0.2W表面贴装齐纳二极管
BZX384C3V9
-
BZX384C75
0.2W表面贴装齐纳二极管
特点
平面模具结构
200mW的功率耗散
齐纳电压3.9V至75V
非常适合于自动装配程序
符合RoHS标准
SOD-323F
机械数据
案例:
环氧树脂:
终端:
极性:
大约重量:
SOD- 323F ,模压塑料
塑料包装已UL阻燃94V- 0
每MIL -STD- 202G ,方法208
颜色频带为负极
0.0041克
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明)
符号
描述
功耗
峰值正向浪涌电流, 8.3ms单
半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
工作结温
存储温度范围
热阻,结到环境中
自由的空气
价值
200
2.0
150
-65到150
650
单位
mW
A
°C
°C
° C / W
条件
TA = 25° C(注1 )
(注2 )
*P
合计
I
FSM
T
J
T
英镑
*R
号(j -a)的
注意:
1.安装在5.0mm ( 0.13毫米厚)土地面积
2.测的8.3ms的,单一正弦半波或等效方波,占空比= 4个脉冲
每分钟最高
3. *有效期该电极被保持在环境温度
TAITRON零部件股份有限公司
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联系电话: ( 800 ) -TAITRON ( 800 ) -824-8766 ( 661 ) -257-6060
传真: ( 800 ) -TAITFAX ( 800 ) -824-8329 ( 661 ) -257-6415
版本B / AH 2008-03-04
第1页4
0.2W表面贴装齐纳二极管
BZX384C3V9
-
BZX384C75
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明)
公称齐纳电压
@
I
ZT
TEST
当前
马克斯。齐纳阻抗
马克斯。反向
漏电流
I
R
@
V
R
产品型号
记号
CODE
V
Z
(V)
喃。
分钟。
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
40.0
44.0
48.0
52.0
58.0
64.0
70.0
马克斯。
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
46.0
50.0
54.0
60.0
66.0
72.0
79.0
I
ZT
(MA )
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
Z
ZT
@
I
ZT
95
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
Z
ZK
@
I
ZK
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
I
ZK
(MA )
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
I
R
(μA)
3.00
3.00
3.00
2.00
1.00
3.00
2.00
1.00
0.70
0.50
0.20
0.10
0.10
0.10
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
(V)
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.2
BZX384C3V9
BZX384C4V3
BZX384C4V7
BZX384C5V1
BZX384C5V6
BZX384C6V2
BZX384C6V8
BZX384C7V5
BZX384C8V2
BZX384C9V1
BZX384C10
BZX384C11
BZX384C12
BZX384C13
BZX384C15
BZX384C16
BZX384C18
BZX384C20
BZX384C22
BZX384C24
BZX384C27
BZX384C30
BZX384C33
BZX384C36
BZX384C39
BZX384C43
BZX384C47
BZX384C51
BZX384C56
BZX384C62
BZX384C68
BZX384C75
W6
W7
W8
W9
WA
WB
WC
WD
WE
WF
WG
WH
WI
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
WY
WZ
X1
X2
X3
X4
X5
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
版本B / AH 2008-03-04
www.taitroncomponents.com
第2页4
0.2W表面贴装齐纳二极管
BZX384C3V9
-
BZX384C75
典型特性曲线
Fig.1-功耗
P合计,功耗( W)
I
F
,正向电流(mA )
Fig.2-
典型正向特性
T,温度( ° C)
V
F
,正向电压( V)
图3 ,典型的齐纳阻抗
Z
ZT
,动态阻抗( Ω )
I
R
,反向电流(毫安)
图4 - 典型的反向特性
VZ ,普通的齐纳电压(V )
VZ ,普通的齐纳电压(V )
英制尺寸(mm)
版本B / AH 2008-03-04
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第3页4
0.2W表面贴装齐纳二极管
BZX384C3V9
-
BZX384C75
尺寸(mm)
如何联系我们
SOD-323F
美国总部
28040西哈里森PARKWAY ,瓦伦西亚,CA 91355-4162
联系电话: ( 800 ) TAITRON ( 800 ) 824-8766 ( 661 ) 257-6060
传真: ( 800 ) TAITFAX ( 800 ) 824-8329 ( 661 ) 257-6415
电子邮件:
taitron@taitroncomponents.com
Http://www.taitroncomponents.com
TAITRON组件墨西哥, S.A .DE C.V。
中央大道5000室内5 PARQUE工业ATITALAQUIA ,伊达尔戈CP
42970 MEXICO
电话: + 52-55-5560-1519
传真: + 52-55-5560-2190
TAITRON组件INCORPORATED REPRESENTAES DO BRASIL LTDA
RUA DOMINGOS DE MORAIS , 2777 , 2.ANDAR , SALA 24 SADE - 圣保罗 - SP 04035-001 BRAZIL
电话: + 55-11-5574-7949
传真: + 55-11-5572-0052
TAITRON组件INCORPORATED上海代表处
飞洲国际广场, 899零陵路, SUITE 18C ,上海, 200030 ,中国
电话: + 86-21-5424-9942
传真: + 86-21-5424-9931
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第4页4
BZX384-Series
www.vishay.com
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
硅平面稳压二极管
齐纳电压是根据分级
国际标准E24
标准齐纳电压容差为± 5 % ;
替换“ C”与“B”为± 2 %容差
AEC- Q101标准
符合AEC -Q101 ESD能力:
人体模型> 8千伏
机器型号> 800 V
基P / N - E3 - 符合RoHS标准的商用级
基P / N - HE3 - 符合RoHS标准,符合AEC - Q101标准
材料分类:为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.4 75
2; 5
脉冲电流
单身
单位
V
mA
订购信息
设备名称
订购代码
BZX384C2V4 - E3-08到BZX384C75 - E3-08
BZX384B2V4 - E3-08到BZX384B75 - E3-08
BZX384C2V4 - HE3-08到BZX384C75 , HE3-08
BZX384-series
BZX384B2V4 - HE3-08到BZX384B75 , HE3-08
BZX384C2V4 - E3-18到BZX384C75 - E3-18
BZX384B2V4 - E3-18到BZX384B75 - E3-18
BZX384C2V4 - HE3-18到BZX384C75 , HE3-18
BZX384B2V4 - HE3-18到BZX384B75 , HE3-18
10 000( 13"上排8毫米磁带)
10 000 /盒
3000 (上7"卷轴8mm带)
15 000 /盒
每卷胶带单位
最小起订量
包
包名称
SOD-323
重量
4.3毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气敏感度
水平
MSL等级1
(根据J- STD- 020 )
焊接条件
260 ℃/ 10秒,在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
功耗
测试条件
设备上的玻璃基板
符号
P
合计
R
thJA
T
j
T
英镑
T
op
价值
200
650
150
- 65至+ 150
- 55至+ 150
单位
mW
K / W
°C
°C
°C
热阻结到环境空气
有效该电极被保持在环境温度
结温
存储温度范围
工作温度范围
修订版1.9 , 08月, 13
文档编号: 85764
1
您所在区域内的技术问题:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改,恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明,阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
BZX384-Series
www.vishay.com
威世半导体
反向
LAEKAGE
当前
I
R
在V
R
μA
马克斯。
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
V
典型值。
70 ( 100)
75 ( 100)
80 ( 95)
85 ( 95)
85 ( 90)
85 ( 90)
80 ( 90)
50 ( 80)
40 ( 60)
15 ( 40)
6 ( 10)
6 ( 15)
6 ( 15)
6 ( 15)
6 ( 15)
8 ( 20)
10 ( 20)
10 ( 25)
10 ( 30)
10 ( 30)
10 ( 40)
10 ( 45)
15 ( 55)
20 ( 55)
25 ( 70)
25 ( 80)
30 ( 80)
35 ( 80)
35 ( 90)
40 ( 130)
45 ( 150)
50 ( 170)
60 ( 180)
70 ( 200)
80 ( 215)
90 ( 240)
95 ( 255)
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
典型值。
275
300 ( 600)
325 ( 600)
350 ( 600)
375 ( 600)
400 ( 600)
410 ( 600)
425 ( 500)
400 ( 480)
80 ( 400)
40 ( 150)
30 ( 80)
30 ( 80)
40 ( 80)
40 ( 100)
50 ( 150)
50 ( 150)
50 ( 150)
50 ( 170)
50 ( 200)
50 ( 200)
50 ( 225)
60 ( 225)
60 ( 250)
60 ( 250)
65 ( 300)
70 ( 300)
75 ( 325)
80 ( 350)
80 ( 350)
85 ( 375)
85 ( 375)
85 ( 400)
100 ( 425)
100 ( 450)
150 ( 475)
170 ( 500)
分钟。
- 9
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
8
10
10
10
10
马克斯。
- 4
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
10
12
12
12
12
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
齐纳电压
范围
产品型号
记号
CODE
V
Z
在我
ZT1
V
分钟。喃。马克斯。
BZX384C2V4
BZX384C2V7
BZX384C3V0
BZX384C3V3
BZX384C3V6
BZX384C3V9
BZX384C4V3
BZX384C4V7
BZX384C5V1
BZX384C5V6
BZX384C6V2
BZX384C6V8
BZX384C7V5
BZX384C8V2
BZX384C9V1
BZX384C10
BZX384C11
BZX384C12
BZX384C13
BZX384C15
BZX384C16
BZX384C18
BZX384C20
BZX384C22
BZX384C24
BZX384C27
BZX384C30
BZX384C33
BZX384C36
BZX384C39
BZX384C43
BZX384C47
BZX384C51
BZX384C56
BZX384C62
BZX384C68
BZX384C75
W1
W2
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
WA
WB
WC
WD
WE
WF
WG
WH
WI
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
WY
WZ
X1
X2
X3
X4
X5
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
TEST
当前
I
ZT1
mA
I
ZT2
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
在我
ZT2
修订版1.9 , 08月, 13
文档编号: 85764
2
您所在区域内的技术问题:
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BZX384-Series
www.vishay.com
威世半导体
反向
泄漏
当前
I
R
在V
R
μA
马克斯。
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
V
典型值。
70 ( 100)
75 ( 100)
80 ( 95)
85 ( 95)
85 ( 90)
85 ( 90)
80 ( 90)
50 ( 80)
40 ( 60)
15 ( 40)
6 ( 10)
6 ( 15)
6 ( 15)
6 ( 15)
6 ( 15)
8 ( 20)
10 ( 20)
10 ( 25)
10 ( 30)
10 ( 30)
10 ( 40)
10 ( 45)
15 ( 55)
20 ( 55)
25 ( 70)
25 ( 80)
30 ( 80)
35 ( 80)
35 ( 90)
40 ( 130)
45 ( 150)
50 ( 170)
60 ( 180)
70 ( 200)
80 ( 215)
90 ( 240)
95 ( 255)
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
典型值。
275
300 ( 600)
325 ( 600)
350 ( 600)
375 ( 600)
400 ( 600)
410 ( 600)
425 ( 500)
400 ( 480)
80 ( 400)
40 ( 150)
30 ( 80)
30 ( 80)
40 ( 80)
40 ( 100)
50 ( 150)
50 ( 150)
50 ( 150)
50 ( 170)
50 ( 200)
50 ( 200)
50 ( 225)
60 ( 225)
60 ( 250)
60 ( 250)
65 ( 300)
70 ( 300)
75 ( 325)
80 ( 350)
80 ( 350)
85 ( 375)
85 ( 375)
85 ( 400)
100 ( 425)
100 ( 450)
150 ( 475)
170 ( 500)
分钟。
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
10
10
10
10
10
马克斯。
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
12
12
12
12
12
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
齐纳电压
范围
产品型号
记号
CODE
分钟。
BZX384B2V4
BZX384B2V7
BZX384B3V0
BZX384B3V3
BZX384B3V6
BZX384B3V9
BZX384B4V3
BZX384B4V7
BZX384B5V1
BZX384B5V6
BZX384B6V2
BZX384B6V8
BZX384B7V5
BZX384B8V2
BZX384B9V1
BZX384B10
BZX384B11
BZX384B12
BZX384B13
BZX384B15
BZX384B16
BZX384B18
BZX384B20
BZX384B22
BZX384B24
BZX384B27
BZX384B30
BZX384B33
BZX384B36
BZX384B39
BZX384B43
BZX384B47
BZX384B51
BZX384B56
BZX384B62
BZX384B68
BZX384B75
W1
W2
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
WA
WB
WC
WD
WE
WF
WG
WH
WI
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
WY
WZ
X1
X2
X3
X4
X5
2.35
2.65
2.94
3.23
3.53
3.82
4.21
4.61
5
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.8
11.8
12.7
14.7
15.7
17.6
19.6
21.6
23.5
26.5
29.4
32.3
35.3
38.2
42.1
46.1
50
54.9
60.8
66.6
73.5
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
马克斯。
2.45
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.4
24.5
27.5
30.6
33.7
36.7
39.8
43.9
47.9
52
57.1
63.2
69.4
76.5
TEST
当前
I
ZT1
mA
I
ZT2
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
在我
ZT2
修订版1.9 , 08月, 13
文档编号: 85764
3
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
mA
10
3
10
2
威世半导体
Ω
100
T
J
= 25 °C
5
4
I
F
10
1
10
-1
10
-2
T
J
= 100 °C
r
zj
3
2
33
27
22
18
15
12
10
6.8/8.2
6.2
10
T
J
= 25 °C
5
4
3
2
10
-3
10
-4
10
-5
0
18114
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1V
0.1
18119
2
5
1
2
5
V
F
10
I
Z
2
5
百毫安
图。 1 -
正向特性
图。 4 - 动态电阻与齐纳电流
mW
250
Ω
10
3
7
T
j
= 25 °C
200
5
4
P
合计
150
R
zj
3
2
47 + 51
43
39
36
10
2
100
7
5
4
3
2
50
0
0
18192
100
200 °C
10
0.1
18120
2
3
4 5
1
2
3 4 5
T
AMB
I
Z
10
mA
图。 2 -
受理的功耗对比
环境温度
图。 5 -
动态电阻与齐纳电流
Ω
1000
5
4
3
2
Ω
10
3
T
J
= 25 °C
5
4
3
2
R
ZTH
= R
THA
x
V
Z
x
Δ
V
Z
Δ
T
j
r
zj
R
ZTH
100
5
4
3
2
10
2
5
4
3
2
10
5
4
3
2
10
2.7
3.6
4.7
5.1
5.6
5
4
3
2
负
积极
1
0.1
18117
2
5
1
1
18121
2
3
4 5
1
2
5
10
I
Z
2
5
百毫安
10
2
3 4 5
100
V
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 3 -
动态电阻与齐纳电流
图。 6 -
热微分电阻与齐纳电压
修订版1.9 , 08月, 13
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威世半导体
V
9
8
7
V
Z
在我
Z
= 2毫安
51
Ω
100
7
5
4
R
zj
3
2
Δ
V
Z
6
5
10
7
5
4
3
2
4
3
2
1
T
j
= 25 °C
I
Z
= 5毫安
1
2
3
4 5
43
36
0
-1
0
18194
1
10
2
I
Z
= 2毫安
20
40
60
80 100 120
140 °C
3 4 5
100
V
18122
V
Z
T
j
图。 7 -
动态电阻与齐纳电压
图。 10 -
更改齐纳电压与结温
毫伏/°C的
25
毫伏/°C的
100
I
Z
= 5毫安
Δ
V
Z
Δ
T
j
20
15
10
5
0
-5
1
18135
2
3
4 5
I
Z
=
5毫安
1毫安
20毫安
Δ
V
Z
Δ
T
j
80
60
40
20
10
2
3 4 5
100
V
0
0
18195
V
Z
在我
Z
= 5毫安
V
≥
27
V,
I = 2毫安
20
40
60
80
100
V
V
Z
在我
Z
= 2毫安
图。 8 - 温度的齐纳电压与依赖
齐纳电压
图。 11 -
齐纳电压与温度的关系
齐纳电压
V
0.8
0.7
0.6
V
Z
在我
Z
= 5毫安
25
15
10
V
1.6
1.4
1.2
8
7
6.2
5.9
5.6
5.1
Δ
V
Z
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-1
- 0.2
0
18124
3.6
4.7
Δ
V
Z
Δ
V
Z
= r
ZTH
X我
Z
I
Z
= 5毫安
V
Z
≥
27
V;
I
Z
= 2毫安
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 0.2
- 0.4
1
18196
2
3
4 5
20
40
60
80
100 120 140 C
10
2
3 4 5
100
V
T
j
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 9 - 更改齐纳电压与结温
图。 12 -
更改齐纳电压从打开上最多的点
热平衡与齐纳电压
修订版1.9 , 08月, 13
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