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BZX384-V-Series
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
齐纳电压等级根据
e3
国际E 24标准
标准齐纳电压容差为± 5 ％ ;
更换"C"与"B"为± 2 ％容差
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
20145
机械数据
案例：
SOD323塑料外壳
重量：
约。 5.0毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
功耗
1)
测试条件
符号
P
合计
价值
200
1)
单位
mW
设备上的玻璃基板
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
650
1)
150
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
有效该电极被保持在环境温度
文档编号85764
修订版1.6 ， 17日， 06
www.vishay.com
1
BZX384-V-Series
威世半导体
电气特性
部分号码
标齐纳电压
CODE
范围
V
Z
在我
ZT1
V
民
BZX384C2V4-V
BZX384C2V7-V
BZX384C3V0-V
BZX384C3V3-V
BZX384C3V6-V
BZX384C3V9-V
BZX384C4V3-V
BZX384C4V7-V
BZX384C5V1-V
BZX384C5V6-V
BZX384C6V2-V
BZX384C6V8-V
BZX384C7V5-V
BZX384C8V2-V
BZX384C9V1-V
BZX384C10-V
BZX384C11-V
BZX384C12-V
BZX384C13-V
BZX384C15-V
BZX384C16-V
BZX384C18-V
BZX384C20-V
BZX384C22-V
BZX384C24-V
BZX384C27-V
BZX384C30-V
BZX384C33-V
BZX384C36-V
BZX384C39-V
BZX384C43-V
BZX384C47-V
BZX384C51-V
BZX384C56-V
BZX384C62-V
BZX384C68-V
BZX384C75-V
(1)
动态电阻
TEST
当前
I
ZT1
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
温度
TEST
当前系数
齐纳电压
α
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
民
-9
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
9
9
10
10
最大
-4
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
11
12
12
12
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
在我
ZT2
mA
反向漏
当前
I
R
在V
R
A
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
r
zj
在我
ZT1
Ω
典型值
70 (≤ 100)
75 (≤ 100)
80 (≤ 95)
85 (≤ 95)
85 (≤ 90)
85 (≤ 90)
80 (≤ 90)
50 (≤ 80)
40 (≤ 60)
15 (≤ 40)
6.0 (≤ 10)
6.0 (≤ 15)
6.0 (≤ 15)
6.0 (≤ 15)
6.0 (≤ 15)
8.0 (≤ 20)
10 (≤ 20)
10 (≤ 25)
10 (≤ 30)
10 (≤ 30)
10 (≤ 40)
10 (≤ 45)
15 (≤ 55)
20 (≤ 55)
25 (≤ 70)
25 (≤ 80)
30 (≤ 80)
35 (≤ 80)
35 (≤ 90)
40 (≤ 130)
45 (≤ 150)
50 (≤ 170)
60 (≤ 180)
70 (≤ 200)
80 (≤ 215)
90 (≤ 240)
95 (≤ 255)
r
zj
在我
ZT2
Ω
典型值
275
300 (≤ 600)
325 (≤ 600)
350 (≤ 600)
375 (≤ 600)
400 (≤ 600)
410 (≤ 600)
425 (≤ 500)
400 (≤ 480)
80 (≤ 400)
40 (≤ 150)
30 (≤ 80)
30 (≤ 80)
40 (≤ 80)
40 (≤ 100)
50 (≤ 150)
50 (≤ 150)
50 (≤ 150)
50 (≤ 170)
50 (≤ 200)
50 (≤ 200)
50 (≤ 225)
60 (≤ 225)
60 (≤ 250)
60 (≤ 250)
65 (≤ 300)
70 (≤ 300)
75 (≤ 325)
80 (≤ 350)
80 (≤ 350)
85 (≤ 375)
85 (≤ 375)
85 (≤ 400)
100 (≤ 425)
100 (≤ 450)
150 (≤ 475)
170 (≤ 500)
最大
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
W1
W2
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
WA
WB
WC
WD
WE
WF
WG
WH
WI
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
WY
WZ
X1
X2
X3
X4
X5
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
测量脉冲牛逼
p
= 5毫秒
www.vishay.com
2
文档编号85764
修订版1.6 ， 17日， 06
BZX384-V-Series
威世半导体
电气特性
部分号码
标齐纳电压
CODE
范围
V
Z
在我
ZT1
V
民
BZX384B2V4-V
BZX384B2V7-V
BZX384B3V0-V
BZX384B3V3-V
BZX384B3V6-V
BZX384B3V9-V
BZX384B4V3-V
BZX384B4V7-V
BZX384B5V1-V
BZX384B5V6-V
BZX384B6V2-V
BZX384B6V8-V
BZX384B7V5-V
BZX384B8V2-V
BZX384B9V1-V
BZX384B10-V
BZX384B11-V
BZX384B12-V
BZX384B13-V
BZX384B15-V
BZX384B16-V
BZX384B18-V
BZX384B20-V
BZX384B22-V
BZX384B24-V
BZX384B27-V
BZX384B30-V
BZX384B33-V
BZX384B36-V
BZX384B39-V
BZX384B43-V
BZX384B47-V
BZX384B51-V
BZX384B56-V
BZX384B62-V
BZX384B68-V
BZX384B75-V
W1
W2
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
WA
WB
WC
WD
WE
WF
WG
WH
WI
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
WY
WZ
X1
X2
X3
X4
X5
2.35
2.65
2.94
3.23
3.53
3.82
4.21
4.61
5.00
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.80
10.8
11.8
12.7
14.7
15.7
17.6
19.6
21.6
23.5
26.5
29.4
32.3
35.3
38.2
42.1
46.1
50.0
54.9
60.8
66.6
73.5
最大
2.45
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
5.20
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.4
24.5
27.5
30.6
33.7
36.7
39.8
43.9
47.9
52.0
57.1
63.2
69.4
76.5
动态电阻
TEST
当前
I
ZT1
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
温度
TEST
当前系数
齐纳电压
α
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
民
-9
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
9
9
10
10
最大
-4
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
11
12
12
12
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
ATI
ZT2
mA
A
反向漏
当前
I
R
在V
R
V
r
zj
在我
ZT1
Ω
典型值
70 (≤ 100)
75 (≤ 100)
80 (≤ 95)
85 (≤ 95)
85 (≤ 90)
85 (≤ 90)
80 (≤ 90)
50 (≤ 80)
40 (≤ 60)
15 (≤ 40)
6.0 (≤ 10)
6.0 (≤ 15)
6.0 (≤ 15)
6.0 (≤ 15)
6.0 (≤ 15)
8.0 (≤ 20)
10 (≤ 20)
10 (≤ 25)
10 (≤ 30)
10 (≤ 30)
10 (≤ 40)
10 (≤ 45)
15 (≤ 55)
20 (≤ 55)
25 (≤ 70)
25 (≤ 80)
30 (≤ 80)
35 (≤ 80)
35 (≤ 90)
40 (≤ 130)
45 (≤ 150)
50 (≤ 170)
60 (≤ 180)
70 (≤ 200)
80 (≤ 215)
90 (≤ 240)
95 (≤ 255)
r
zj
在我
ZT2
Ω
典型值
275
300 (≤ 600)
325 (≤ 600)
350 (≤ 600)
375 (≤ 600)
400 (≤ 600)
410 (≤ 600)
425 (≤ 500)
400 (≤ 480)
80 (≤ 400)
40 (≤ 150)
30 (≤ 80)
30 (≤ 80)
40 (≤ 80)
40 (≤ 100)
50 (≤ 150)
50 (≤ 150)
50 (≤ 150)
50 (≤ 170)
50 (≤ 200)
50 (≤ 200)
50 (≤ 225)
60 (≤ 225)
60 (≤ 250)
60 (≤ 250)
65 (≤ 300)
70 (≤ 300)
75 (≤ 325)
80 (≤ 350)
80 (≤ 350)
85 (≤ 375)
85 (≤ 375)
85 (≤ 400)
100 (≤ 425)
100 (≤ 450)
150 (≤ 475)
170 (≤ 500)
文档编号85764
修订版1.6 ， 17日， 06
www.vishay.com
3
BZX384-V-Series
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
mA
10
3
10
2
1000
5
4
3
2
T
J
= 25 °C
I
F
10
1
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
T
J
= 100 °C
r
zj
100
T
J
= 25 °C
5
4
3
2
100
5
4
3
2
2.7
3.6
4.7
5.1
5.6
0
18114
0.2
0.4
0.6
0.8
1V
1
0.1
18117
2
5
1
2
5
10
I
Z
2
5
百毫安
V
F
图1.正向特性
图4.动态电阻与齐纳电流
mW
250
pF
1000
7
5
4
3
2
T
j
= 25 °C
200
C
合计
V
R
= 1
V
V
R
= 2
V
P
合计
150
100
100
7
5
4
V
R
= 1
V
V
R
= 2
V
50
3
2
0
0
18192
10
100
200 °C
1
18193
2
3
4 5
10
2
3 4 5
100
V
T
AMB
V
Z
图2.容许功耗与环境温度
图5.电容与齐纳电压
° C / W
10
3
7
5
4
3
2
Ω
100
T
J
= 25 °C
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
=0
5
4
r
THA
10
2
7
5
4
3
2
r
zj
3
2
33
27
22
18
15
12
10
6.8/8.2
6.2
10
5
4
10
7
5
4
3
2
tp
3
tp
T
T
P
I
2
1
10
-5
18116
1
-1
10
-4
10
-3
10
-2
10
1
10s
0.1
18119
2
5
1
2
5
tp
10
I
Z
2
5
百毫安
图3.脉冲热电阻与脉冲宽度
图6.动态电阻与齐纳电流
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4
文档编号85764
修订版1.6 ， 17日， 06
BZX384-V-Series
威世半导体
Ω
10
3
7
5
4
T
j
= 25 °C
毫伏/°C的
25
r
zj
3
2
47 + 51
43
39
36
Δ
V
Z
Δ
T
j
20
15
10
5
0
-5
I
Z
=
5毫安
1毫安
20毫安
10
2
7
5
4
3
2
10
0.1
18120
2
3
4 5
1
2
3 4 5
10毫安
1
18135
2
3
4 5
10
2
3 4 5
100
V
I
Z
图7.动态电阻与齐纳电流
V
Z
在我
Z
= 5毫安
V
≥
27
V,
I = 2毫安
齐纳电压 - 齐纳图10.温度依赖性
电压
V
0.8
Ω
10
3
5
4
3
2
r
ZTH
= R
THA
x
V
Z
x
Δ
V
Z
Δ
T
j
Δ
V
Z
25
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
V
Z
在我
Z
= 5毫安
15
10
r
ZTH
10
2
5
4
3
2
8
7
6.2
5.9
5.6
5.1
3.6
4.7
10
5
4
3
2
负
积极
-1
- 0.2
2
3 4 5
1
1
18121
2
3
4 5
10
100
V
0
18124
20
40
60
80
100 120 140 C
V
Z
在我
Z
= 5毫安
T
j
图8.热微分电阻与齐纳电压
图11.更改齐纳电压与结温
Ω
100
7
5
4
V
9
8
7
V
Z
在我
Z
= 2毫安
51
r
zj
3
2
Δ
V
Z
6
5
10
7
5
4
3
2
4
3
2
1
T
j
= 25 °C
I
Z
= 5毫安
43
36
0
-1
1
1
18122
2
3
4 5
I
Z
= 2毫安
0
20
40
60
80
100 120
140 °C
10
2
3 4 5
100
V
V
Z
18194
T
j
图9.动态电阻与齐纳电压
图12.更改齐纳电压与结温
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