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分立半导体
数据表
书, halfpage
M3D130
BZV85系列
稳压二极管
产品speci fi cation
取代1996年的数据04月26日
1999年5月11日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
稳压二极管
特点
总功耗:
最大。 1.3 W
公差系列:约。
±5%
工作电压范围:
NOM 。 3.6至75 V ( E24范围)
非重复性峰值反向功率
功耗:最大。 60 W.
应用
稳定的目的。
描述
BZV85系列
中等功率稳压二极管在密封铅玻璃
SOD66 (DO- 41)的包。该二极管是在正规化E24可用
约。
±5%
公差范围。该系列由33种标称有
工作电压范围为3.6至75 V( BZV85 - C3V6到BZV85 - C75 ) 。
手册, halfpage
k
a
MAM241
该二极管是品牌类型。
Fig.1简化外形( SOD66 ; DO -41 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
I
F
I
ZSM
参数
连续正向电流
非重复性峰值反向电流T
p
= 100
s;
方波;
T
j
= 25
°C
前激增;见图3
t
p
= 10毫秒;半正弦波;
T
j
= 25
°C
暴涨前
P
合计
总功耗
T
AMB
= 25
°C;
铅长度为10毫米;
注1
注2
P
ZSM
T
英镑
T
j
笔记
1.装置安装在印刷电路板上与1厘米
2
每铅铜区。
2.如果引线被保持在T
tp
= 55
°C
在从主体4毫米。
电气特性
总串联
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
条件
I
F
= 50毫安;见图4
马克斯。
1
单位
V
非重复性峰值反向功率
耗散
储存温度
结温
t
p
= 100
s;
方波;
T
j
= 25
°C
暴涨前
条件
请参阅表
“每键入”
请参阅表
“每键入”
65
1
1.3
60
+200
200
W
W
W
°C
°C
分钟。
马克斯。
500
单位
mA
1999年5月11日
2
1999年5月11日
3
飞利浦半导体
每个类型
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
工作
电压
V
Z
(V)
在我
ZTEST
迪FF erential
阻力
r
DIF
()
在我
ZTEST
TEST
二极管CAP 。
TEMP 。 COEFF 。
当前
C
d
(PF )
S
Z
(毫伏/ K)的
在我
ZTEST
I
ZTEST
(MA)在f = 1 MHz的;
参见图5和图6
V
R
= 0 V
反向
电流
反向
电压
I
R
(A)
分钟。
3V6
3V9
4V3
4V7
5V1
5V6
6V2
6V8
7V5
8V2
9V1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
马克斯。
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
马克斯。
15
15
13
13
10
7
4
3.5
3
5
5
8
10
10
10
15
15
20
24
25
30
40
45
分钟。
3.5
3.5
2.7
2.0
0.5
0
0.6
1.3
2.5
3.1
3.8
4.7
5.3
6.3
7.4
8.9
10.7
11.8
13.6
16.6
18.3
20.1
22.4
马克斯。
1.0
1.0
0
+0.7
+2.2
2.7
3.6
4.3
5.5
6.1
7.2
8.5
9.3
10.8
12.0
13.6
15.4
17.1
19.1
22.1
24.3
27.5
32.0
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
马克斯。
450
450
450
300
300
300
200
200
150
150
150
90
85
85
80
75
75
70
60
60
55
50
50
马克斯。
50
10
5
3
3
2
2
2
1
0.7
0.7
0.2
0.2
0.2
0.2
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
4.0
4.5
5.0
6.5
7.0
7.7
8.4
9.1
10.5
11.0
12.5
14.0
15.5
17
19
21
V
R
(V)
不重复
峰值反向电流
I
ZSM
在T
p
= 100
s;
T
AMB
= 25
°C
最大。 ( A)
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
7.0
7.0
5.0
5.0
4.0
4.0
3.0
3.0
3.0
2.5
1.75
1.75
1.75
1.5
1.5
1.2
1.2
在T
p
= 10毫秒;
T
AMB
= 25
°C
MAX 。 (MA )
2000
1950
1850
1800
1750
1700
1620
1550
1500
1400
1340
1200
1100
1000
900
760
700
稳压二极管
BZV85-
CXXX
BZV85系列
600
540
500
450
400
380
产品speci fi cation
1999年5月11日
4
飞利浦半导体
BZV85-
CXXX
工作
电压
V
Z
(V)
在我
ZTEST
迪FF erential
阻力
r
DIF
()
在我
ZTEST
二极管CAP 。
TEMP 。 COEFF 。
TEST
C
d
(PF )
S
Z
(毫伏/ K)的
当前
在我
ZTEST
I
ZTEST
(MA)在f = 1 MHz的;
V
R
= 0 V
参见图5和图6
反向
电流
反向
电压
I
R
(A)
V
R
(V)
23
25
27
30
33
36
39
43
48
53
稳压二极管
不重复
峰值反向电流
I
ZSM
在T
p
= 100
s;
T
AMB
= 25
°C
最大。 ( A)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.4
0.35
0.3
在T
p
= 10毫秒;
T
AMB
= 25
°C
MAX 。 (MA )
350
320
296
270
246
226
208
186
171
161
分钟。
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
31.0
34.0
37.0
40.0
44.0
48.0
52.0
58.0
64.0
70.0
马克斯。
35.0
38.0
41.0
46.0
50.0
54.0
60.0
66.0
72.0
80.0
马克斯。
45
50
60
75
100
125
150
175
200
225
分钟。
24.8
27.2
29.6
34.0
37.4
40.8
46.8
52.2
60.5
66.5
马克斯。
35.0
39.9
43.0
48.3
52.5
56.5
63.0
72.5
81.0
88.0
8
8
6
6
4
4
4
4
4
4
马克斯。
45
45
45
40
40
40
40
35
35
35
马克斯。
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
BZV85系列
产品speci fi cation
飞利浦半导体
产品speci fi cation
稳压二极管
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
1.装置安装在印刷电路板上与1厘米
2
每铅铜区。
图形数据
参数
从结热阻,以配合点
从结点到环境的热阻
条件
铅长度为4毫米;见图2
导致length10毫米;注1
BZV85系列
价值
110
175
单位
K / W
K / W
手册,全页宽
10
3
MBG929
RTH J- TP
(K / W)
δ
=1
0.75
0.50
0.33
0.20
0.10
0.05
10
2
10
0.02
0.01
0
1
10
2
tp
T
δ
=
tp
T
10
1
1
10
10
2
10
3
TP( ms)的
10
4
从结点图2的热阻,以配合点用4mm的引线长度。
1999年5月11日
5
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