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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第466页 > BZX79C15
初步
BZX79C2V0 - BZX79C75
Pb
RoHS指令
合规
500毫瓦密封式玻璃齐纳
稳压器
DO-35
特点
齐纳电压范围2.0 75伏特
DO- 35封装( JEDEC )
通孔设备安装型
密封的玻璃
压接施工
所有外部表面耐腐蚀
并且信息很容易焊
符合RoHS
焊接热(浸锡(Sn ),铅完成
阴极指示的极性带
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
等级25
o
C环境温度,除非另有规定。
类型编号
功耗
最大正向电压@ IF = 100毫安
存储温度范围
工作结温
符号
Pd
V
F
T
英镑
T
J
价值
500
1.5
-65到+ 200
+ 200
单位
mW
V
O
C
O
C
这些等级是限制值高于该二极管的适用性可能受到损害。
版本: A07
电气特性
(TA=25
O
C
TYPE
BZX79C2V0
BZX79C2V2
BZX79C2V4
BZX79C2V7
BZX79C3V0
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BZX79C8V2
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BZX79C10
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BZX79C12
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BZX79C22
BZX79C24
BZX79C27
BZX79C30
BZX79C33
BZX79C36
BZX79C39
BZX79C43
BZX79C47
BZX79C51
BZX79C56
BZX79C62
BZX79C68
BZX79C75
注意事项:
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(伏)
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敏( V)
1.88
2.08
2.28
2.51
2.8
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3.4
3.7
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4.4
4.8
5.2
5.8
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7.7
8.5
9.4
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11.4
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2.89
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3.8
4.1
4.6
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5.4
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9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
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21.2
23.3
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23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
1.公差和电压指示,上市型数字有齐纳电压,如图所示。
2.特价提供包括所示的电压之间的额定齐纳电压
和更严格的电压,在价格,可用性和交付的详细信息。
3.齐纳电压(V
Z
)测量中,齐纳电压下测得的脉搏
condicitons这样的那件T
J
是不超过2个
o
C以上牛逼
A
.
4.齐纳阻抗(Z
Z
) derivaton ,齐纳阻抗从60周的交流衍生
电压时,具有的RMS值等于10%的accurrent时其导致
直流稳压电流(I
ZT
)被叠加到我
ZT
.
版本: A07
初步
BZX79C2V0 - BZX79C75
Pb
RoHS指令
合规
500毫瓦密封式玻璃齐纳
稳压器
DO-35
特点
齐纳电压范围2.0 75伏特
DO- 35封装( JEDEC )
通孔设备安装型
密封的玻璃
压接施工
所有外部表面耐腐蚀
并且信息很容易焊
符合RoHS
焊接热(浸锡(Sn ),铅完成
阴极指示的极性带
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
等级25
o
C环境温度,除非另有规定。
类型编号
功耗
最大正向电压@ IF = 100毫安
存储温度范围
工作结温
符号
Pd
V
F
T
英镑
T
J
价值
500
1.5
-65到+ 200
+ 200
单位
mW
V
O
C
O
C
这些等级是限制值高于该二极管的适用性可能受到损害。
版本: A07
电气特性
(TA=25
O
C
TYPE
BZX79C2V0
BZX79C2V2
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BZX79C2V7
BZX79C3V0
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BZX79C33
BZX79C36
BZX79C39
BZX79C43
BZX79C47
BZX79C51
BZX79C56
BZX79C62
BZX79C68
BZX79C75
注意事项:
V
Z
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ZT
(伏)
V
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敏( V)
1.88
2.08
2.28
2.51
2.8
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3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
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21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
1.公差和电压指示,上市型数字有齐纳电压,如图所示。
2.特价提供包括所示的电压之间的额定齐纳电压
和更严格的电压,在价格,可用性和交付的详细信息。
3.齐纳电压(V
Z
)测量中,齐纳电压下测得的脉搏
condicitons这样的那件T
J
是不超过2个
o
C以上牛逼
A
.
4.齐纳阻抗(Z
Z
) derivaton ,齐纳阻抗从60周的交流衍生
电压时,具有的RMS值等于10%的accurrent时其导致
直流稳压电流(I
ZT
)被叠加到我
ZT
.
版本: A07
BZX79C系列
V
Z
:
2.4到75V
P
D
:
500mW
产品特点:
可根据要求提供更高的齐纳电压。
标准齐纳电压容差
±
5%
其他公差可根据要求提供。
无铅/符合RoHS免费
齐纳二极管
DO - 35玻璃
(DO-204AH)
0.079 (2.0)最大。
1.00 (25.4)
分钟。
阴极
标志
0.150 (3.8)
马克斯。
0.020 (0.52)最大。
机械数据:
案例:
DO- 35玻璃柜
重量:
约。 0.13克
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸(毫米)
等级25
°
C环境温度,除非另有规定。
最大额定值和热特性
参数
齐纳电流见表"Characteristics"
在我正向电压
F
= 10 mA的电流。
在T功耗
L
= 25°C
热阻结到环境空气
连续正向电流
反向峰值功耗(不重复)
TP = 100μs的方波
结温
存储温度范围
T
J
T
S
-65到+ 200
-65到+ 200
°C
°C
V
F
P
D
R
θ
JA
I
F
P
ZSM
0.9
500
(1)
符号
价值
单位
V
mW
° C / W
mA
W
300
(1)
250
40
注意:
(1)有效的规定,导致在从情况下的距离的3/8“被保持在环境温度。
第1页2
启示录02 : 2005年3月25日
电气特性
(评分在25 ° C环境温度,除非另有规定)
齐纳电压
TYPE
BZX79C2V4
BZX79C2V7
BZX79C3V0
BZX79C3V3
BZX79C3V6
BZX79C3V9
BZX79C4V3
BZX79C4V7
BZX79C5V1
BZX79C5V6
BZX79C6V2
BZX79C6V8
BZX79C7V5
BZX79C8V2
BZX79C9V1
BZX79C10
BZX79C11
BZX79C12
BZX79C13
BZX79C15
BZX79C16
BZX79C18
BZX79C20
BZX79C22
BZX79C24
BZX79C27
BZX79C30
BZX79C33
BZX79C36
BZX79C39
BZX79C43
BZX79C47
BZX79C51
BZX79C56
BZX79C62
BZX79C68
BZX79C75
V
Z
@ I
ZT
1)
(V)
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
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30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大齐纳
阻抗, F = 1kHz时
最大反向温度。系数
漏电流
I
R
(A)
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
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0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
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0.05
在V
R
(V)
1
1
1
1
1
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1
1
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3
5
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28
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35
38
39
43
48
53
可受理
I
Z
(MA )
167
135
125
115
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95
90
85
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12
11
10
9.2
8.5
7.8
7.1
6.4
5.8
5.3
最大
V
R
= 0中,f = 1MHz的
(PF )
450
450
450
450
450
450
450
300
300
300
200
200
150
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50
45
45
45
40
40
40
40
35
35
35
齐纳电压稳压电流电容
α
延髓
(% /
°C)
-0.08...-0.06
-0.08...-0.06
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.08...-0.04
-0.07...-0.03
-0.04...-0.01
-0.03...+0.01
-0.02...+0.05
-0.01...+0.06
0.00...0.07
0.01...0.08
0.01...0.09
0.01...0.09
0.02...0.10
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.1(typ.)
0.1(typ.)
0.1(typ.)
0.1(typ.)
I
ZT
Z
ZT
@ I
ZT
Z
Zk
@ I
ZK
I
ZK
(毫安) (欧姆)
(欧姆) (MA )
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
笔记
( 1 )测试与脉冲TP = 5毫秒
(2)有效的规定,引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
(3)中列出的类型数对的标称齐纳电压的标准公差
±
5%.
±
2 %的误差改变类型的第六个字母,从"C"是"B"
第2页2
启示录02 : 2005年3月25日
BZX79C 3V3 - BZX79C 33系列
分立功率&信号
技术
BZX79C 3V3 - 33系列半瓦齐纳二极管
绝对最大额定值*
参数
存储温度范围
最高结工作温度
焊接温度( 1/16“从案例10秒)
器件总功耗
减免上述25℃
浪涌电源**
TA = 25° C除非另有说明
公差: C = 5 %
价值
-65到+200
+ 200
+ 230
500
4.0
30
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
W
*
这些额定值的限制值,超过该二极管的适用性可能受到损害。
**
非经常性方波PW = 8.3毫秒, TA = 50 ℃。
注意事项:
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
DO-35
电气特性
设备
BZX79C 3V3
BZX79C 3V6
BZX79C 3V9
BZX79C 4V3
BZX79C 4V7
BZX79C 5V1
BZX79C 5V6
BZX79C 6V2
BZX79C 6V8
BZX79C 7V5
BZX79C 8V2
BZX79C 9V1
BZX79C 10
BZX79C 11
BZX79C 12
BZX79C 13
BZX79C 15
BZX79C 16
BZX79C 18
BZX79C 20
BZX79C 22
BZX79C 24
BZX79C 27
BZX79C 30
BZX79C 33
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
TA = 25° C除非另有说明
V
Z
*
(V)
最大
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
Z
Z
()
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
@
I
ZT
(MA )
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
Z
ZK
()
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
@
I
ZT
(MA )
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
@
I
R
(A)
25
15
10
5.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.10
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
T
C
(毫伏/ ° C)
最大
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 2.7
- 2.0
+ 0.4
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.2
+ 3.8
+ 4.5
+ 5.4
+ 6.0
- 7.0
- 9.2
+ 10.4
+ 12.4
+ 14.4
+ 16.4
+ 18.4
+ 21.4
+ 24.4
+ 27.4
0.0
0.0
+ 0.3
+ 1.0
+ 0.2
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.7
+ 4.5
+ 5.3
+ 6.2
+ 7.0
+ 8.0
+ 9.0
+ 10
+ 11
+ 13
+ 14
+ 16
+ 18
+ 20
+ 22
+ 25.3
+ 29.4
+ 33.4
V
F
FOWARD电压= 1.5 V最大@我
F
= 100毫安所有BZX 79系列
*
脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2.0%
1997仙童半导体公司
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统,其故障执行能
其中, ( a)打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体,或(b )支持或维持生命,或(c ),其
支持设备或系统,或影响其安全性或
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明,可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
摩托罗拉
半导体
技术参数
500毫瓦的DO - 35玻
齐纳稳压二极管
综合参数适用于所有系列中
本组
一般
数据
500毫瓦
DO- 35玻
玻璃齐纳二极管
500毫瓦
1.8-200伏
500毫瓦
密封式
玻璃硅稳压二极管
规格特点:
完整的电压范围 - 1.8 200伏
DO- 204AH包 - 比传统的DO - 204AA封装小
双弹头式建筑
冶金结合建设
机械特性:
案例:
双塞型,密闭玻璃
最大的铅焊接温度的目的:
230 ℃下,为1/16 “,从
情况下,10秒
表面处理:
所有的外部表面耐腐蚀易与焊引线
极性:
阴极指出的色带。当齐纳二极管模式操作时,阴极
将正相对于阳极
安装位置:
任何
晶圆厂地点:
亚利桑那州凤凰城
装配/测试地点:
汉城
最大额定值
(摩托罗拉设备) *
等级
DC功耗和TL
75°C
引线长度= 3/8 “
减免上述TL = 75℃
工作和存储温度范围
*有些部件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。
CASE 299
DO-204AH
玻璃
符号
PD
价值
500
4
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
TJ , TSTG
- 65 + 200
PD ,最大功耗(瓦)
0.7
0.6
0.5
0.4
3/8”
3/8”
洗涤盆
0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
TL ,焊接温度( ° C)
图1.稳态功率降额
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-97
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
使用注意事项 - 齐纳电压
因为从一个给定的齐纳二极管可用的实际电压
是依赖于温度的,它确定junc-是必要
在为了任何组操作条件化温度
计算出其值。下面的过程是中建议
谁料:
铅温度, TL ,应该从确定:
TL =
θ
LAPD + TA 。
θ
洛杉矶是引入到环境的热阻( ° C / W)和PD是
功耗。对于价值
θ
LA会有所不同,取决于
在装置的安装方法。
θ
LA通常30是40℃ / W的
在普通使用和各种剪辑和连接点
印刷电路板的布线。
引线的温度,也可以使用测得的
热电偶置于铅尽可能接近的领带
点。连接到所述连接点的热质量通常
足够大,使得它不会显著响应以加热
在二极管的浪涌产生的脉冲操作的结果
一旦稳定状态条件得以实现。使用测
TL的sured值,结温度可以阻止 -
开采方式:
TJ = TL +
T
JL 。
T
JL是上述引线的增加,结温
温度,并且可以发现,从图2中的直流功率:
T
JL =
θ
JLPD 。
对于最坏情况设计,采用预期IZ的极限,极限
PD和TJ的极端( ΔTJ )可以被估计。变化
电压, VZ ,然后可以得到:
V
=
θ
VZTJ 。
θ
VZ时,齐纳电压的温度系数,可由下式求得
图4和图5 。
在高功率脉冲操作中,齐纳电压将
随时间而变化,并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节,保持目前的短途旅行
尽可能低。
浪涌限制是在图7中给出它们比低
将通过仅考虑结温度可以预期,
由于电流拥挤效应引起的温度是EX-
tremely高的小斑点,导致器件退化
应的图7的限制被超过。
θ
JL ,结到铅热阻(
°
C / W )
500
400
L
L
300
2.4–60 V
200
100
0
62–200 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
L,引线长度到散热器( INCH )
图2.典型热阻
1000
7000
5000
2000
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
0.01
0.007
0.005
0.002
0.001
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
+25°C
典型漏电流
AT标称80 %
击穿电压
I R ,漏电流(
A)
+125°C
VZ ,额定齐纳电压(伏)
图3.典型漏电流
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-98
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
温度系数
( -55 ° C至+ 150 ° C的温度范围内; 90 %的单位都在指定的范围)
θV
Z,温度系数(毫伏/
°C)
+12
+10
+8
+6
+4
+2
范围
0
–2
–4
2
3
4
5
6
7
8
9
VZ ,齐纳电压(伏)
10
11
12
VZ @ IZT
(注2 )
θV
Z,温度系数(毫伏/
°C)
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
10
范围
VZ @ IZ (注2 )
20
30
50
VZ ,齐纳电压(伏)
70
100
图4a。范围为单位,以12伏
图4b。范围内单位12 100伏特
θV
Z,温度系数(毫伏/
°C)
θV
Z,温度系数(毫伏/
°C)
200
180
160
+6
+4
+2
20毫安
0
0.01毫安
–2
–4
3
4
1毫安
注:低于3千伏及以上8伏
注意:
在齐纳电流的变化不会
注意:
AFFECT温度系数
5
6
7
8
VZ @ IZ
TA = 25°C
140
VZ @ IZT
(注2 )
120
100
120
130
140
150
160
170
180
190
200
VZ ,齐纳电压(伏)
VZ ,齐纳电压(伏)
图4c 。范围单位120至200伏特
齐纳电流图5.影响
1000
500
0 V BIAS
200
C,电容(pF )
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
的50 %
VZ BIAS
TA = 25°C
100
70
50
C,电容(pF )
30
20
TA = 25°C
0 BIAS
1 V BIAS
1伏偏置
10
7
5
3
2
1
VZ BIAS的50 %
50
100
120
140
160
180
190
200
220
VZ ,齐纳电压(伏)
VZ ,齐纳电压(伏)
图6a 。典型电容2.4-100伏
图6b 。典型电容120-200伏
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-99
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
10 %占空比
5 %占空比
PPK ,峰值浪涌功率(瓦特)
11 V - 91 V非重复性
1.8 V - 10 V非重复性
矩形
波形
TJ = 25 ° C状态
初始脉冲
20 %占空比
PW ,脉冲宽度(毫秒)
图7a 。最大浪涌功率1.8-91伏
PPK ,峰值浪涌功率(瓦特)
ZZ ,动态阻抗(欧姆)
1000
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
0.01
1000
500
矩形
波形, TJ = 25°C
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
1
10
100
1000
0.1
0.2
0.5
VZ = 2.7 V
47 V
27 V
TJ = 25°C
IZ (有效值) = 0.1 IZ (直流)
F = 60赫兹
100-200伏不重复
6.2 V
1
2
5
10
20
50
100
PW ,脉冲宽度(毫秒)
IZ ,齐纳电流(毫安)
图7b 。最大浪涌功率DO- 204AH
100-200伏
齐纳电流在图8的影响
齐纳阻抗
ZZ ,动态阻抗(欧姆)
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
1
2
3
5
7
10
IZ = 1毫安
5毫安
20毫安
I F ,正向电流(mA )
TJ = 25°C
IZ (有效值) = 0.1 IZ (直流)
F = 60赫兹
1000
500
200
100
50
20
10
5 150°C
2
1
75°C
最大
最低
25°C
0°C
20
30
50
70 100
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
VZ ,齐纳电压(伏)
VF ,正向电压(伏)
齐纳电压对齐纳阻抗图9.影响
图10.典型的正向特性
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-100
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
20
10
TA = 25°
I Z ,齐纳电流(mA)
1
0.1
0.01
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
VZ ,齐纳电压(伏)
图11.齐纳电压与稳压电流 - VZ = 1通16伏
10
TA = 25°
I Z ,齐纳电流(mA)
1
0.1
0.01
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
VZ ,齐纳电压(伏)
图12.齐纳电压与稳压电流 - VZ = 15通30伏
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-101
摩托罗拉
半导体
技术参数
500毫瓦的DO - 35玻
齐纳稳压二极管
综合参数适用于所有系列中
本组
一般
数据
500毫瓦
DO- 35玻
玻璃齐纳二极管
500毫瓦
1.8-200伏
500毫瓦
密封式
玻璃硅稳压二极管
规格特点:
完整的电压范围 - 1.8 200伏
DO- 204AH包 - 比传统的DO - 204AA封装小
双弹头式建筑
冶金结合建设
机械特性:
案例:
双塞型,密闭玻璃
最大的铅焊接温度的目的:
230 ℃下,为1/16 “,从
情况下,10秒
表面处理:
所有的外部表面耐腐蚀易与焊引线
极性:
阴极指出的色带。当齐纳二极管模式操作时,阴极
将正相对于阳极
安装位置:
任何
晶圆厂地点:
亚利桑那州凤凰城
装配/测试地点:
汉城
最大额定值
(摩托罗拉设备) *
等级
DC功耗和TL
75°C
引线长度= 3/8 “
减免上述TL = 75℃
工作和存储温度范围
*有些部件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。
CASE 299
DO-204AH
玻璃
符号
PD
价值
500
4
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
TJ , TSTG
- 65 + 200
PD ,最大功耗(瓦)
0.7
0.6
0.5
0.4
3/8”
3/8”
洗涤盆
0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
TL ,焊接温度( ° C)
图1.稳态功率降额
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-97
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
使用注意事项 - 齐纳电压
因为从一个给定的齐纳二极管可用的实际电压
是依赖于温度的,它确定junc-是必要
在为了任何组操作条件化温度
计算出其值。下面的过程是中建议
谁料:
铅温度, TL ,应该从确定:
TL =
θ
LAPD + TA 。
θ
洛杉矶是引入到环境的热阻( ° C / W)和PD是
功耗。对于价值
θ
LA会有所不同,取决于
在装置的安装方法。
θ
LA通常30是40℃ / W的
在普通使用和各种剪辑和连接点
印刷电路板的布线。
引线的温度,也可以使用测得的
热电偶置于铅尽可能接近的领带
点。连接到所述连接点的热质量通常
足够大,使得它不会显著响应以加热
在二极管的浪涌产生的脉冲操作的结果
一旦稳定状态条件得以实现。使用测
TL的sured值,结温度可以阻止 -
开采方式:
TJ = TL +
T
JL 。
T
JL是上述引线的增加,结温
温度,并且可以发现,从图2中的直流功率:
T
JL =
θ
JLPD 。
对于最坏情况设计,采用预期IZ的极限,极限
PD和TJ的极端( ΔTJ )可以被估计。变化
电压, VZ ,然后可以得到:
V
=
θ
VZTJ 。
θ
VZ时,齐纳电压的温度系数,可由下式求得
图4和图5 。
在高功率脉冲操作中,齐纳电压将
随时间而变化,并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节,保持目前的短途旅行
尽可能低。
浪涌限制是在图7中给出它们比低
将通过仅考虑结温度可以预期,
由于电流拥挤效应引起的温度是EX-
tremely高的小斑点,导致器件退化
应的图7的限制被超过。
θ
JL ,结到铅热阻(
°
C / W )
500
400
L
L
300
2.4–60 V
200
100
0
62–200 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
L,引线长度到散热器( INCH )
图2.典型热阻
1000
7000
5000
2000
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
0.01
0.007
0.005
0.002
0.001
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
+25°C
典型漏电流
AT标称80 %
击穿电压
I R ,漏电流(
A)
+125°C
VZ ,额定齐纳电压(伏)
图3.典型漏电流
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-98
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
温度系数
( -55 ° C至+ 150 ° C的温度范围内; 90 %的单位都在指定的范围)
θV
Z,温度系数(毫伏/
°C)
+12
+10
+8
+6
+4
+2
范围
0
–2
–4
2
3
4
5
6
7
8
9
VZ ,齐纳电压(伏)
10
11
12
VZ @ IZT
(注2 )
θV
Z,温度系数(毫伏/
°C)
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
10
范围
VZ @ IZ (注2 )
20
30
50
VZ ,齐纳电压(伏)
70
100
图4a。范围为单位,以12伏
图4b。范围内单位12 100伏特
θV
Z,温度系数(毫伏/
°C)
θV
Z,温度系数(毫伏/
°C)
200
180
160
+6
+4
+2
20毫安
0
0.01毫安
–2
–4
3
4
1毫安
注:低于3千伏及以上8伏
注意:
在齐纳电流的变化不会
注意:
AFFECT温度系数
5
6
7
8
VZ @ IZ
TA = 25°C
140
VZ @ IZT
(注2 )
120
100
120
130
140
150
160
170
180
190
200
VZ ,齐纳电压(伏)
VZ ,齐纳电压(伏)
图4c 。范围单位120至200伏特
齐纳电流图5.影响
1000
500
0 V BIAS
200
C,电容(pF )
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
的50 %
VZ BIAS
TA = 25°C
100
70
50
C,电容(pF )
30
20
TA = 25°C
0 BIAS
1 V BIAS
1伏偏置
10
7
5
3
2
1
VZ BIAS的50 %
50
100
120
140
160
180
190
200
220
VZ ,齐纳电压(伏)
VZ ,齐纳电压(伏)
图6a 。典型电容2.4-100伏
图6b 。典型电容120-200伏
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-99
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
10 %占空比
5 %占空比
PPK ,峰值浪涌功率(瓦特)
11 V - 91 V非重复性
1.8 V - 10 V非重复性
矩形
波形
TJ = 25 ° C状态
初始脉冲
20 %占空比
PW ,脉冲宽度(毫秒)
图7a 。最大浪涌功率1.8-91伏
PPK ,峰值浪涌功率(瓦特)
ZZ ,动态阻抗(欧姆)
1000
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
0.01
1000
500
矩形
波形, TJ = 25°C
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
1
10
100
1000
0.1
0.2
0.5
VZ = 2.7 V
47 V
27 V
TJ = 25°C
IZ (有效值) = 0.1 IZ (直流)
F = 60赫兹
100-200伏不重复
6.2 V
1
2
5
10
20
50
100
PW ,脉冲宽度(毫秒)
IZ ,齐纳电流(毫安)
图7b 。最大浪涌功率DO- 204AH
100-200伏
齐纳电流在图8的影响
齐纳阻抗
ZZ ,动态阻抗(欧姆)
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
1
2
3
5
7
10
IZ = 1毫安
5毫安
20毫安
I F ,正向电流(mA )
TJ = 25°C
IZ (有效值) = 0.1 IZ (直流)
F = 60赫兹
1000
500
200
100
50
20
10
5 150°C
2
1
75°C
最大
最低
25°C
0°C
20
30
50
70 100
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
VZ ,齐纳电压(伏)
VF ,正向电压(伏)
齐纳电压对齐纳阻抗图9.影响
图10.典型的正向特性
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-100
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
20
10
TA = 25°
I Z ,齐纳电流(mA)
1
0.1
0.01
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
VZ ,齐纳电压(伏)
图11.齐纳电压与稳压电流 - VZ = 1通16伏
10
TA = 25°
I Z ,齐纳电流(mA)
1
0.1
0.01
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
VZ ,齐纳电压(伏)
图12.齐纳电压与稳压电流 - VZ = 15通30伏
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-101
BZX79C 3V3 - BZX79C 33系列
分立功率&信号
技术
BZX79C 3V3 - 33系列半瓦齐纳二极管
绝对最大额定值*
参数
存储温度范围
最高结工作温度
焊接温度( 1/16“从案例10秒)
器件总功耗
减免上述25℃
浪涌电源**
TA = 25° C除非另有说明
公差: C = 5 %
价值
-65到+200
+ 200
+ 230
500
4.0
30
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
W
*
这些额定值的限制值,超过该二极管的适用性可能受到损害。
**
非经常性方波PW = 8.3毫秒, TA = 50 ℃。
注意事项:
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
DO-35
电气特性
设备
BZX79C 3V3
BZX79C 3V6
BZX79C 3V9
BZX79C 4V3
BZX79C 4V7
BZX79C 5V1
BZX79C 5V6
BZX79C 6V2
BZX79C 6V8
BZX79C 7V5
BZX79C 8V2
BZX79C 9V1
BZX79C 10
BZX79C 11
BZX79C 12
BZX79C 13
BZX79C 15
BZX79C 16
BZX79C 18
BZX79C 20
BZX79C 22
BZX79C 24
BZX79C 27
BZX79C 30
BZX79C 33
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
TA = 25° C除非另有说明
V
Z
*
(V)
最大
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
Z
Z
()
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
@
I
ZT
(MA )
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
Z
ZK
()
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
@
I
ZT
(MA )
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
@
I
R
(A)
25
15
10
5.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.10
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
T
C
(毫伏/ ° C)
最大
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 2.7
- 2.0
+ 0.4
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.2
+ 3.8
+ 4.5
+ 5.4
+ 6.0
- 7.0
- 9.2
+ 10.4
+ 12.4
+ 14.4
+ 16.4
+ 18.4
+ 21.4
+ 24.4
+ 27.4
0.0
0.0
+ 0.3
+ 1.0
+ 0.2
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.7
+ 4.5
+ 5.3
+ 6.2
+ 7.0
+ 8.0
+ 9.0
+ 10
+ 11
+ 13
+ 14
+ 16
+ 18
+ 20
+ 22
+ 25.3
+ 29.4
+ 33.4
V
F
FOWARD电压= 1.5 V最大@我
F
= 100毫安所有BZX 79系列
*
脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2.0%
1997仙童半导体公司
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统,其故障执行能
其中, ( a)打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体,或(b )支持或维持生命,或(c ),其
支持设备或系统,或影响其安全性或
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明,可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
BZX79C2V4-BZX79C75
500mW的, 5 %的容差稳压二极管
小信号二极管
DO- 35轴向引线
密封的玻璃
特点
广齐纳电压范围选择: 2.4V至75V
的±5% VZ公差选择
专为通孔设备类型安装
密封的玻璃
无铅版本,并符合RoHS标准
高可靠性玻璃钝化投保参数
稳定性和防结污染
A
D
C
B
机械数据
案例: DO - 35封装( SOD- 27 )
铅:轴向引线,每焊
MIL- STD- 202方法2025
高温焊接保证: 260 ℃/ 10秒
极性:由阴极频带指示
重量: 109 ± 4毫克
尺寸
A
B
C
D
单位(mm )
0.45
3.05
1.53
最大
单位(英寸)
最大
0.55 0.018 0.022
5.08 0.120 0.201
2.28 0.060 0.090
25.40 38.10 1.000 1.500
订购信息
产品型号
BZX79C2V4-75
BZX79C2V4-75
封装代码
A0
R0
DO-35
DO-35
填料
5Kpcs /弹药
10Kpcs / 14"卷轴
最大额定值和电气特性
评分在25 ° C环境温度,除非另有规定。
最大额定值
类型编号
功耗
最大正向电压@I
F
=100mA
热阻(结到环境) (注1 )
存储温度范围
注: 1 。有效的条件是电极被保持在环境温度
符号
P
D
V
F
RΘJA
T
J
,T
英镑
价值
500
1.5
300
-65到+ 175
单位
mW
V
° C / W
°C
齐纳我vs.V特点
当前
I
F
V
ZM
V
Z
V
BR
V
R
I
R
I
ZK
V
F
电压
V
BR
I
ZK
Z
ZK
I
ZT
V
Z
Z
ZT
前进区
:电压在我
ZK
:测试电流电压V
BR
:在我的动态阻抗
ZK
:测试电流电压V
Z
:在电压电流I
ZT
:在我的动态阻抗
ZT
:最大稳态电流
:电压在我
ZM
I
ZT
I
ZM
BreakdownRegion
泄露区域
I
ZM
V
ZM
版本: B11
BZX79C2V4-BZX79C75
500mW的, 5 %的容差稳压二极管
小信号二极管
电气特性
TA = 25° C除非另有说明
V
F
正向电压= 1.5V最大@ I
F
= 100毫安的所有零件号
产品型号
BZX79C2V4
BZX79C2V7
BZX79C3V0
BZX79C3V3
BZX79C3V6
BZX79C3V9
BZX79C4V3
BZX79C4V7
BZX79C5V1
BZX79C5V6
BZX79C6V2
BZX79C6V8
BZX79C7V5
BZX79C8V2
BZX79C9V1
BZX79C10
BZX79C11
BZX79C12
BZX79C13
BZX79C15
BZX79C16
BZX79C18
BZX79C20
BZX79C22
BZX79C24
BZX79C27
BZX79C30
BZX79C33
BZX79C36
BZX79C39
BZX79C43
BZX79C47
BZX79C51
BZX79C56
BZX79C62
BZX79C68
BZX79C75
注意事项:
1.齐纳电压(V
Z
)为10ms的脉冲条件下进行测试
2.列出的设备数量对的额定齐纳电压容差标准
±5%.
3.关于价格,可用性和交付所示的电压和更严格的电压容差之间的额定齐纳电压的详细信息,
联系离您最近
台湾积体电路
代表性。
4.齐纳阻抗从60周期的交流电压时,具有有效值等于DC的10%的交流电流时,其导致来自
齐纳电流
记号
CODE
BZX79C2V4
BZX79C2V7
BZX79C3V0
BZX79C3V3
BZX79C3V6
BZX79C3V9
BZX79C4V3
BZX79C4V7
BZX79C5V1
BZX79C5V6
BZX79C6V2
BZX79C6V8
BZX79C7V5
BZX79C8V2
BZX79C9V1
BZX79C10
BZX79C11
BZX79C12
BZX79C13
BZX79C15
BZX79C16
BZX79C18
BZX79C20
BZX79C22
BZX79C24
BZX79C27
BZX79C30
BZX79C33
BZX79C36
BZX79C39
BZX79C43
BZX79C47
BZX79C51
BZX79C56
BZX79C62
BZX79C68
BZX79C75
V
Z
@ I
ZT
(伏)
2.3
2.6
2.9
3.1
3.4
3.7
4.1
4.5
4.8
5.3
5.9
6.5
7.1
7.8
8.6
9.5
10.5
11.4
12.4
14.3
15.2
17.1
19.0
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
2.5
2.8
3.2
3.5
3.8
4.1
4.5
4.9
5.4
5.9
6.5
7.1
7.9
8.6
9.6
10.5
11.6
12.6
13.7
15.8
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
28.4
31.5
34.7
37.8
41.0
45.2
49.4
53.6
58.8
65.1
71.4
78.8
I
ZT
(MA )
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2.5
2.5
2.5
Z
ZT
@ I
ZT
()
最大
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
I
ZK
(MA )
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
Z
ZK
@ I
ZK
() I
R
@ V
R
(μA)
最大
最大
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
1000
1000
1000
100
75
50
25
15
10
5
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
版本: B11
BZX79C2V4-BZX79C75
500mW的, 5 %的容差稳压二极管
小信号二极管
评级和Sharacteristic曲线
600
1000
总电容[ pF的]
F = 1MHz的
TA = 25
100
VR = 0V
VR = 2V
VR = 5V
PD功耗Passipation [毫瓦]
500
400
300
200
100
VR = 20V
10
VR = 30V
0
0
40
1
温度
]
80
120
160
200
0
20
40
VZ - 反向电压[V]
60
80
图1.功耗与环境温度
从个案的距离为0.8mm有效提供线索保持在
环境温度
图2.总电容
差是齐纳阻抗[ Ω ]
1000
1000
Iz=1mA
Iz=2mA
TA = 25
正向电流[mA ]
100
TA = 25
100
Iz=5mA
Iz=10mA
10
10
1
1
0.1
1
10
VZ - 反向电压[V]
100
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
VF - FORW ARD电压[M V]
1
1.2
图3.差分阻抗与齐纳电压
图4.正向电流与正向电压
300
250
反向电流[mA ]
200
150
100
50
0
0
2
4
6
VZ - 反向电压[V]
8
10
PD = 500mW的
TA = 25
100
PD = 500mW的
TA = 25
反向电流[mA ]
10
1
0.1
0.01
15
25
35
45
55
65
VZ - 反向电压[V]
75
图5.反向电流和反向电压
图6.反向电流和反向电压
版本: B11
BZX79C2V4-BZX79C75
500mW的, 5 %的容差稳压二极管
小信号二极管
磁带&卷轴规格
总宽度
TAPE SPACING
组件间距
Untaped铅
带不匹配
玻璃失调
编带导
导致以后的磁带
卷筒外径
卷内径
进料孔宽
卷筒宽度
符号
A
B
C
L1-L2
K
E
F
G
H
D
D1
D2
W1
外形尺寸(mm )
64+1.69/-0.69
52.0+/-0.69
5.08+/-0.40
+/-0.69
1.2 MAX
0.55(MAX)
0.69(MAX)
3.2Min
0
260+/-3
48+/-1
20+/-0.5
72+3/-1
H
W1
G
L1
F
D
B
D2
D1
L2
A
E
C
K
版本: B11
BZX79C系列
机械数据
尺寸mm (英寸)
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004)
0.31弧度。
(0.012)
3
2
1
1.91 ± 0.10
(0.075 ± 0.004)
3.05 ± 0.13
(0.12 ± 0.005)
A=
0.76 ± 0.15
(0.03 ± 0.006)
稳压器
二极管上
陶瓷表面贴装
FOR HI- REL应用
A
1.40
(0.055)
马克斯。
2.54 ± 0.13
(0.10 ± 0.005)
0.31弧度。
(0.012)
1.02 ± 0.10
(0.04 ± 0.004)
特点
密封陶瓷表面贴装
封装( SOT23兼容)
电压范围2.4V至100V
SOT23封装陶瓷
( LCC1 PACKAGE )
仰视图
垫1 - 阳极
PAD 2 = N / C
垫3 - 阴极
绝对最大额定值
P
合计
功耗
减免上述25℃
T
J
T
英镑
T
SOL
R
θJA
R
θJ -MB
最大Junation温度
存储温度范围
焊接温度
热阻结到环境
热阻结到安装底座
(5秒以内)。
T
AMB
= 25°C
500mW
4mW/°C
-65到+ 200℃
-65到+ 200℃
230°C
336°C/W
140°C/W
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
V
Z
I
R
Z
Z
Z
Z
齐纳电压
反向电流
小信号击穿阻抗
小信号击穿阻抗
临近崩溃的膝盖
测试条件
对于V
Z
喃。
24V,
对于V
Z
喃。
27V,
V
R
= V
R
TEST
V
R
= V
R
TEST
I
Z
= I
Z
TEST
对于V
Z
喃。
24V,
对于V
Z
喃。
27V,
I
ZK
= 1毫安
I
ZK
- 0.5毫安
T
AMB
= 150°C
I
Z
= 5毫安
I
Z
= 2毫安
分钟。
V
Z
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
A
V
Z
NOM 。 V
Z
马克斯。
I
R
马克斯。
I
R
最大
Z
Z
马克斯。
Z
K
马克斯。
见表1型变种和测试参数。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
文档编号4036
第1期
BZX79C系列
表1 - 型变种&测试参数
产品
V
Z
喃。
(V)
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
V
Z
分钟。
(V)
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
V
Z
马克斯。
(V)
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
87
96
106
I
Z
马克斯。
(MA )
155
135
125
115
105
95
90
85
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.3
4.9
4.4
4.0
Z
Z
马克斯。
()
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
280
300
500
V
R
TEST
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10
11
13
14
15
17
19
21
23
25
27
29
33
36
39
43
48
52
62
69
76
I
R
马克斯。
(A)
(25°C)
50
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
R
ZK
MAX / I
ZK
最大
()
(MA )
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
525
550
600
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
BZX79C2V4
BZX79C2V7
BZX79C3V0
BZX79C3V3
BZX79C3V6
BZX79C3V9
BZX79C4V3
BZX79C4V7
BZX79C5V1
BZX79C5V6
BZX79C6V2
BZX79C6V8
BZX79C7V5
BZX79C8V2
BZX79C9V1
BZX79C10
BZX79C11
BZX79C12
BZX79C13
BZX79C15
BZX79C16
BZX79C18
BZX79C20
BZX79C22
BZX79C24
BZX79C27
BZX79C30
BZX79C33
BZX79C36
BZX79C39
BZX79C43
BZX79C47
BZX79C51
BZX79C56
BZX79C62
BZX79C68
BZX79C75
BZX79C82
BZX79C91
BZX79C100
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
文档编号4036
第1期
BZX79C2V0-BZX79C75
500mW的, 5 %的容差稳压二极管
小信号二极管
DO- 35轴向引线
密封的玻璃
特点
广齐纳电压范围选择: 2.0V至75V
的±5% VZ公差选择
专为通孔设备类型安装
密封的玻璃
无铅版本,并符合RoHS标准
高可靠性玻璃钝化投保参数
稳定性和防结污染
A
D
C
B
机械数据
案例: DO - 35封装( SOD- 27 )
铅:轴向引线,每焊
MIL- STD- 202方法2025
高温焊接保证: 260 ℃/ 10秒
极性:由阴极频带指示
重量: 109 ± 4毫克
尺寸
A
B
C
D
单位(mm )
0.45
3.05
1.53
最大
单位(英寸)
最大
0.55 0.018 0.022
5.08 0.120 0.201
2.28 0.060 0.090
25.40 38.10 1.000 1.500
订购信息
产品型号
BZX79C2V0-75
BZX79C2V0-75
封装代码
A0
R0
DO-35
DO-35
填料
5Kpcs /弹药
10Kpcs / 14"卷轴
最大额定值和电气特性
评分在25 ° C环境温度,除非另有规定。
最大额定值
类型编号
功耗
最大正向电压@I
F
=100mA
热阻(结到环境) (注1 )
存储温度范围
注: 1 。有效的条件是电极被保持在环境温度
符号
P
D
V
F
RΘJA
T
J
,T
英镑
价值
500
1.5
300
-65到+ 175
单位
mW
V
° C / W
°C
齐纳我vs.V特点
当前
I
F
V
ZM
V
Z
V
BR
V
R
I
R
I
ZK
I
ZT
V
F
电压
V
BR
I
ZK
Z
ZK
I
ZT
V
Z
Z
ZT
前进区
:电压在我
ZK
:测试电流电压V
BR
:在我的动态阻抗
ZK
:测试电流电压V
Z
:在电压电流I
ZT
:在我的动态阻抗
ZT
:最大稳态电流
:电压在我
ZM
I
ZM
BreakdownRegion
泄露区域
I
ZM
V
ZM
版本: C11
BZX79C2V0-BZX79C75
500mW的, 5 %的容差稳压二极管
小信号二极管
电气特性
TA = 25° C除非另有说明
V
F
正向电压= 1.5V最大@ I
F
= 100毫安的所有零件号
产品型号
BZX79C2V0
BZX79C2V2
BZX79C2V4
BZX79C2V7
BZX79C3V0
BZX79C3V3
BZX79C3V6
BZX79C3V9
BZX79C4V3
BZX79C4V7
BZX79C5V1
BZX79C5V6
BZX79C6V2
BZX79C6V8
BZX79C7V5
BZX79C8V2
BZX79C9V1
BZX79C10
BZX79C11
BZX79C12
BZX79C13
BZX79C15
BZX79C16
BZX79C18
BZX79C20
BZX79C22
BZX79C24
BZX79C27
BZX79C30
BZX79C33
BZX79C36
BZX79C39
BZX79C43
BZX79C47
BZX79C51
BZX79C56
BZX79C62
BZX79C68
BZX79C75
注意事项:
1.齐纳电压(V
Z
)为10ms的脉冲条件下进行测试
2.列出的设备数量对的额定齐纳电压容差标准
±5%.
3.关于价格,可用性和交付所示的电压和更严格的电压容差之间的额定齐纳电压的详细信息,
联系离您最近
台湾积体电路
代表性。
4.齐纳阻抗从60周期的交流电压时,具有有效值等于直流稳压的10%的交流电流时,其导致来自
当前
记号
CODE
BZX79C2V0
BZX79C2V2
BZX79C2V4
BZX79C2V7
BZX79C3V0
BZX79C3V3
BZX79C3V6
BZX79C3V9
BZX79C4V3
BZX79C4V7
BZX79C5V1
BZX79C5V6
BZX79C6V2
BZX79C6V8
BZX79C7V5
BZX79C8V2
BZX79C9V1
BZX79C10
BZX79C11
BZX79C12
BZX79C13
BZX79C15
BZX79C16
BZX79C18
BZX79C20
BZX79C22
BZX79C24
BZX79C27
BZX79C30
BZX79C33
BZX79C36
BZX79C39
BZX79C43
BZX79C47
BZX79C51
BZX79C56
BZX79C62
BZX79C68
BZX79C75
V
Z
@ I
ZT
(伏)
1.9
2.1
2.3
2.6
2.9
3.1
3.4
3.7
4.1
4.5
4.8
5.3
5.9
6.5
7.1
7.8
8.6
9.5
10.5
11.4
12.4
14.3
15.2
17.1
19.0
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
2.1
2.3
2.5
2.8
3.2
3.5
3.8
4.1
4.5
4.9
5.4
5.9
6.5
7.1
7.9
8.6
9.6
10.5
11.6
12.6
13.7
15.8
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
28.4
31.5
34.7
37.8
41.0
45.2
49.4
53.6
58.8
65.1
71.4
78.8
I
ZT
(MA )
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2.5
2.5
2.5
Z
ZT
@ I
ZT
()
最大
100
100
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
I
ZK
(MA )
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
Z
ZK
@ I
ZK
() I
R
@ V
R
(μA)
最大
最大
600
600
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
1000
1000
1000
150
150
100
75
50
25
15
10
5
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
版本: C11
BZX79C2V0-BZX79C75
500mW的, 5 %的容差稳压二极管
小信号二极管
评级和Sharacteristic曲线
600
1000
总电容[ pF的]
F = 1MHz的
TA = 25
100
VR = 0V
VR = 2V
VR = 5V
PD功耗Passipation [毫瓦]
500
400
300
200
100
VR = 20V
10
VR = 30V
0
0
40
1
温度
]
80
120
160
200
0
20
40
VZ - 反向电压[V]
60
80
图1.功耗与环境温度
从个案的距离为0.8mm有效提供线索保持在
环境温度
图2.总电容
差是齐纳阻抗[ Ω ]
1000
Iz=1mA
Iz=2mA
Iz=5mA
Iz=10mA
1000
TA = 25
正向电流[mA ]
100
TA = 25
100
10
10
1
1
0.1
1
10
VZ - 反向电压[V]
100
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
VF - FORW ARD电压[M V]
1
1.2
图3.差分阻抗与齐纳电压
图4.正向电流与正向电压
300
250
反向电流[mA ]
200
150
100
50
0
0
2
4
6
VZ - 反向电压[V]
8
10
PD = 500mW的
TA = 25
100
PD = 500mW的
TA = 25
反向电流[mA ]
10
1
0.1
0.01
15
25
35
45
55
65
VZ - 反向电压[V]
75
图5.反向电流和反向电压
图6.反向电流和反向电压
版本:
C11
BZX79C2V0-BZX79C75
500mW的, 5 %的容差稳压二极管
小信号二极管
磁带&卷轴规格
总宽度
TAPE SPACING
组件间距
Untaped铅
带不匹配
玻璃失调
编带导
导致以后的磁带
卷筒外径
卷内径
进料孔宽
卷筒宽度
符号
A
B
C
L1-L2
K
E
F
G
H
D
D1
D2
W1
外形尺寸(mm )
64+1.69/-0.69
52.0+/-0.69
5.08+/-0.40
+/-0.69
1.2 MAX
0.55(MAX)
0.69(MAX)
3.2Min
0
260+/-3
48+/-1
20+/-0.5
72+3/-1
H
W1
G
L1
F
D
B
D2
D1
L2
A
E
C
K
版本:
C11
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BZX79C15
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885658492 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885637848 复制
电话:0755-84502810
联系人:甘先生
地址:深圳市龙岗区布澜路76号东久创新科技园7栋A1306室/香港九龙观塘成业街19-21号成业工业大厦8/F14室
BZX79C15
NXP/恩智浦
24+
4600
DO-35
原装现货假一罚十!可含税长期供货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
BZX79C15
ON
2025+
26820
DO-204AH
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004205530 复制 点击这里给我发消息 QQ:3004205445 复制

电话:0755-23995152
联系人:林
地址:广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
BZX79C15
onsemi
23+
12000
原厂封装
原装现货可含税
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
BZX79C15
FAIRCHILD
1925+
9852
DO35
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ:570120875 复制
电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
BZX79C15
NXP
2425+
11280
DO-35
进口原装!优势现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
BZX79C15
onsemi
24+
10000
DO-35
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
BZX79C15
Fairchild Semiconductor
24+
10000
DO-204AH(DO-35)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
BZX79C15
Taiwan Semiconductor Corporation
24+
10000
DO-35
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BZX79C15
ON/安森美
2443+
23000
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BZX79C15
onsemi
24+
25000
DO-35
全新原装现货,原厂代理。
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