摩托罗拉
半导体
技术参数
500毫瓦的DO - 35玻
齐纳稳压二极管
综合参数适用于所有系列中
本组
一般
数据
500毫瓦
DO- 35玻
玻璃齐纳二极管
500毫瓦
1.8-200伏
500毫瓦
密封式
玻璃硅稳压二极管
规格特点：
完整的电压范围 - 1.8 200伏
DO- 204AH包 - 比传统的DO - 204AA封装小
双弹头式建筑
冶金结合建设
机械特性：
案例：
双塞型，密闭玻璃
最大的铅焊接温度的目的：
230 ℃下，为1/16 “，从
情况下，10秒
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀易与焊引线
极性：
阴极指出的色带。当齐纳二极管模式操作时，阴极
将正相对于阳极
安装位置：
任何
晶圆厂地点：
亚利桑那州凤凰城
装配/测试地点：
汉城
最大额定值
（摩托罗拉设备） *
等级
DC功耗和TL
≤
75°C
引线长度= 3/8 “
减免上述TL = 75℃
工作和存储温度范围
*有些部件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。
CASE 299
DO-204AH
玻璃
符号
PD
价值
500
4
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
TJ ， TSTG
- 65 + 200
PD ，最大功耗（瓦）
0.7
0.6
0.5
0.4
3/8”
3/8”
热
洗涤盆
0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
TL ，焊接温度（ ° C）
图1.稳态功率降额
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-97
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
使用注意事项 - 齐纳电压
因为从一个给定的齐纳二极管可用的实际电压
是依赖于温度的，它确定junc-是必要
在为了任何组操作条件化温度
计算出其值。下面的过程是中建议
谁料：
铅温度， TL ，应该从确定：
TL =
θ
LAPD + TA 。
θ
洛杉矶是引入到环境的热阻（ ° C / W）和PD是
功耗。对于价值
θ
LA会有所不同，取决于
在装置的安装方法。
θ
LA通常30是40℃ / W的
在普通使用和各种剪辑和连接点
印刷电路板的布线。
引线的温度，也可以使用测得的
热电偶置于铅尽可能接近的领带
点。连接到所述连接点的热质量通常
足够大，使得它不会显著响应以加热
在二极管的浪涌产生的脉冲操作的结果
一旦稳定状态条件得以实现。使用测
TL的sured值，结温度可以阻止 -
开采方式：
TJ = TL +
T
JL 。
T
JL是上述引线的增加，结温
温度，并且可以发现，从图2中的直流功率：
T
JL =
θ
JLPD 。
对于最坏情况设计，采用预期IZ的极限，极限
PD和TJ的极端（ ΔTJ ）可以被估计。变化
电压， VZ ，然后可以得到：
V
=
θ
VZTJ 。
θ
VZ时，齐纳电压的温度系数，可由下式求得
图4和图5 。
在高功率脉冲操作中，齐纳电压将
随时间而变化，并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节，保持目前的短途旅行
尽可能低。
浪涌限制是在图7中给出它们比低
将通过仅考虑结温度可以预期，
由于电流拥挤效应引起的温度是EX-
tremely高的小斑点，导致器件退化
应的图7的限制被超过。
θ
JL ，结到铅热阻（
°
C / W ）
500
400
L
L
300
2.4–60 V
200
100
0
62–200 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
L，引线长度到散热器（ INCH ）
图2.典型热阻
1000
7000
5000
2000
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
0.01
0.007
0.005
0.002
0.001
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
+25°C
典型漏电流
AT标称80 ％
击穿电压
I R ，漏电流（
A)
+125°C
VZ ，额定齐纳电压（伏）
图3.典型漏电流
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-98
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
温度系数
（ -55 ° C至+ 150 ° C的温度范围内; 90 ％的单位都在指定的范围）
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
+12
+10
+8
+6
+4
+2
范围
0
–2
–4
2
3
4
5
6
7
8
9
VZ ，齐纳电压（伏）
10
11
12
VZ @ IZT
（注2 ）
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
10
范围
VZ @ IZ （注2 ）
20
30
50
VZ ，齐纳电压（伏）
70
100
图4a。范围为单位，以12伏
图4b。范围内单位12 100伏特
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
200
180
160
+6
+4
+2
20毫安
0
0.01毫安
–2
–4
3
4
1毫安
注：低于3千伏及以上8伏
注意：
在齐纳电流的变化不会
注意：
AFFECT温度系数
5
6
7
8
VZ @ IZ
TA = 25°C
140
VZ @ IZT
（注2 ）
120
100
120
130
140
150
160
170
180
190
200
VZ ，齐纳电压（伏）
VZ ，齐纳电压（伏）
图4c 。范围单位120至200伏特
齐纳电流图5.影响
1000
500
0 V BIAS
200
C，电容（pF ）
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
的50 ％
VZ BIAS
TA = 25°C
100
70
50
C，电容（pF ）
30
20
TA = 25°C
0 BIAS
1 V BIAS
1伏偏置
10
7
5
3
2
1
VZ BIAS的50 ％
50
100
120
140
160
180
190
200
220
VZ ，齐纳电压（伏）
VZ ，齐纳电压（伏）
图6a 。典型电容2.4-100伏
图6b 。典型电容120-200伏
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-99
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
20
10
TA = 25°
I Z ，齐纳电流（mA）
1
0.1
0.01
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
VZ ，齐纳电压（伏）
图11.齐纳电压与稳压电流 - VZ = 1通16伏
10
TA = 25°
I Z ，齐纳电流（mA）
1
0.1
0.01
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
VZ ，齐纳电压（伏）
图12.齐纳电压与稳压电流 - VZ = 15通30伏
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-101
BZX79C2V0-BZX79C75
500mW的， 5 ％的容差稳压二极管
小信号二极管
电气特性
TA = 25° C除非另有说明
V
F
正向电压= 1.5V最大@ I
F
= 100毫安的所有零件号
产品型号
BZX79C2V0
BZX79C2V2
BZX79C2V4
BZX79C2V7
BZX79C3V0
BZX79C3V3
BZX79C3V6
BZX79C3V9
BZX79C4V3
BZX79C4V7
BZX79C5V1
BZX79C5V6
BZX79C6V2
BZX79C6V8
BZX79C7V5
BZX79C8V2
BZX79C9V1
BZX79C10
BZX79C11
BZX79C12
BZX79C13
BZX79C15
BZX79C16
BZX79C18
BZX79C20
BZX79C22
BZX79C24
BZX79C27
BZX79C30
BZX79C33
BZX79C36
BZX79C39
BZX79C43
BZX79C47
BZX79C51
BZX79C56
BZX79C62
BZX79C68
BZX79C75
注意事项：
1.齐纳电压（V
Z
）为10ms的脉冲条件下进行测试
2.列出的设备数量对的额定齐纳电压容差标准
±5%.
3.关于价格，可用性和交付所示的电压和更严格的电压容差之间的额定齐纳电压的详细信息，
联系离您最近
台湾积体电路
代表性。
4.齐纳阻抗从60周期的交流电压时，具有有效值等于直流稳压的10％的交流电流时，其导致来自
当前
记号
CODE
BZX79C2V0
BZX79C2V2
BZX79C2V4
BZX79C2V7
BZX79C3V0
BZX79C3V3
BZX79C3V6
BZX79C3V9
BZX79C4V3
BZX79C4V7
BZX79C5V1
BZX79C5V6
BZX79C6V2
BZX79C6V8
BZX79C7V5
BZX79C8V2
BZX79C9V1
BZX79C10
BZX79C11
BZX79C12
BZX79C13
BZX79C15
BZX79C16
BZX79C18
BZX79C20
BZX79C22
BZX79C24
BZX79C27
BZX79C30
BZX79C33
BZX79C36
BZX79C39
BZX79C43
BZX79C47
BZX79C51
BZX79C56
BZX79C62
BZX79C68
BZX79C75
V
Z
@ I
ZT
（伏）
民
1.9
2.1
2.3
2.6
2.9
3.1
3.4
3.7
4.1
4.5
4.8
5.3
5.9
6.5
7.1
7.8
8.6
9.5
10.5
11.4
12.4
14.3
15.2
17.1
19.0
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
喃
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
2.1
2.3
2.5
2.8
3.2
3.5
3.8
4.1
4.5
4.9
5.4
5.9
6.5
7.1
7.9
8.6
9.6
10.5
11.6
12.6
13.7
15.8
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
28.4
31.5
34.7
37.8
41.0
45.2
49.4
53.6
58.8
65.1
71.4
78.8
I
ZT
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2.5
2.5
2.5
Z
ZT
@ I
ZT
()
最大
100
100
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
I
ZK
（MA ）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
Z
ZK
@ I
ZK
() I
R
@ V
R
(μA)
最大
最大
600
600
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
1000
1000
1000
150
150
100
75
50
25
15
10
5
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
版本： C11
齐纳二极管BZX79C2V4 - BZX79C180
齐纳二极管
BZX79C2V4 - BZX79C180
绝对最大额定值*
符号
P
D
参数
功耗
@ TL
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
减免上述75℃
T
J
, T
英镑
工作和存储温度范围
T
A
= 25 ° C除非另有说明
容差±5 ％
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
价值
500
4.0
-65到+200
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
DO- 35玻璃柜
颜色频带为负极
电气特性
设备
BZX79C2V4
BZX79C2V7
BZX79C3V0
BZX79C3V3
BZX79C3V6
BZX79C3V9
BZX79C4V3
BZX79C4V7
BZX79C5V1
BZX79C5V6
BZX79C6V2
BZX79C6V8
BZX79C7V5
BZX79C8V2
BZX79C9V1
BZX79C10
BZX79C11
BZX79C12
BZX79C13
BZX79C14
BZX79C16
BZX79C18
BZX79C20
BZX79C22
BZX79C24
BZX79C27
BZX79C30
BZX79C33
BZX79C36
BZX79C39
分钟。
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
马克斯。
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
T
A
= 25 ° C除非另有说明
齐纳电压
（注1 ）
I
Z
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
Z
Z
@ I
Z
()
马克斯。
漏电流
I
R
(A)
V
R
(V)
T
C
（MV /
°C)
分钟。
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-2.7
-2
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6
7
9.2
10.4
12.9
14.4
16.4
18.4
-
-
-
-
-
马克斯。
0
0
0
0
0
+0.3
+1
+0.2
+1.2
+2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7
8
9
10
11
13
14
16
18
20
22
23.5
26
29
31
34
C（ pF）的
V
Z
= 0中，f = 1MHz的
255
230
215
200
185
175
160
130
110
95
90
85
80
75
70
70
65
65
60
55
52
47
36
34
33
30
27
25
23
21
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
100
75
50
25
15
10
5
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
25.2
27.3
2004仙童半导体公司
BZX79C2V4 - BZX79C180修订版B1
齐纳二极管BZX79C2V4 - BZX79C180
电气特性
（续）T = 25° C除非另有说明
A
设备
BZX79C43
BZX79C47
BZX79C51
BZX79C56
BZX79C62
BZX79C68
BZX79C75
BZX79C82
BZX79C91
BZX79C100
BZX79C110
BZX79C120
BZX79C130
BZX79C150
BZX79C160
BZX79C180
齐纳电压
（注1 ）
分钟。
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
马克斯。
46
50
54
60
66
72
79
87
96
106
116
127
141
156
171
191
I
Z
（MA ）
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
Z
Z
@ I
Z
()
马克斯。
漏电流
I
R
(A)
V
R
(V)
T
C
（MV /
°C)
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
46
51
57
63
69
75
87
93
105
马克斯。
37
40
44
47
51
56
60
95
107
119
131
144
158
185
200
228
C（ pF）的
V
Z
= 0中，f = 1MHz的
21
19
19
18
17
17
16.5
29
28
27
26
24
23
21
20
18
150
170
180
200
215
240
255
280
300
500
650
800
950
1250
1400
1700
0.05
0.05
0.5
0.05
0.05
0.05
0.05
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
62
69
76
84
91
99
115
122
137
V
F
正向电压= 1.5V最大@ I
F
= 100毫安
注意事项：
1.齐纳电压（V
Z
)
齐纳电压的测量可以在引线温度的热平衡的器件结（T
L
）在30C ± 1C和3/8 “引线长度。
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齐纳二极管BZX79C2V4 - BZX79C180
顶标信息
设备
BZX79C2V4
BZX79C2V7
BZX79C3V0
BZX79C3V3
BZX79C3V6
BZX79C3V9
BZX79C4V3
BZX79C4V7
BZX79C5V1
BZX79C5V6
BZX79C6V2
BZX79C6V8
BZX79C7V5
BZX79C8V2
BZX79C9V1
BZX79C10
BZX79C11
BZX79C12
BZX79C13
BZX79C14
BZX79C16
BZX79C18
BZX79C20
BZX79C22
BZX79C24
BZX79C27
BZX79C30
BZX79C33
BZX79C36
BZX79C39
BZX79C43
BZX79C47
BZX79C51
BZX79C56
BZX79C62
BZX79C68
BZX79C75
BZX79C82
BZX79C91
BZX79C100
BZX79C110
BZX79C120
BZX79C130
BZX79C150
BZX79C160
BZX79C180
1号线
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
2号线
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
79C
LINE 3
2V4
2V7
3V0
3V3
3V6
3V9
4V3
4V7
5V1
5V6
6V2
6V8
7V5
8V2
9V1
10
11
12
13
14
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
4号线
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
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BZX79C2V4 - BZX79C180修订版B1
齐纳二极管BZX79C2V4 - BZX79C180
顶标信息
（续）
F
1
st
行：F - 仙童标志
2
nd
行：设备名称 - 3
rd
5
th
设备名称的字符。
或4
th
6
th
字符BZXyy系列
3
rd
行：设备名称 - 6
th
7到
th
设备名称的字符。
或额定电压为BZXyy系列
4
th
行：设备代码或 - 两个数字 - 六个星期日期代码。
日期代码或加两位数 - 六个星期日期代码
大型模具标识及大型模具鉴定， “ L”
522
9B
XY
一般要求：
1.0阴极乐队
2.0第一行：F - 仙童标志
3.0第二行：设备名称 - 1Nxx系列： 3
rd
设备名称的第五个字符。
对于BZxx系列： 4
th
6
th
设备名称的字符。
4.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 6
th
7到
th
设备名称的字符。
对于BZXyy系列：额定电压
5.0四线： XY或XYL - 两个数字 - 六个星期日期代码
式中： X表示历年的最后一位数字
Y代表六个星期的数字代码
L代表的大型模具鉴定
6.0设备应标记为需要在设备规范（ PID或FSC测试规格） 。
7.0最大无。标记线： 4
8.0最大无。的每行的数字： 3
9.0 FSC标志必须比字母数字标记高20％，并且应该占据指定的行的2个字符。
10.0标识字体：宋体（除FSC标志）
11.0一是每个标记行的字符必须垂直对齐
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商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT静音系列
ActiveArray
快
深不见底
FASTr
CoolFET
FPS
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK GTO
E
2
CMOS
HiSeC
Ensigna
I
2
C
FACT
ImpliedDisconnect
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
I9牧师
摩托罗拉
半导体
技术参数
500毫瓦的DO - 35玻
齐纳稳压二极管
综合参数适用于所有系列中
本组
一般
数据
500毫瓦
DO- 35玻
玻璃齐纳二极管
500毫瓦
1.8-200伏
500毫瓦
密封式
玻璃硅稳压二极管
规格特点：
完整的电压范围 - 1.8 200伏
DO- 204AH包 - 比传统的DO - 204AA封装小
双弹头式建筑
冶金结合建设
机械特性：
案例：
双塞型，密闭玻璃
最大的铅焊接温度的目的：
230 ℃下，为1/16 “，从
情况下，10秒
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀易与焊引线
极性：
阴极指出的色带。当齐纳二极管模式操作时，阴极
将正相对于阳极
安装位置：
任何
晶圆厂地点：
亚利桑那州凤凰城
装配/测试地点：
汉城
最大额定值
（摩托罗拉设备） *
等级
DC功耗和TL
≤
75°C
引线长度= 3/8 “
减免上述TL = 75℃
工作和存储温度范围
*有些部件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。
CASE 299
DO-204AH
玻璃
符号
PD
价值
500
4
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
TJ ， TSTG
- 65 + 200
PD ，最大功耗（瓦）
0.7
0.6
0.5
0.4
3/8”
3/8”
热
洗涤盆
0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
TL ，焊接温度（ ° C）
图1.稳态功率降额
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-97
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
使用注意事项 - 齐纳电压
因为从一个给定的齐纳二极管可用的实际电压
是依赖于温度的，它确定junc-是必要
在为了任何组操作条件化温度
计算出其值。下面的过程是中建议
谁料：
铅温度， TL ，应该从确定：
TL =
θ
LAPD + TA 。
θ
洛杉矶是引入到环境的热阻（ ° C / W）和PD是
功耗。对于价值
θ
LA会有所不同，取决于
在装置的安装方法。
θ
LA通常30是40℃ / W的
在普通使用和各种剪辑和连接点
印刷电路板的布线。
引线的温度，也可以使用测得的
热电偶置于铅尽可能接近的领带
点。连接到所述连接点的热质量通常
足够大，使得它不会显著响应以加热
在二极管的浪涌产生的脉冲操作的结果
一旦稳定状态条件得以实现。使用测
TL的sured值，结温度可以阻止 -
开采方式：
TJ = TL +
T
JL 。
T
JL是上述引线的增加，结温
温度，并且可以发现，从图2中的直流功率：
T
JL =
θ
JLPD 。
对于最坏情况设计，采用预期IZ的极限，极限
PD和TJ的极端（ ΔTJ ）可以被估计。变化
电压， VZ ，然后可以得到：
V
=
θ
VZTJ 。
θ
VZ时，齐纳电压的温度系数，可由下式求得
图4和图5 。
在高功率脉冲操作中，齐纳电压将
随时间而变化，并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节，保持目前的短途旅行
尽可能低。
浪涌限制是在图7中给出它们比低
将通过仅考虑结温度可以预期，
由于电流拥挤效应引起的温度是EX-
tremely高的小斑点，导致器件退化
应的图7的限制被超过。
θ
JL ，结到铅热阻（
°
C / W ）
500
400
L
L
300
2.4–60 V
200
100
0
62–200 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
L，引线长度到散热器（ INCH ）
图2.典型热阻
1000
7000
5000
2000
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
0.01
0.007
0.005
0.002
0.001
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
+25°C
典型漏电流
AT标称80 ％
击穿电压
I R ，漏电流（
A)
+125°C
VZ ，额定齐纳电压（伏）
图3.典型漏电流
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-98
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
温度系数
（ -55 ° C至+ 150 ° C的温度范围内; 90 ％的单位都在指定的范围）
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
+12
+10
+8
+6
+4
+2
范围
0
–2
–4
2
3
4
5
6
7
8
9
VZ ，齐纳电压（伏）
10
11
12
VZ @ IZT
（注2 ）
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
10
范围
VZ @ IZ （注2 ）
20
30
50
VZ ，齐纳电压（伏）
70
100
图4a。范围为单位，以12伏
图4b。范围内单位12 100伏特
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
200
180
160
+6
+4
+2
20毫安
0
0.01毫安
–2
–4
3
4
1毫安
注：低于3千伏及以上8伏
注意：
在齐纳电流的变化不会
注意：
AFFECT温度系数
5
6
7
8
VZ @ IZ
TA = 25°C
140
VZ @ IZT
（注2 ）
120
100
120
130
140
150
160
170
180
190
200
VZ ，齐纳电压（伏）
VZ ，齐纳电压（伏）
图4c 。范围单位120至200伏特
齐纳电流图5.影响
1000
500
0 V BIAS
200
C，电容（pF ）
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
的50 ％
VZ BIAS
TA = 25°C
100
70
50
C，电容（pF ）
30
20
TA = 25°C
0 BIAS
1 V BIAS
1伏偏置
10
7
5
3
2
1
VZ BIAS的50 ％
50
100
120
140
160
180
190
200
220
VZ ，齐纳电压（伏）
VZ ，齐纳电压（伏）
图6a 。典型电容2.4-100伏
图6b 。典型电容120-200伏
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-99
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
20
10
TA = 25°
I Z ，齐纳电流（mA）
1
0.1
0.01
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
VZ ，齐纳电压（伏）
图11.齐纳电压与稳压电流 - VZ = 1通16伏
10
TA = 25°
I Z ，齐纳电流（mA）
1
0.1
0.01
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
VZ ，齐纳电压（伏）
图12.齐纳电压与稳压电流 - VZ = 15通30伏
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-101
BZX79C 3V3 - BZX79C 33系列
分立功率&信号
技术
BZX79C 3V3 - 33系列半瓦齐纳二极管
绝对最大额定值*
参数
存储温度范围
最高结工作温度
焊接温度（ 1/16“从案例10秒）
器件总功耗
减免上述25℃
浪涌电源**
TA = 25° C除非另有说明
公差： C = 5 ％
价值
-65到+200
+ 200
+ 230
500
4.0
30
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
W
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
**
非经常性方波PW = 8.3毫秒， TA = 50 ℃。
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
DO-35
电气特性
设备
民
BZX79C 3V3
BZX79C 3V6
BZX79C 3V9
BZX79C 4V3
BZX79C 4V7
BZX79C 5V1
BZX79C 5V6
BZX79C 6V2
BZX79C 6V8
BZX79C 7V5
BZX79C 8V2
BZX79C 9V1
BZX79C 10
BZX79C 11
BZX79C 12
BZX79C 13
BZX79C 15
BZX79C 16
BZX79C 18
BZX79C 20
BZX79C 22
BZX79C 24
BZX79C 27
BZX79C 30
BZX79C 33
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
TA = 25° C除非另有说明
V
Z
*
(V)
最大
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
Z
Z
()
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
@
I
ZT
（MA ）
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
Z
ZK
()
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
@
I
ZT
（MA ）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
@
I
R
(A)
25
15
10
5.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.10
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
T
C
（毫伏/ ° C）
民
最大
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 2.7
- 2.0
+ 0.4
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.2
+ 3.8
+ 4.5
+ 5.4
+ 6.0
- 7.0
- 9.2
+ 10.4
+ 12.4
+ 14.4
+ 16.4
+ 18.4
+ 21.4
+ 24.4
+ 27.4
0.0
0.0
+ 0.3
+ 1.0
+ 0.2
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.7
+ 4.5
+ 5.3
+ 6.2
+ 7.0
+ 8.0
+ 9.0
+ 10
+ 11
+ 13
+ 14
+ 16
+ 18
+ 20
+ 22
+ 25.3
+ 29.4
+ 33.4
V
F
FOWARD电压= 1.5 V最大@我
F
= 100毫安所有BZX 79系列
*
脉冲测试：脉冲宽度
300
女士，
占空比
2.0%
1997仙童半导体公司
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
BZX79C系列
V
Z
:
2.4到75V
P
D
:
500mW
产品特点：
可根据要求提供更高的齐纳电压。
标准齐纳电压容差
±
5%
其他公差可根据要求提供。
无铅/符合RoHS免费
齐纳二极管
DO - 35玻璃
(DO-204AH)
0.079 （2.0）最大。
1.00 (25.4)
分钟。
阴极
标志
0.150 (3.8)
马克斯。
0.020 （0.52）最大。
机械数据：
案例：
DO- 35玻璃柜
重量：
约。 0.13克
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
最大额定值和热特性
参数
齐纳电流见表"Characteristics"
在我正向电压
F
= 10 mA的电流。
在T功耗
L
= 25°C
热阻结到环境空气
连续正向电流
反向峰值功耗（不重复）
TP = 100μs的方波
结温
存储温度范围
T
J
T
S
-65到+ 200
-65到+ 200
°C
°C
V
F
P
D
R
θ
JA
I
F
P
ZSM
0.9
500
(1)
符号
价值
单位
V
mW
° C / W
mA
W
300
(1)
250
40
注意：
（1）有效的规定，导致在从情况下的距离的3/8“被保持在环境温度。
第1页2
启示录02 ： 2005年3月25日
电气特性
（评分在25 ° C环境温度，除非另有规定）
齐纳电压
TYPE
数
BZX79C2V4
BZX79C2V7
BZX79C3V0
BZX79C3V3
BZX79C3V6
BZX79C3V9
BZX79C4V3
BZX79C4V7
BZX79C5V1
BZX79C5V6
BZX79C6V2
BZX79C6V8
BZX79C7V5
BZX79C8V2
BZX79C9V1
BZX79C10
BZX79C11
BZX79C12
BZX79C13
BZX79C15
BZX79C16
BZX79C18
BZX79C20
BZX79C22
BZX79C24
BZX79C27
BZX79C30
BZX79C33
BZX79C36
BZX79C39
BZX79C43
BZX79C47
BZX79C51
BZX79C56
BZX79C62
BZX79C68
BZX79C75
V
Z
@ I
ZT
喃
1)
(V)
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大齐纳
阻抗， F = 1kHz时
最大反向温度。系数
漏电流
I
R
(A)
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
在V
R
(V)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
14
15
17
18
20
22
24
27
28
32
35
38
39
43
48
53
可受理
I
Z
（MA ）
167
135
125
115
105
95
90
85
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
7.1
6.4
5.8
5.3
最大
V
R
= 0中，f = 1MHz的
（PF ）
450
450
450
450
450
450
450
300
300
300
200
200
150
150
150
90
85
85
80
75
75
70
60
60
55
50
50
45
45
45
40
40
40
40
35
35
35
齐纳电压稳压电流电容
α
延髓
(% /
°C)
-0.08...-0.06
-0.08...-0.06
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.08...-0.04
-0.07...-0.03
-0.04...-0.01
-0.03...+0.01
-0.02...+0.05
-0.01...+0.06
0.00...0.07
0.01...0.08
0.01...0.09
0.01...0.09
0.02...0.10
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.1(typ.)
0.1(typ.)
0.1(typ.)
0.1(typ.)
I
ZT
Z
ZT
@ I
ZT
Z
Zk
@ I
ZK
I
ZK
（毫安） （欧姆）
（欧姆） （MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
笔记
（ 1 ）测试与脉冲TP = 5毫秒
（2）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
（3）中列出的类型数对的标称齐纳电压的标准公差
±
5%.
为
±
2 ％的误差改变类型的第六个字母，从"C"是"B"
第2页2
启示录02 ： 2005年3月25日
BZX79C
硅平面齐纳二极管
最大。 0.5
马克斯。 1.9
分钟。 27.5
黑
阴极带
黑
产品型号
黑
"ST"品牌
XXX
ST
马克斯。 3.9
分钟。 27.5
玻璃外壳DO- 35
尺寸（mm）
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
连续正向电流
功耗
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
1)
符号
I
F
P
合计
R
θJA
T
j
T
S
价值
250
500
0.3
1)
1)
O
单位
mA
mW
C /毫瓦
O
- 65至+ 200
- 65至+ 200
C
C
O
有效的条件是引线保持在环境温度在8毫米的情况下的距离。
特点在T
a
= 25
O
C
参数
正向电压
在我
F
= 100毫安
符号
V
F
马克斯。
1.5
单位
V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 25/02/2006
BZX79C
特点在T
a
= 25
O
C
TYPE
齐纳电压
1), 3)
分钟。
马克斯。
l
ZT
（MA ）
最大齐纳阻抗
2)
Z
ZT
（ Ω ）在我
ZT
最大漏电流
I
R
(A)
在V
R
(V)
BZX79C2V4
2.2
2.6
5
100
100
1
BZX79C2V7
2.5
2.9
5
100
75
1
BZX79C3V0
2.8
3.2
5
95
50
1
BZX79C3V3
3.1
3.5
5
95
25
1
BZX79C3V6
3.4
3.8
5
90
15
1
BZX79C3V9
3.7
4.1
5
90
10
1
BZX79C4V3
4
4.6
5
90
5
1
BZX79C4V7
4.4
5
5
80
3
2
BZX79C5V1
4.8
5.4
5
60
2
2
BZX79C5V6
5.2
6
5
40
1
2
BZX79C6V2
5.8
6.6
5
10
3
4
BZX79C6V8
6.4
7.2
5
15
2
4
BZX79C7V5
7
7.9
5
15
1
5
BZX79C8V2
7.7
8.7
5
15
0.7
5
BZX79C9V1
8.5
9.6
5
15
0.5
6
BZX79C10
9.4
10.6
5
20
0.2
7
BZX79C11
10.4
11.6
5
20
0.1
8
BZX79C12
11.4
12.7
5
25
0.1
8
BZX79C13
12.4
14.1
5
30
0.1
8
BZX79C15
13.8
15.6
5
30
0.05
10.5
BZX79C16
15.3
17.1
5
40
0.05
11.2
BZX79C18
16.8
19.1
5
45
0.05
12.6
BZX79C20
18.8
21.2
5
55
0.05
14
BZX79C22
20.8
23.3
5
55
0.05
15.4
BZX79C24
22.8
25.6
5
70
0.05
16.8
BZX79C27
25.1
28.9
2
80
0.05
18.9
BZX79C30
28
32
2
80
0.05
21
BZX79C33
31
35
2
80
0.05
23.1
BZX79C36
34
38
2
90
0.05
25.2
BZX79C39
37
41
2
130
0.05
27.3
BZX79C43
40
46
2
150
0.05
30.1
BZX79C47
44
50
2
170
0.05
32.9
BZX79C51
48
54
2
180
0.05
35.7
BZX79C56
52
60
2
200
0.05
39.2
BZX79C62
58
66
2
215
0.05
43.4
BZX79C68
64
72
2
240
0.05
47.6
BZX79C75
70
79
2
255
0.05
52.5
BZX79C82
77
87
2
280
0.1
62
BZX79C91
85
96
2
300
0.1
69
BZX79C100
94
106
1
500
0.1
76
BZX79C110
104
116
1
650
0.1
84
BZX79C120
114
127
1
800
0.1
91
BZX79C130
124
141
1
950
0.1
99
BZX79C150
138
156
1
1250
0.1
114
BZX79C160
153
171
1
1400
0.1
122
BZX79C180
168
191
1
1700
0.1
137
BZX79C200
188
212
1
2000
0.1
152
1)
O
齐纳电压脉冲的条件下测得的，例如那件T
J
是不超过2个C以上
a
2)
Z
ZT
是通过将所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z
（交流） = 0.1I
Z
（直流）与交流频率= 1千赫
3)
测试了脉冲TP = 20毫秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 25/02/2006
BZX79C
500
功耗： P合计（MW ）
400
300
200
100
0
0
25
100
150
环境温度： TA（
O
C)
200
功率降额曲线
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 25/02/2006
BZX79C2V4通BZX79C33
电气特性（T
L
= 30
O
C除非另有说明， VF = 1.5V最大@ IF = 100mA的电流来所有类型）
设备
(1)
设备
记号
BZX79C2V4 79C2V4
BZX79C2V7 79C2V7
BZX79C3V0 79C3V0
BZX79C3V3 79C3V3
BZX79C3V6 79C3V6
BZX79C3V9 79C3V9
BZX79C4V7 79C4V7
BZX79C5V1 79C5V1
BZX79C5V6 79C5V6
BZX79C6V2 79C6V2
BZX79C6V8 79C6V8
BZX79C7V5 79C7V5
BZX79C8V2 79C8V2
BZX79C10
79C10
BZX79C12
79C12
BZX79C15
79C15
BZX79C16
79C16
BZX79C18
79C18
BZX79C22
79C22
BZX79C24
79C24
BZX79C27
79C27
BZX79C30
79C30
BZX79C33
79C33
注意：
1 ）公差和电压称号
公差指示 - 上市型数字有齐纳电压最小/最大限值，如图所示。
2 ）反向击穿电压（V
Z
）测量
反向的齐纳电压脉冲的条件下测得的，使得TJ是不超过2个
O
C以上
T
A
3 ）齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和Z
ZK
是通过将器件两端的交流电压降的交流电流测
应用。在规定的限度是我
Z
（交流） = 0.1余
Z
（ DC）与AC频率= 1.0KHz 。
齐纳电压
(2)
V
Z
（伏）
@ I
ZT
民
喃最大
uA
2.28
2.4
2.52
5.0
2.57
2.7
2.84
5.0
2.85
3.0
3.15
5.0
3.14
3.3
3.47
5.0
3.42
3.6
3.78
5.0
3.71
3.9
4.10
5.0
4.47
4.7
4.94
5.0
4.85
5.1
5.36
5.0
5.32
5.6
5.88
5.0
5.89
6.2
6.51
5.0
6.46
6.8
7.19
5.0
7.13
7.5
7.88
5.0
7.79
8.2
8.61
5.0
9.5
10
10.5
5.0
11.4
12
12.6
5.0
14.25
15
15.75
5.0
15.2
16
16.8
5.0
17.1
18
18.9
5.0
20.9
22
23.1
5.0
22.8
24
25.2
5.0
25.65
27
28.35
5.0
28.5
30
31.5
5.0
31.35
33
34.65
5.0
Z
ZT
@ I
ZT （3）
(f=1.0KHz)
漏电流
I
R
@ V
R
V
BR
毫伏/
O
C
C
V
Z
= 0 ， F = 1.0MHz的
pF
欧
100
100
95
95
90
90
80
60
40
10
15
15
15
20
25
30
40
45
55
70
80
80
80
uA
100
75
50
25
15
10
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.2
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
7.0
8.0
10.5
11.2
12.6
15.4
16.8
18.9
21
23.1
民
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-2.7
-2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
4.5
6.0
9.2
10.4
12.9
16.4
18.4
---
---
---
最大
0
0
0
0
0
0.3
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
8.0
10
13
14
16
20
22
23.5
26
29
255
230
215
200
185
175
130
110
95
90
85
80
75
70
65
55
52
47
34
33
30
27
25
www.cnelectr.com
德昌
李焚香B Y形
关于矽次uctor
,
一个tradem方舟华氏度
矽次uctor
COM ponents我ndustri ES， LLC的
齐纳Tec的hnolo GY
和
临管
.
500毫瓦的DO -35气密
密封的玻璃齐纳电压
稳压器
轴向引线
DO35
最大额定值
（注1 ）
等级
最大稳态功耗
@TL≤75℃,
引线长度= 3/8 “
减免上述75 ℃
工作和存储
温度范围
T
J
, T
英镑
4.0
-65到+200
毫瓦/ °
°C
L
79C
xxx
符号
P
D
价值
500
单位
mW
注1 ：某些零件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。
规格特点：
L
79Cxxx
=标志
= BZX79CxxxDevice码
齐纳电压范围= 2.4V至200V
ESD等级3级（ >6 KV ）每人体模型
DO- 35封装（ DO- 204AH ）
双弹头式建筑
冶金结合建设
符合RoHS
焊接热浸锡（Sn ），铅完成
阴极
阳极
规格特点：
例
完
:
双塞型，密闭玻璃
:
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
极性：
阴极指示的极性带
安装：
任何
2006年11月/ C
第1页
BZX79C2V4通过BZX79C200系列
德昌
电气特性
(
T
A
= 25 ° C除非另有说明）
齐纳电压
（注3 ）
设备
（注2 ）
设备
记号
V
Z
（伏）
民
BZX79C2V4
BZX79C2V7
BZX79C3V0
BZX79C3V3
BZX79C3V6
BZX79C3V9
BZX79C4V3
BZX79C4V7
BZX79C5V1
BZX79C5V6
BZX79C6V2
BZX79C6V8
BZX79C7V5
BZX79C8V2
BZX79C9V1
BZX79C10
BZX79C11
BZX79C12
BZX79C13
BZX79C15
BZX79C16
BZX79C18
BZX79C20
BZX79C22
BZX79C24
BZX79C27
BZX79C30
BZX79C33
BZX79C36
BZX79C39
BZX79C43
BZX79C47
BZX79C51
BZX79C56
BZX79C62
BZX79C68
BZX79C75
BZX79C82
BZX79C91
BZX79C100
79C2V4
79C2V7
79C3V0
79C3V3
79C3V6
79C3V9
79C4V3
79C4V7
79C5V1
79C5V6
79C6V2
79C6V8
79C7V5
79C8V2
79C9V1
79C10
79C11
79C12
79C13
79C15
79C16
79C18
79C20
79C22
79C24
79C27
79C30
79C33
79C36
79C39
79C43
79C47
79C51
79C56
79C62
79C68
79C75
79C82
79C91
79C100
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
最大
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
87
96
106
@I
ZT
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
齐纳
阻抗
（注4 ）
Z
ZT
@I
ZT
(Ω)
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
280
300
500
李焚香B Y形
关于矽次uctor
,
一个tradem方舟华氏度
矽次uctor
COM ponents我ndustri ES， LLC的
齐纳Tec的hnolo GY
和
临管
.
漏电流
I
R
@ V
R
（UA最大值）
100
75
50
25
15
10
5
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.1
0.1
0.1
（伏）
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
62
69
76
46
51
57
θV
BR
（毫伏/ ℃ ）
民
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-2.7
-2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6
7
9.2
10.4
12.9
14.4
16.4
18.4
最大
0
0
0
0
0
0.3
1.0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8
9
10
11
13
14
16
18
20
22
23.5
26
29
31
34
37
40
44
47
51
56
60
95
107
119
C
V
Z
= 0,
F = 1.0MH
Z
（PF ）
255
230
215
200
185
175
160
130
110
95
90
85
80
75
70
70
65
65
60
55
52
47
36
34
33
30
27
25
23
21
21
19
19
18
17
17
16.5
29
28
27
VF正向电压= 1.5V最大@ I
F
= 100mA的电流来所有类型
2006年11月/ C
第2页
德昌
电气特性
(
T
A
= 25 ° C除非另有说明）
齐纳电压
（注3 ）
设备
（注2 ）
设备
记号
V
Z
（伏）
民
BZX79C110
BZX79C120
BZX79C130
BZX79C150
BZX79C160
BZX79C180
BZX79C200
79C110
79C120
79C130
79C150
79C160
79C180
79C200
104
114
124
138
153
168
188
最大
116
127
141
156
171
191
212
@I
ZT
（MA ）
1
1
1
1
1
1
1
齐纳
阻抗
（注4 ）
Z
ZT
@I
ZT
(Ω)
650
800
950
1250
1400
1700
2000
李焚香B Y形
关于矽次uctor
,
一个tradem方舟华氏度
矽次uctor
COM ponents我ndustri ES， LLC的
齐纳Tec的hnolo GY
和
临管
.
漏电流
I
R
@ V
R
（UA最大值）
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
（伏）
84
91
99
114
122
137
152
θV
BR
（毫伏/ ℃ ）
民
63
69
75
87
93
105
120
最大
131
144
158
185
200
228
255
C
V
Z
= 0,
F = 1.0MH
Z
（PF ）
26
24
23
21
20
18
17
VF正向电压= 1.5V最大@ I
F
= 100mA的电流来所有类型
2.公差和电压DESIGNATION
列出的类型号有齐纳电压最小/最大限值，如图所示。
3.反向击穿电压（V
Z
)
反向的齐纳电压脉冲的条件下测得的，例如那件T
J
不超过2 ℃以上牛逼
A
.
4.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
是通过将所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z（ AC）
=
0.1 I
Z（ DC ）
交流频率= 60Hz的。
2006年11月/ C
第3页
德昌
包装外形
案例外形
李焚香B Y形
关于矽次uctor
,
一个tradem方舟华氏度
矽次uctor
COM ponents我ndustri ES， LLC的
齐纳Tec的hnolo GY
和
临管
.
DO-35
暗淡
民
MILLIMETERS
最大
民
英寸
最大
A
B
C
D
0.46
0.56
0.018
0.022
3.05
5.08
0.120
0.200
25.40
38.10
1.000
1.500
1.52
2.29
0.060
0.090
注意：
所有尺寸JEDEC标准之内。
该数据表呈现德昌的齐纳二极管的技术数据。规格齐全，适合各个设备
在数据表的形式提供。全面的产品选择指南包含简化选择的最好的一组任务
所需的特定的应用程序组件。有关更多信息，请访问我们的网站
http://www.takcheong.com 。
虽然此数据表中的信息已经过仔细核对，对错误的责任可以承担德
畅。详情请咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。
德昌保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，进一步提高可靠性的权利，
功能和设计方面，成本和生产率。
德昌
和
注册德昌电子（集团）有限公司的商标。
2006年11月/ C
第4页
BZX79C2V4-BZX79C75
500mW的， 5 ％的容差稳压二极管
小信号二极管
电气特性
TA = 25° C除非另有说明
V
F
正向电压= 1.5V最大@ I
F
= 100毫安的所有零件号
产品型号
BZX79C2V4
BZX79C2V7
BZX79C3V0
BZX79C3V3
BZX79C3V6
BZX79C3V9
BZX79C4V3
BZX79C4V7
BZX79C5V1
BZX79C5V6
BZX79C6V2
BZX79C6V8
BZX79C7V5
BZX79C8V2
BZX79C9V1
BZX79C10
BZX79C11
BZX79C12
BZX79C13
BZX79C15
BZX79C16
BZX79C18
BZX79C20
BZX79C22
BZX79C24
BZX79C27
BZX79C30
BZX79C33
BZX79C36
BZX79C39
BZX79C43
BZX79C47
BZX79C51
BZX79C56
BZX79C62
BZX79C68
BZX79C75
注意事项：
1.齐纳电压（V
Z
）为10ms的脉冲条件下进行测试
2.列出的设备数量对的额定齐纳电压容差标准
±5%.
3.关于价格，可用性和交付所示的电压和更严格的电压容差之间的额定齐纳电压的详细信息，
联系离您最近
台湾积体电路
代表性。
4.齐纳阻抗从60周期的交流电压时，具有有效值等于DC的10％的交流电流时，其导致来自
齐纳电流
记号
CODE
BZX79C2V4
BZX79C2V7
BZX79C3V0
BZX79C3V3
BZX79C3V6
BZX79C3V9
BZX79C4V3
BZX79C4V7
BZX79C5V1
BZX79C5V6
BZX79C6V2
BZX79C6V8
BZX79C7V5
BZX79C8V2
BZX79C9V1
BZX79C10
BZX79C11
BZX79C12
BZX79C13
BZX79C15
BZX79C16
BZX79C18
BZX79C20
BZX79C22
BZX79C24
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BZX79C39
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BZX79C51
BZX79C56
BZX79C62
BZX79C68
BZX79C75
V
Z
@ I
ZT
（伏）
民
2.3
2.6
2.9
3.1
3.4
3.7
4.1
4.5
4.8
5.3
5.9
6.5
7.1
7.8
8.6
9.5
10.5
11.4
12.4
14.3
15.2
17.1
19.0
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
2.5
2.8
3.2
3.5
3.8
4.1
4.5
4.9
5.4
5.9
6.5
7.1
7.9
8.6
9.6
10.5
11.6
12.6
13.7
15.8
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18.9
21.0
23.1
25.2
28.4
31.5
34.7
37.8
41.0
45.2
49.4
53.6
58.8
65.1
71.4
78.8
I
ZT
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2.5
2.5
2.5
Z
ZT
@ I
ZT
()
最大
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
I
ZK
（MA ）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
Z
ZK
@ I
ZK
() I
R
@ V
R
(μA)
最大
最大
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
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375
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425
1000
1000
1000
100
75
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15
10
5
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
版本： B11
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