BZX384-Series
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威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
硅平面稳压二极管
齐纳电压是根据分级
国际标准E24
标准齐纳电压容差为± 5 ％ ;
替换“ C”与“B”为± 2 ％容差
AEC- Q101标准
符合AEC -Q101 ESD能力：
人体模型> 8千伏
机器型号> 800 V
基P / N - E3 - 符合RoHS标准的商用级
基P / N - HE3 - 符合RoHS标准，符合AEC - Q101标准
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.4 75
2; 5
脉冲电流
单身
单位
V
mA
订购信息
设备名称
订购代码
BZX384C2V4 - E3-08到BZX384C75 - E3-08
BZX384B2V4 - E3-08到BZX384B75 - E3-08
BZX384C2V4 - HE3-08到BZX384C75 ， HE3-08
BZX384-series
BZX384B2V4 - HE3-08到BZX384B75 ， HE3-08
BZX384C2V4 - E3-18到BZX384C75 - E3-18
BZX384B2V4 - E3-18到BZX384B75 - E3-18
BZX384C2V4 - HE3-18到BZX384C75 ， HE3-18
BZX384B2V4 - HE3-18到BZX384B75 ， HE3-18
10 000（ 13"上排8毫米磁带）
10 000 /盒
3000 （上7"卷轴8mm带）
15 000 /盒
每卷胶带单位
最小起订量
包
包名称
SOD-323
重量
4.3毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气敏感度
水平
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
功耗
测试条件
设备上的玻璃基板
符号
P
合计
R
thJA
T
j
T
英镑
T
op
价值
200
650
150
- 65至+ 150
- 55至+ 150
单位
mW
K / W
°C
°C
°C
热阻结到环境空气
有效该电极被保持在环境温度
结温
存储温度范围
工作温度范围
修订版1.9 ， 08月， 13
文档编号： 85764
1
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受到特定的免责声明，阐明的AT
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BZX384-Series
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威世半导体
反向
LAEKAGE
当前
I
R
在V
R
μA
马克斯。
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
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0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
V
典型值。
70 ( 100)
75 ( 100)
80 ( 95)
85 ( 95)
85 ( 90)
85 ( 90)
80 ( 90)
50 ( 80)
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15 ( 40)
6 ( 10)
6 ( 15)
6 ( 15)
6 ( 15)
6 ( 15)
8 ( 20)
10 ( 20)
10 ( 25)
10 ( 30)
10 ( 30)
10 ( 40)
10 ( 45)
15 ( 55)
20 ( 55)
25 ( 70)
25 ( 80)
30 ( 80)
35 ( 80)
35 ( 90)
40 ( 130)
45 ( 150)
50 ( 170)
60 ( 180)
70 ( 200)
80 ( 215)
90 ( 240)
95 ( 255)
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
典型值。
275
300 ( 600)
325 ( 600)
350 ( 600)
375 ( 600)
400 ( 600)
410 ( 600)
425 ( 500)
400 ( 480)
80 ( 400)
40 ( 150)
30 ( 80)
30 ( 80)
40 ( 80)
40 ( 100)
50 ( 150)
50 ( 150)
50 ( 150)
50 ( 170)
50 ( 200)
50 ( 200)
50 ( 225)
60 ( 225)
60 ( 250)
60 ( 250)
65 ( 300)
70 ( 300)
75 ( 325)
80 ( 350)
80 ( 350)
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85 ( 375)
85 ( 400)
100 ( 425)
100 ( 450)
150 ( 475)
170 ( 500)
分钟。
- 9
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
8
10
10
10
10
马克斯。
- 4
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
10
12
12
12
12
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
产品型号
记号
CODE
V
Z
在我
ZT1
V
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BZX384C2V4
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W1
W2
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W4
W5
W6
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W8
W9
WA
WB
WC
WD
WE
WF
WG
WH
WI
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
WY
WZ
X1
X2
X3
X4
X5
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
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5.8
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7
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18.8
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10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
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2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
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5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
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10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
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19.1
21.2
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25.6
28.9
32
35
38
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46
50
54
60
66
72
79
TEST
当前
I
ZT1
mA
I
ZT2
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
在我
ZT2
修订版1.9 ， 08月， 13
文档编号： 85764
2
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BZX384-Series
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威世半导体
反向
泄漏
当前
I
R
在V
R
μA
马克斯。
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
V
典型值。
70 ( 100)
75 ( 100)
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85 ( 90)
85 ( 90)
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6 ( 15)
6 ( 15)
6 ( 15)
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10 ( 30)
10 ( 30)
10 ( 40)
10 ( 45)
15 ( 55)
20 ( 55)
25 ( 70)
25 ( 80)
30 ( 80)
35 ( 80)
35 ( 90)
40 ( 130)
45 ( 150)
50 ( 170)
60 ( 180)
70 ( 200)
80 ( 215)
90 ( 240)
95 ( 255)
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
典型值。
275
300 ( 600)
325 ( 600)
350 ( 600)
375 ( 600)
400 ( 600)
410 ( 600)
425 ( 500)
400 ( 480)
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30 ( 80)
40 ( 80)
40 ( 100)
50 ( 150)
50 ( 150)
50 ( 150)
50 ( 170)
50 ( 200)
50 ( 200)
50 ( 225)
60 ( 225)
60 ( 250)
60 ( 250)
65 ( 300)
70 ( 300)
75 ( 325)
80 ( 350)
80 ( 350)
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85 ( 375)
85 ( 400)
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100 ( 450)
150 ( 475)
170 ( 500)
分钟。
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
10
10
10
10
10
马克斯。
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
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8
9
9
9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
12
12
12
12
12
电气特性
(T
AMB
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齐纳电压
范围
产品型号
记号
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WA
WB
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WD
WE
WF
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WK
WL
WM
WN
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
WY
WZ
X1
X2
X3
X4
X5
2.35
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V
Z
在我
ZT1
V
喃。
2.4
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5.6
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9.1
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马克斯。
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10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.4
24.5
27.5
30.6
33.7
36.7
39.8
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69.4
76.5
TEST
当前
I
ZT1
mA
I
ZT2
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
在我
ZT2
修订版1.9 ， 08月， 13
文档编号： 85764
3
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
mA
10
3
10
2
威世半导体
Ω
100
T
J
= 25 °C
5
4
I
F
10
1
10
-1
10
-2
T
J
= 100 °C
r
zj
3
2
33
27
22
18
15
12
10
6.8/8.2
6.2
10
T
J
= 25 °C
5
4
3
2
10
-3
10
-4
10
-5
0
18114
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1V
0.1
18119
2
5
1
2
5
V
F
10
I
Z
2
5
百毫安
图。 1 -
正向特性
图。 4 - 动态电阻与齐纳电流
mW
250
Ω
10
3
7
T
j
= 25 °C
200
5
4
P
合计
150
R
zj
3
2
47 + 51
43
39
36
10
2
100
7
5
4
3
2
50
0
0
18192
100
200 °C
10
0.1
18120
2
3
4 5
1
2
3 4 5
T
AMB
I
Z
10
mA
图。 2 -
受理的功耗对比
环境温度
图。 5 -
动态电阻与齐纳电流
Ω
1000
5
4
3
2
Ω
10
3
T
J
= 25 °C
5
4
3
2
R
ZTH
= R
THA
x
V
Z
x
Δ
V
Z
Δ
T
j
r
zj
R
ZTH
100
5
4
3
2
10
2
5
4
3
2
10
5
4
3
2
10
2.7
3.6
4.7
5.1
5.6
5
4
3
2
负
积极
1
0.1
18117
2
5
1
1
18121
2
3
4 5
1
2
5
10
I
Z
2
5
百毫安
10
2
3 4 5
100
V
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 3 -
动态电阻与齐纳电流
图。 6 -
热微分电阻与齐纳电压
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威世半导体
V
9
8
7
V
Z
在我
Z
= 2毫安
51
Ω
100
7
5
4
R
zj
3
2
Δ
V
Z
6
5
10
7
5
4
3
2
4
3
2
1
T
j
= 25 °C
I
Z
= 5毫安
1
2
3
4 5
43
36
0
-1
0
18194
1
10
2
I
Z
= 2毫安
20
40
60
80 100 120
140 °C
3 4 5
100
V
18122
V
Z
T
j
图。 7 -
动态电阻与齐纳电压
图。 10 -
更改齐纳电压与结温
毫伏/°C的
25
毫伏/°C的
100
I
Z
= 5毫安
Δ
V
Z
Δ
T
j
20
15
10
5
0
-5
1
18135
2
3
4 5
I
Z
=
5毫安
1毫安
20毫安
Δ
V
Z
Δ
T
j
80
60
40
20
10
2
3 4 5
100
V
0
0
18195
V
Z
在我
Z
= 5毫安
V
≥
27
V,
I = 2毫安
20
40
60
80
100
V
V
Z
在我
Z
= 2毫安
图。 8 - 温度的齐纳电压与依赖
齐纳电压
图。 11 -
齐纳电压与温度的关系
齐纳电压
V
0.8
0.7
0.6
V
Z
在我
Z
= 5毫安
25
15
10
V
1.6
1.4
1.2
8
7
6.2
5.9
5.6
5.1
Δ
V
Z
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-1
- 0.2
0
18124
3.6
4.7
Δ
V
Z
Δ
V
Z
= r
ZTH
X我
Z
I
Z
= 5毫安
V
Z
≥
27
V;
I
Z
= 2毫安
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 0.2
- 0.4
1
18196
2
3
4 5
20
40
60
80
100 120 140 C
10
2
3 4 5
100
V
T
j
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 9 - 更改齐纳电压与结温
图。 12 -
更改齐纳电压从打开上最多的点
热平衡与齐纳电压
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