BZX84B…Series
硅平面齐纳二极管
这一系列齐纳二极管提供了
方便，表面贴装塑料SOT- 23封装。
这些设备被设计为提供电压
调节以最小的空间要求。他们是
非常适合用于诸如蜂窝电话，
手持便携式设备，并且高密度的印刷电路板。
1
3
2
1.阳极3.阴极
SOT- 23塑料包装
特点
齐纳击穿电压范围为 - 2.4 V至75 V
封装专为优化自动板
装配
针对高密度应用的小封装尺寸
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
热阻，结到环境
1)
1)
符号
P
D
R
θJA
T
j
,T
S
价值
350
417
- 65至+ 150
单位
mW
O
C / W
O
结温和存储温度范围
氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024中，99.5％的氧化铝
C
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 24/04/2007
BZX84B…Series
电气特性
( T
a
= 25
O
C除非另有说明，V
F
< 0.9V于我
F
= 10 mA）的
TYPE
记号
CODE
CR
CX
CY
CZ
DA
DB
DC
DD
DE
DF
DH
DJ
DK
DM
DN
DP
DR
DX
DY
DZ
EA
EB
EC
ED
EE
记号
CODE
EF
EH
EJ
EK
EM
EN
EP
ER
EX
EY
EZ
FA
V
Z1
(V)
@ I
ZT1
= 5毫安
1)
分钟。
2.35
2.64
2.94
3.23
3.52
3.82
4.21
4.6
4.99
5.49
6.07
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.8
11.8
12.7
14.7
15.7
17.6
19.6
21.6
23.5
喃。
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
V
Z1
下面
@ I
ZT1
= 2毫安
分钟。
26.4
29.4
32.3
35.2
38.2
42.1
46
49.9
54.8
60.7
66.6
73.5
喃。
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
马克斯。
27.6
30.6
33.7
36.8
39.8
43.9
48
52.1
57.2
63.3
69.4
76.5
马克斯。
2.45
2.76
3.06
3.37
3.68
3.98
4.39
4.8
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.5
24.5
Z
ZT1
()
@ I
ZT1
=
5毫安
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
Z
ZT1
下面
@ I
ZT1
=
2毫安
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
V
Z2
(V)
@ I
ZT2
= 1毫安
1)
分钟。
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
马克斯。
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4
4.7
5.3
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14
15.5
17
19
21.1
23.2
25.5
Z
ZT2
()
@ I
ZT2
=
1毫安
2)
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
Z
ZT2
下面
@ I
ZT4
=
0.5毫安
2)
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
V
Z3
(V)
@ I
ZT3
= 20毫安
1)
分钟。
2.6
3
3.3
3.6
3.9
4.1
4.4
4.5
5
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.5
13.9
15.4
16.9
18.9
20.9
22.9
马克斯。
3.2
3.6
3.9
4.2
4.5
4.7
5.1
5.4
5.9
6.3
6.8
7.4
8
8.8
9.7
10.7
11.8
12.9
14.2
15.7
17.2
19.2
21.4
23.4
25.7
Z
ZT3
()
@ I
ZT3
=
20毫安
50
50
50
40
40
30
30
15
15
10
6
6
6
6
8
10
10
10
15
20
20
20
20
25
25
Z
ZT3
下面
@ I
ZT3
=
10毫安
45
50
55
60
70
80
90
100
110
120
130
140
最大反向
漏电流
I
R
@
A
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
BZX84B2V4
BZX84B2V7
BZX84B3V0
BZX84B3V3
BZX84B3V6
BZX84B3V9
BZX84B4V3
BZX84B4V7
BZX84B5V1
BZX84B5V6
BZX84B6V2
BZX84B6V8
BZX84B7V5
BZX84B8V2
BZX84B9V1
BZX84B10
BZX84B11
BZX84B12
BZX84B13
BZX84B15
BZX84B16
BZX84B18
BZX84B20
BZX84B22
BZX84B24
TYPE
V
Z2
下面
@ I
ZT2
- 0.1毫安
分钟。
25
27.8
30.8
33.8
36.7
39.7
43.7
47.6
51.5
57.4
63.4
69.4
马克斯。
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
V
Z3
下面
@ I
ZT3
= 10毫安
分钟。
25.2
28.1
31.1
34.1
37.1
40.1
44.1
48.1
52.1
58.2
64.2
70.3
马克斯。
29.3
32.4
35.4
38.4
41.5
46.5
50.5
54.6
60.8
67
73.2
80.2
最大反向
漏电流
I
R
@
A
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
V
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
BZX84B27
BZX84B30
BZX84B33
BZX84B36
BZX84B39
BZX84B43
BZX84B47
BZX84B51
BZX84B56
BZX84B62
BZX84B68
BZX84B75
1)
2)
测试了脉冲TP = 20毫秒。
齐纳阻抗Z
ZT2
，为27至75伏的类型，在0.5毫安而不是0.1mA的测试电流采用V测试
Z2
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 24/04/2007
BZX84B…Series
温度COEF网络cient
8
温度COEF网络cient
100
温度系数（毫伏/℃ ）
温度系数（毫伏/℃ ）
7
6
5
4
3
2
1
0
-1
-2
-3
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
10
1
10
面值
Vz的（V）的
100
齐纳电压Vz （ V）
典型正向电压
220
正向电流I
F
（MA ）
200
180
160
140
120
100
80
60
5V1
27V
40
20
0
500
700
900
1100
正向电压V
F
（毫伏）
齐纳稳压器
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 24/04/2007
BZX84B2V4系列
表面贴装硅稳压二极管
电压
2.4 75伏特
动力
410毫瓦
特点
平面模施工
410mW功耗
从2.4齐纳电压75V
非常适合于自动装配程序
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
机械数据
案例： SOT -23 ，模压塑料
终端：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性
极性：参见下图
约。重量： 0.008克
安装位置：任意
最大额定值和电气特性
参数
25最大功率耗散（注一）
O
C
工作结storagetemperature范围
符号
价值
410
-55到+150
单位
mW
O
P
D
T
J
C
注意事项：
A.安装在5.0毫米
2
（ 0.013毫米厚）土地面积。
REV.0.2-OCT.5.2009
PAGE 。 1
BZX84B2V4系列
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 12K每13"塑料卷
T / R - 每7 “的塑料卷盘3K
法律声明
版权所有强茂国际， 2008年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息
如有更改，恕不另行通知。潘日新公司对于是否适合任何担保，声明或保证其
产品针对任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新
不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
REV.0.2-OCT.5.2009
PAGE 。 4
BZX84-Series
www.vishay.com
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
3
硅平面稳压二极管
齐纳电压是根据分级
E24国际标准。标准齐纳
电压容差为± 5 ％ ，由“C”表示
在订货代码。替换“ C”与“B”为
± 2 ％的误差。
AEC- Q101标准
ESD能力ACC 。符合AEC - Q101 ：
人体模特： > 8千伏，
机器型号： > 800 V
单位
V
mA
1
2
20421
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.4 75
2; 5
脉冲电流
单身
基P / N - E3 - 符合RoHS标准的商用级
基P / N - HE3 - 符合RoHS标准，符合AEC - Q101标准
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
订购信息
设备名称
订购代码
BZX84C2V4 - E3-08到BZX84C75 - E3-08
BZX84B2V4 - E3-08到BZX84B75 - E3-08
BZX84C2V4 - HE3-08到BZX84C75 - HE3-08
BZX84-series
BZX84B2V4 - HE3-08到BZX84B75 ， HE3-08
BZX84C2V4 - E3-18到BZX84C75 - E3-18
BZX84B2V4 - E3-18到BZX84B75 - E3-18
BZX84C2V4 - HE3-18到BZX84C75 - HE3-18
BZX84B2V4 - HE3-18到BZX84B75 ， HE3-18
10 000（ 13"上排8毫米磁带）
10 000
3000 （上7"卷轴8mm带）
15 000
每卷胶带单位
最小起订量
包
包名称
SOT-23
重量
8.8毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气敏感度
水平
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
参数
功耗
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
工作温度范围
测试条件
T
AMB
= 25 ℃，在玻璃纤维基材的设备，
ACC 。第7页布局
T
AMB
= 25 ℃，在玻璃纤维基材的设备，
ACC 。第7页布局
符号
P
合计
R
thJA
T
j
T
英镑
T
op
价值
300
420
150
- 65至+ 150
- 55至+ 150
单位
mW
K / W
°C
°C
°C
2.0版本， 28 -FEB- 13
文档编号： 85763
1
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
BZX84-Series
www.vishay.com
威世半导体
反向
泄漏
当前
I
R
在V
R
μA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
马克斯。
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
动态
阻力
F = 1千赫
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
在我
ZT2
马克斯。
275
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
-9
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
9
9
10
10
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
部分
数
记号
CODE
分钟。
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3V0
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
BZX84C11
BZX84C12
BZX84C13
BZX84C15
BZX84C16
BZX84C18
BZX84C20
BZX84C22
BZX84C24
BZX84C27
BZX84C30
BZX84C33
BZX84C36
BZX84C39
BZX84C43
BZX84C47
BZX84C51
BZX84C56
BZX84C62
BZX84C68
BZX84C75
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
Y16
Y17
Y18
Y19
Y20
Y21
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
马克斯。
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
温度
系数
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
分钟。
马克斯。
-4
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
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12
12
12
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威世半导体
反向
泄漏
当前
I
R
在V
R
μA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
马克斯。
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
动态
阻力
F = 1千赫
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
在我
ZT2
马克斯。
275
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
-9
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
9
9
10
10
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
部分
数
记号
CODE
分钟。
BZX84B2V4
BZX84B2V7
BZX84B3V0
BZX84B3V3
BZX84B3V6
BZX84B3V9
BZX84B4V3
BZX84B4V7
BZX84B5V1
BZX84B5V6
BZX84B6V2
BZX84B6V8
BZX84B7V5
BZX84B8V2
BZX84B9V1
BZX84B10
BZX84B11
BZX84B12
BZX84B13
BZX84B15
BZX84B16
BZX84B18
BZX84B20
BZX84B22
BZX84B24
BZX84B27
BZX84B30
BZX84B33
BZX84B36
BZX84B39
BZX84B43
BZX84B47
BZX84B51
BZX84B56
BZX84B62
BZX84B68
BZX84B75
Z50
Z51
Z52
Z53
Z54
Z55
Z56
Z57
Z58
Z59
Z60
Z61
Z62
Z63
Z64
Z65
Z66
Z67
Z68
Z69
Z70
Z71
Z72
Z73
Z74
Z75
Z76
Z77
Z78
Z79
Z80
Z81
Z82
Z83
Z84
Z85
Z86
2.35
2.65
2.94
3.23
3.53
3.82
4.21
4.61
5.0
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.8
11.8
12.7
14.7
15.7
17.6
19.6
21.6
23.5
26.5
29.4
32.3
35.3
38.2
42.1
46.1
50
54.9
60.8
66.6
73.5
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
马克斯。
2.45
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.4
24.5
27.5
30.6
33.7
36.7
39.8
43.9
47.9
52
57.1
63.2
69.4
76.5
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
温度
系数
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
分钟。
马克斯。
-4
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
11
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
mA
10
3
10
2
Ω
100
T
J
= 25 °C
5
4
威世半导体
I
F
10
1
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
T
J
= 100 °C
r
zj
3
2
33
27
22
18
15
12
10
6.8/8.2
6.2
T
J
= 25 °C
10
5
4
3
2
10
-5
0
18114
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1V
0.1
18119
2
5
1
2
5
V
F
10
I
Z
2
5
百毫安
图。 1 - 正向特性
图。 4 - 动态电阻与齐纳电流
mW
500
Ω
10
3
7
5
4
T
j
= 25 °C
400
R
zj
3
2
P
合计
300
47 + 51
43
39
36
10
2
7
200
5
4
3
2
100
0
0
18115
100
200 °C
10
0.1
18120
2
3
4 5
1
2
3 4 5
T
AMB
I
Z
10
mA
图。 2 - 容许功耗与环境温度
图。 5 - 动态电阻与齐纳电流
Ω
1000
5
4
3
2
Ω
10
3
T
J
= 25 °C
5
4
3
2
R
ZTH
= R
THA
X V
Z
x
Δ
V
Z
Δ
T
j
r
zj
R
ZTH
100
5
4
3
2
10
2
5
4
3
2
10
5
4
3
2
2.7
3.6
4.7
5.1
5.6
10
5
4
3
2
负
积极
1
0.1
18117
2
5
1
1
18121
2
3
4 5
1
2
5
10
I
Z
2
5
百毫安
10
2
3 4 5
100 V
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 3 - 动态电阻与齐纳电流
图。 6 - 热微分电阻与齐纳电压
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威世半导体
毫伏/°C的
100
I
Z
= 5毫安
Ω
100
7
5
4
R
zj
3
2
Δ
V
Z
Δ
T
j
80
60
10
7
5
4
3
2
40
20
T
j
= 25 °C
I
Z
= 5毫安
1
2
3
4 5
1
10
2
0
0
18125
3 4 5
100 V
20
40
60
80
100 V
18122
V
Z
V
Z
图。 7 - 动态电阻与齐纳电压
图。 10 - 齐纳电压与温度的关系
齐纳电压
V
9
8
毫伏/°C的
25
20
15
10
5
0
-5
1
18123
2
3
4 5
Δ
V
Z
Δ
T
j
5毫安
I
Z
= 1毫安
20毫安
7
Δ
V
Z
6
5
4
3
2
1
0
-1
51
43
36
I
Z
= 2毫安
0
20
40
60
80 100 120
T
j
140 °C
10
2
3 4 5
100 V
V
Z
18126
图。 8 - 温度的齐纳电压与依赖
齐纳电压
图。 11 - 更改齐纳电压与结温
V
0.8
0.7
0.6
V
Z
在我
Z
= 5毫安
25
15
10
V
1.6
1.4
1.2
Δ
V
Z
= R
ZTH
X我
Z
Δ
V
Z
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-1
- 0.2
0
18124
3.6
4.7
8
7
6.2
5.9
5.6
5.1
Δ
V
Z
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 0.2
- 0.4
20
40
60
80
100 120 140 C
18127
1
2
3
4 5
10
2
3 4 5
100 V
T
j
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 12 - 更改齐纳电压从打开上最多的点
热平衡与齐纳电压
图。 9 - 更改齐纳电压与结温
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