摩托罗拉
半导体
技术参数
500毫瓦的DO - 35玻
齐纳稳压二极管
综合参数适用于所有系列中
本组
一般
数据
500毫瓦
DO- 35玻
玻璃齐纳二极管
500毫瓦
1.8-200伏
500毫瓦
密封式
玻璃硅稳压二极管
规格特点：
完整的电压范围 - 1.8 200伏
DO- 204AH包 - 比传统的DO - 204AA封装小
双弹头式建筑
冶金结合建设
机械特性：
案例：
双塞型，密闭玻璃
最大的铅焊接温度的目的：
230 ℃下，为1/16 “，从
情况下，10秒
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀易与焊引线
极性：
阴极指出的色带。当齐纳二极管模式操作时，阴极
将正相对于阳极
安装位置：
任何
晶圆厂地点：
亚利桑那州凤凰城
装配/测试地点：
汉城
最大额定值
（摩托罗拉设备） *
等级
DC功耗和TL
≤
75°C
引线长度= 3/8 “
减免上述TL = 75℃
工作和存储温度范围
*有些部件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。
CASE 299
DO-204AH
玻璃
符号
PD
价值
500
4
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
TJ ， TSTG
- 65 + 200
PD ，最大功耗（瓦）
0.7
0.6
0.5
0.4
3/8”
3/8”
热
洗涤盆
0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
TL ，焊接温度（ ° C）
图1.稳态功率降额
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-97
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
使用注意事项 - 齐纳电压
因为从一个给定的齐纳二极管可用的实际电压
是依赖于温度的，它确定junc-是必要
在为了任何组操作条件化温度
计算出其值。下面的过程是中建议
谁料：
铅温度， TL ，应该从确定：
TL =
θ
LAPD + TA 。
θ
洛杉矶是引入到环境的热阻（ ° C / W）和PD是
功耗。对于价值
θ
LA会有所不同，取决于
在装置的安装方法。
θ
LA通常30是40℃ / W的
在普通使用和各种剪辑和连接点
印刷电路板的布线。
引线的温度，也可以使用测得的
热电偶置于铅尽可能接近的领带
点。连接到所述连接点的热质量通常
足够大，使得它不会显著响应以加热
在二极管的浪涌产生的脉冲操作的结果
一旦稳定状态条件得以实现。使用测
TL的sured值，结温度可以阻止 -
开采方式：
TJ = TL +
T
JL 。
T
JL是上述引线的增加，结温
温度，并且可以发现，从图2中的直流功率：
T
JL =
θ
JLPD 。
对于最坏情况设计，采用预期IZ的极限，极限
PD和TJ的极端（ ΔTJ ）可以被估计。变化
电压， VZ ，然后可以得到：
V
=
θ
VZTJ 。
θ
VZ时，齐纳电压的温度系数，可由下式求得
图4和图5 。
在高功率脉冲操作中，齐纳电压将
随时间而变化，并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节，保持目前的短途旅行
尽可能低。
浪涌限制是在图7中给出它们比低
将通过仅考虑结温度可以预期，
由于电流拥挤效应引起的温度是EX-
tremely高的小斑点，导致器件退化
应的图7的限制被超过。
θ
JL ，结到铅热阻（
°
C / W ）
500
400
L
L
300
2.4–60 V
200
100
0
62–200 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
L，引线长度到散热器（ INCH ）
图2.典型热阻
1000
7000
5000
2000
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
0.01
0.007
0.005
0.002
0.001
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
+25°C
典型漏电流
AT标称80 ％
击穿电压
I R ，漏电流（
A)
+125°C
VZ ，额定齐纳电压（伏）
图3.典型漏电流
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-98
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
温度系数
（ -55 ° C至+ 150 ° C的温度范围内; 90 ％的单位都在指定的范围）
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
+12
+10
+8
+6
+4
+2
范围
0
–2
–4
2
3
4
5
6
7
8
9
VZ ，齐纳电压（伏）
10
11
12
VZ @ IZT
（注2 ）
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
10
范围
VZ @ IZ （注2 ）
20
30
50
VZ ，齐纳电压（伏）
70
100
图4a。范围为单位，以12伏
图4b。范围内单位12 100伏特
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
200
180
160
+6
+4
+2
20毫安
0
0.01毫安
–2
–4
3
4
1毫安
注：低于3千伏及以上8伏
注意：
在齐纳电流的变化不会
注意：
AFFECT温度系数
5
6
7
8
VZ @ IZ
TA = 25°C
140
VZ @ IZT
（注2 ）
120
100
120
130
140
150
160
170
180
190
200
VZ ，齐纳电压（伏）
VZ ，齐纳电压（伏）
图4c 。范围单位120至200伏特
齐纳电流图5.影响
1000
500
0 V BIAS
200
C，电容（pF ）
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
的50 ％
VZ BIAS
TA = 25°C
100
70
50
C，电容（pF ）
30
20
TA = 25°C
0 BIAS
1 V BIAS
1伏偏置
10
7
5
3
2
1
VZ BIAS的50 ％
50
100
120
140
160
180
190
200
220
VZ ，齐纳电压（伏）
VZ ，齐纳电压（伏）
图6a 。典型电容2.4-100伏
图6b 。典型电容120-200伏
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-99
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
20
10
TA = 25°
I Z ，齐纳电流（mA）
1
0.1
0.01
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
VZ ，齐纳电压（伏）
图11.齐纳电压与稳压电流 - VZ = 1通16伏
10
TA = 25°
I Z ，齐纳电流（mA）
1
0.1
0.01
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
VZ ，齐纳电压（伏）
图12.齐纳电压与稳压电流 - VZ = 15通30伏
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-101
摩托罗拉
半导体
技术参数
500毫瓦的DO - 35玻
齐纳稳压二极管
综合参数适用于所有系列中
本组
一般
数据
500毫瓦
DO- 35玻
玻璃齐纳二极管
500毫瓦
1.8-200伏
500毫瓦
密封式
玻璃硅稳压二极管
规格特点：
完整的电压范围 - 1.8 200伏
DO- 204AH包 - 比传统的DO - 204AA封装小
双弹头式建筑
冶金结合建设
机械特性：
案例：
双塞型，密闭玻璃
最大的铅焊接温度的目的：
230 ℃下，为1/16 “，从
情况下，10秒
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀易与焊引线
极性：
阴极指出的色带。当齐纳二极管模式操作时，阴极
将正相对于阳极
安装位置：
任何
晶圆厂地点：
亚利桑那州凤凰城
装配/测试地点：
汉城
最大额定值
（摩托罗拉设备） *
等级
DC功耗和TL
≤
75°C
引线长度= 3/8 “
减免上述TL = 75℃
工作和存储温度范围
*有些部件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。
CASE 299
DO-204AH
玻璃
符号
PD
价值
500
4
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
TJ ， TSTG
- 65 + 200
PD ，最大功耗（瓦）
0.7
0.6
0.5
0.4
3/8”
3/8”
热
洗涤盆
0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
TL ，焊接温度（ ° C）
图1.稳态功率降额
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-97
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
使用注意事项 - 齐纳电压
因为从一个给定的齐纳二极管可用的实际电压
是依赖于温度的，它确定junc-是必要
在为了任何组操作条件化温度
计算出其值。下面的过程是中建议
谁料：
铅温度， TL ，应该从确定：
TL =
θ
LAPD + TA 。
θ
洛杉矶是引入到环境的热阻（ ° C / W）和PD是
功耗。对于价值
θ
LA会有所不同，取决于
在装置的安装方法。
θ
LA通常30是40℃ / W的
在普通使用和各种剪辑和连接点
印刷电路板的布线。
引线的温度，也可以使用测得的
热电偶置于铅尽可能接近的领带
点。连接到所述连接点的热质量通常
足够大，使得它不会显著响应以加热
在二极管的浪涌产生的脉冲操作的结果
一旦稳定状态条件得以实现。使用测
TL的sured值，结温度可以阻止 -
开采方式：
TJ = TL +
T
JL 。
T
JL是上述引线的增加，结温
温度，并且可以发现，从图2中的直流功率：
T
JL =
θ
JLPD 。
对于最坏情况设计，采用预期IZ的极限，极限
PD和TJ的极端（ ΔTJ ）可以被估计。变化
电压， VZ ，然后可以得到：
V
=
θ
VZTJ 。
θ
VZ时，齐纳电压的温度系数，可由下式求得
图4和图5 。
在高功率脉冲操作中，齐纳电压将
随时间而变化，并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节，保持目前的短途旅行
尽可能低。
浪涌限制是在图7中给出它们比低
将通过仅考虑结温度可以预期，
由于电流拥挤效应引起的温度是EX-
tremely高的小斑点，导致器件退化
应的图7的限制被超过。
θ
JL ，结到铅热阻（
°
C / W ）
500
400
L
L
300
2.4–60 V
200
100
0
62–200 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
L，引线长度到散热器（ INCH ）
图2.典型热阻
1000
7000
5000
2000
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
0.01
0.007
0.005
0.002
0.001
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
+25°C
典型漏电流
AT标称80 ％
击穿电压
I R ，漏电流（
A)
+125°C
VZ ，额定齐纳电压（伏）
图3.典型漏电流
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-98
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
温度系数
（ -55 ° C至+ 150 ° C的温度范围内; 90 ％的单位都在指定的范围）
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
+12
+10
+8
+6
+4
+2
范围
0
–2
–4
2
3
4
5
6
7
8
9
VZ ，齐纳电压（伏）
10
11
12
VZ @ IZT
（注2 ）
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
10
范围
VZ @ IZ （注2 ）
20
30
50
VZ ，齐纳电压（伏）
70
100
图4a。范围为单位，以12伏
图4b。范围内单位12 100伏特
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
200
180
160
+6
+4
+2
20毫安
0
0.01毫安
–2
–4
3
4
1毫安
注：低于3千伏及以上8伏
注意：
在齐纳电流的变化不会
注意：
AFFECT温度系数
5
6
7
8
VZ @ IZ
TA = 25°C
140
VZ @ IZT
（注2 ）
120
100
120
130
140
150
160
170
180
190
200
VZ ，齐纳电压（伏）
VZ ，齐纳电压（伏）
图4c 。范围单位120至200伏特
齐纳电流图5.影响
1000
500
0 V BIAS
200
C，电容（pF ）
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
的50 ％
VZ BIAS
TA = 25°C
100
70
50
C，电容（pF ）
30
20
TA = 25°C
0 BIAS
1 V BIAS
1伏偏置
10
7
5
3
2
1
VZ BIAS的50 ％
50
100
120
140
160
180
190
200
220
VZ ，齐纳电压（伏）
VZ ，齐纳电压（伏）
图6a 。典型电容2.4-100伏
图6b 。典型电容120-200伏
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-99
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
20
10
TA = 25°
I Z ，齐纳电流（mA）
1
0.1
0.01
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
VZ ，齐纳电压（伏）
图11.齐纳电压与稳压电流 - VZ = 1通16伏
10
TA = 25°
I Z ，齐纳电流（mA）
1
0.1
0.01
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
VZ ，齐纳电压（伏）
图12.齐纳电压与稳压电流 - VZ = 15通30伏
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-101
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