BZX79C系列
机械数据
尺寸mm （英寸）
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004)
0.31弧度。
(0.012)
3
2
1
1.91 ± 0.10
(0.075 ± 0.004)
3.05 ± 0.13
(0.12 ± 0.005)
A=
0.76 ± 0.15
(0.03 ± 0.006)
稳压器
二极管上
陶瓷表面贴装
包
FOR HI- REL应用
A
1.40
(0.055)
马克斯。
2.54 ± 0.13
(0.10 ± 0.005)
0.31弧度。
(0.012)
1.02 ± 0.10
(0.04 ± 0.004)
特点
密封陶瓷表面贴装
封装（ SOT23兼容）
电压范围2.4V至100V
SOT23封装陶瓷
（ LCC1 PACKAGE ）
仰视图
垫1 - 阳极
PAD 2 = N / C
垫3 - 阴极
绝对最大额定值
P
合计
功耗
减免上述25℃
T
J
T
英镑
T
SOL
R
θJA
R
θJ -MB
最大Junation温度
存储温度范围
焊接温度
热阻结到环境
热阻结到安装底座
（5秒以内）。
T
AMB
= 25°C
500mW
4mW/°C
-65到+ 200℃
-65到+ 200℃
230°C
336°C/W
140°C/W
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
V
Z
I
R
Z
Z
Z
Z
齐纳电压
反向电流
小信号击穿阻抗
小信号击穿阻抗
临近崩溃的膝盖
测试条件
对于V
Z
喃。
≤
24V,
对于V
Z
喃。
≥
27V,
V
R
= V
R
TEST
V
R
= V
R
TEST
I
Z
= I
Z
TEST
对于V
Z
喃。
≤
24V,
对于V
Z
喃。
≥
27V,
I
ZK
= 1毫安
I
ZK
- 0.5毫安
T
AMB
= 150°C
I
Z
= 5毫安
I
Z
= 2毫安
分钟。
V
Z
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
A
V
Z
NOM 。 V
Z
马克斯。
I
R
马克斯。
I
R
最大
Z
Z
马克斯。
Z
K
马克斯。
见表1型变种和测试参数。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
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文档编号4036
第1期
BZX79C系列
表1 - 型变种&测试参数
产品
V
Z
喃。
(V)
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
V
Z
分钟。
(V)
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
V
Z
马克斯。
(V)
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
87
96
106
I
Z
马克斯。
（MA ）
155
135
125
115
105
95
90
85
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.3
4.9
4.4
4.0
Z
Z
马克斯。
()
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
280
300
500
V
R
TEST
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10
11
13
14
15
17
19
21
23
25
27
29
33
36
39
43
48
52
62
69
76
I
R
马克斯。
(A)
(25°C)
50
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
R
ZK
MAX / I
ZK
最大
()
（MA ）
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
525
550
600
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
BZX79C2V4
BZX79C2V7
BZX79C3V0
BZX79C3V3
BZX79C3V6
BZX79C3V9
BZX79C4V3
BZX79C4V7
BZX79C5V1
BZX79C5V6
BZX79C6V2
BZX79C6V8
BZX79C7V5
BZX79C8V2
BZX79C9V1
BZX79C10
BZX79C11
BZX79C12
BZX79C13
BZX79C15
BZX79C16
BZX79C18
BZX79C20
BZX79C22
BZX79C24
BZX79C27
BZX79C30
BZX79C33
BZX79C36
BZX79C39
BZX79C43
BZX79C47
BZX79C51
BZX79C56
BZX79C62
BZX79C68
BZX79C75
BZX79C82
BZX79C91
BZX79C100
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是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
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文档编号4036
第1期
BZX79C 3V3 - BZX79C 33系列
分立功率&信号
技术
BZX79C 3V3 - 33系列半瓦齐纳二极管
绝对最大额定值*
参数
存储温度范围
最高结工作温度
焊接温度（ 1/16“从案例10秒）
器件总功耗
减免上述25℃
浪涌电源**
TA = 25° C除非另有说明
公差： C = 5 ％
价值
-65到+200
+ 200
+ 230
500
4.0
30
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
W
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
**
非经常性方波PW = 8.3毫秒， TA = 50 ℃。
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
DO-35
电气特性
设备
民
BZX79C 3V3
BZX79C 3V6
BZX79C 3V9
BZX79C 4V3
BZX79C 4V7
BZX79C 5V1
BZX79C 5V6
BZX79C 6V2
BZX79C 6V8
BZX79C 7V5
BZX79C 8V2
BZX79C 9V1
BZX79C 10
BZX79C 11
BZX79C 12
BZX79C 13
BZX79C 15
BZX79C 16
BZX79C 18
BZX79C 20
BZX79C 22
BZX79C 24
BZX79C 27
BZX79C 30
BZX79C 33
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
TA = 25° C除非另有说明
V
Z
*
(V)
最大
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
Z
Z
()
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
@
I
ZT
（MA ）
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
Z
ZK
()
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
@
I
ZT
（MA ）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
@
I
R
(A)
25
15
10
5.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.10
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
T
C
（毫伏/ ° C）
民
最大
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 2.7
- 2.0
+ 0.4
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.2
+ 3.8
+ 4.5
+ 5.4
+ 6.0
- 7.0
- 9.2
+ 10.4
+ 12.4
+ 14.4
+ 16.4
+ 18.4
+ 21.4
+ 24.4
+ 27.4
0.0
0.0
+ 0.3
+ 1.0
+ 0.2
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.7
+ 4.5
+ 5.3
+ 6.2
+ 7.0
+ 8.0
+ 9.0
+ 10
+ 11
+ 13
+ 14
+ 16
+ 18
+ 20
+ 22
+ 25.3
+ 29.4
+ 33.4
V
F
FOWARD电压= 1.5 V最大@我
F
= 100毫安所有BZX 79系列
*
脉冲测试：脉冲宽度
300
女士，
占空比
2.0%
1997仙童半导体公司
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
BZX79C系列
V
Z
:
2.4到75V
P
D
:
500mW
产品特点：
可根据要求提供更高的齐纳电压。
标准齐纳电压容差
±
5%
其他公差可根据要求提供。
无铅/符合RoHS免费
齐纳二极管
DO - 35玻璃
(DO-204AH)
0.079 （2.0）最大。
1.00 (25.4)
分钟。
阴极
标志
0.150 (3.8)
马克斯。
0.020 （0.52）最大。
机械数据：
案例：
DO- 35玻璃柜
重量：
约。 0.13克
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
最大额定值和热特性
参数
齐纳电流见表"Characteristics"
在我正向电压
F
= 10 mA的电流。
在T功耗
L
= 25°C
热阻结到环境空气
连续正向电流
反向峰值功耗（不重复）
TP = 100μs的方波
结温
存储温度范围
T
J
T
S
-65到+ 200
-65到+ 200
°C
°C
V
F
P
D
R
θ
JA
I
F
P
ZSM
0.9
500
(1)
符号
价值
单位
V
mW
° C / W
mA
W
300
(1)
250
40
注意：
（1）有效的规定，导致在从情况下的距离的3/8“被保持在环境温度。
第1页2
启示录02 ： 2005年3月25日
电气特性
（评分在25 ° C环境温度，除非另有规定）
齐纳电压
TYPE
数
BZX79C2V4
BZX79C2V7
BZX79C3V0
BZX79C3V3
BZX79C3V6
BZX79C3V9
BZX79C4V3
BZX79C4V7
BZX79C5V1
BZX79C5V6
BZX79C6V2
BZX79C6V8
BZX79C7V5
BZX79C8V2
BZX79C9V1
BZX79C10
BZX79C11
BZX79C12
BZX79C13
BZX79C15
BZX79C16
BZX79C18
BZX79C20
BZX79C22
BZX79C24
BZX79C27
BZX79C30
BZX79C33
BZX79C36
BZX79C39
BZX79C43
BZX79C47
BZX79C51
BZX79C56
BZX79C62
BZX79C68
BZX79C75
V
Z
@ I
ZT
喃
1)
(V)
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大齐纳
阻抗， F = 1kHz时
最大反向温度。系数
漏电流
I
R
(A)
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
在V
R
(V)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
14
15
17
18
20
22
24
27
28
32
35
38
39
43
48
53
可受理
I
Z
（MA ）
167
135
125
115
105
95
90
85
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
7.1
6.4
5.8
5.3
最大
V
R
= 0中，f = 1MHz的
（PF ）
450
450
450
450
450
450
450
300
300
300
200
200
150
150
150
90
85
85
80
75
75
70
60
60
55
50
50
45
45
45
40
40
40
40
35
35
35
齐纳电压稳压电流电容
α
延髓
(% /
°C)
-0.08...-0.06
-0.08...-0.06
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.08...-0.04
-0.07...-0.03
-0.04...-0.01
-0.03...+0.01
-0.02...+0.05
-0.01...+0.06
0.00...0.07
0.01...0.08
0.01...0.09
0.01...0.09
0.02...0.10
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.1(typ.)
0.1(typ.)
0.1(typ.)
0.1(typ.)
I
ZT
Z
ZT
@ I
ZT
Z
Zk
@ I
ZK
I
ZK
（毫安） （欧姆）
（欧姆） （MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
笔记
（ 1 ）测试与脉冲TP = 5毫秒
（2）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
（3）中列出的类型数对的标称齐纳电压的标准公差
±
5%.
为
±
2 ％的误差改变类型的第六个字母，从"C"是"B"
第2页2
启示录02 ： 2005年3月25日
BZX79C
硅平面齐纳二极管
最大。 0.5
马克斯。 1.9
分钟。 27.5
黑
阴极带
黑
产品型号
黑
"ST"品牌
XXX
ST
马克斯。 3.9
分钟。 27.5
玻璃外壳DO- 35
尺寸（mm）
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
连续正向电流
功耗
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
1)
符号
I
F
P
合计
R
θJA
T
j
T
S
价值
250
500
0.3
1)
1)
O
单位
mA
mW
C /毫瓦
O
- 65至+ 200
- 65至+ 200
C
C
O
有效的条件是引线保持在环境温度在8毫米的情况下的距离。
特点在T
a
= 25
O
C
参数
正向电压
在我
F
= 100毫安
符号
V
F
马克斯。
1.5
单位
V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 25/02/2006
BZX79C
特点在T
a
= 25
O
C
TYPE
齐纳电压
1), 3)
分钟。
马克斯。
l
ZT
（MA ）
最大齐纳阻抗
2)
Z
ZT
（ Ω ）在我
ZT
最大漏电流
I
R
(A)
在V
R
(V)
BZX79C2V4
2.2
2.6
5
100
100
1
BZX79C2V7
2.5
2.9
5
100
75
1
BZX79C3V0
2.8
3.2
5
95
50
1
BZX79C3V3
3.1
3.5
5
95
25
1
BZX79C3V6
3.4
3.8
5
90
15
1
BZX79C3V9
3.7
4.1
5
90
10
1
BZX79C4V3
4
4.6
5
90
5
1
BZX79C4V7
4.4
5
5
80
3
2
BZX79C5V1
4.8
5.4
5
60
2
2
BZX79C5V6
5.2
6
5
40
1
2
BZX79C6V2
5.8
6.6
5
10
3
4
BZX79C6V8
6.4
7.2
5
15
2
4
BZX79C7V5
7
7.9
5
15
1
5
BZX79C8V2
7.7
8.7
5
15
0.7
5
BZX79C9V1
8.5
9.6
5
15
0.5
6
BZX79C10
9.4
10.6
5
20
0.2
7
BZX79C11
10.4
11.6
5
20
0.1
8
BZX79C12
11.4
12.7
5
25
0.1
8
BZX79C13
12.4
14.1
5
30
0.1
8
BZX79C15
13.8
15.6
5
30
0.05
10.5
BZX79C16
15.3
17.1
5
40
0.05
11.2
BZX79C18
16.8
19.1
5
45
0.05
12.6
BZX79C20
18.8
21.2
5
55
0.05
14
BZX79C22
20.8
23.3
5
55
0.05
15.4
BZX79C24
22.8
25.6
5
70
0.05
16.8
BZX79C27
25.1
28.9
2
80
0.05
18.9
BZX79C30
28
32
2
80
0.05
21
BZX79C33
31
35
2
80
0.05
23.1
BZX79C36
34
38
2
90
0.05
25.2
BZX79C39
37
41
2
130
0.05
27.3
BZX79C43
40
46
2
150
0.05
30.1
BZX79C47
44
50
2
170
0.05
32.9
BZX79C51
48
54
2
180
0.05
35.7
BZX79C56
52
60
2
200
0.05
39.2
BZX79C62
58
66
2
215
0.05
43.4
BZX79C68
64
72
2
240
0.05
47.6
BZX79C75
70
79
2
255
0.05
52.5
BZX79C82
77
87
2
280
0.1
62
BZX79C91
85
96
2
300
0.1
69
BZX79C100
94
106
1
500
0.1
76
BZX79C110
104
116
1
650
0.1
84
BZX79C120
114
127
1
800
0.1
91
BZX79C130
124
141
1
950
0.1
99
BZX79C150
138
156
1
1250
0.1
114
BZX79C160
153
171
1
1400
0.1
122
BZX79C180
168
191
1
1700
0.1
137
BZX79C200
188
212
1
2000
0.1
152
1)
O
齐纳电压脉冲的条件下测得的，例如那件T
J
是不超过2个C以上
a
2)
Z
ZT
是通过将所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z
（交流） = 0.1I
Z
（直流）与交流频率= 1千赫
3)
测试了脉冲TP = 20毫秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 25/02/2006
BZX79C
500
功耗： P合计（MW ）
400
300
200
100
0
0
25
100
150
环境温度： TA（
O
C)
200
功率降额曲线
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 25/02/2006
BZX79C系列
V
Z
:
2.4到75V
P
D
:
500mW
产品特点：
可根据要求提供更高的齐纳电压。
标准齐纳电压容差
±
5%
其他公差可根据要求提供。
无铅/符合RoHS免费
齐纳二极管
DO - 35玻璃
(DO-204AH)
0.079 （2.0）最大。
1.00 (25.4)
分钟。
阴极
标志
0.150 (3.8)
马克斯。
0.020 （0.52）最大。
机械数据：
案例：
DO- 35玻璃柜
重量：
约。 0.13克
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
最大额定值和热特性
参数
齐纳电流见表"Characteristics"
在我正向电压
F
= 10 mA的电流。
在T功耗
L
= 25°C
热阻结到环境空气
连续正向电流
反向峰值功耗（不重复）
TP = 100μs的方波
结温
存储温度范围
T
J
T
S
-65到+ 200
-65到+ 200
°C
°C
V
F
P
D
R
θ
JA
I
F
P
ZSM
0.9
500
(1)
符号
价值
单位
V
mW
° C / W
mA
W
300
(1)
250
40
注意：
（1）有效的规定，导致在从情况下的距离的3/8“被保持在环境温度。
第1页2
启示录02 ： 2005年3月25日
电气特性
（评分在25 ° C环境温度，除非另有规定）
齐纳电压
TYPE
数
BZX79C2V4
BZX79C2V7
BZX79C3V0
BZX79C3V3
BZX79C3V6
BZX79C3V9
BZX79C4V3
BZX79C4V7
BZX79C5V1
BZX79C5V6
BZX79C6V2
BZX79C6V8
BZX79C7V5
BZX79C8V2
BZX79C9V1
BZX79C10
BZX79C11
BZX79C12
BZX79C13
BZX79C15
BZX79C16
BZX79C18
BZX79C20
BZX79C22
BZX79C24
BZX79C27
BZX79C30
BZX79C33
BZX79C36
BZX79C39
BZX79C43
BZX79C47
BZX79C51
BZX79C56
BZX79C62
BZX79C68
BZX79C75
V
Z
@ I
ZT
喃
1)
(V)
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大齐纳
阻抗， F = 1kHz时
最大反向温度。系数
漏电流
I
R
(A)
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
在V
R
(V)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
14
15
17
18
20
22
24
27
28
32
35
38
39
43
48
53
可受理
I
Z
（MA ）
167
135
125
115
105
95
90
85
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
7.1
6.4
5.8
5.3
最大
V
R
= 0中，f = 1MHz的
（PF ）
450
450
450
450
450
450
450
300
300
300
200
200
150
150
150
90
85
85
80
75
75
70
60
60
55
50
50
45
45
45
40
40
40
40
35
35
35
齐纳电压稳压电流电容
α
延髓
(% /
°C)
-0.08...-0.06
-0.08...-0.06
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.08...-0.04
-0.07...-0.03
-0.04...-0.01
-0.03...+0.01
-0.02...+0.05
-0.01...+0.06
0.00...0.07
0.01...0.08
0.01...0.09
0.01...0.09
0.02...0.10
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.1(typ.)
0.1(typ.)
0.1(typ.)
0.1(typ.)
I
ZT
Z
ZT
@ I
ZT
Z
Zk
@ I
ZK
I
ZK
（毫安） （欧姆）
（欧姆） （MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
笔记
（ 1 ）测试与脉冲TP = 5毫秒
（2）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
（3）中列出的类型数对的标称齐纳电压的标准公差
±
5%.
为
±
2 ％的误差改变类型的第六个字母，从"C"是"B"
第2页2
启示录02 ： 2005年3月25日
BZX79C 3V3 - BZX79C 33系列
分立功率&信号
技术
BZX79C 3V3 - 33系列半瓦齐纳二极管
绝对最大额定值*
参数
存储温度范围
最高结工作温度
焊接温度（ 1/16“从案例10秒）
器件总功耗
减免上述25℃
浪涌电源**
TA = 25° C除非另有说明
公差： C = 5 ％
价值
-65到+200
+ 200
+ 230
500
4.0
30
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
W
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
**
非经常性方波PW = 8.3毫秒， TA = 50 ℃。
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
DO-35
电气特性
设备
民
BZX79C 3V3
BZX79C 3V6
BZX79C 3V9
BZX79C 4V3
BZX79C 4V7
BZX79C 5V1
BZX79C 5V6
BZX79C 6V2
BZX79C 6V8
BZX79C 7V5
BZX79C 8V2
BZX79C 9V1
BZX79C 10
BZX79C 11
BZX79C 12
BZX79C 13
BZX79C 15
BZX79C 16
BZX79C 18
BZX79C 20
BZX79C 22
BZX79C 24
BZX79C 27
BZX79C 30
BZX79C 33
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
TA = 25° C除非另有说明
V
Z
*
(V)
最大
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
Z
Z
()
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
@
I
ZT
（MA ）
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
Z
ZK
()
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
@
I
ZT
（MA ）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
@
I
R
(A)
25
15
10
5.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.10
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
T
C
（毫伏/ ° C）
民
最大
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 2.7
- 2.0
+ 0.4
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.2
+ 3.8
+ 4.5
+ 5.4
+ 6.0
- 7.0
- 9.2
+ 10.4
+ 12.4
+ 14.4
+ 16.4
+ 18.4
+ 21.4
+ 24.4
+ 27.4
0.0
0.0
+ 0.3
+ 1.0
+ 0.2
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.7
+ 4.5
+ 5.3
+ 6.2
+ 7.0
+ 8.0
+ 9.0
+ 10
+ 11
+ 13
+ 14
+ 16
+ 18
+ 20
+ 22
+ 25.3
+ 29.4
+ 33.4
V
F
FOWARD电压= 1.5 V最大@我
F
= 100毫安所有BZX 79系列
*
脉冲测试：脉冲宽度
300
女士，
占空比
2.0%
1997仙童半导体公司
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
UHC
VCX
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注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
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设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
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1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
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条款的德网络nition
数据表标识
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形成或
在设计
德网络nition
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没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
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