BZX84B4V7LT1,
BZX84C2V4LT1系列
齐纳稳压器
225 mW的SOT- 23表面贴装
这一系列的齐纳二极管的是提供在方便，表面
贴装塑料SOT- 23封装。这些设备被设计成提供
电压调节以最小的空间要求。他们是很好
适合于各种应用，如蜂窝电话，手持式便携设备，
和高密度的印刷电路板。
特点
http://onsemi.com
3
阴极
1
阳极
225毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
齐纳击穿电压范围 - 2.4 V至75 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
紧公差系列可用（见第4页）
无铅包可用
记号
图
3
1
2
SOT23
CASE 318
风格8
1
XXX M
G
G
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
总功耗的FR- 5局，
（注1 ） @ T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻，结到环境
对氧化铝的总功耗
基底， （注2） @ T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻，结到环境
结温和存储温度范围
符号
P
D
225
1.8
556
300
2.4
417
-65
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
最大
单位
xxx
=器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
BZX84CxxxLT1
BZX84CxxxLT1G
BZX84CxxxLT3
BZX84CxxxLT3G
BZX84BxxxLT1
BZX84BxxxLT1G
BZX84BxxxLT3
BZX84BxxxLT3G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
R
qJA
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR - 5 = 1.0 X 0.75 X 0.62英寸
2.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024英寸，99.5％的氧化铝。
SOT- 23万/磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年10月 - 11牧师
出版订单号：
BZX84C2V4LT1/D
BZX84B4V7LT1 ， BZX84C2V4LT1系列
电气特性
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25°C
除非另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
R
V
R
I
F
V
F
QV
Z
C
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V的最大温度系数
Z
马克斯。电容@ V
R
= 0且f = 1 MHz的
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
BZX84B4V7LT1 ， BZX84C2V4LT1系列
电气特性 - BZX84CxxxLT1系列（标准公差）
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.90 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
（中列出的设备
粗体，斜体
是安森美半导体的优选设备。 ）
V
Z1
（伏）
@ I
ZT1
= 5毫安
（注3）
设备
记号
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
W9
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
V
Z2
(V)
@ I
ZT2
= 1毫安
（注3）
V
Z3
(V)
@ I
ZT3
= 20毫安
（注3）
最大反向
泄漏
当前
I
R
mA
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
@伏
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
q
VZ
（毫伏/ K）的
@ I
ZT1
= 5毫安
民
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
2.7
2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
最大
0
0
0
0
0
2.5
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
13.0
14.0
16.0
18.0
20.0
22.0
设备*
BZX84C2V4LT1 ，G
BZX84C2V7LT1 ，G
BZX84C3V0LT1 ，G
BZX84C3V3LT1 ，G
BZX84C3V6LT1 ，G
BZX84C3V9LT1 ，G
BZX84C4V3LT1 ，G
BZX84C4V7LT1 ，G
BZX84C5V1LT1 ，G
BZX84C5V6LT1 ，G
BZX84C6V2LT1 ，G
BZX84C6V8LT1 ，G
BZX84C7V5LT1 ，G
BZX84C8V2LT1 ，G
BZX84C9V1LT1 ，G
BZX84C10LT1 ，G
BZX84C11LT1 ，G
BZX84C12LT1 ，G
BZX84C13LT1 ，G
BZX84C15LT1 ，G
BZX84C16LT1 ，G
BZX84C18LT1 ，G
BZX84C20LT1 ，G
BZX84C22LT1 ，G
BZX84C24LT1 ，G
民
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
喃
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
最大
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
Z
ZT1
(W)
@ I
ZT1
=
5毫安
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
民
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4
4.7
5.3
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14
15.5
17
19
21.1
23.2
25.5
Z
ZT2
(W)
@ I
ZT2
=
1毫安
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
民
2.6
3
3.3
3.6
3.9
4.1
4.4
4.5
5
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.5
13.9
15.4
16.9
18.9
20.9
22.9
最大
3.2
3.6
3.9
4.2
4.5
4.7
5.1
5.4
5.9
6.3
6.8
7.4
8
8.8
9.7
10.7
11.8
12.9
14.2
15.7
17.2
19.2
21.4
23.4
25.7
Z
ZT3
(W)
@ I
ZT3
=
20毫安
50
50
50
40
40
30
30
15
15
10
6
6
6
6
8
10
10
10
15
20
20
20
20
25
25
C（ pF）的
@ V
R
= 0
F = 1 MHz的
450
450
450
450
450
450
450
260
225
200
185
155
140
135
130
130
130
130
120
110
105
100
85
85
80
V
Z1
下面
@ I
ZT1
= 2毫安
设备
记号
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
Y16
Y17
Y18
Y19
Y20
Y21
民
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
喃
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
设备
BZX84C27LT1 ，G
BZX84C30LT1 ，G
BZX84C33LT1 ，G
BZX84C36LT1 ，G
BZX84C39LT1 ，G
BZX84C43LT1 ，G
BZX84C47LT1 ，G
BZX84C51LT1 ，G
BZX84C56LT1 ，G
BZX84C62LT1 ，G
BZX84C68LT1 ，G
BZX84C75LT1 ，G
Z
ZT1
下面
@ I
ZT1
=
2毫安
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
V
Z2
下面
@ I
ZT2
= 0.1 m-
A
民
25
27.8
30.8
33.8
36.7
39.7
43.7
47.6
51.5
57.4
63.4
69.4
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
Z
ZT2
下面
@ I
ZT4
=
0.5毫安
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
V
Z3
下面
@ I
ZT3
= 10毫安
民
25.2
28.1
31.1
34.1
37.1
40.1
44.1
48.1
52.1
58.2
64.2
70.3
最大
29.3
32.4
35.4
38.4
41.5
46.5
50.5
54.6
60.8
67
73.2
80.2
Z
ZT3
下面
@ I
ZT3
=
10毫安
45
50
55
60
70
80
90
100
110
120
130
140
最大反向
泄漏
当前
I
R
mA
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
@
V
R
(V)
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
q
VZ
（毫伏/ k）的下面
@ I
ZT1
= 2毫安
民
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
37.6
42.0
46.6
52.2
58.8
65.6
73.4
最大
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
46.6
51.8
57.2
63.8
71.6
79.8
88.6
C（ pF）的
@ V
R
= 0
F = 1 MHz的
70
70
70
70
45
40
40
40
40
35
35
35
3.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
*在“G”后缀表示无铅封装。
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3
BZX84B4V7LT1 ， BZX84C2V4LT1系列
电气特性 - BZX84BxxxL （窄偏差系列）
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.90 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
最大反向
泄漏
当前
I
R
mA
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.05
0.05
@
伏
2
2
2
4
4
5
5
6
11.2
12.6
民
3.5
2.7
2
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
10.4
12.4
最大
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7
14
16
V
R
V
Z
（伏特） @我
ZT
= 5毫安
（注4 ）
设备
BZX84B4V7LT1 ，G
BZX84B5V1LT1 ，G
BZX84B5V6LT1 ，G
BZX84B6V2LT1 ，G
BZX84B6V8LT1 ，G
BZX84B7V5LT1 ，G
BZX84B8V2LT1 ，G
BZX84B9V1LT1 ，G
BZX84B16LT1 ，G
BZX84B18LT1 ，G
设备
记号
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
T17
T19
T20
民
4.61
5.00
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
15.7
17.6
喃
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
16
18
最大
4.79
5.20
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
16.3
18.4
Z
ZT
(W) @
I
ZT
= 5毫安
（注4 ）
最大
80
60
40
10
15
15
15
15
40
45
q
VZ
（毫伏/ K）的
@ I
ZT
= 5毫安
C（ pF）的
@ V
R
=0,
F = 1 MHz的
260
225
200
185
155
140
135
130
105
100
4.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
*在“G”后缀表示无铅封装。
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4
BZX84B4V7LT1 ， BZX84C2V4LT1系列
典型特征
θ
VZ ，温度系数（毫伏/ C）
°
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
100
θ
VZ ，温度系数（毫伏/ C）
°
典型的牛逼
C
值
V
Z
@ I
ZT
10
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
1000
ZT ，动态阻抗（
Ω
)
I
Z
= 1毫安
5毫安
20毫安
10
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
75 V （ MMBZ5267BLT1 ）
91 V（ MMBZ5270BLT1 ）
100
100
10
150°C
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
1
0.4
0.5
75°C 25°C
0.6
0°C
1.1
1.2
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图3.影响
齐纳阻抗
图4.典型正向电压
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5
BZX84B4V7LT1,
BZX84C2V4LT1系列
齐纳稳压器
225 mW的SOT- 23表面贴装
这一系列的齐纳二极管的是提供在方便，表面
贴装塑料SOT- 23封装。这些设备被设计成提供
电压调节以最小的空间要求。他们是很好
适合于各种应用，如蜂窝电话，手持式便携设备，
和高密度的印刷电路板。
特点
http://onsemi.com
3
阴极
1
阳极
无铅包可用
225毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
齐纳击穿电压范围 - 2.4 V至75 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
紧公差系列可用（见第4页）
3
1
2
SOT23
CASE 318
风格8
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
标记图
XXXM
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
总功耗的FR- 5局，
（注1 ） @ T
A
= 25°C
25 C
25°C以上降额
热阻，结到环境
对氧化铝的总功耗
基底， （注2） @ T
A
= 25°C
25 C
25°C以上降额
热阻，结到环境
结存储
温度范围
符号
P
D
225
1.8
556
300
2.4
417
-65
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
最大
单位
XXX =具体设备守则
M =月守则
订购信息
设备*
BZX84CxxxLT1
BZX84CxxxLT1G
BZX84CxxxLT3
BZX84BxxxLT1
BZX84BxxxLT1G
BZX84BxxxLT3
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
R
qJA
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1， FR - 5 = 1.0 X 0.75 X 0.62英寸
2.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024英寸，99.5％的氧化铝。
*在“T1”的后缀是指一个8毫米， 7英寸的卷轴。
在“T3”的后缀是指一个8毫米， 13英寸卷筒。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版8
出版订单号：
BZX84C2V4LT1/D
BZX84B4V7LT1 ， BZX84C2V4LT1系列
电气特性
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25°C
除非另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
R
V
R
I
F
V
F
QV
Z
C
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V的最大温度系数
Z
马克斯。电容@ V
R
= 0且f = 1 MHz的
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
BZX84B4V7LT1 ， BZX84C2V4LT1系列
电气特性 - BZX84CxxxLT1系列（标准公差）
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.90 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
（中列出的设备
粗体，斜体
是安森美半导体的优选设备。 ）
V
Z1
（伏）
@ I
ZT1
= 5毫安
（注3）
设备
记号
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
W9
V
Z2
(V)
@ I
ZT2
= 1毫安
（注3）
V
Z3
(V)
@ I
ZT3
= 20毫安
（注3）
最大反向
泄漏
当前
I
R
mA
50
20
10
5
5
3
3
V
R
@
伏
1
1
1
1
1
1
1
q
VZ
（毫伏/ K）的
@ I
ZT1
= 5毫安
民
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
最大
0
0
0
0
0
2.5
0
设备
BZX84C2V4LT1 ， G *
BZX84C2V7LT1 ， G *
BZX84C3V0LT1
BZX84C3V3LT1 ， G *
BZX84C3V6LT1 ， G *
BZX84C3V9LT1 ， G *
BZX84C4V3LT1 ， G *
民
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
喃
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
最大
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
Z
ZT1
(W)
@ I
ZT1
=
5毫安
100
100
95
95
90
90
90
民
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4
Z
ZT2
(W)
@ I
ZT2
=
1毫安
600
600
600
600
600
600
600
民
2.6
3
3.3
3.6
3.9
4.1
4.4
最大
3.2
3.6
3.9
4.2
4.5
4.7
5.1
Z
ZT3
(W)
@ I
ZT3
=
20毫安
50
50
50
40
40
30
30
C（ pF）的
@ V
R
= 0
F = 1 MHz的
450
450
450
450
450
450
450
BZX84C4V7LT1
BZX84C5V1LT1
BZX84C5V6LT1
BZX84C6V2LT1
BZX84C6V8LT1
BZX84C7V5LT1
BZX84C8V2LT1
BZX84C9V1LT1
BZX84C10LT1 ， G *
BZX84C11LT1 ， G *
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
4.7
5.3
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
4.5
5
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
5.4
5.9
6.3
6.8
7.4
8
8.8
9.7
10.7
11.8
15
15
10
6
6
6
6
8
10
10
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
3.5
2.7
2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
260
225
200
185
155
140
135
130
130
130
BZX84C12LT1 ， G *
BZX84C13LT1 ， G *
BZX84C15LT1
BZX84C16LT1 ， G *
Y2
Y3
Y4
Y5
11.4
12.4
14.3
15.3
12
13
15
16
12.7
14.1
15.8
17.1
25
30
30
40
11.2
12.3
13.7
15.2
12.7
14
15.5
17
150
170
200
200
11.4
12.5
13.9
15.4
12.9
14.2
15.7
17.2
10
15
20
20
0.1
0.1
0.05
0.05
8
8
10.5
11.2
6.0
7.0
9.2
10.4
10.0
11.0
13.0
14.0
130
120
110
105
BZX84C18LT1
BZX84C20LT1 ， G *
BZX84C22LT1 ， G *
BZX84C24LT1
Y6
Y7
Y8
Y9
16.8
18.8
20.8
22.8
18
20
22
24
19.1
21.2
23.3
25.6
45
55
55
70
16.7
18.7
20.7
22.7
19
21.1
23.2
25.5
225
225
250
250
16.9
18.9
20.9
22.9
19.2
21.4
23.4
25.7
20
20
25
25
0.05
0.05
0.05
0.05
12.6
14
15.4
16.8
12.4
14.4
16.4
18.4
16.0
18.0
20.0
22.0
100
85
85
80
V
Z1
下面
@ I
ZT1
= 2毫安
设备
记号
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
Y16
Y17
Y18
Y19
Y20
Y21
民
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
喃
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
设备
BZX84C27LT1 ， G *
BZX84C30LT1
BZX84C33LT1 ， G *
BZX84C36LT1
BZX84C39LT1 ， G *
BZX84C43LT1 ， G *
BZX84C47LT1 ， G *
BZX84C51LT1
BZX84C56LT1 ， G *
BZX84C62LT1
BZX84C68LT1 ， G *
BZX84C75LT1 ， G *
Z
ZT1
下面
@ I
ZT1
=
2毫安
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
V
Z2
下面
@ I
ZT2
= 0.1 m
A
民
25
27.8
30.8
33.8
36.7
39.7
43.7
47.6
51.5
57.4
63.4
69.4
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
Z
ZT2
下面
@ I
ZT4
=
0.5毫安
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
V
Z3
下面
@ I
ZT3
= 10毫安
民
25.2
28.1
31.1
34.1
37.1
40.1
44.1
48.1
52.1
58.2
64.2
70.3
最大
29.3
32.4
35.4
38.4
41.5
46.5
50.5
54.6
60.8
67
73.2
80.2
Z
ZT3
下面
@ I
ZT3
=
10毫安
45
50
55
60
70
80
90
100
110
120
130
140
最大反向
泄漏
当前
I
R
mA
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
@
V
R
(V)
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
q
VZ
（毫伏/ k）的下面
@ I
ZT1
= 2毫安
民
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
37.6
42.0
46.6
52.2
58.8
65.6
73.4
最大
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
46.6
51.8
57.2
63.8
71.6
79.8
88.6
C（ pF）的
@ V
R
= 0
F = 1 MHz的
70
70
70
70
45
40
40
40
40
35
35
35
3.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
*在“G”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
3
BZX84B4V7LT1 ， BZX84C2V4LT1系列
电气特性 - BZX84BxxxL （窄偏差系列）
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.90 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
最大反向
泄漏
当前
I
R
mA
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.05
0.05
@
伏
2
2
2
4
4
5
5
6
11.2
12.6
民
3.5
2.7
2
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
10.4
12.4
最大
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7
14
16
V
R
V
Z
（伏特） @我
ZT
= 5毫安
（注4 ）
设备
BZX84B4V7LT1
BZX84B5V1LT1 ， G *
BZX84B5V6LT1
BZX84B6V2LT1 ， G *
BZX84B6V8LT1 ， G *
BZX84B7V5LT1 ， G *
BZX84B8V2LT1 ， G *
BZX84B9V1LT1 ， G *
BZX84B16LT1
BZX84B18LT1
设备
记号
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
T17
T19
T20
民
4.61
5.00
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
15.7
17.6
喃
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
16
18
最大
4.79
5.20
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
16.3
18.4
Z
ZT
(W) @
I
ZT
= 5毫安
（注4 ）
最大
80
60
40
10
15
15
15
15
40
45
q
VZ
（毫伏/ K）的
@ I
ZT
= 5毫安
C（ pF）的
@ V
R
=0
=0,
F = 1 MHz的
260
225
200
185
155
140
135
130
105
100
4.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
*在“G”后缀表示无铅封装。
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4
BZX84B4V7LT1 ， BZX84C2V4LT1系列
典型特征
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
100
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
典型的牛逼
C
值
V
Z
@ I
ZT
10
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
1000
ZT ，动态阻抗（
)
I
Z
= 1毫安
5毫安
20毫安
10
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
75 V （ MMBZ5267BLT1 ）
91 V（ MMBZ5270BLT1 ）
100
100
10
150°C
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
1
0.4
0.5
75°C 25°C
0.6
0°C
1.1
1.2
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图3.影响
齐纳阻抗
图4.典型正向电压
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5
BZX84B4V7LT1,
BZX84C2V4LT1系列
齐纳稳压器
225 mW的SOT- 23表面贴装
这一系列的齐纳二极管的是提供在方便，表面
贴装塑料SOT- 23封装。这些设备被设计成提供
电压调节以最小的空间要求。他们是很好
适合于各种应用，如蜂窝电话，手持式便携设备，
和高密度的印刷电路板。
特点
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3
阴极
1
阳极
无铅包可用
225毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
齐纳击穿电压范围 - 2.4 V至75 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
紧公差系列可用（见第4页）
3
1
2
SOT23
CASE 318
风格8
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
标记图
XXXM
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
总功耗的FR- 5局，
（注1 ） @ T
A
= 25°C
25 C
25°C以上降额
热阻，结到环境
对氧化铝的总功耗
基底， （注2） @ T
A
= 25°C
25 C
25°C以上降额
热阻，结到环境
结存储
温度范围
符号
P
D
225
1.8
556
300
2.4
417
-65
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
最大
单位
XXX =具体设备守则
M =月守则
订购信息
设备*
BZX84CxxxLT1
BZX84CxxxLT1G
BZX84CxxxLT3
BZX84BxxxLT1
BZX84BxxxLT1G
BZX84BxxxLT3
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
R
qJA
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1， FR - 5 = 1.0 X 0.75 X 0.62英寸
2.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024英寸，99.5％的氧化铝。
*在“T1”的后缀是指一个8毫米， 7英寸的卷轴。
在“T3”的后缀是指一个8毫米， 13英寸卷筒。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版8
出版订单号：
BZX84C2V4LT1/D
BZX84B4V7LT1 ， BZX84C2V4LT1系列
电气特性
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25°C
除非另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
R
V
R
I
F
V
F
QV
Z
C
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V的最大温度系数
Z
马克斯。电容@ V
R
= 0且f = 1 MHz的
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
BZX84B4V7LT1 ， BZX84C2V4LT1系列
电气特性 - BZX84CxxxLT1系列（标准公差）
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.90 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
（中列出的设备
粗体，斜体
是安森美半导体的优选设备。 ）
V
Z1
（伏）
@ I
ZT1
= 5毫安
（注3）
设备
记号
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
W9
V
Z2
(V)
@ I
ZT2
= 1毫安
（注3）
V
Z3
(V)
@ I
ZT3
= 20毫安
（注3）
最大反向
泄漏
当前
I
R
mA
50
20
10
5
5
3
3
V
R
@
伏
1
1
1
1
1
1
1
q
VZ
（毫伏/ K）的
@ I
ZT1
= 5毫安
民
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
最大
0
0
0
0
0
2.5
0
设备
BZX84C2V4LT1 ， G *
BZX84C2V7LT1 ， G *
BZX84C3V0LT1
BZX84C3V3LT1 ， G *
BZX84C3V6LT1 ， G *
BZX84C3V9LT1 ， G *
BZX84C4V3LT1 ， G *
民
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
喃
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
最大
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
Z
ZT1
(W)
@ I
ZT1
=
5毫安
100
100
95
95
90
90
90
民
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4
Z
ZT2
(W)
@ I
ZT2
=
1毫安
600
600
600
600
600
600
600
民
2.6
3
3.3
3.6
3.9
4.1
4.4
最大
3.2
3.6
3.9
4.2
4.5
4.7
5.1
Z
ZT3
(W)
@ I
ZT3
=
20毫安
50
50
50
40
40
30
30
C（ pF）的
@ V
R
= 0
F = 1 MHz的
450
450
450
450
450
450
450
BZX84C4V7LT1
BZX84C5V1LT1
BZX84C5V6LT1
BZX84C6V2LT1
BZX84C6V8LT1
BZX84C7V5LT1
BZX84C8V2LT1
BZX84C9V1LT1
BZX84C10LT1 ， G *
BZX84C11LT1 ， G *
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
4.7
5.3
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
4.5
5
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
5.4
5.9
6.3
6.8
7.4
8
8.8
9.7
10.7
11.8
15
15
10
6
6
6
6
8
10
10
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
3.5
2.7
2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
260
225
200
185
155
140
135
130
130
130
BZX84C12LT1 ， G *
BZX84C13LT1 ， G *
BZX84C15LT1
BZX84C16LT1 ， G *
Y2
Y3
Y4
Y5
11.4
12.4
14.3
15.3
12
13
15
16
12.7
14.1
15.8
17.1
25
30
30
40
11.2
12.3
13.7
15.2
12.7
14
15.5
17
150
170
200
200
11.4
12.5
13.9
15.4
12.9
14.2
15.7
17.2
10
15
20
20
0.1
0.1
0.05
0.05
8
8
10.5
11.2
6.0
7.0
9.2
10.4
10.0
11.0
13.0
14.0
130
120
110
105
BZX84C18LT1
BZX84C20LT1 ， G *
BZX84C22LT1 ， G *
BZX84C24LT1
Y6
Y7
Y8
Y9
16.8
18.8
20.8
22.8
18
20
22
24
19.1
21.2
23.3
25.6
45
55
55
70
16.7
18.7
20.7
22.7
19
21.1
23.2
25.5
225
225
250
250
16.9
18.9
20.9
22.9
19.2
21.4
23.4
25.7
20
20
25
25
0.05
0.05
0.05
0.05
12.6
14
15.4
16.8
12.4
14.4
16.4
18.4
16.0
18.0
20.0
22.0
100
85
85
80
V
Z1
下面
@ I
ZT1
= 2毫安
设备
记号
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
Y16
Y17
Y18
Y19
Y20
Y21
民
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
喃
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
设备
BZX84C27LT1 ， G *
BZX84C30LT1
BZX84C33LT1 ， G *
BZX84C36LT1
BZX84C39LT1 ， G *
BZX84C43LT1 ， G *
BZX84C47LT1 ， G *
BZX84C51LT1
BZX84C56LT1 ， G *
BZX84C62LT1
BZX84C68LT1 ， G *
BZX84C75LT1 ， G *
Z
ZT1
下面
@ I
ZT1
=
2毫安
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
V
Z2
下面
@ I
ZT2
= 0.1 m
A
民
25
27.8
30.8
33.8
36.7
39.7
43.7
47.6
51.5
57.4
63.4
69.4
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
Z
ZT2
下面
@ I
ZT4
=
0.5毫安
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
V
Z3
下面
@ I
ZT3
= 10毫安
民
25.2
28.1
31.1
34.1
37.1
40.1
44.1
48.1
52.1
58.2
64.2
70.3
最大
29.3
32.4
35.4
38.4
41.5
46.5
50.5
54.6
60.8
67
73.2
80.2
Z
ZT3
下面
@ I
ZT3
=
10毫安
45
50
55
60
70
80
90
100
110
120
130
140
最大反向
泄漏
当前
I
R
mA
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
@
V
R
(V)
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
q
VZ
（毫伏/ k）的下面
@ I
ZT1
= 2毫安
民
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
37.6
42.0
46.6
52.2
58.8
65.6
73.4
最大
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
46.6
51.8
57.2
63.8
71.6
79.8
88.6
C（ pF）的
@ V
R
= 0
F = 1 MHz的
70
70
70
70
45
40
40
40
40
35
35
35
3.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
*在“G”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
3
BZX84B4V7LT1 ， BZX84C2V4LT1系列
电气特性 - BZX84BxxxL （窄偏差系列）
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.90 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
最大反向
泄漏
当前
I
R
mA
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.05
0.05
@
伏
2
2
2
4
4
5
5
6
11.2
12.6
民
3.5
2.7
2
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
10.4
12.4
最大
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7
14
16
V
R
V
Z
（伏特） @我
ZT
= 5毫安
（注4 ）
设备
BZX84B4V7LT1
BZX84B5V1LT1 ， G *
BZX84B5V6LT1
BZX84B6V2LT1 ， G *
BZX84B6V8LT1 ， G *
BZX84B7V5LT1 ， G *
BZX84B8V2LT1 ， G *
BZX84B9V1LT1 ， G *
BZX84B16LT1
BZX84B18LT1
设备
记号
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
T17
T19
T20
民
4.61
5.00
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
15.7
17.6
喃
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
16
18
最大
4.79
5.20
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
16.3
18.4
Z
ZT
(W) @
I
ZT
= 5毫安
（注4 ）
最大
80
60
40
10
15
15
15
15
40
45
q
VZ
（毫伏/ K）的
@ I
ZT
= 5毫安
C（ pF）的
@ V
R
=0
=0,
F = 1 MHz的
260
225
200
185
155
140
135
130
105
100
4.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
*在“G”后缀表示无铅封装。
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4
BZX84B4V7LT1 ， BZX84C2V4LT1系列
典型特征
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
100
θ
VZ ，温度系数（毫伏/
°
C)
典型的牛逼
C
值
V
Z
@ I
ZT
10
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
1000
ZT ，动态阻抗（
)
I
Z
= 1毫安
5毫安
20毫安
10
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
75 V （ MMBZ5267BLT1 ）
91 V（ MMBZ5270BLT1 ）
100
100
10
150°C
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
1
0.4
0.5
75°C 25°C
0.6
0°C
1.1
1.2
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图3.影响
齐纳阻抗
图4.典型正向电压
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
