BZX79B
硅平面齐纳二极管
特点
公差±2 ％
最大。 0.5
分钟。 27.5
马克斯。 1.9
黑
阴极带
黑
产品型号
黑
"ST"品牌
XXX
ST
马克斯。 3.9
分钟。 27.5
玻璃外壳DO- 35
尺寸（mm）
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
连续正向电流
功耗
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
1)
符号
I
F
P
合计
R
θJA
T
j
T
S
价值
250
500
0.3
1)
1)
O
单位
mA
mW
C /毫瓦
O
- 65至+ 200
- 65至+ 200
C
C
O
有效的条件是引线保持在环境温度在8毫米的情况下的距离。
特点在T
a
= 25
O
C
参数
正向电压
在我
F
= 100毫安
符号
V
F
马克斯。
1.5
单位
V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 21/06/2007
BZX79B
特点在T
a
= 25
O
C
TYPE
分钟。
齐纳电压
1), 3)
马克斯。
l
ZT
（MA ）
最大齐纳阻抗
2)
Z
ZT
（ Ω ）在我
ZT
最大漏电流
I
R
(A)
在V
R
(V)
BZX79B2V7
2.64
2.76
5
100
75
1
BZX79B3V0
2.94
3.06
5
95
50
1
BZX79B3V3
3.23
3.37
5
95
25
1
BZX79B3V6
3.52
3.68
5
90
15
1
BZX79B3V9
3.82
3.98
5
90
10
1
BZX79B4V3
4.21
4.39
5
90
5
1
BZX79B4V7
4.6
4.8
5
80
3
2
BZX79B5V1
4.99
5.21
5
60
2
2
BZX79B5V6
5.48
5.72
5
40
1
2
BZX79B6V2
6.07
6.33
5
10
3
4
BZX79B6V8
6.66
6.94
5
15
2
4
BZX79B7V5
7.35
7.65
5
15
1
5
BZX79B8V2
8.03
8.37
5
15
0.7
5
BZX79B9V1
8.91
9.29
5
15
0.5
6
BZX79B10
9.8
10.2
5
20
0.2
7
BZX79B11
10.78
11.22
5
20
0.1
8
BZX79B12
11.76
12.24
5
25
0.1
8
BZX79B13
12.74
13.26
5
30
0.1
8
BZX79B15
14.7
15.3
5
30
0.05
10.5
BZX79B16
15.68
16.32
5
40
0.05
11.2
BZX79B18
17.64
18.36
5
45
0.05
12.6
BZX79B20
19.60
20.4
5
55
0.05
14
BZX79B22
21.56
22.44
5
55
0.05
15.4
BZX79B24
23.52
24.48
5
70
0.05
16.8
BZX79B27
26.46
27.54
2
80
0.05
18.9
BZX79B30
29.4
30.6
2
80
0.05
21
BZX79B33
32.34
33.66
2
80
0.05
23.1
BZX79B36
35.28
36.72
2
90
0.05
25.2
BZX79B39
38.22
39.78
2
130
0.05
27.3
BZX79B43
42.14
43.86
2
150
0.05
30.1
BZX79B47
46.06
47.94
2
170
0.05
32.9
BZX79B51
49.98
52.02
2
180
0.05
35.7
BZX79B56
54.88
57.12
2
200
0.05
39.2
BZX79B62
60.76
63.24
2
215
0.05
43.4
BZX79B68
66.64
69.36
2
240
0.05
47.6
BZX79B75
73.5
76.5
2
255
0.05
52.5
BZX79B82
80.36
83.64
2
280
0.1
62
BZX79B91
89.18
92.82
2
300
0.1
69
BZX79B100
98
102
1
500
0.1
76
BZX79B110
107.8
112.2
1
650
0.1
84
BZX79B120
117.6
122.4
1
800
0.1
91
BZX79B130
127.4
132.6
1
950
0.1
99
BZX79B150
147
153
1
1250
0.1
114
BZX79B160
156.8
163.2
1
1400
0.1
122
BZX79B180
176.4
183.6
1
1700
0.1
137
BZX79B200
196
204
1
2000
0.1
152
1)
O
齐纳电压脉冲的条件下测得的，例如那件T
J
是不超过2个C以上
a
2)
Z
ZT
是通过将所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z
（交流） = 0.1I
Z
（直流）与交流频率= 1千赫
3)
测试了脉冲TP = 20毫秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 21/06/2007
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