的应用程序这样做在自己的风险，并应同意完全赔偿Rect-
罗恩公司及其子公司的所有索赔，损失和expendit-无害
URES 。
BZX84 C2V7 ... BZX84 C47
表面贴装
硅平面齐纳二极管
Silizium平面齐纳Dioden
献给死去Oberflchenmontage
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
标称Z-电压
Nominale Z- Spannung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
尺寸/集体单位为毫米
1 =阳极
2 = N 。 。 /弗雷
3 =阴极
350毫瓦
2.7...47 V
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
标准包装卷带封装
参见第18页
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔世赫页首18
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 （ 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值
功耗
Verlustleistung
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
T
A
= 25
/
C
Grenz- UND Kennwerte
P
合计
T
j
T
S
R
THA
350毫瓦
1
)
– 50...+150
/
C
– 50...+150
/
C
< 420 K / W
1
)
特征
正向电压
Durchlaspannung
T
j
= 25
/
C
I
F
= 10毫安
V
F
Kennwerte
< 0.9 V
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
）安装在交媾板为25mm
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院25毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
18.02.2003
1
1
BZX84 C2V7 ... BZX84 C47
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
1
)
齐纳Spanng 。
1
)
I
Z
= 5毫安
V
ZMIN
[V] V
ZMAX
动态电阻
Inhr 。差异。 Widerstand
r
zj
[
S
]在f = 1千赫
I
Z
= 5毫安
I
Z
= 1毫安
温度。 Coeffiz 。
Z-电压
... DER Z- spanng 。
＆ QUOT ;
VZ
[10
-4
/
/
C]
反向电压
Sperrspannung
V
R
[V]
I
R
[ nA的]
Grenzwerte
Z-电流
2
)
Z-斯特罗姆
2
)
T
A
= 25
/
C
I
ZMAX
[马]
BZX84 ...
... C2V7
... C3V0
... C3V3
... C3V6
... C3V9
... C4V3
... C4V7
... C5V1
... C5V6
... C6V2
... C6V8
... C7V5
... C8V2
... C9V1
... C10
... C11
... C12
... C13
... C15
... C16
... C18
... C20
... C22
... C24
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
＆ LT ; 100
＆ LT ; 100
< 95
< 95
＆ LT ; 90
＆ LT ; 90
< 80
< 60
＆ LT ; 40
＆ LT ; 10
＆ LT ; 15
＆ LT ; 15
＆ LT ; 15
＆ LT ; 15
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 25
＆ LT ;三十
＆ LT ;三十
＆ LT ; 40
< 45
＆ LT ; 55
＆ LT ; 55
< 70
I
Z
=
2毫安
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 500
< 480
＆ LT ; 400
＆ LT ; 150
< 80
< 80
< 80
＆ LT ; 100
＆ LT ; 150
＆ LT ; 150
＆ LT ; 150
< 170
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
< 225
< 225
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
I
Z
=
0.5毫安
＆ LT ; 300
＆ LT ; 300
< 325
＆ LT ; 350
＆ LT ; 350
< 375
< 375
-9...-6
-8...-5
-8...-5
-8...-5
-8…-5
-6…-3
-5…+2
-2…+2
-5…+5
+3…+6
+3…+7
+3…+7
+3…+8
+3…+9
+3…+10
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+4…+12
+4…+12
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
8
8
8
8
11
11
13
14
15
17
20000
10000
5000
5000
3000
3000
4000
2000
1000
3000
2000
1000
700
500
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
121
109
100
92
85
76
70
65
58
53
49
44
40
36
33
30
28
25
22
20
18
17
15
14
... C27
... C30
... C33
... C36
... C39
... C43
... C47
25.1
28
31
34
37
40
44
28.9
32
35
38
41
46
50
< 80
< 80
< 80
＆ LT ; 90
＆ LT ; 130
＆ LT ; 150
<170
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
19
21
23
25
27
30
33
50
50
50
50
50
50
50
12
11
10
9
9
8
7
1
2
）测试与脉冲吨
p
= 5毫秒 - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 5毫秒
）安装在交媾板为25mm
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院25毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
F： \\ DATA \\ WP \\ DatBlatt \\ Einzelbltter \\ bzx84c2v7 ， c47.wpd
BZX84CXXX
公司Bauelemente
350mW的SOT- 23系列
表面贴装齐纳稳压二极管
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
特点
平面模具结构
350
毫瓦功耗的FR- 5板
通用，中等电流
非常适合于自动化装配工艺
3
1
A
L
B·S
SOT-23
暗淡
A
B
C
D
G
C
民
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
顶视图
G
2
机械数据
案例： SOT -23 ，模压塑料
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
极性：参见图
重量： 0.008克（约）
标识：标识代码（请参阅表第2页）
V
H
K
J
3
D
H
J
K
L
S
V
3
阴极
1
阳极
1
2
单位：mm外形尺寸
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局， *
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， ** TA = 25℃
减免上述25℃
热阻结到环境
结存储Temeprature
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
符号
PD
最大
350
1.8
R
θJA
PD
556
350
2.4
R
θJA
TJ ， TSTG
417
150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
2.Alumina = 0.4 X 0.3 X 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
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4
BZX84CXXX
公司Bauelemente
350mW的SOT- 23系列
表面贴装齐纳稳压二极管
综合参数 - 为350mW SOT- 23
电气特性（引脚： 1 ，阳极， 2 - NC ， 3阴极）
(V
F
= 0.9V最大@ I
F
= 10毫安所有类型）
齐纳电压
V
Z1
（伏）
@ I
ZT1
= 5毫安
（注1 ）
最大齐纳
阻抗
Z
ZT1
（欧姆）
@ I
ZT1
=
5mA
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
最大
反向
泄漏
当前
齐纳电压
V
Z2
（伏）
@ I
ZT2
= 1毫安
（注1 ）
民
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
25.0
27.8
30.8
33.8
36.7
39.7
43.7
47.6
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.0
15.5
17.0
19.0
21.1
23.2
25.5
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
46.0
50.0
54.0
最大齐纳
阻抗
Z
ZT2
（欧姆）
@ I
ZT2
=
1mA
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
齐纳电压
V
Z3
（伏）
@ I
ZT3
= 20mA下
（注1 ）
民
2.6
3.0
3.3
3.6
3.9
4.1
4.4
4.5
5.0
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.5
13.9
15.4
16.9
18.9
20.9
22.9
25.2
28.1
31.1
34.1
37.1
40.1
44.1
48.1
最大
3.2
3.6
3.9
4.2
4.5
4.7
5.1
5.4
5.9
6.3
6.8
7.4
8.0
8.8
9.7
10.7
11.8
12.9
14.2
15.7
17.2
19.2
21.4
23.4
25.7
29.3
32.4
35.4
38.4
41.5
46.5
50.5
54.6
最大齐纳
阻抗
Z
ZT3
（欧姆）
@ I
ZT3
=
20mA
50
50
50
40
40
30
30
15
15
10
6
6
6
6
8
10
10
10
15
20
20
20
20
25
25
45
50
55
60
70
80
90
100
d
VZ
/ DT
（毫伏/ K）的
@ I
ZT1
= 5毫安
民
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-2.7
-2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
37.6
42.0
46.6
最大
0
0
0
0
0
-2.5
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
13.0
14.0
16.0
18.0
20.0
22.0
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
46.6
51.8
57.2
TYPE
数
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3V0
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
BZX84C11
BZX84C12
BZX84C13
BZX84C15
BZX84C16
BZX84C18
BZX84C20
BZX84C22
BZX84C24
BZX84C27
BZX84C30
BZX84C33
BZX84C36
BZX84C39
BZX84C43
BZX84C47
BZX84C51
记号
CODE
Z11/KZB
Z12/KZC
Z13/KZD
Z14/KZE
Z15/KZF
Z16/KZG
Z17/KZH
Z1/KZ1
Z2/KZ2
Z3/KZ3
Z4/KZ4
Z5/KZ5
Z6/KZ6
Z7/KZ7
Z8/KZ8
Z9/KZ9
Y1/KY1
Y2/KY2
Y3/KY3
Y4/KY4
Y5/KY5
Y6/KY6
Y7/KY7
Y8/KY8
Y9/KY9
Y10/KYA
Y11/KYB
Y12/KYC
Y13/KYD
Y14/KYE
Y15/KYF
Y16/KYG
Y17/KYH
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
15.0
16.0
18.0
20.0
22.0
24.0
27.0
30.0
33.0
36.0
39.0
43.0
47.0
51.0
民
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
40.0
44.0
48.0
最大
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
46.0
50.0
54.0
m
A
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
I
R
@
V
R
伏
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
C
r
F
最大
@ V
R
= 0
F = 1MHz的
450
450
450
450
450
450
450
260
225
200
185
155
140
135
130
130
130
130
120
110
105
100
85
85
80
70
70
70
70
45
40
40
40
.
注意事项：
1.Zener电压测量用脉冲测试电流（升
Z
）施加于25的周围温度
o
C
2.Tasted的脉冲， 300
m
的脉动宽度， 2 ％的占空比。
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BZX84CXXX
公司Bauelemente
350mW的SOT- 23系列
表面贴装齐纳稳压二极管
一般数据 -
350
毫瓦SOT- 23
典型特征
8
7
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
6
5
4
3
2
1
0
–1
–2
–3
VZ @ IZT
典型TC VALUES
对于BZX84C系列
100
典型TC VALUES
对于BZX84C系列
VZ @ IZT
10
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
11
12
2
3
4
5
6
7
8
9
VZ ，额定齐纳电压（ V）
10
1
10
VZ ，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
1000
TJ = 25°C
IZ （AC） = 0.1 IZ （DC）的
F = 1千赫
C，电容（pF ）
1000
0 V BIAS
1 V BIAS
100
偏压
VZ NOM的50 ％
10
TA = 25°C
ZT ，动态阻抗（
)
IZ = 1毫安
100
5毫安
20毫安
10
1
1
10
V Z，额定齐纳电压
100
1
1
10
VZ ，额定齐纳电压（ V）
100
齐纳电压对图3.影响
齐纳阻抗
科幻gure
4.
典型电容
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齐纳二极管（ BZX84C 3V3 - BZX84C 33 ）
齐纳二极管
BZX84C 3V3 - BZX84C 33
公差： C = 5 ％
绝对最大额定值*
符号
I
FRM
I
ZRM
P
D
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
重复峰值正向电流（I
FRM
)
重复峰值工作电流（I
ZRM
)
功耗
存储温度范围
工作结温
价值
250
250
350
-55到+150
+ 150
单位
mA
mA
mW
°C
°C
3
2
1
SOT-23
连接
图
3
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
1
2 NC
电气特性
设备
BZX84C 3V3
BZX84C 3V6
BZX84C 3V9
BZX84C 4V3
BZX84C 4V7
BZX84C 5V1
BZX84C 5V6
BZX84C 6V2
BZX84C 6V8
BZX84C 7V5
BZX84C 8V2
BZX84C 9V1
BZX84C 10
BZX84C 11
BZX84C 12
BZX84C 13
BZX84C 15
BZX84C 16
BZX84C 18
BZX84C 20
BZX84C 22
BZX84C 24
T
A
= 25 ° C除非另有说明
I
Z
= 5.0毫安
I
Z
= 1.0毫安
Z
Z
()
民
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
I
Z
= 20毫安
标志
民
Z14
Z15
Z16
Z17
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
V
Z
(V)
最大
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
V
Z
(V)
最大
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.0
15.5
17
19
21.1
23.2
25.5
Z
Z
()
民
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
3.6
3.9
4.1
4.4
4.5
5.0
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.5
13.9
15.4
16.9
18.9
20.9
22.9
V
Z
(V)
最大
4.2
4.5
4.7
5.1
5.4
5.9
6.3
6.8
7.4
8.0
8.8
9.7
10.7
11.8
12.9
14.2
15.7
17.2
19.2
21.4
23.4
25.7
Z
Z
()
40
40
30
30
15
15
10
6
6
6
6
8
10
10
10
15
20
20
20
20
25
25
注意：
在全国首选设备
胆大
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
BZX84系列版本C
齐纳二极管（ BZX84C 3V3 - BZX84C 33 ）
齐纳二极管（ BZX84C 3V3 - BZX84C 33 ）
（续）
电气特性
设备
BZX84C 27
BZX84C 30
BZX84C 33
（续）
TA = 25° C除非另有说明
I
Z
= 2.0毫安
I
Z
= 100
A
I
Z
= 10毫安
标志
Y10
Y11
Y12
V
Z
(V)
民
25.1
28
31
最大
28.9
32
35
Z
Z
()
80
80
80
V
Z
(V)
民
25
27.8
30.8
最大
28.9
32
35
Z
Z
()
300
300
325
V
Z
(V)
民
25.2
28.1
31.1
最大
29.3
32.4
35.4
Z
Z
()
45
50
55
V
F
FOWARD电压= 0.9 V最大@我
F
= 10毫安所有BZX 84系列
设备
BZX84C 3V3
BZX84C 3V6
BZX84C 3V9
BZX84C 4V3
BZX84C 4V7
BZX84C 5V1
BZX84C 5V6
BZX84C 6V2
BZX84C 6V8
BZX84C 7V5
BZX84C 8V2
BZX84C 9V1
BZX84C 10
BZX84C 11
BZX84C 12
BZX84C 13
BZX84C 15
BZX84C 16
BZX84C 18
BZX84C 20
BZX84C 22
BZX84C 24
BZX84C 27
BZX84C 30
BZX84C 33
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
(A)
5.0
5.0
5.0
5.0
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
I
R
CAP *
（PF ）
450
450
450
450
260
225
200
185
155
140
135
130
130
130
130
120
110
105
100
85
85
80
70
70
70
D
VZ
/ D
t
@
5.0毫安
（毫伏/ K）的
民
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 2.7
- 2.0
+ 0.4
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.2
+ 3.8
+ 4.5
+ 5.4
+ 6.0
+ 7.0
+ 9.2
+ 10.4
+ 12.4
+ 14.4
+ 16.4
+ 18.4
+ 21.4
+ 24.4
+ 27.4
最大
0.0
0.0
0.0
0.0
+ 0.2
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.7
+ 4.5
+ 5.3
+ 6.2
+ 7.0
+ 8.0
+ 9.0
+ 10
+ 11
+ 13
+ 14
+ 16
+ 18
+ 20
+ 22
+ 25.3
+ 29.4
+ 33.4
*
电容@ VR = 0.0伏;频率= 1.0兆赫。
BZX84系列版本C
齐纳二极管（ BZX84C 3V3 - BZX84C 33 ）
齐纳二极管（ BZX84C 3V3 - BZX84C 33 ）
（续）
典型特征
35
5000
V
Z
= 33.0V
V
Z
- 齐纳电压（ V）
25
20
15
10
5
1
V
Z
= 5.1V
V
Z
= 3.3V
T
A
= 25
C
Z
Z
- 阻抗（欧姆）
30
2000
1000
500
V
Z
= 3.3V
200
100
50
V
Z
= 5.1V
T
A
= 25
C
V
Z
= 33.0V
V
Z
= 12.0V
20
10
V
Z
= 12.0V
5
2
1
0.1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
0.2
0.5
1
2
5
I
Z
- 齐纳电流（mA）
10
20
齐纳电流与齐纳电压
齐纳电流与齐纳阻抗
5
6
V
Z
= 3.3V
V
Z
= 5.1V
V
Z
- 齐纳电压（ V）
V
Z
- 齐纳电压（ V）
4
T
A
= -25
C
T
A
= 25
C
5.5
T
A
= 125
C
3
T
A
= 85
C
5
T
A
= 100
C
T
A
= 25
C
T
A
= -25
C
T
A
= 85
C
2
T
A
= 100
C
T
A
= 125
C
4.5
1
4
1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
3.3齐纳电压与温度的关系
5.1齐纳电压与温度的关系
15
V
Z
= 12.0V
40
T
A
= 125
C
V
Z
= 33.0V
T
A
= 100
C
T
A
= 125
C
V
Z
- 齐纳电压（ V）
V
Z
- 齐纳电压（ V）
35
10
T = -25
C
A
T
A
= 25
C
T
A
= 85
C
T
A
= 100
C
30
T
A
= -25
C
T
A
= 25
C
T
A
= 85
C
5
25
0
1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
20
1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
12齐纳电压与稳压温度
33齐纳电压与稳压温度
BZX84系列版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
BZX84C2V4
THRU
BZX84C47
表面贴装
350mW的硅稳压二极管
2.4伏THRU 47伏
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体BZX84C2V4
系列表面贴装硅稳压二极管。
这些高品质的电压调整二极管
设计用于工业，商业用途，
娱乐和计算机应用。
标记验证码：看标识代码开启
电气特性表
SOT- 23 CASE
最大额定值：
（ TA = 25° C除非另有说明）
功耗
工作和存储温度
热阻
符号
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
350
-65到+150
357
单位
mW
°C
° C / W
电气特性：
（ TA = 25 ℃） ， VF = 0.9V最大@ IF = 10毫安对所有类型。
型号
齐纳
电压
VZ @ IZT
民
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
最大
mA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.9
9.6
10.6
TEST
当前
最大
齐纳
阻抗
最大
反向
当前
最大最大
记号
齐纳
齐纳
CODE
电流电压
温度。
COEFF 。
IZM
mA
104
92
83
76
69
64
58
53
49
45
40
37
33
30
27
25
Θ
VZ
% / °C
-0.06
-0.06
-0.06
-0.06
-0.06
-0.06
-0.05
-0.03
0.02
0.03
0.04
0.05
0.05
0.06
0.06
0.07
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
ZZT @ IZT
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
ZZK @ IZK
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
IR @ VR
A
50
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
伏VOLTS伏
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3V0
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
公差代号
A
B
公差
±1%
±2%
产品型号标识
B Z X 84℃ 4V7
标称值码（即4.7伏）
公差代号
设备系列
R5 （ 2004年30月）
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