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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第35页 > BZX84C11
齐纳二极管（ BZX84C 3V3 - BZX84C 33 ）
齐纳二极管
BZX84C 3V3 - BZX84C 33
公差： C = 5 ％
绝对最大额定值*
符号
I
FRM
I
ZRM
P
D
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
重复峰值正向电流（I
FRM
)
重复峰值工作电流（I
ZRM
)
功耗
存储温度范围
工作结温
价值
250
250
350
-55到+150
+ 150
单位
mA
mA
mW
°C
°C
3
2
1
SOT-23
连接
图
3
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
1
2 NC
电气特性
设备
BZX84C 3V3
BZX84C 3V6
BZX84C 3V9
BZX84C 4V3
BZX84C 4V7
BZX84C 5V1
BZX84C 5V6
BZX84C 6V2
BZX84C 6V8
BZX84C 7V5
BZX84C 8V2
BZX84C 9V1
BZX84C 10
BZX84C 11
BZX84C 12
BZX84C 13
BZX84C 15
BZX84C 16
BZX84C 18
BZX84C 20
BZX84C 22
BZX84C 24
T
A
= 25 ° C除非另有说明
I
Z
= 5.0毫安
I
Z
= 1.0毫安
Z
Z
()
民
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
I
Z
= 20毫安
标志
民
Z14
Z15
Z16
Z17
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
V
Z
(V)
最大
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
V
Z
(V)
最大
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.0
15.5
17
19
21.1
23.2
25.5
Z
Z
()
民
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
3.6
3.9
4.1
4.4
4.5
5.0
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.5
13.9
15.4
16.9
18.9
20.9
22.9
V
Z
(V)
最大
4.2
4.5
4.7
5.1
5.4
5.9
6.3
6.8
7.4
8.0
8.8
9.7
10.7
11.8
12.9
14.2
15.7
17.2
19.2
21.4
23.4
25.7
Z
Z
()
40
40
30
30
15
15
10
6
6
6
6
8
10
10
10
15
20
20
20
20
25
25
注意：
在全国首选设备
胆大
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
BZX84系列版本C
齐纳二极管（ BZX84C 3V3 - BZX84C 33 ）
齐纳二极管（ BZX84C 3V3 - BZX84C 33 ）
（续）
电气特性
设备
BZX84C 27
BZX84C 30
BZX84C 33
（续）
TA = 25° C除非另有说明
I
Z
= 2.0毫安
I
Z
= 100
A
I
Z
= 10毫安
标志
Y10
Y11
Y12
V
Z
(V)
民
25.1
28
31
最大
28.9
32
35
Z
Z
()
80
80
80
V
Z
(V)
民
25
27.8
30.8
最大
28.9
32
35
Z
Z
()
300
300
325
V
Z
(V)
民
25.2
28.1
31.1
最大
29.3
32.4
35.4
Z
Z
()
45
50
55
V
F
FOWARD电压= 0.9 V最大@我
F
= 10毫安所有BZX 84系列
设备
BZX84C 3V3
BZX84C 3V6
BZX84C 3V9
BZX84C 4V3
BZX84C 4V7
BZX84C 5V1
BZX84C 5V6
BZX84C 6V2
BZX84C 6V8
BZX84C 7V5
BZX84C 8V2
BZX84C 9V1
BZX84C 10
BZX84C 11
BZX84C 12
BZX84C 13
BZX84C 15
BZX84C 16
BZX84C 18
BZX84C 20
BZX84C 22
BZX84C 24
BZX84C 27
BZX84C 30
BZX84C 33
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
(A)
5.0
5.0
5.0
5.0
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
I
R
CAP *
（PF ）
450
450
450
450
260
225
200
185
155
140
135
130
130
130
130
120
110
105
100
85
85
80
70
70
70
D
VZ
/ D
t
@
5.0毫安
（毫伏/ K）的
民
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 2.7
- 2.0
+ 0.4
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.2
+ 3.8
+ 4.5
+ 5.4
+ 6.0
+ 7.0
+ 9.2
+ 10.4
+ 12.4
+ 14.4
+ 16.4
+ 18.4
+ 21.4
+ 24.4
+ 27.4
最大
0.0
0.0
0.0
0.0
+ 0.2
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.7
+ 4.5
+ 5.3
+ 6.2
+ 7.0
+ 8.0
+ 9.0
+ 10
+ 11
+ 13
+ 14
+ 16
+ 18
+ 20
+ 22
+ 25.3
+ 29.4
+ 33.4
*
电容@ VR = 0.0伏;频率= 1.0兆赫。
BZX84系列版本C
齐纳二极管（ BZX84C 3V3 - BZX84C 33 ）
齐纳二极管（ BZX84C 3V3 - BZX84C 33 ）
（续）
典型特征
35
5000
V
Z
= 33.0V
V
Z
- 齐纳电压（ V）
25
20
15
10
5
1
V
Z
= 5.1V
V
Z
= 3.3V
T
A
= 25
C
Z
Z
- 阻抗（欧姆）
30
2000
1000
500
V
Z
= 3.3V
200
100
50
V
Z
= 5.1V
T
A
= 25
C
V
Z
= 33.0V
V
Z
= 12.0V
20
10
V
Z
= 12.0V
5
2
1
0.1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
0.2
0.5
1
2
5
I
Z
- 齐纳电流（mA）
10
20
齐纳电流与齐纳电压
齐纳电流与齐纳阻抗
5
6
V
Z
= 3.3V
V
Z
= 5.1V
V
Z
- 齐纳电压（ V）
V
Z
- 齐纳电压（ V）
4
T
A
= -25
C
T
A
= 25
C
5.5
T
A
= 125
C
3
T
A
= 85
C
5
T
A
= 100
C
T
A
= 25
C
T
A
= -25
C
T
A
= 85
C
2
T
A
= 100
C
T
A
= 125
C
4.5
1
4
1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
3.3齐纳电压与温度的关系
5.1齐纳电压与温度的关系
15
V
Z
= 12.0V
40
T
A
= 125
C
V
Z
= 33.0V
T
A
= 100
C
T
A
= 125
C
V
Z
- 齐纳电压（ V）
V
Z
- 齐纳电压（ V）
35
10
T = -25
C
A
T
A
= 25
C
T
A
= 85
C
T
A
= 100
C
30
T
A
= -25
C
T
A
= 25
C
T
A
= 85
C
5
25
0
1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
20
1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
12齐纳电压与稳压温度
33齐纳电压与稳压温度
BZX84系列版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
BZX84C 4V7 - BZX84C 33系列
BZX84C 3V3 - BZX84C 33系列齐纳二极管
公差： C = 5 ％
绝对最大额定值*
参数
存储温度范围
最高结工作温度
器件总功耗
减免上述25℃
重复峰值正向电流（I
FRM
)
重复峰值工作电流（I
ZRM
)
TA = 25° C除非另有说明
价值
-55到+150
+ 150
350
1.8
250
250
单位
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
mA
3
2
1
SOT-23
连接
图
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
3
1
2 NC
电气特性
I
ZT
= 5.0毫安
TA = 25° C除非另有说明
I
ZT
= 1.0毫安
I
ZT
= 20毫安
设备
BZX84C 3V3
BZX84C 3V6
BZX84C 3V9
BZX84C 4V3
BZX84C 4V7
BZX84C 5V1
BZX84C 5V6
BZX84C 6V2
BZX84C 6V8
BZX84C 7V5
BZX84C 8V2
BZX84C 9V1
BZX84C 10
BZX84C 11
BZX84C 12
BZX84C 13
BZX84C 15
BZX84C 16
BZX84C 18
BZX84C 20
BZX84C 22
BZX84C 24
标志
Z14
Z15
Z16
Z17
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
民
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
V
Z
(V)
最大
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
Z
Z
()
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
民
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
V
Z
(V)
最大
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.0
15.5
17
19
21.1
23.2
25.5
Z
Z
()
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
民
3.6
3.9
4.1
4.4
4.5
5.0
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.5
13.9
15.4
16.9
18.9
20.9
22.9
V
Z
(V)
最大
4.2
4.5
4.7
5.1
5.4
5.9
6.3
6.8
7.4
8.0
8.8
9.7
10.7
11.8
12.9
14.2
15.7
17.2
19.2
21.4
23.4
25.7
Z
Z
()
40
40
30
30
15
15
10
6
6
6
6
8
10
10
10
15
20
20
20
20
25
25
注意：
在全国首选设备
胆大
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
BZX84系列版本A
BZX84C 4V7 - BZX84C 33系列
BZX84C系列齐纳二极管
（续）
电气特性
设备
BZX84C 27
BZX84C 30
BZX84C 33
（续）
TA = 25° C除非另有说明
I
ZT
= 2.0毫安
I
ZT
= 100
A*
I
ZT
= 10毫安
标志
Y10
Y11
Y12
民
25.1
28
31
V
Z
(V)
最大
28.9
32
35
Z
Z
()
80
80
80
民
25
27.8
30.8
V
Z
(V)
最大
28.9
32
35
Z
Z
()
300
300
325
民
25.2
28.1
31.1
V
Z
(V)
最大
29.3
32.4
35.4
Z
Z
()
45
50
55
V
F
FOWARD电压= 0.9 V最大@我
F
= 10毫安所有BZX 84系列
*
电容@ VR = 0.0伏;频率= 1.0兆赫。
设备
BZX84C 3V3
BZX84C 3V6
BZX84C 3V9
BZX84C 4V3
BZX84C 4V7
BZX84C 5V1
BZX84C 5V6
BZX84C 6V2
BZX84C 6V8
BZX84C 7V5
BZX84C 8V2
BZX84C 9V1
BZX84C 10
BZX84C 11
BZX84C 12
BZX84C 13
BZX84C 15
BZX84C 16
BZX84C 18
BZX84C 20
BZX84C 22
BZX84C 24
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
I
R
(A)
5.0
5.0
5.0
5.0
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
CAP *
（PF ）
450
450
450
450
260
225
200
185
155
140
135
130
130
130
130
120
110
105
100
85
85
80
D
VZ
/ D
t
@
5.0毫安
（毫伏/ K）的
民
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 2.7
- 2.0
+ 0.4
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.2
+ 3.8
+ 4.5
+ 5.4
+ 6.0
+ 7.0
+ 9.2
+ 10.4
+ 12.4
+ 14.4
+ 16.4
+ 18.4
（毫伏/ K）的
民
21.4
24.4
27.4
最大
25.3
29.4
33.4
最大
0.0
0.0
0.0
0.0
+ 0.2
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.7
+ 4.5
+ 5.3
+ 6.2
+ 7.0
+ 8.0
+ 9.0
+ 10
+ 11
+ 13
+ 14
+ 16
+ 18
+ 20
+ 22
设备
BZX84C 27
BZX84C 30
BZX84C 33
V
R
(V)
18.9
21
23.1
I
R
(A)
0.05
0.05
0.05
CAP *
（PF ）
70
70
70
D
VZ
/ D
t
@
2.0毫安
SOT- 23卷带式数据和包装尺寸
SOT- 23封装
CON组fi guration ：
图1 。
0
定制香格里拉
BEL
包装说明：
SOT- 23零件运胶带。载带是
从耗散取得（碳填写）聚碳酸酯
树脂。盖带是一米
ultilayer膜（热激活
胶粘剂在NA
TURE ）主要由聚酯薄膜，
粘合剂层，密封剂和防静电喷洒剂。
在标准选项，这些跌跌撞撞PA是随
RTS
3000个单位7"或177厘米卷筒直径。卷轴是
深蓝色的颜色是由聚苯乙烯塑料（抗
d
静电涂层） 。其他选项来10000个单位13"
或330厘米卷筒直径。这和s
青梅其他选项
在P描述
ackaging信息表。
这些完整卷轴是单独标记并放在里面
A S
坦达中间由可回收的瓦楞纸
rd
棕色PAP与Fairchil 标志打印。一个比萨盒
er
包含最多八个卷轴。与THES中间
e
箱子被放置在一个标有出货箱，
有不同的大小取决于T E NU
h
部分MBER
shippe
d.
防静电盖带
人类可读
LABEL
压花
载带
3P
SOT- 23封装信息
包装选项
包装类型
每卷/管材/袋数量
带尺寸
箱尺寸（mm ）
每箱数量最多
每单位重量（克）
每卷重量（kg ）
注/评论
标准
（无码流
)
TNR
3,000
7"迪亚
187x107x183
24,000
0.0082
0.1175
D87Z
TNR
10,000
13"
343x343x64
30,000
0.0082
0.4006
3P
3P
3P
SOT- 23单元方向
343毫米X 342毫米X 64毫米
对于L87Z选项框的中间
人类可读的标签
人类可读的标签样本
乌曼可读
LABEL
SOT- 23磁带片头和片尾
CON组fi guration ：
图2中。
0
187毫米X 107毫米X 183毫米
中间的框架选件
ARD
载带
盖带
组件
拖车带
300毫米最小或
75空POC凯茨
引导带
500毫米最小或
125皆空
1999年9月，版本C
SOT- 23卷带式数据和封装尺寸，继续
SOT- 23压花载带
CON组fi guration ：
图3.0
P0
T
E1
P2
D0
D1
F
E2
B0
Wc
W
Tc
K0
P1
A0
饲料用户方向
尺寸均为毫米
PKG型
SOT-23
(8mm)
A0
3.15
+/-0.10
B0
2.77
+/-0.10
W
8.0
+/-0.3
D0
1.55
+/-0.05
D1
1.125
+/-0.125
E1
1.75
+/-0.10
E2
6.25
民
F
3.50
+/-0.05
P1
4.0
+/-0.1
P0
4.0
+/-0.1
K0
1.30
+/-0.10
T
0.228
+/-0.013
Wc
5.2
+/-0.3
Tc
0.06
+/-0.02
备注： A0，B0 ，和K0尺寸相对于所述的EIA / JEDEC的RS- 481测定
旋转和横向移动的要求（见草图A， B和C ） 。
最高20度
典型
部件
空穴
中线
0.5mm
最大
B0
20度的最大组成部分旋转
0.5mm
最大
素描A（侧面或正面剖视图）
体旋转
A0
素描B（顶视图）
典型
部件
中线
素描C（顶视图）
组件横向移动
SOT- 23卷配置：
图4.0
体旋转
W1测得中心
黯淡了
最大
黯淡了
最大
昏暗的
详细信息，请参阅AA
7"直径选项
B敏
尺寸C
详细信息，请参阅AA
W3
昏暗的
民
13"直径选项
W2最大的测量中心
DETAIL AA
尺寸为英寸和毫米
磁带尺寸
8mm
REEL
选项
7"迪亚
黯淡了
7.00
177.8
13.00
330
昏暗的B
0.059
1.5
0.059
1.5
尺寸C
512 +0.020/-0.008
13 +0.5/-0.2
512 +0.020/-0.008
13 +0.5/-0.2
昏暗的
0.795
20.2
0.795
20.2
昏暗的
2.165
55
4.00
100
昏暗W1
0.331 +0.059/-0.000
8.4 +1.5/0
0.331 +0.059/-0.000
8.4 +1.5/0
昏暗的W2
0.567
14.4
0.567
14.4
朦胧W3 （ LSL - USL ）
0.311 – 0.429
7.9 – 10.9
0.311 – 0.429
7.9 – 10.9
8mm
13"迪亚
1999年9月，版本C
SOT- 23卷带式数据和封装尺寸，继续
SOT- 23 （ FS PKG代码49 ）
1:1
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
如下图所示尺寸是：
英寸[毫米]
每单位的部分重量（克）： 0.0082
1998年9月修订版A1
大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
SILIICON平面稳压二极管
3
3
BZX84C2V4至75V
SOT-23
形成SMD封装
引脚配置
1 = A N ODE
2 - NC
3 =阴极
2
1
1
2
低电压通用稳压二极管
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
描述
工作电压容差
重复峰值正向电流
重复峰值工作电流
功率耗散高达牛逼
a
=25C
功率耗散高达牛逼
c
=25C
结温
储存温度
热阻
结到环境
*安装在陶瓷校友设备
**设备安装在FR5印刷电路板
在正向电压V
F
<0.9V在10mA到<1.5V在200毫安
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
设备
工作
迪FF erential
温度
迪FF erential
电压
阻力
系数
阻力
rdiff进行（ Ω ）
rdiff进行（ Ω ）
S
Z
（毫伏/ K）的
***V
Z
( + 5%)
(V)
在我
Z
test=5mA
民
最大
2.20
2.60
2.50
2.90
2.80
3.20
3.10
3.50
3.40
3.80
3.70
4.10
4.00
4.60
4.40
5.00
4.80
5.40
5.20
6.00
5.80
6.60
6.40
7.20
7.00
7.90
7.70
8.70
8.50
9.60
9.40
10.60
在我
Z
test=5mA
最大
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
在我
Z
test=5mA
民
最大
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
0.2
-2.7
1.2
-2.0
2.5
0.4
3.7
1.2
4.5
2.5
5.3
3.2
6.2
3.8
7.0
4.5
8.0
在我
Z
test=1mA
最大
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
I
R
A
在V
R
记号
符号
I
FRM
I
ZRM
*P
D
**P
D
T
j
T
英镑
价值
+5
250
250
300
250
150
- 65 + 150
单位
%
mA
mA
mW
mW
°C
°C
*R
号（j -a）的
420
K / W
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3V0
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
最大
50
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
BZX84C2V4_75V Rev_060506E
***脉冲测试20毫秒< TP < 50毫秒
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页4
SILIICON平面稳压二极管
3
BZX84C2V4至75V
SOT-23
形成SMD封装
3
引脚配置
1 = A N ODE
2 - NC
3 =阴极
2
1
1
2
在正向电压V
F
<0.9V在10mA到<1.5V在200毫安
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
设备
工作
迪FF erential
温度
迪FF erential
电压
阻力
系数
阻力
rdiff进行（ Ω ）
rdiff进行（ Ω ）
S
Z
（毫伏/ K）的
***V
Z
( + 5%)
(V)
在我
Z
test=1mA
在我
Z
test=5mA
在我
Z
测试= 5毫安在我
Z
test=5mA
民
最大
最大
民
最大
最大
10.40
11.60
20
5.4
9.0
150
BZX84C11
12.70
25
6.0
10
150
BZX84C12
11.40
14.10
30
7.0
11
170
BZX84C13
12.40
15.60
30
9.2
13
200
BZX84C15
13.80
40
17.10
10.4
14
200
BZX84C16
15.30
19.10
45
12.4
16
225
BZX84C18
16.80
21.20
55
14.4
18
225
BZX84C20
18.80
23.30
55
16.4
20
250
BZX84C22
20.80
25.60
70
18.4
22
250
BZX84C24
22.80
在我
Z
test=2mA
BZX84C27
BZX84C30
BZX84C33
BZX84C36
BZX84C39
BZX84C43
BZX84C47
BZX84C51
BZX84C56
BZX84C62
BZX84C68
BZX84C75
25.10
28.00
31.00
34.00
37.00
40.00
44.00
48.00
52.00
58.00
64.00
70.00
28.90
32.00
35.00
38.00
41.00
46.00
50.00
54.00
60.00
66.00
72.00
79.00
在我
Z
Test=2mA
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
在我
Z
Test=2mA
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
37.6
42.0
46.6
52.2
58.8
65.6
73.4
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
46.6
51.8
57.2
63.8
71.6
79.8
88.6
在我
Z
Test=0.5mA
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
Y16
Y17
Y18
Y19
Y20
Y21
I
R
A
在V
R
记号
最大
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
(V)
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
BZX84C2V4_75V Rev_060506E
***脉冲测试20毫秒< TP < 50毫秒
大陆设备印度有限公司
数据表
第2页4
BZX84C2V4至75V
SOT-23
形成SMD封装
SOT- 23形成SMD封装
±0.05
2.50
± 0.02
0.60
±0.025
1.30
±0.02
0.60
100.0±0.5 / 54.5 ±0.5
329.2±0.5 / 178 ±0.5
7.9 – 10.9
9.2±0.5
SOT- 23封装卷信息
卷轴规范W"包装（ 13"卷轴）
14.4
最大
1
±0 5
.02
2 0
.9
±0 5
.0
1 0
.9
cL
3
0 0
.4
+ .0
0 8
-0 2
.0
180
or
330
+0.5
–0.2
13.0
拖车
2
3°
3°
20.2 MIN
±0 2
.0
0.6
0
P ING线
一件T
RO.08
± 1
0.0
0
.12
±4"
±0 4
.0
0 6
.0
R0.08
±0 2
.0 5
0.9
5
注意事项：
6°
0.21
5°
7°
±0.05
2.50
±3"
1.
2.
3.
4.
5.
设备号
330mm的卷轴的子弹带包含至少10,000个器件。
为180mm卷轴的子弹带至少包含3000台设备。
不超过0.5 ％缺少的设备/卷。 50空车厢的330毫米卷轴。
15空车厢的180毫米卷轴。
三个连续的空额可能会发现，只要这种差距其次是6
连续设备。
载带（负责人）开始的至少75空位置（相当于330毫米）。
为了固定载带20至50毫米的自粘合带施加。在最后
的子弹带的至少40空位置（相当于160毫米）的存在。
8mm磁带的
卷的大小
330毫米（ 13" ）
万颗
8mm磁带的
卷的大小
180毫米（ 7" ）
3000颗
磁带规格SOT- 23表面贴装器件
±0.1
4.0
±0.05
±0.1
2.0
4.0
±0.1
1.75
+0.3 ±0.05
- 0.1 3.5
8.0
5.75
最大
±0.05
1.0
3.15
尺寸：mm
±0.05
1.55
±0.10
2.77
±0.1
1.22
1.6
最大
退绕方向
包装细节
包
详细
SOT- 23 T&R
3K/
REEL
10K/
REEL
BZX84C2V4_75V Rev_060506E
标准包装
净重/
数量
136克/
3K个
415克/
10K个
SIZE
内箱箱
数量
12 K
51 K
10 K
SIZE
外箱BOX
数量
192 K
408 K
300 K
克重量
12公斤
28公斤
16公斤
3" X 7.5" X 7.5"
9" X 9" X 9"
13" X 13" X 0.5"
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
19 QUOT ; ×19 ＆ QUOT ; ×19 ＆ QUOT ;
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
大陆设备印度有限公司
数据表
第3页4
FIXING
TAPE
利达
± 0.02
0.60
1.30
7°
0.08
± 0.02
0.60
0.08
2.0±0.5
细节X
尺寸：mm
一百八十零分之三百三mm - 防静电涂层塑料卷轴
客户注意事项
BZX84C2V4至75V
SOT-23
形成SMD封装
组件处置说明
1. CDIL半导体器件均符合RoHS标准，客户要求讨
处置按照当时的自己国家的环境立法。
2.
在欧洲，请处置按照欧盟指令2002/ 96 / EC关于报废电子
电子设备（WEEE ） 。
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的半导体器件（ S）最适合于应用程序的你
产品（第）按您的要求。我们建议你彻底检讨我们的数据表（S ），以确认设备（S ）满足
功能参数为您的应用程序。装修中的数据表和CDIL网站/ CD上的信息被认为是准确的
可靠。 CDIL然而，不承担不准确或不完整信息的责任。此外， CDIL不承担责任
无论如何，所产生的任何CDIL产品的应用或使用的;它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。
这些产品不是设计用于救生/支持设备或系统中使用。 CDIL客户销售这些产品（无论是作为个人
半导体器件或在他们的终端产品纳入），在任何救生/支持设备或系统或应用程序这样做在自己的风险
而CDIL概不负责对此类销售（S ）造成的任何损坏。
CDIL求持续改进，并保留更改产品规格，恕不另行通知。
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区，新德里110 028 ，印度。
电话：+ 91-11-2579 6150 ， 4141 1112传真：+ 91-11-2579 5290 ， 4141 1119
email@cdil.com
www.cdilsemi.com
BZX84C2V4_75V Rev_060506E
大陆设备印度有限公司
数据表
第4页4
BZX84C2V4 ... BZX84C47 （ 300毫瓦）
BZX84C2V4 ... BZX84C47 （ 300毫瓦）
表面贴装硅平面稳压二极管
Silizium -平面齐纳Dioden献给死去Oberflchenmontage
版本2009-01-28
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
最大
300毫瓦
2.4...47 V
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
±0.1
1
2
1.9
尺寸 - 集体[MM ]
1=A
2 =北卡罗来纳州/弗雷
3=C
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 （ 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗 - Verlustleistung
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
T
A
= 25°C
P
合计
T
j
T
S
R
THA
Grenz- UND Kennwerte
BZX84-series
300毫瓦
1
)
-50...+150°C
-50...+150°C
< 420 K / W
1
)
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
钉扎
Anschlubelegung
3
2.5
1.3
TYPE
CODE
15
[马]
10
5,1
4,7
4,3
3,9
I
Z
= 5毫安
3,6
3,3
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
10
1
1=A
2
2 =北卡罗来纳州/弗雷3 = C
5
I
Z
3,0
2,7
2,4
0
4
5
7
0
V
Z
2
3
6
8
10
[V]
齐纳电压 - 齐纳电流 - Abbruchspannung尤伯杯Zenerstrom
1
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
BZX84C2V4 ... BZX84C47 （ 300毫瓦）
最大额定值
TYPE
典型值
记号
CODE
1
)
齐纳电压
2
)
齐纳Spanng 。
2
)
动态电阻
Inhr 。差异。 Widerstand
r
zj
[ Ω ] ，在f = 1千赫
温度。 Coeffic 。
Z-电压
... DER Z- spanng 。
Grenzwerte
反向电压
Sperrspannung
V
R
在/蓓我
R
Z-电流
3
)
Z-斯特罗姆
3
)
T
A
= 50°C
BZX84
I
Z
=
...C2V4
...C2V7
...C3V0
...C3V3
...C3V6
...C3V9
...C4V3
...C4V7
...C5V1
...C5V6
...C6V2
...C6V8
...C7V5
...C8V2
...C9V1
...C10
...C11
...C12
...C13
...C15
...C16
...C18
...C20
...C22
...C24
...C27
...C30
...C33
...C36
...C39
...C43
...C47
Z11/C8
Z12/D8
Z13/E8
Z14/F8
Z15/H8
Z16/J8
W9/K8
Z1/M8
Z2/N8
Z3/P8
Z4/R8
Z5/X8
Z6/Y8
Z7/Z8
Z8/A9
Z9/B9
Y1/C9
Y2/D9
Y3/E9
Y4/F9
Y5/H9
Y6/J9
Y7/K9
Y8/M9
Y9/N9
I
Z
=
Y10/P9
Y11/R9
Y12/X9
Y13/Y9
Y14/Z9
Y15/A0
Y16/B0
V
ZMIN
[V] V
ZMAX
[V]
5毫安
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
2毫安
25.1
28
31
34
37
40
44
5毫安
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
2毫安
28.9
32
35
38
41
46
50
α
VZ
[10
-4
/°C]
-8...-5
-8...-5
-8...-5
-8...-5
-8...-5
-8...-5
-7...-4
-5...-2
-2...+2
-1...+4
+2...+5
+3...+6
+3...+6
+4...+7
+4...+7
+5...+8
+5...+8
+5...+8
+6...+9
+6...+9
+6...+9
+6...+9
+6...+9
+7...+10
+7...+10
+7...+10
+7...+10
+7...+10
+7...+10
+7...+10
+7...+10
+7...+10
V
R
[V ]我
R
[ μA ]我
ZMAX
[马]
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.1
27.3
30.1
32.9
20
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
115
103
94
86
79
73
65
60
56
50
45
42
38
34
31
28
26
24
21
19
18
16
14
13
12
10
9
9
8
7
7
6
5毫安
< 85
< 85
< 85
< 85
< 85
< 85
< 80
< 80
< 60
＆ LT ; 40
＆ LT ; 10
＆ LT ; 15
＆ LT ; 15
＆ LT ; 15
＆ LT ; 15
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
＆ LT ; 25
＆ LT ;三十
＆ LT ;三十
＆ LT ; 40
< 45
＆ LT ; 55
＆ LT ; 55
< 70
2毫安
< 80
< 80
< 80
＆ LT ; 90
＆ LT ; 130
＆ LT ; 150
< 170
1毫安
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 500
< 480
＆ LT ; 400
＆ LT ; 150
< 80
< 80
< 80
＆ LT ; 100
＆ LT ; 150
＆ LT ; 150
＆ LT ; 150
< 170
＆ LT ; 200
＆ LT ; 200
< 225
< 225
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
0.5毫安
＆ LT ; 300
＆ LT ; 300
< 325
＆ LT ; 350
＆ LT ; 350
< 375
< 375
1
2
3
可替换地使用。完整的零件号在包装标签上。
可选择性verwendet 。模具vollstndige冠词，上午十时正。北京时间奥夫DEM Verpackungsetikett angegeben 。
测试了脉冲吨
p
= 5毫秒 - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 5毫秒
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
BZX84C2V4 - BZX84C39
350mW的表面贴装稳压二极管
Pb
RoHS指令
合规
SOT-23
特点
平面模具结构
350 mW的功耗
齐纳电压从2.4V - 39V
非常适合于自动化装配
过程的
机械数据
案例： SOT -23 ，塑料成型
外壳材料 - 防火等级94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
终端：每MIIL - STD- 202焊接的，
方法208
极性：见图
无铅电镀
标识：标识代码
重量： 0.008克（约）
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
等级25
O
C环境温度，除非另有规定。
类型编号
正向电压
功率耗散（注1 ）
热阻结到环境空气
（注1 ）
工作和存储温度范围
@ IF = 10毫安
符号
V
F
Pd
R
θJA
T
J
, T
英镑
价值
0.9
350
357
-65到+ 150
.
单位
V
mW
K / W
O
C
注意事项：
1.
有效的规定，设备终端是在环境温度。
2.测试与脉冲。周期= 5毫秒，脉冲宽度= 300US 。
3， F = 1kHz的。
版本： A07
电气特性
(TA=25
O
C
TYPE
数
（注1 ）
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3V0
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
BZX84C11
BZX84C12
BZX84C13
BZX84C15
BZX84C16
BZX84C18
BZX84C20
BZX84C22
BZX84C24
BZX84C27
BZX84C30
BZX84C33
BZX84C36
BZX84C39
记号
CODE
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
齐纳电压范围（注2）
V
z
@ I
zt
I
ZT
喃（ V）最小值（ V）最大（V ）
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
mA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
除非另有说明）
最大反向
当前
I
R
VR
uA
V
50
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
典型的1.5v1号
系数
@ IZT
毫伏/
o
C
民
最大
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-2.7
-2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
0
0
0
0
0
0
0.0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.1
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
13.0
14.0
16.0
18.0
20.0
22.0
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
最大齐纳
阻抗（注3 ）
Z
ZK @
I
ZK
Z
ZT @
I
ZT
欧
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
欧
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
注：1。有效的规定，设备终端被保持在环境温度下进行。
2.测试用脉冲， 300US的脉冲宽度，周期= 5毫秒。
3， F = 1kHz的。
版本： A07
额定值和特性曲线（ BZX84C2V4 - BZX84C39 ）
FIG.1-功耗降低曲线
FIG.2-齐纳击穿特性
500
P
d
，功耗（毫瓦）
见注1
50
T
j
= 25 C
O
C2V7
C3V9
C5V6
C6V8
C3V3
C4V7
I
Z
，齐纳电流（毫安）
400
300
40
C8V2
30
200
100
0
0
100
T
A
，环境温度， （ C）
FIG.3-齐纳击穿特性
O
20
10
测试电流I
Z
5.0mA
200
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
V
Z
齐纳电压（V）
FIG.4-结电容VS名义
齐纳电压
30
I
Z
，齐纳电流（毫安）
T
j
= 25 C
O
C10
C
j
，结电容（pF ）
C12
1000
V
R
= 1V
V
R
= 2V
T
j
= 25 C
O
20
C15
C18
测试电流I
Z
2mA
100
V
R
= 1V
10
C22
测试电流I
Z
5mA
C27
C33
C36
C39
V
R
= 2V
0
10
0
10
20
30
40
1
10
100
V
Z
齐纳电压（V）
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
版本： A07
桂林斯壯微電子有限責任公司
桂林强微电子有限公司。
BZX84C3V0-C47
SOT- 23表面贴装稳压二极管
表面貼裝穩壓二極管
■
特点
特點
特征
特性參數
符号
符號
最大
最大值
单位
單½
功耗
耗散功率
P
D
(Ta=25
℃
)
I
F
V
F
(@ I
F
=10mA)
300
mW
正向电流
正向電流
250
mA
正向电压
正向電壓
0.9
V
反向电压
反向電壓
V
Z
3-47
V
Junctoin和存储温度
結溫和儲藏溫度
T
J
,
T
英镑
125
℃
,-55to+125
℃
■
SOT- 23内部配置
內部結構
1
3
1
2
桂林斯壯微電子有限責任公司
桂林强微电子有限公司。
■
电气特性
電特性
)
(T
A
=
25
℃
除非另有说明
如無特殊說明，溫度爲
25℃)
特征
测试条件
工作电压V
Z
(V)
微分电阻
r
DIF
(Ω)
I
Z
=5mA
TEMP 。 COEFF 。
S
Z
（毫伏/ K）的
记号
I
Z
=5mA
分钟。
马克斯。
I
Z
=1mA
典型值。
马克斯。
I
Z
=5mA
分钟。
典型值。
马克斯。
典型值。
马克斯。
BZX84C3V0
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
BZX84C11
BZX84C12
BZX84C13
BZX84C15
BZX84C16
BZX84C18
BZX84C20
BZX84C22
BZX84C24
测试条件
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
I
Z
=2mA
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
46.0
50.0
325
350
375
400
400
410
425
400
80
40
30
30
40
40
50
50
50
50
50
50
50
60
60
65
70
75
80
80
85
85
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
300
300
325
350
350
375
375
80
85
85
85
85
80
50
40
15
6
6
6
6
6
8
10
10
10
10
10
10
15
20
I
Z
=2mA
95
95
90
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
80
80
80
90
130
150
170
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-2.7
-2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
37.6
42.0
-2.1
-2.4
-2.4
-2.5
-2.5
-2.5
-1.4
-0.8
1.2
2.3
3.0
4.0
4.6
5.5
6.4
7.4
8.4
9.4
11.4
12.4
14.4
16.4
18.4
I
Z
=2mA
0
0
0
0
0
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
13.0
14.0
16.0
18.0
20.0
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
46.6
51.8
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
Y16
I
Z
=0.5mA
BZX84C27
BZX84C30
BZX84C33
BZX84C36
BZX84C39
BZX84C43
BZX84C47
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
40.0
44.0
25
30
35
35
40
45
50
23.4
26.6
29.7
33.0
36.4
41.2
46.1
桂林斯壯微電子有限責任公司
桂林强微电子有限公司。
BZX84C3V0-C47
■
维
外½封裝尺寸
BZX84C2V4
THRU
BZX84C47
表面贴装
硅稳压二极管
为350mW ， 2.4 THRU 47伏
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体BZX84C2V4
系列表面贴装硅稳压二极管。这些
高品质的电压调节二极管的设计
为在工业，商业，娱乐用途和
计算机应用。
标记验证码：看电器
特性表
SOT- 23 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
单位
mW
°C
° C / W
350
-65到+150
357
电气特性：
（ TA = 25 ℃） ， VF = 0.9V MAX @ IF = 10毫安（所有类型）
齐纳
电压
VZ @ IZT
民
V
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3V0
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
喃
V
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
最大
V
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
TEST
当前
IZT
mA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
最大
齐纳
阻抗
ZZT @ IZT
Ω
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
ZZK @ IZK
Ω
mA
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
反向
当前
IR @
μA
50
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
VR
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
最大
最大
齐纳
齐纳
电压
温度。
当前
COEFF 。
IZM
ΘV
Z
mA
104
92
83
76
69
64
58
53
49
45
40
37
33
30
27
25
% / °C
-0.06
-0.06
-0.06
-0.06
-0.06
-0.06
-0.05
-0.03
0.02
0.03
0.04
0.05
0.05
0.06
0.06
0.07
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
TYPE
记号
CODE
公差代号
A
B
公差
±1%
±2%
产品型号标识
B Z X 84℃ 4V 7
标称值码（即4.7伏）
公差代号
设备系列
R7 （ 2009年20月）
BZX84C2V4
THRU
BZX84C47
表面贴装
硅稳压二极管
为350mW ， 2.4 THRU 47伏
电气特性 - 续：
（ TA = 25 ℃） ， VF = 0.9V MAX @ IF = 10毫安（所有类型）
齐纳
电压
VZ @ IZT
民
V
BZX84C11
BZX84C12
BZX84C13
BZX84C15
BZX84C16
BZX84C18
BZX84C20
BZX84C22
BZX84C24
BZX84C27
BZX84C30
BZX84C33
BZX84C36
BZX84C39
BZX84C43
BZX84C47
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
40.0
44.0
喃
V
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
最大
V
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
46.0
50.0
TEST
当前
IZT
mA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
最大
齐纳
阻抗
ZZT @ IZT
Ω
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
ZZK @ IZK
Ω
mA
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
最大
反向
当前
IR
μA
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
@
VR
V
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
最大
最大
齐纳
齐纳
电压
当前
温度。
COEFF 。
IZM
ΘV
Z
mA
23
21
19
17
16
14
12
11
10
9
8
7
6.9
6.4
5.8
5.3
% / °C
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.10
0.10
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
Y16
TYPE
记号
CODE
SOT- 23案例 - 机械外形
前导码：
1 ）阳极
2 ）无连接
3 ）阴极
R7 （ 2009年20月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
BZX84C2V4系列
表面贴装硅稳压二极管
电压
2.4 75伏特
动力
410毫瓦
特点
平面模施工
410mW功耗
从2.4齐纳电压75V
非常适合于自动装配程序
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
机械数据
案例： SOT -23 ，模压塑料
终端：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性
极性：参见下图
约。重量： 0.008克
安装位置：任意
最大额定值和电气特性
参数
25最大功率耗散（注一）
O
C
工作结storagetemperature范围
符号
价值
410
-55到+150
单位
mW
O
P
D
T
J
C
注意事项：
A.安装在5.0毫米
2
（ 0.013毫米厚）土地面积。
单身
REV.0.1-OCT.5.2009
PAGE 。 1
BZX84C2V4系列
额定齐纳电压
产品型号
无米。 V
马克斯。齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@ I
ZK
Ω
mA
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
uA
V
V
Z
@ I
ZT
M | N 。 V
M A X 。 V
记号
颂歌
Ω
mA
410毫瓦齐纳二极管
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C8V7
BZX84C9V1
BZX84C10
BZX84C11
BZX84C12
BZX84C13
BZX84C14
BZX84C15
BZX84C16
BZX84C17
BZX84C18
BZX84C20
BZX84C22
BZX84C24
BZX84C27
BZX84C28
BZX84C30
BZX84C33
BZX84C36
BZX84C39
BZX84C43
BZX84C47
BZX84C51
BZX84C56
BZX84C62
BZX84C68
BZX84C75
REV.0.1-OCT.5.2009
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
16.15
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
58.90
64.60
71.25
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
17.85
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
65.10
71.40
78.75
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
15
20
20
25
30
30
30
40
40
45
55
55
70
80
80
80
80
90
130
150
170
100
135
150
200
250
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
100
150
150
150
170
170
200
200
200
225
225
250
250
300
300
300
325
350
350
375
375
400
1000
1000
1000
1000
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
50
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.0
10.5
11.2
12.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
20.5
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
38.0
42.0
46.0
51.0
56.0
W1
W2
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
WA
WB
WC
WD
WE
87C
WF
WG
WH
WI
WK
WJ
WL
WM
17C
WN
WO
WP
WR
WS
28C
WT
WU
WW
WX
WY
WZ
XA
X2
X3
X4
X5
PAGE 。 2
BZX84C2V4系列
温度系数（MV /
O
C)
0.6
100
功耗瓦
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
T
A
=25 C
O
10
0
25
50
75
100
125
150
1
10
100
温度（
O
C)
额定齐纳电压，伏
Fig.1
稳定状态
功率降额
图2温度系数的
1000
1000
正向电流毫安
泄漏
当前，微安
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
0
10
20
30
40
50
60
70
100
+150 C
O
+25 C
-55 C
80
90
O
O
10
150
O
C
75 C
O
25
O
C
5
O
C
1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
作者齐纳电压，电压
正向电压，伏
图3典型
泄漏
当前
图4典型正向电压为
REV.0.1-OCT.5.2009
PAGE 。 3
BZX84C2V4系列
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 12K每13"塑料卷
T / R - 每7 “的塑料卷盘3K
法律声明
版权所有强茂国际2009年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息
如有更改，恕不另行通知。潘日新公司对于是否适合任何担保，声明或保证其
产品针对任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新
不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
REV.0.1-OCT.5.2009
PAGE 。 4
BZX84C2V4 - BZX84C39
350mW的表面贴装稳压二极管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
平面模具结构
350mW的功耗
齐纳电压从2.4V - 39V
非常适合于自动装配程序
铅，卤素和无锑，符合RoHS "Green"
装置（注3和4）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。 UL可燃性分类
等级94V -0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端：雾锡完成了退火合金引线框架42
（无铅电镀） 。每MIL -STD- 202方法208
极性：见图
标识信息：见第3页
订购信息：见第3页
重量： 0.008克（近似值）
顶视图
设备原理图
最大额定值
正向电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
@ I
F
= 10毫安
符号
V
F
价值
0.9
单位
V
特征
热特性
特征
功耗
（注1 ）
功耗
（注2 ）
热阻，结到环境空气
热阻，结到环境空气
工作和存储温度范围
注意事项：
（注1 ）
（注2 ）
符号
P
D
P
D
R
θ
JA
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
300
350
417
357
-65到+150
单位
mW
mW
° C / W
° C / W
°C
1.装置安装在FR- 4印刷电路板与推荐的焊盘布局，可以在我们的网站上找到：
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
2.有效提供的端子被保持在环境温度。
3.没有故意添加铅。卤素和无锑。
4.产品具有数据代码OW制造（ 42周， 2009年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码OW都建有非绿色塑封料，可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
BZX84C2V4 - BZX84C39
文件编号： DS18001牧师28 - 2
1 4
www.diodes.com
2010年4月
Diodes公司
BZX84C2V4 - BZX84C39
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
齐纳电压
范围
（注5 ）
V
Z
@ I
ZT
I
ZT
MAX（ V）
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
（MA ）
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
最大齐纳
阻抗
（注6 ）
Z
ZT
@
I
ZT
(Ω)
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
Z
ZK
@ I
ZK
(Ω)
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
（MA ）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
最大反向
当前
（注5 ）
I
R
(μA)
50
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
典型
温度
系数
@ I
ZT
毫伏/°C的
民
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-2.7
-2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
最大
0
0
0
0
0
0
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
13.0
14.0
16.0
18.0
20.0
22.0
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
TYPE
数
记号
CODE
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3V0
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
BZX84C11
BZX84C12
BZX84C13
BZX84C15
BZX84C16
BZX84C18
BZX84C20
BZX84C22
BZX84C24
BZX84C27
BZX84C30
BZX84C33
BZX84C36
BZX84C39
注意事项：
KZB
KZC
KZD
KZE
KZF
KZG
KZH
KZ1
KZ2
KZ3
KZ4
KZ5
KZ6
KZ7
KZ8
KZ9
KY1
KY2
KY3
KY4
KY5
KY6
KY7
KY8
KY9
KYA
KYB
KYC
KYD
KYE
喃（ V）
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
敏（ V）
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
6， F = 1kHz的。
500
50
P
D
，功耗（毫瓦）
400
I
Z
，齐纳电流（毫安）
40
300
注1
注3
30
200
20
100
10
0
0
100
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1功率降额曲线
200
0
0
3
4
5
6
8
9 10
7
V
Z
齐纳电压（V）
图。 2典型的齐纳击穿特性
1
2
BZX84C2V4 - BZX84C39
文件编号： DS18001牧师28 - 2
2 4
www.diodes.com
2010年4月
Diodes公司
BZX84C2V4 - BZX84C39
30
T
j
= 25°C
C10
C12
1,000
T
J
= 25°C
C
T
，总电容（PF ）
V
R
= 1V
V
R
= 2V
I
Z
，齐纳电流（毫安）
20
C15
C18
测试电流I
Z
2mA
100
V
R
= 1V
10
测试电流I
Z
5mA
C22
C27
C33
C36
C39
V
R
= 2V
0
0
10
20
30
40
V
Z
齐纳电压（V）
图。 3典型的齐纳击穿特性
100
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图。 4典型的总电容量与标称齐纳电压
10
1
订购信息
（注7 ）
产品型号
（类型号）-7 -F （注8）
（类型号）-13 -F （注9）
注意事项：
例
SOT-23
SOT-23
包装
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
7.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
8.添加“ -7 - F”到相应型号的电气特性表的第2页。示例： 6.2V稳压= BZX84C6V2-7 -F 。
9.添加“ -13 - F”到相应型号的电气特性表的第2页。示例： 2.7V稳压= BZX84C2V7-13 -F 。请注意：并不是所有的
电压在13 “辘的大小可用。请在订购13 “卷轴大小的设备联系二极管公司销售部寻求帮助。
标识信息
XXX =产品型号标识代码
（请参阅电气特性表）
YM =日期代码标
Y =年（例如： N = 2002）
M =月（例如： 9 =九月）
2006
T
JUN
6
2007
U
JUL
7
2008
V
2009
W
八月
8
2010
X
SEP
9
2011
Y
2012
Z
十月
O
2013
A
NOV
N
2014
B
2015
C
DEC
D
xxx
日期代码的关键
YEAR
1998
CODE
J
MONTH
CODE
JAN
1
1999
K
2000
L
FEB
2
2001
M
MAR
3
2002
N
2003
P
APR
4
2004 2005
R
S
五月
5
包装外形尺寸
A
YM
B C
H
K
D
J
F
G
L
M
K1
SOT-23
暗淡
民
最大
典型值
A
0.37
0.51
0.40
B
1.20
1.40
1.30
C
2.30
2.50
2.40
D
0.89
1.03 0.915
F
0.45
0.60 0.535
G
1.78
2.05
1.83
H
2.80
3.00
2.90
J
0.013 0.10
0.05
K
0.903 1.10
1.00
K1
-
-
0.400
L
0.45
0.61
0.55
M
0.085 0.18
0.11
0°
8°
-
α
尺寸：mm
2010年4月
Diodes公司
BZX84C2V4 - BZX84C39
文件编号： DS18001牧师28 - 2
3 4
www.diodes.com
BZX84C2V4 - BZX84C39
拟议的焊盘布局
Y
Z
C
尺寸值（单位：mm）
Z
2.9
X
0.8
Y
0.9
C
2.0
E
1.35
X
E
重要通知
Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的，关于这一文件，
包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途
（及其任何司法管辖范围内的法律等效） 。
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任
应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或
商标专用权，也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担
这种使用的一切风险，并同意举行Diodes公司，其产品有代表Diodes公司所有公司
网站上，反对一切损害无害。
Diodes公司不担保或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品的任何责任。
如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序，客户应保障
举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔，损失，费用和律师直接或引起的，收费无害
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本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识
注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。
生命支持
Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：
A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：
1.旨在植入到体内，或
2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明
标签可以合理预期造成显著伤害到用户。
B.
关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件
生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。
客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并
承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何
使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的
信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其
代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。
2010 ， Diodes公司
www.diodes.com
BZX84C2V4 - BZX84C39
文件编号： DS18001牧师28 - 2
4 4
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2010年4月
Diodes公司
BZX84C ... SEW系列
硅平面齐纳二极管
3
1
2
1.阳极3.阴极
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
工作结存储温度范围
符号
P
D
T
j
,T
S
价值
200
- 55至+ 150
单位
mW
O
C
电气特性
( T
a
= 25
O
C除非另有说明，V
F
< 0.9V于我
F
= 10 mA）的
TYPE
BZX84C2V4SEW
BZX84C2V7SEW
BZX84C3V0SEW
BZX84C3V3SEW
BZX84C3V6SEW
BZX84C3V9SEW
BZX84C4V3SEW
BZX84C4V7SEW
BZX84C5V1SEW
BZX84C5V6SEW
BZX84C6V2SEW
BZX84C6V8SEW
BZX84C7V5SEW
BZX84C8V2SEW
BZX84C9V1SEW
BZX84C10SEW
BZX84C11SEW
BZX84C12SEW
BZX84C13SEW
BZX84C15SEW
BZX84C16SEW
BZX84C18SEW
BZX84C20SEW
BZX84C22SEW
BZX84C24SEW
BZX84C27SEW
BZX84C30SEW
BZX84C33SEW
BZX84C36SEW
BZX84C39SEW
1)
记号
CODE
RF
RH
RJ
RK
RM
RN
RP
RR
RX
RY
RZ
XA
XB
XC
XD
XE
XF
XH
XJ
XK
XM
XN
XP
XR
XX
XY
XZ
YA
YB
YC
齐纳电压范围
1)
V
Z
MIN 。 （ V）
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
MAX 。 （ V）
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
在升
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
Z
ZT
最大值（ Ω ）
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
动态电阻
在升
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
Z
ZK
最大值（ Ω ）
600
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
在我
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
反向电流
I
R
最大（ μA ）
50
20
20
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
在V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
25.2
27.3
测试了脉冲TP = 20毫秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 30/01/2008
BZX84C ... SEW系列
电气特性
( T
a
= 25
O
C除非另有说明，V
F
< 0.9V于我
F
= 10 mA）的
TYPE
BZX84C43SEW
BZX84C47SEW
BZX84C51SEW
BZX84C56SEW
BZX84C62SEW
BZX84C68SEW
BZX84C75SEW
1)
记号
CODE
YD
YE
YF
YH
YJ
YK
YM
齐纳电压范围
1)
V
Z
MIN 。 （ V）
40
44
48
52
58
64
70
MAX 。 （ V）
46
50
54
60
66
72
79
在升
ZT
mA
2
2
2
2
2
2
2
Z
ZT
最大值（ Ω ）
150
170
180
200
215
240
255
动态电阻
在升
ZT
mA
2
2
2
2
2
2
2
Z
ZK
最大值（ Ω ）
375
375
400
425
450
475
500
在我
ZK
mA
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
反向电流
I
R
最大（ μA ）
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
在V
R
V
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
测试了脉冲TP = 20毫秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 30/01/2008
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