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BZV85系列
稳压二极管
牧师03 - 2009年11月10日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
中等功率稳压二极管在小密封铅
SOD66 (DO- 41)的玻璃封装。
该二极管可在归E24约
±5
%的容差范围。
该系列由33种标称工作电压为3.6 V至75 V.
1.2产品特点
I
总功耗:最大。 1.3 W
I
工作电压范围:
标称3.3 V至75 V ( E24范围)
I
小密封玻璃
I
公差系列:约
±5
%
I
非重复性峰值反向功率
功耗:最大。 60瓦
1.3应用
I
稳定的目的
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
F
P
合计
快速参考数据
参数
正向电压
总功耗
T
AMB
= 25
°C;
引线长度10毫米
P
ZSM
[1]
[2]
[3]
[1]
条件
I
F
= 50毫安
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
1
1
1.3
60
单位
V
W
W
W
[2]
非重复性峰值反向
功耗
方波;
t
p
= 100
s
[3]
装置安装在一个印刷电路板(PCB)与1厘米
2
每铅铜区。
如果引线被保持在T
tp
= 55
°C
在从主体4毫米。
T
j
= 25
°C
暴涨前
恩智浦半导体
BZV85系列
稳压二极管
2.管脚信息
表2中。
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
k
a
图形符号
1
2
006aaa152
[1]
标记带指示阴极。
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
BZV85系列
[1]
[1]
类型编号
描述
气密密封的玻璃封装;轴向引线;
2引线
VERSION
SOD66
-
该系列由33种标称工作电压为3.3 V至75 V.
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
该二极管是品牌类型。
类型编号
BZV85系列
BZV85_SER_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年11月10日
2 10
恩智浦半导体
BZV85系列
稳压二极管
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
I
F
I
ZSM
参数
正向电流
非重复性峰值反向
当前
方波;
t
p
= 100
s
半正弦波;
t
p
= 10毫秒
P
合计
总功耗
T
AMB
= 25
°C;
铅长度10米
m
P
ZSM
T
j
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[2]
[1]
条件
-
-
-
最大
500
SEE
表8
SEE
表8
1
单位
mA
[1]
-
W
[3]
-
-
-
65
1.3
60
200
+200
W
W
°C
°C
非重复性峰值反向
功耗
结温
储存温度
方波;
t
p
= 100
s
[1]
T
j
= 25
°C
暴涨前
装置安装在PCB上与1厘米
2
每铅铜区。
如果引线被保持在T
tp
= 55
°C
在从主体4毫米。
BZV85_SER_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年11月10日
3 10
恩智浦半导体
BZV85系列
稳压二极管
6.热特性
表6 。
符号
R
日( J- T)
R
号(j -a)的
[1]
热特性
参数
从热阻
结绑点
从热阻
结到环境
条件
引线长度4毫米
引线长度10毫米
[1]
-
-
典型值
-
-
最大
110
175
单位
K / W
K / W
装置安装在PCB上与1厘米
2
每铅铜区。
10
3
R
日( J- T)
(K / W)
10
2
δ
=1
0.75
0.50
0.33
0.20
10
0.10
0.05
006aab844
0.02
0.01
0
1
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
t
p
(女士)
10
4
图1 。
从结热阻,以配合点作为脉冲持续时间的函数;
引线长度4毫米
7.特点
表7中。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
条件
I
F
= 50毫安
-
典型值
-
最大
1
单位
V
BZV85_SER_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年11月10日
4 10
恩智浦半导体
BZV85系列
稳压二极管
表8 。
每种类型的特点
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
BZV85-工作
CXXX
电压
V
Z
(V)
在我
TEST
3V6
3V9
4V3
4V7
5V1
5V6
6V2
6V8
7V5
8V2
9V1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
40.0
44.0
48.0
52.0
58.0
64.0
70.0
最大
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
46.0
50.0
54.0
60.0
66.0
72.0
80.0
差分温度测试
性COEF网络cient
当前
I
TEST
r
DIF
()
S
Z
(毫伏/ K)的
(MA )
在我
TEST
在我
TEST
最大
15
15
13
13
10
7
4
3.5
3
5
5
8
10
10
10
15
15
20
24
25
30
40
45
45
50
60
75
100
125
150
175
200
225
3.5
3.5
2.7
2.0
0.5
0
0.6
1.3
2.5
3.1
3.8
4.7
5.3
6.3
7.4
8.9
10.7
11.8
13.6
16.6
18.3
20.1
22.4
24.8
27.2
29.6
34.0
37.4
40.8
46.8
52.2
60.5
66.5
最大
1.0
1.0
0
0.7
2.2
2.7
3.6
4.3
5.5
6.1
7.2
8.5
9.3
10.8
12.0
13.6
15.4
17.1
19.1
22.1
24.3
27.5
32.0
35.0
39.9
43.0
48.3
52.5
56.5
63.0
72.5
81.0
88.0
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
8
8
6
6
4
4
4
4
4
4
二极管
反向
电容电流
C
d
(PF )
I
R
(A)
在f = 1兆赫;
V
R
= 0 V
最大
450
450
450
300
300
300
200
200
150
150
150
90
85
85
80
75
75
70
60
60
55
50
50
45
45
45
40
40
40
40
35
35
35
最大
50
10
5
3
3
2
2
2
1
0.7
0.7
0.2
0.2
0.2
0.2
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
4.0
4.5
5.0
6.5
7.0
7.7
8.4
9.1
10.5
11.0
12.5
14.0
15.5
17
19
21
23
25
27
30
33
36
39
43
48
53
非重复性峰值
反向电流
I
ZSM
在T
p
= 100
s;
在T
p
= 10毫秒;
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C
V
R
( V)最大( A)
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
7.0
7.0
5.0
5.0
4.0
4.0
3.0
3.0
3.0
2.5
1.75
1.75
1.75
1.5
1.5
1.2
1.2
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.4
0.35
0.3
马克斯(毫安)
2000
1950
1850
1800
1750
1700
1620
1550
1500
1400
1340
1200
1100
1000
900
760
700
600
540
500
450
400
380
350
320
296
270
246
226
208
186
171
161
BZV85_SER_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年11月10日
5 10
分立半导体
数据表
书, halfpage
M3D130
BZV85系列
稳压二极管
产品speci fi cation
取代1996年的数据04月26日
1999年5月11日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
稳压二极管
特点
总功耗:
最大。 1.3 W
公差系列:约。
±5%
工作电压范围:
NOM 。 3.6至75 V ( E24范围)
非重复性峰值反向功率
功耗:最大。 60 W.
应用
稳定的目的。
描述
BZV85系列
中等功率稳压二极管在密封铅玻璃
SOD66 (DO- 41)的包。该二极管是在正规化E24可用
约。
±5%
公差范围。该系列由33种标称有
工作电压范围为3.6至75 V( BZV85 - C3V6到BZV85 - C75 ) 。
手册, halfpage
k
a
MAM241
该二极管是品牌类型。
Fig.1简化外形( SOD66 ; DO -41 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
I
F
I
ZSM
参数
连续正向电流
非重复性峰值反向电流T
p
= 100
s;
方波;
T
j
= 25
°C
前激增;见图3
t
p
= 10毫秒;半正弦波;
T
j
= 25
°C
暴涨前
P
合计
总功耗
T
AMB
= 25
°C;
铅长度为10毫米;
注1
注2
P
ZSM
T
英镑
T
j
笔记
1.装置安装在印刷电路板上与1厘米
2
每铅铜区。
2.如果引线被保持在T
tp
= 55
°C
在从主体4毫米。
电气特性
总串联
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
条件
I
F
= 50毫安;见图4
马克斯。
1
单位
V
非重复性峰值反向功率
耗散
储存温度
结温
t
p
= 100
s;
方波;
T
j
= 25
°C
暴涨前
条件
请参阅表
“每键入”
请参阅表
“每键入”
65
1
1.3
60
+200
200
W
W
W
°C
°C
分钟。
马克斯。
500
单位
mA
1999年5月11日
2
1999年5月11日
3
飞利浦半导体
每个类型
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
工作
电压
V
Z
(V)
在我
ZTEST
迪FF erential
阻力
r
DIF
()
在我
ZTEST
TEST
二极管CAP 。
TEMP 。 COEFF 。
当前
C
d
(PF )
S
Z
(毫伏/ K)的
在我
ZTEST
I
ZTEST
(MA)在f = 1 MHz的;
参见图5和图6
V
R
= 0 V
反向
电流
反向
电压
I
R
(A)
分钟。
3V6
3V9
4V3
4V7
5V1
5V6
6V2
6V8
7V5
8V2
9V1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
马克斯。
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
马克斯。
15
15
13
13
10
7
4
3.5
3
5
5
8
10
10
10
15
15
20
24
25
30
40
45
分钟。
3.5
3.5
2.7
2.0
0.5
0
0.6
1.3
2.5
3.1
3.8
4.7
5.3
6.3
7.4
8.9
10.7
11.8
13.6
16.6
18.3
20.1
22.4
马克斯。
1.0
1.0
0
+0.7
+2.2
2.7
3.6
4.3
5.5
6.1
7.2
8.5
9.3
10.8
12.0
13.6
15.4
17.1
19.1
22.1
24.3
27.5
32.0
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
15
15
10
10
10
8
8
马克斯。
450
450
450
300
300
300
200
200
150
150
150
90
85
85
80
75
75
70
60
60
55
50
50
马克斯。
50
10
5
3
3
2
2
2
1
0.7
0.7
0.2
0.2
0.2
0.2
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
4.0
4.5
5.0
6.5
7.0
7.7
8.4
9.1
10.5
11.0
12.5
14.0
15.5
17
19
21
V
R
(V)
不重复
峰值反向电流
I
ZSM
在T
p
= 100
s;
T
AMB
= 25
°C
最大。 ( A)
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
7.0
7.0
5.0
5.0
4.0
4.0
3.0
3.0
3.0
2.5
1.75
1.75
1.75
1.5
1.5
1.2
1.2
在T
p
= 10毫秒;
T
AMB
= 25
°C
MAX 。 (MA )
2000
1950
1850
1800
1750
1700
1620
1550
1500
1400
1340
1200
1100
1000
900
760
700
稳压二极管
BZV85-
CXXX
BZV85系列
600
540
500
450
400
380
产品speci fi cation
1999年5月11日
4
飞利浦半导体
BZV85-
CXXX
工作
电压
V
Z
(V)
在我
ZTEST
迪FF erential
阻力
r
DIF
()
在我
ZTEST
二极管CAP 。
TEMP 。 COEFF 。
TEST
C
d
(PF )
S
Z
(毫伏/ K)的
当前
在我
ZTEST
I
ZTEST
(MA)在f = 1 MHz的;
V
R
= 0 V
参见图5和图6
反向
电流
反向
电压
I
R
(A)
V
R
(V)
23
25
27
30
33
36
39
43
48
53
稳压二极管
不重复
峰值反向电流
I
ZSM
在T
p
= 100
s;
T
AMB
= 25
°C
最大。 ( A)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.4
0.35
0.3
在T
p
= 10毫秒;
T
AMB
= 25
°C
MAX 。 (MA )
350
320
296
270
246
226
208
186
171
161
分钟。
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
31.0
34.0
37.0
40.0
44.0
48.0
52.0
58.0
64.0
70.0
马克斯。
35.0
38.0
41.0
46.0
50.0
54.0
60.0
66.0
72.0
80.0
马克斯。
45
50
60
75
100
125
150
175
200
225
分钟。
24.8
27.2
29.6
34.0
37.4
40.8
46.8
52.2
60.5
66.5
马克斯。
35.0
39.9
43.0
48.3
52.5
56.5
63.0
72.5
81.0
88.0
8
8
6
6
4
4
4
4
4
4
马克斯。
45
45
45
40
40
40
40
35
35
35
马克斯。
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
BZV85系列
产品speci fi cation
飞利浦半导体
产品speci fi cation
稳压二极管
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
1.装置安装在印刷电路板上与1厘米
2
每铅铜区。
图形数据
参数
从结热阻,以配合点
从结点到环境的热阻
条件
铅长度为4毫米;见图2
导致length10毫米;注1
BZV85系列
价值
110
175
单位
K / W
K / W
手册,全页宽
10
3
MBG929
RTH J- TP
(K / W)
δ
=1
0.75
0.50
0.33
0.20
0.10
0.05
10
2
10
0.02
0.01
0
1
10
2
tp
T
δ
=
tp
T
10
1
1
10
10
2
10
3
TP( ms)的
10
4
从结点图2的热阻,以配合点用4mm的引线长度。
1999年5月11日
5
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