【BZX84B4V7LT1,BZX84C2V4LT1系列齐纳稳压器225 mW的SOT- 23表面贴装】,IC型号BZX84C2V4LT3G,BZX84C2V4LT3G PDF资料,BZX84C2V4LT3G经销商,ic,电子元器件-51电子网

BZX84B4V7LT1,

BZX84C2V4LT1系列

齐纳稳压器

225 mW的SOT- 23表面贴装

这一系列的齐纳二极管的是提供在方便，表面

贴装塑料SOT- 23封装。这些设备被设计成提供

电压调节以最小的空间要求。他们是很好

适合于各种应用，如蜂窝电话，手持式便携设备，

和高密度的印刷电路板。

特点

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3

阴极

1

阳极

225毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局

齐纳击穿电压范围 - 2.4 V至75 V

包装最优设计自动化委员会汇编

小封装尺寸为高密度应用

ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型

紧公差系列可用（见第4页）

无铅包可用

记号

图

3

1

2

SOT23

CASE 318

风格8

1

XXX M

G

机械特性

案例：

无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳

表面处理：

完成耐腐蚀，易焊

最大外壳焊接温度的目的：

260℃ 10秒

极性：

阴极指示的极性带

可燃性等级：

符合UL 94 V -0

最大额定值

等级

总功耗的FR- 5局，

（注1 ） @ T

A

= 25°C

25°C以上降额

热阻，结到环境

对氧化铝的总功耗

基底，（注2） @ T

A

= 25°C

25°C以上降额

热阻，结到环境

结温和存储温度范围

符号

P

D

225

1.8

556

300

2.4

417

-65

+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

最大

单位

xxx

=器件代码

M

=日期代码*

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向可能有所不同

在制造地点。

订购信息

设备

BZX84CxxxLT1

BZX84CxxxLT1G

BZX84CxxxLT3

BZX84CxxxLT3G

BZX84BxxxLT1

BZX84BxxxLT1G

BZX84BxxxLT3

BZX84BxxxLT3G

包

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

R

qJA

P

D

R

qJA

T

J

, T

英镑

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1， FR - 5 = 1.0 X 0.75 X 0.62英寸

2.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024英寸，99.5％的氧化铝。

SOT- 23万/磁带&卷轴

（无铅）

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

器件标识信息

请参阅该设备的特定标识信息标识

电气特性表的第3页列

此数据表。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

1

2005年10月 - 11牧师

出版订单号：

BZX84C2V4LT1/D

BZX84B4V7LT1 ， BZX84C2V4LT1系列

电气特性

（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极）（T

A

= 25°C

除非另有说明，V

F

= 0.95 V最大。 @我

F

= 10 mA）的

符号

V

Z

I

ZT

Z

ZT

I

R

V

R

I

F

V

F

QV

Z

C

参数

反向击穿电压@ I

ZT

反向电流

最大齐纳阻抗@ I

ZT

反向漏电流@ V

R

反向电压

正向电流

正向电压@ I

F

V的最大温度系数

Z

马克斯。电容@ V

R

= 0且f = 1 MHz的

V

Z

V

R

I

R

V

F

I

ZT

V

I

F

I

齐纳稳压器

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2

BZX84B4V7LT1 ， BZX84C2V4LT1系列

电气特性 - BZX84CxxxLT1系列（标准公差）

（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极）（T

A

= 25 ° C除非另有说明，V

F

= 0.90 V最大。 @我

F

= 10 mA）的

（中列出的设备

粗体，斜体

是安森美半导体的优选设备。）

V

Z1

（伏）

@ I

ZT1

= 5毫安

（注3）

设备

记号

Z11

Z12

Z13

Z14

Z15

Z16

W9

Z1

Z2

Z3

Z4

Z5

Z6

Z7

Z8

Z9

Y1

Y2

Y3

Y4

Y5

Y6

Y7

Y8

Y9

V

Z2

(V)

@ I

ZT2

= 1毫安

（注3）

V

Z3

(V)

@ I

ZT3

= 20毫安

（注3）

最大反向

泄漏

当前

I

R

mA

50

20

10

5

3

2

1

3

2

1

0.7

0.5

0.2

0.1

0.05

V

R

@伏

1

2

4

5

6

7

8

10.5

11.2

12.6

14

15.4

16.8

q

VZ

（毫伏/ K）的

@ I

ZT1

= 5毫安

民

3.5

2.7

2.0

0.4

1.2

2.5

3.2

3.8

4.5

5.4

6.0

7.0

9.2

10.4

12.4

14.4

16.4

18.4

最大

0

2.5

0

0.2

1.2

2.5

3.7

4.5

5.3

6.2

7.0

8.0

9.0

10.0

11.0

13.0

14.0

16.0

18.0

20.0

22.0

设备*

BZX84C2V4LT1 ，G

BZX84C2V7LT1 ，G

BZX84C3V0LT1 ，G

BZX84C3V3LT1 ，G

BZX84C3V6LT1 ，G

BZX84C3V9LT1 ，G

BZX84C4V3LT1 ，G

BZX84C4V7LT1 ，G

BZX84C5V1LT1 ，G

BZX84C5V6LT1 ，G

BZX84C6V2LT1 ，G

BZX84C6V8LT1 ，G

BZX84C7V5LT1 ，G

BZX84C8V2LT1 ，G

BZX84C9V1LT1 ，G

BZX84C10LT1 ，G

BZX84C11LT1 ，G

BZX84C12LT1 ，G

BZX84C13LT1 ，G

BZX84C15LT1 ，G

BZX84C16LT1 ，G

BZX84C18LT1 ，G

BZX84C20LT1 ，G

BZX84C22LT1 ，G

BZX84C24LT1 ，G

民

2.2

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

喃

2.4

2.7

3

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

最大

2.6

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5

5.4

6

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

Z

ZT1

(W)

@ I

ZT1

=

5毫安

100

95

90

80

60

40

10

15

20

25

30

40

45

55

70

民

1.7

1.9

2.1

2.3

2.7

2.9

3.3

3.7

4.2

4.8

5.6

6.3

6.9

7.6

8.4

9.3

10.2

11.2

12.3

13.7

15.2

16.7

18.7

20.7

22.7

最大

2.1

2.4

2.7

2.9

3.3

3.5

4

4.7

5.3

6

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14

15.5

17

19

21.1

23.2

25.5

Z

ZT2

(W)

@ I

ZT2

=

1毫安

600

500

480

400

150

80

100

150

170

200

225

250

民

2.6

3

3.3

3.6

3.9

4.1

4.4

4.5

5

5.2

5.8

6.4

7

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.5

13.9

15.4

16.9

18.9

20.9

22.9

最大

3.2

3.6

3.9

4.2

4.5

4.7

5.1

5.4

5.9

6.3

6.8

7.4

8

8.8

9.7

10.7

11.8

12.9

14.2

15.7

17.2

19.2

21.4

23.4

25.7

Z

ZT3

(W)

@ I

ZT3

=

20毫安

50

40

30

15

10

6

8

10

15

20

25

C（ pF）的

@ V

R

= 0

F = 1 MHz的

450

260

225

200

185

155

140

135

130

120

110

105

100

85

80

V

Z1

下面

@ I

ZT1

= 2毫安

设备

记号

Y10

Y11

Y12

Y13

Y14

Y15

Y16

Y17

Y18

Y19

Y20

Y21

民

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

喃

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

最大

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

79

设备

BZX84C27LT1 ，G

BZX84C30LT1 ，G

BZX84C33LT1 ，G

BZX84C36LT1 ，G

BZX84C39LT1 ，G

BZX84C43LT1 ，G

BZX84C47LT1 ，G

BZX84C51LT1 ，G

BZX84C56LT1 ，G

BZX84C62LT1 ，G

BZX84C68LT1 ，G

BZX84C75LT1 ，G

Z

ZT1

下面

@ I

ZT1

=

2毫安

80

90

130

150

170

180

200

215

240

255

V

Z2

下面

@ I

ZT2

= 0.1 m-

A

民

25

27.8

30.8

33.8

36.7

39.7

43.7

47.6

51.5

57.4

63.4

69.4

最大

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

79

Z

ZT2

下面

@ I

ZT4

=

0.5毫安

300

325

350

375

400

425

450

475

500

V

Z3

下面

@ I

ZT3

= 10毫安

民

25.2

28.1

31.1

34.1

37.1

40.1

44.1

48.1

52.1

58.2

64.2

70.3

最大

29.3

32.4

35.4

38.4

41.5

46.5

50.5

54.6

60.8

67

73.2

80.2

Z

ZT3

下面

@ I

ZT3

=

10毫安

45

50

55

60

70

80

90

100

110

120

130

140

最大反向

泄漏

当前

I

R

mA

0.05

@

V

R

(V)

18.9

21

23.1

25.2

27.3

30.1

32.9

35.7

39.2

43.4

47.6

52.5

q

VZ

（毫伏/ k）的下面

@ I

ZT1

= 2毫安

民

21.4

24.4

27.4

30.4

33.4

37.6

42.0

46.6

52.2

58.8

65.6

73.4

最大

25.3

29.4

33.4

37.4

41.2

46.6

51.8

57.2

63.8

71.6

79.8

88.6

C（ pF）的

@ V

R

= 0

F = 1 MHz的

70

45

40

35

3.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I

Z

在25 ℃的环境温度下进行。

*在“G”后缀表示无铅封装。

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3

BZX84B4V7LT1 ， BZX84C2V4LT1系列

电气特性 - BZX84BxxxL （窄偏差系列）

（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极）（T

A

= 25 ° C除非另有说明，V

F

= 0.90 V最大。 @我

F

= 10 mA）的

最大反向

泄漏

当前

I

R

mA

3

2

1

3

2

1

0.7

0.5

0.05

@

伏

2

4

5

6

11.2

12.6

民

3.5

2.7

2

0.4

1.2

2.5

3.2

3.8

10.4

12.4

最大

0.2

1.2

2.5

3.7

4.5

5.3

6.2

7

14

16

V

R

V

Z

（伏特） @我

ZT

= 5毫安

（注4 ）

设备

BZX84B4V7LT1 ，G

BZX84B5V1LT1 ，G

BZX84B5V6LT1 ，G

BZX84B6V2LT1 ，G

BZX84B6V8LT1 ，G

BZX84B7V5LT1 ，G

BZX84B8V2LT1 ，G

BZX84B9V1LT1 ，G

BZX84B16LT1 ，G

BZX84B18LT1 ，G

设备

记号

T10

T11

T12

T13

T14

T15

T16

T17

T19

T20

民

4.61

5.00

5.49

6.08

6.66

7.35

8.04

8.92

15.7

17.6

喃

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

16

18

最大

4.79

5.20

5.71

6.32

6.94

7.65

8.36

9.28

16.3

18.4

Z

ZT

(W) @

I

ZT

= 5毫安

（注4 ）

最大

80

60

40

10

15

40

45

q

VZ

（毫伏/ K）的

@ I

ZT

= 5毫安

C（ pF）的

@ V

R

=0,

F = 1 MHz的

260

225

200

185

155

140

135

130

105

100

4.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I

Z

在25 ℃的环境温度下进行。

*在“G”后缀表示无铅封装。

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4

BZX84B4V7LT1 ， BZX84C2V4LT1系列

典型特征

θ

VZ ，温度系数（毫伏/ C）

°

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

V

Z

@ I

ZT

典型的牛逼

C

值

100

θ

VZ ，温度系数（毫伏/ C）

°

典型的牛逼

C

值

V

Z

@ I

ZT

10

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

11

12

1

10

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

100

图1.温度系数

（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）

图2.温度系数

（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）

1000

ZT ，动态阻抗（

Ω

)

I

Z

= 1毫安

5毫安

20毫安

10

T

J

= 25°C

I

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

F = 1千赫

1000

IF ，正向电流（mA ）

75 V （ MMBZ5267BLT1 ）

91 V（ MMBZ5270BLT1 ）

100

10

150°C

1

10

V

Z

，额定齐纳电压

100

1

0.4

0.5

75°C 25°C

0.6

0°C

1.1

1.2

0.7

0.8

0.9

1.0

V

F

，正向电压（ V）

齐纳电压对图3.影响

齐纳阻抗

图4.典型正向电压

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5