BZX84C2V4ET1系列
齐纳稳压器
225 mW的SOT- 23表面贴装
这一系列的齐纳二极管的是提供在方便，表面
贴装塑料SOT- 23封装。这些设备被设计成提供
电压调节以最小的空间要求。他们是很好
适合于各种应用，如蜂窝电话，手持式便携设备，
和高密度的印刷电路板。
规格特点
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225毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
齐纳击穿电压范围 - 2.4 V至75 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
峰值功率 - 225 W（ 8
X
20
女士）
无铅包装是否可用
3
阴极
1
阳极
3
1
2
SOT23
CASE 318
风格8
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
标记图
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
峰值功耗@ 20
ms
（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
总功耗的FR- 5局，
（注2 ） @ T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻，
结到环境
对氧化铝的总功耗
基底， （注3） @ T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻，
结到环境
结存储
温度范围
符号
P
pk
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-65
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
BZX84CxxxET3
最大
225
单位
瓦
XXXM
XXX =具体设备守则
M =日期代码
订购信息
设备
BZX84CxxxET1
BZX84CxxxET1G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第2页上栏
此数据表。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
按照图9 1.非重复性电流脉冲。
2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024中，99.5％的氧化铝。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年7月 - 第3版
出版订单号：
BZX84C2V4ET1/D
BZX84C2V4ET1系列
电气特性
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25°C
除非另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
R
V
R
I
F
V
F
QV
Z
C
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V的最大温度系数
Z
马克斯。电容@ V
R
= 0且f = 1 MHz的
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
电气特性
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.90 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
（中列出的设备
粗体，斜体
是安森美半导体的优选设备。 ）
V
Z1
(V)
@ I
ZT1
= 5毫安
（注4 ）
设备
BZX84C3V3ET1
设备
Mark-
ING
BA4
民
3.1
喃
3.3
最大
3.5
V
Z2
(V)
@ I
ZT2
= 1毫安
（注4 ）
民
2.3
最大
2.9
V
Z3
(V)
@ I
ZT3
= 20毫安
（注4 ）
民
3.6
最大
4.2
最大
反向
泄漏
当前
V
I
R
@
R
mA
(V)
5
1
q
VZ
C（ pF）的
（毫伏/ K）的
@
@ I
ZT1
± 5毫安
V
R
= 0
f=
最小值最大值为1 MHz
3.5
0
450
Z
ZT1
(W)
@ I
ZT1
=
5毫安
95
Z
ZT2
(W)
@ I
ZT2
=
1毫安
600
Z
ZT3
(W)
@
I
ZT3
=
20毫安
40
BZX84C4V7ET1
BZX84C5V1ET1
BZX84C5V6ET1
BZX84C6V2ET1 ， G *
BZX84C6V8ET1
BZX84C7V5ET1
BZX84C10ET1
BA9
BB1
BB2
BB3
BB4
BB5
BB8
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
9.4
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
10
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
10.6
80
60
40
10
15
15
20
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
9.3
4.7
5.3
6
6.6
7.2
7.9
10.6
500
480
400
150
80
80
150
4.5
5
5.2
5.8
6.4
7
9.4
5.4
5.9
6.3
6.8
7.4
8
10.7
15
15
10
6
6
6
10
3
2
1
3
2
1
0.2
2
2
2
4
4
5
7
3.5
2.7
2.0
0.4
1.2
2.5
4.5
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
8.0
260
225
200
185
155
140
130
BZX84C12ET1
BZX84C15ET1
BZX84C16ET1
BC1
BC3
BC4
11.4
14.3
15.3
12
15
16
12.7
15.8
17.1
25
30
40
11.2
13.7
15.2
12.7
15.5
17
150
200
200
11.4
13.9
15.4
12.9
15.7
17.2
10
20
20
0.1
0.05
0.05
8
10.5
11.2
6.0
9.2
10.4
10.0
13.0
14.0
130
110
105
BZX84C18ET1
BZX84C24ET1
BC5
BC8
16.8
22.8
18
24
19.1
25.6
45
70
16.7
22.7
19
25.5
225
250
16.9
22.9
19.2
25.7
20
25
0.05
0.05
12.6
16.8
12.4
18.4
16.0
22.0
100
80
设备
BZX84C27ET1
BZX84C43ET1
设备
Mark-
ING
BC9
BK6
V
Z1
下面
@ I
ZT1
= 2毫安
民
25.1
40
喃
27
43
最大
28.9
46
Z
ZT1
下面
@ I
ZT1
=
2毫安
80
150
V
Z2
下面
@ I
ZT2
=
0.1毫安
民
25
39.7
最大
28.9
46
Z
ZT2
下面
@ I
ZT4
=
0.5毫安
300
375
V
Z3
下面
@ I
ZT3
= 10 m
A
民
25.2
40.1
最大
29.3
46.5
Z
ZT3
下面
@ I
ZT3
=
10毫安
45
80
最大
反向
泄漏
当前
V
I
R
@
R
mA
(V)
0.05
0.05
18.9
30.1
q
VZ
（毫伏/ k）的BE-
低
@ I
ZT1
= 2
mA
民
21.4
37.6
最大
25.3
46.6
C（ pF）的
@ V
R
=0
f=
1兆赫
70
40
*在“G”后缀表示无铅封装。
4.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度
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2
BZX84C2V4ET1系列
典型特征
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
100
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
典型的牛逼
C
值
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
V
Z
@ I
ZT
10
1
2
3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
1000
ZT ，动态阻抗（
)
I
Z
= 1毫安
T
J
= 255C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
75 V （ MMBZ5267BLT1 ）
91 V（ MMBZ5270BLT1 ）
100
5毫安
20毫安
10
100
10
150°C
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
1
0.4
0.5
75°C 25°C
0°C
1.1
1.2
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图3.影响
齐纳阻抗
图4.典型正向电压
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3
BZX84C2V4ET1系列
包装尺寸
SOT23
TO236AB
CASE 318-09
ISSUE AJ
A
L
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. MAXIUMUM引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
4. 318-01 ， -02 ， -06和陈旧，新
标准318-09 。
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0385 0.0498
0.0140 0.0200
0.0670 0.0826
0.0040 0.0098
0.0034 0.0070
0.0180 0.0236
0.0350 0.0401
0.0830 0.0984
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.99
1.26
0.36
0.50
1.70
2.10
0.10
0.25
0.085
0.177
0.45
0.60
0.89
1.02
2.10
2.50
0.45
0.60
3
1
2
B
S
V
G
C
D
H
K
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
风格8 ：
PIN 1.阳极
2.未连接
3.阴极
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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5
QQ：2881677436 复制
