齐纳二极管
无铅封装用于表面安装
双封堵施工
冶金结合
BZV55 C2V4
THRU
BZV55 C75
最大额定值
工作温度: -65 ° C到+ 175℃
存储温度: -65 °C至+ 175℃
功率降额: 3.33毫瓦/ ° C以上+ 50°C
正向电压: @ 200毫安: 1.1伏特最大
电气特性
@ 25 ° C,除非另有规定ED 。
最大
迪FF erential
阻力
rdiff进行@ I Z
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
欧
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
.700
.500
.200
.100
.100
.100
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
最大
反向
当前
IR @ VR
TYPE
齐纳电压
(注1 )
VZ @ I ZT
伏
民
最大
A
伏
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.2
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
C2V4
C2V7
C3V0
C3V3
C3V6
C3V9
C4V3
C4V7
C5V1
C5V6
C6V2
C6V8
C7V5
C8V2
C9V1
C10
C11
C12
C13
C15
C16
C18
C20
C22
C24
C27
C30
C33
C36
C39
C43
C47
C51
C56
C62
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
40.0
44.0
48.0
52.0
58.0
64.0
70.0
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
46.0
50.0
54.0
60.0
66.0
72.0
79.0
暗淡
D
F
G
G1
S
MILLIMETERS
英寸
最小值最大值最小值最大值
1.60
1.70 0.063 0.067
0.41
0.55 0.016 0.022
3.30
3.70 .130 .146
2.54 REF 。
.100 REF 。
0.03 MIN 。
0.001 MIN 。
设计数据
案例:
DO- 213AA ,完全密封
玻璃柜。 ( MELF , SOD- 80 , LL34 )
铅表面处理:
锡/铅
热阻(R
OJEC ) :
100℃ / W最大为L = 0英寸
热阻抗: (Z
OJX ) : 35
C / W最高
极性:
二极管与操作
带状(阴极)端阳性。
安装面选择:
扩展的轴向系数
( COE )这个装置大约是
+ 6PPM / ℃。在安装的COE
地面系统应选择
提供一个合适的符合这种
装置。
BZV55 C68
BZV55 C75
注1
额定齐纳电压测量用热设备结
平衡在25 ° C + 3 ° C的环境温度。
COREY街22号, MELROSE ,马萨诸塞州02176
电话:(781 ) 665-1071
传真:(781 ) 665-7379
网站: http://www.cdi-diodes.com
电子信箱: mail@cdi-diodes.com
BZV55C2V4
THRU
BZV55C75
表面贴装
硅稳压二极管
0.5瓦, 2.4 THRU 75伏
±
5 %的容差
中央
TM
半导体公司
描述:
中央半导体BZV55C2V4
系列表面贴装硅稳压二极管是一种
高品质,精心构建高可靠
组件中的所有类型的设计用于
商业,工业,娱乐,电脑,
和汽车应用。
SOD- 80 CASE
最大额定值:
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
平均正向电流
IO
重复峰值正向电流
功率耗散( TL = 50 ° C)
工作和存储
结温
TJ , TSTG
-65到+200
°C
IFRM
PD
单位
mA
mA
mW
250
250
500
电气特性:
( TA = 25 ℃) , VF = 0.9V最大@ IF = 10毫安对所有类型。
齐纳
TEST
最大齐纳
最大
型号
电压
当前
阻抗
反向
当前
VZ @ IZT
民
BZV55C2V4
BZV55C2V7
BZV55C3V0
BZV55C3V3
BZV55C3V6
BZV55C3V9
BZV55C4V3
BZV55C4V7
BZV55C5V1
BZV55C5V6
BZV55C6V2
BZV55C6V8
BZV55C7V5
BZV55C8V2
BZV55C9V1
BZV55C10
BZV55C11
2.280
2.565
2.850
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.890
6.460
7.125
7.790
8.645
9.500
10.45
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
最大
2.520
2.835
3.150
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.510
7.140
7.875
8.610
9.555
10.50
11.55
IZT
mA
最大
齐纳
当前
IZM
mA
ZZT @ IZT
ZZK @ IZK
mA
IR
A
@ VR
伏
伏VOLTS伏
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
50
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.1
0.1
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
208
185
167
152
139
128
116
106
96
89
81
74
67
61
55
50
45
R0 ( 2001年13月)
中央
TM
半导体公司
BZV55C2V4
THRU
BZV55C75
表面贴装
硅稳压二极管
0.5瓦, 2.4 THRU 75伏
±
5 %的容差
电气特性续:
( TA = 25 ℃) , VF = 0.9V最大@ IF = 10毫安对所有类型。
型号
民
齐纳
电压
VZ @ IZT
喃
最大
伏VOLTS伏
TEST
当前
IZT
mA
最大齐纳
阻抗
ZZT @ IZT
最大
反向
当前
IR
A
最大
齐纳
当前
IZM
mA
ZZK @ IZK
mA
@ VR
伏
BZV55C12
BZV55C13
BZV55C15
BZV55C16
BZV55C18
BZV55C20
BZV55C22
BZV55C24
BZV55C27
BZV55C30
BZV55C33
BZV55C36
BZV55C39
BZV55C43
BZV55C47
BZV55C51
BZV55C56
BZV55C62
BZV55C68
BZV55C75
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
58.90
64.60
71.25
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
12.60
13.65
15.75
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
65.10
71.40
78.75
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
42
38
33
31
28
25
23
21
19
17
15
14
13
12
11
9.9
8.9
8.0
7.4
6.7
SOD- 80案例 - 机械外形
R0 ( 2001年13月)
BZV55C2V4-BZV55C75
500mW的, 5 %的容差稳压二极管
小信号二极管
迷你MELF ( LL34 )
密封的玻璃
特点
广齐纳电压范围选择: 2.4V至75V
的±5% VZ公差选择
专为通孔设备类型安装
密封的玻璃
无铅版本,并符合RoHS标准
高可靠性玻璃钝化投保参数
稳定性和防结污染
单位(mm )
民
3.30
1.40
0.25
1.25
机械数据
案例:迷你MELF封装( JEDEC DO- 213AC )
高温焊接保证: 270 ℃/ 10秒
极性:由阴极频带指示
重量:约。 31毫克
尺寸
A
B
C
D
单位(英寸)
民
0.130
0.055
0.010
0.049
最大
3.70
1.60
0.40
1.40
最大
0.146
0.063
0.016
0.055
订购信息
产品型号
BZV55C2V4-75
BZV55C2V4-75
封装代码
L0
L1
包
LL34
LL34
填料
10K / 13"卷轴
2.5K / 7"卷轴
拟议的焊盘布局
1.25
0.049
2.00
2.50
0.098
0.079
最大额定值和电气特性
评分在25 ° C环境温度,除非另有规定。
5.00
0.197
mm
寸
最大额定值
类型编号
功耗
最大正向电压@I
F
=100mA
热阻(结到环境) (注1 )
存储温度范围
符号
P
D
V
F
RΘJA
T
J
,T
英镑
价值
500
1
300
-65到+ 175
单位
mW
V
° C / W
°C
齐纳我vs.V特点
当前
I
F
V
ZM
V
Z
V
BR
V
R
I
R
I
ZK
V
F
电压
V
BR
I
ZK
Z
ZK
I
ZT
V
Z
Z
ZT
前进区
:电压在我
ZK
:测试电流电压V
BR
:在我的动态阻抗
ZK
:测试电流电压V
Z
:在电压电流I
ZT
:在我的动态阻抗
ZT
:最大稳态电流
:电压在我
ZM
I
ZT
I
ZM
BreakdownRegion
泄露区域
I
ZM
V
ZM
版本: C11
BZV55C2V4-BZV55C75
500mW的, 5 %的容差稳压二极管
小信号二极管
电气特性
TA = 25° C除非另有说明
V
F
正向电压= 1.0V最大@ I
F
= 100毫安的所有零件号
产品型号
BZV55C2V4
BZV55C2V7
BZV55C3V0
BZV55C3V3
BZV55C3V6
BZV55C3V9
BZV55C4V3
BZV55C4V7
BZV55C5V1
BZV55C5V6
BZV55C6V2
BZV55C6V8
BZV55C7V5
BZV55C8V2
BZV55C9V1
BZV55C10
BZV55C11
BZV55C12
BZV55C15
BZV55C16
BZV55C18
BZV55C20
BZV55C22
BZV55C24
BZV55C27
BZV55C30
BZV55C33
BZV55C36
BZV55C39
BZV55C43
BZV55C47
BZV55C51
BZV55C56
BZV55C62
BZV55C68
BZV55C75
注意事项:
1.齐纳电压(V
Z
)为10ms的脉冲条件下进行测试
2.列出的设备数量对的额定齐纳电压容差标准
±5%.
3.关于价格,可用性和交付所示的电压和更严格的电压容差之间的额定齐纳电压的详细信息,
联系离您最近
台湾积体电路
代表性。
4.齐纳阻抗从60周期的交流电压时,具有有效值等于DC齐纳电流的10%的交流电流时,其导致来自
(I
ZT
or
I
ZK
)被叠加到
I
ZT
or
I
ZK
.
V
Z
@ I
ZT
(伏)
民
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
58.90
64.60
71.25
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
15.75
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
65.10
71.40
78.75
I
ZT
(MA )
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
Z
ZT
@ I
ZT
()
最大
85
85
85
85
85
85
75
60
35
25
10
8
7
7
10
15
20
20
30
40
50
55
55
80
80
80
80
80
90
90
110
125
135
150
160
170
I
ZK
(MA )
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
Z
ZK
@ I
ZK
()
最大
600
600
600
600
600
600
600
600
550
450
200
150
50
50
50
70
70
90
110
170
170
220
220
220
220
220
220
220
500
600
700
700
1000
1000
1000
1000
I
R
@ V
R
(μA)
最大
50
10
4
2
2
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
5.0
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
28
32
35
38
42
47
51
56
版本: C11
BZV55C2V4
THRU
BZV55C75
表面贴装
硅稳压二极管
0.5瓦, 2.4 THRU 75伏
± 5 %的容差
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央半导体BZV55C2V4
系列表面贴装硅稳压二极管是一种高
质量,构建良好的,高度可靠的组件
在所有类型的商业,工业设计用于,
娱乐,计算机和汽车应用。
标记:阴极频带
SOD- 80 CASE
最大额定值:
( TA = 25° C除非另有说明)
平均正向电流
重复峰值正向电流
功率耗散( TL = 50 ° C)
工作和存储结温
符号
IO
IFRM
PD
TJ , TSTG
单位
mA
mA
mW
°C
250
250
500
-65到+200
电气特性:
( TA = 25 ℃) , VF = 0.9V MAX @ IF = 10毫安(所有类型)
齐纳
电压
VZ @ IZT
民
V
BZV55C2V4
BZV55C2V7
BZV55C3V0
BZV55C3V3
BZV55C3V6
BZV55C3V9
BZV55C4V3
BZV55C4V7
BZV55C5V1
BZV55C5V6
BZV55C6V2
BZV55C6V8
BZV55C7V5
BZV55C8V2
BZV55C9V1
BZV55C10
BZV55C11
2.280
2.565
2.850
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.890
6.460
7.125
7.790
8.645
9.500
10.45
喃
V
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
最大
V
2.520
2.835
3.150
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.510
7.140
7.875
8.610
9.555
10.50
11.55
TEST
当前
IZT
mA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
最大齐纳
阻抗
ZZT @ IZT
Ω
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
ZZK @ IZK
Ω
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
反向
当前
IR
μA
50
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.1
0.1
@ VR
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
最大
齐纳
当前
IZM
mA
208
185
167
152
139
128
116
106
96
89
81
74
67
61
55
50
45
TYPE
R2 ( 2010年11月)
BZV55C2V4
THRU
BZV55C75
表面贴装
硅稳压二极管
0.5瓦, 2.4 THRU 75伏
± 5 %的容差
电气特性 - 续:
( TA = 25 ℃) , VF = 0.9V MAX @ IF = 10毫安(所有类型)
齐纳
电压
VZ @ IZT
民
V
BZV55C12
BZV55C13
BZV55C15
BZV55C16
BZV55C18
BZV55C20
BZV55C22
BZV55C24
BZV55C27
BZV55C30
BZV55C33
BZV55C36
BZV55C39
BZV55C43
BZV55C47
BZV55C51
BZV55C56
BZV55C62
BZV55C68
BZV55C75
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
58.90
64.60
71.25
喃
V
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
V
12.60
13.65
15.75
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
65.10
71.40
78.75
TEST
当前
IZT
mA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
最大齐纳
阻抗
ZZT @ IZT
Ω
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
ZZK @ IZK
Ω
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
最大
反向
当前
IR
μA
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
@ VR
V
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
最大
齐纳
当前
IZM
mA
42
38
33
31
28
25
23
21
19
17
15
14
13
12
11
9.9
8.9
8.0
7.4
6.7
TYPE
SOD- 80案例 - 机械外形
标记:阴极频带
R2 ( 2010年11月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
BZV55C系列
V
Z
:
2.4到75V
P
D
:
500mW
产品特点:
硅平面稳压二极管
使用低电压的稳定剂或电压基准。
标准齐纳电压容差
±
5%
无铅/符合RoHS免费
齐纳二极管
MiniMELF ( SOD -80C )
阴极标记
φ
0.063 (1.64)
0.055 (1.40)
0.019(0.48)
0.011(0.28)
0.142(3.6)
0.134(3.4)
贴装焊盘布局
机械数据:
*案例: MiniMELF玻璃柜( SOD -80C )
*重量0.05克(约)
0.049 ( 1.25 )最低。
0.098 (2.50)
马克斯。
0.079 ( 2.00 )最低。
0.197 (5.00)
REF
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和热特性
等级25
°
C环境温度,除非另有规定。
参数
齐纳电流见表"Characteristics"
最大正向电压在我
F
= 10 mA的电流。
在Tflange功耗= 50℃
在大功耗= 50℃
连续正向电流
热阻结到环境空气
热电阻交界处领导
反向峰值功耗(不重复) TP = 100μs的
结温
存储温度范围
注:(1 )安装在陶瓷基板上至10mm× 10毫米x10 0.6毫米
(2)环境温度为150
°
C
符号
V
F
P
D
P
D
I
F
R
θ
JA
R
θJL
P
ZSM
T
J
T
S
价值
0.9
500
400
250
0.38
0.3
1)
单位
V
mW
mW
mA
° C /毫瓦
° C /毫瓦
W
°C
°C
(1)
30
(2)
-65到+ 200
-65到+ 200
第1页2
启示录02 : 2005年3月25日
电气特性
( TA = 25
°
C除非另有说明)
TYPE
齐纳电压
V
Z
@ I
ZT
1)
I
ZT
喃
(V)
(MA )
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大齐纳
阻抗, F = 1kHz时
Z
ZT
@ I
ZT
Z
Zk
@ I
ZK
I
ZK
()
()
(MA )
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
最大反向
漏电流
I
R
在V
R
(A)
(V)
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10
11
13
14
15
17
19
21
23
25
27
30
33
36
39
43
48
53
温度。 COEF网络cient
齐纳电压
α
vz
(% /
°C)
-0.08...-0.06
-0.08...-0.06
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.08...-0.04
-0.07...-0.03
-0.04...-0.01
-0.03...+0.01
-0.02...+0.05
-0.01...+0.06
0.00...0.07
0.01...0.08
0.01...0.09
0.01...0.09
0.02...0.10
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.1 (典型值)。
0.1 (典型值)。
0.1 (典型值)。
0.1 (典型值)。
BZV55C2V4
BZV55C2V7
BZV55C3V0
BZV55C3V3
BZV55C3V6
BZV55C3V9
BZV55C4V3
BZV55C4V7
BZV55C5V1
BZV55C5V6
BZV55C6V2
BZV55C6V8
BZV55C7V5
BZV55C8V2
BZV55C9V1
BZV55C10
BZV55C11
BZV55C12
BZV55C13
BZV55C15
BZV55C16
BZV55C18
BZV55C20
BZV55C22
BZV55C24
BZV55C27
BZV55C30
BZV55C33
BZV55C36
BZV55C39
BZV55C43
BZV55C47
BZV55C51
BZV55C56
BZV55C62
BZV55C68
BZV55C75
注意事项:
1 )测试与脉冲TP = 5毫秒
2 )有效但引线被保持在环境温度下进行。
3)中列出的类型数对的标称齐纳电压的标准公差
±
5.0%.
为
±
2 %的误差改变类型的第六个字母,从"C"是"B"
第2页2
启示录02 : 2005年3月25日
电气特性( TA = 25℃除非另有说明)
TYPE
数
V
Z
@ I
ZT
(伏)
V
Z
敏( V)
V
Z
喃
V
Z
MAX( V)
I
ZT
mA
Z
ZT
@ I
ZT
欧
最大
I
ZK
mA
Z
ZK
@ I
ZK
欧
I
R
@ V
R
uA
最大
V
R
V
BZV55C2V0
BZV55C2V2
BZV55C2V4
BZV55C2V7
BZV55C3V0
BZV55C3V3
BZV55C3V6
BZV55C3V9
BZV55C4V3
BZV55C4V7
BZV55C5V1
BZV55C5V6
BZV55C6V2
BZV55C6V8
BZV55C7V5
BZV55C8V2
BZV55C9V1
BZV55C10
BZV55C11
BZV55C12
BZV55C13
BZV55C15
BZV55C16
BZV55C18
BZV55C20
BZV55C22
BZV55C24
BZV55C27
BZV55C30
BZV55C33
BZV55C36
BZV55C39
BZV55C43
BZV55C47
BZV55C51
BZV55C56
BZV55C62
BZV55C68
1.88
2.08
2.28
2.51
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
2
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.30
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
2.11
2.33
2.56
2.89
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.1
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2.5
2.5
100
100
85
85
85
85
85
85
75
60
35
25
10
8
7
7
10
15
20
20
26
30
40
50
55
55
80
80
80
80
80
90
90
110
125
135
150
160
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
550
450
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
220
220
220
220
500
600
700
700
1000
1000
1000
1000
50
50
50
10
4
2
2
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
5.0
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
28
32
35
38
42
47
51
56
BZV55C75
70
75
80
2.5
170
0.5
注:1。 VF正向电压= 1.0V最大@ IF = 100mA的电流的所有类型。
2.列出的类型号有齐纳电压的最小值/最大值的限制,如图所示。
3.齐纳阻抗从60周的交流电压,交流电流具有当其导致来自
的均方根值等于直流齐纳电流的10% (我
ZT
还是我
ZK
)被叠加到我
ZT
还是我
ZK
版本: B07
BZV55C/ZMM55C-SERIES
齐纳二极管
齐纳电压: 2.4-180V
峰值脉冲功率: 500mW的
特征
MINI MELF
低阻抗齐纳
低调控因子
玻璃钝化结
高温焊接保证:
260℃ / 10S在终端
0.063(1.6)
0.055(1.4)
0.020(0.5)
0.012(0.3)
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.020(0.5)
0.012(0.3)
机械数据
案例:
MINI MELF玻璃模制体
终端:
镀轴向引线,每MIL -STD 750可焊性,
方法2026
极性:
颜色频带端为负极
安装位置:
任何
重量:
0.002盎司, 0.05克
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
符号
价值
单位
齐纳电流见表格特性
在环境温度Tamb功耗= 25℃ (注1 )
结温
存储温度范围
热电阻交界处的环境(注1 )
在我正向电压
F
=100mA
P
合计
T
j
T
英镑
R
qJA
V
F
500
200
-65到+ 200
0.3
1.0
mW
C
C
K /毫瓦
V
注1:有效的规定,导致在从情况下的距离为10mm保持在环境温度下
www.shunyegroup.com
额定值和特性曲线BZV / ZMM55 -SERIES
击穿特性
mA
50
IZ ,测试电流, MILLIAMPERS
5
10
15
20
25
30
V
40
30
20
测试电流
Iz=5mA
10
0
P
TOT ,
功耗毫瓦
2V4
6V8
6V2
5V6
5V1
4V7
4V3
3V9
3V3
受理的功耗与环境温度
在从情况下的距离为10mm有效条件是引线被保持在环境温度
500
400
300
200
100
0
9V1
0
www.shunyegroup.com
12
11
50
VZ ,齐纳电压,电压
100
环境温度,C
15
150
200
20
22
250
24
27
额定值和特性曲线
BZV55C系列
图。 2 - 总功率DISSIPATIONVS 。
环境温度
600
图。 1 - 热阻VS.LEAD长度
THERM.RESIST.JUNCTION /环境(K / M)
500
400
300
总功耗(MW )
0
5
10
15
20
铅长度(mm)
500
400
300
200
200
100
0
100
0
0
40
80
120
160
200
环境温度( ℃)
工作电压图3 - 典型变化
根据经营条件环境温度Tamb = 25°C
1000
电压CHAGNE (毫安)
T
J
=25°C
相对电压变化
图。 4 - 工作电压与典型的变化
结温
1.3
V
Z
tn=Vzt/Vz(25°C)
1.2
TKyz=10x10
-4/
K
1.1
6x10
-4/
K
8x10
-4/
K
4x10
-4/
K
2x10
-4/
K
0
-2x10
-4/
K
-4x10
-4/
K
100
Iz=5mA
1.0
10
0.9
0.8
1
0
5
15
10
Z-电压( V)
20
25
-60
0
60
120
180
240
结温( ° C)
图5 - 工作电压与典型的改变
结温
Vz的温度系数( 10
-4
/K)
15
二极管电容(pF )
200
图6 - 二极管电容VS.Z -VOLTAGE
10
150
V
R
=2V
T
J
=25°C
5
100
Iz=5mA
0
50
0
0
-5
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
25
Z-电压( V)
Z-电压( V)
~ 404 ~
额定值和特性曲线
BZV55C系列
图7 - 正向电流与
正向电压
正向电流(mA )
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
4
8
12
16
20
Z-电压( V)
正向电压( V)
T
J
=25°C
Z-电流(mA)
100
80
60
40
20
图8 - Z- CURRENT VS. Z- VOLTAGE
Ptot=500mW
Tamb=25°C
图9 - Z- CURRENT VS. Z- VOLTAGE
(
Ω
)
50
40
Z-电流(mA)
30
20
Ptot=500mW
Tamb=25°C
1000
图10 - 微分Z-性
VZ VS. Z- VOLTAGE
微分电阻
Iz=1mA
100
5mA
10
10
0
15
10m
1
0
5
10
15
T
J
=25°C
20
25
20
25
30
35
Z-电压( V)
Z-电压( V)
图11 - 热响应
热电阻脉冲电导率。 (K / W)
1000
100
10
1
10
-1
10
0
10
1
脉冲宽度(毫秒)
10
2
~ 405 ~
BZV55C系列
500mW的齐纳二极管/ DO- 35 / DL -35 ( MINI MELF )
公称
齐纳
电压
VZ @ IZT
TEST
当前
OPRERATING和储存温度-55 ℃ + 200 ℃
最大齐纳
阻抗
TYPE
I
ZK
最大反向
漏电流
最高可
浪涌
当前
最大
规
当前
I
ZT
mA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
民
BZV55C2V4
2.28
BZV55C2V7
2.50
BZV55C3V0
2.80
BZV55C3V3
3.10
BZV55C3V6
3.40
BZV55C3V9
3.70
BZV55C4V3
4.00
BZV55C4V7
4.40
BZV55C5V1
4.80
BZV55C5V6
5.20
BZV55C6V2
5.80
BZV55C6V8
6.40
BZV55C7V5
7.00
BZV55C8V2
7.70
BZV55C9V1
8.50
BZV55C10
9.40
BZV55C11
10.4
BZV55C12
11.4
BZV55C13
12.4
BZV55C15
13.8
BZV55C16
15.3
BZV55C18
16.8
BZV55C20
18.8
BZV55C22
20.8
BZV55C24
22.8
BZV55C27
25.1
BZV55C30
28.0
BZV55C33
31.0
BZV55C36
34.0
BZV55C39
37.0
BZV55C43
40.0
BZV55C47
44.0
BZV55C51
48.0
BZV55C56
52.0
BZV55C62
58.0
BZV55C68
64.0
BZV55C75
70.0
BZV55C82
77.0
BZV55C91
85.0
BZV55C100
94.0
BZV55C110
104
BZV55C120
114
BZV55C130
124
BZV55C150
138
BZV55C160
153
BZV55C180
168
BZV55C188
188
注: 1。正常公差
±5%.
最大
2.56
2.90
3.20
3.50
3.80
4.10
4.60
5.00
5.40
6.00
6.60
7.20
7.90
8.70
9.60
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
46.0
50.0
54.0
60.0
66.0
72.0
80.0
87.0
96.0
106
116
127
141
156
171
191
212
Z
ZT
@
I
ZT
欧
85
85
85
85
85
85
75
60
35
25
10
8
7
7
10
15
20
20
26
30
40
50
55
55
80
80
80
80
80
90
90
110
125
135
150
200
250
300
450
450
600
800
1000
1200
1500
1800
2000
Z
ZT
@
I
ZK
欧
600
600
600
600
600
600
600
600
550
450
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
220
220
220
220
500
600
700
700
1000
1000
1000
1500
2000
5000
5000
5000
5000
5000
5000
5000
5000
5000
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
I
R
μA
50
10
4.0
2.0
2.0
2.0
1.0
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
@
V
R
I
ZM
mA
﹣0.085
﹣0.080
﹣0.075
﹣0.070
﹣0.065
﹣0.060
±0.055
±0.030
±0.030
﹢0.038
﹢0.045
﹢0.050
﹢0.058
﹢0.062
﹢0.068
﹢0.075
﹢0.076
﹢0.077
﹢0.079
﹢0.082
﹢0.083
﹢0.085
﹢0.086
﹢0.087
﹢0.088
﹢0.090
﹢0.091
﹢0.092
﹢0.093
﹢0.094
﹢0.095
﹢0.095
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
mA
155
135
125
115
105
95
90
85
80
70
64
58
53
74
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.3
4.8
4.4
4.0
3.6
3.3
3.0
2.6
2.5
2.2
2.0
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
5.0
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
2. "BZV ... "Indicates MINI MELF封装。
~ 406 ~
额定值和特性曲线
BZV55C系列
图。 2 - 总功率DISSIPATIONVS 。
环境温度
600
图。 1 - 热阻VS.LEAD长度
THERM.RESIST.JUNCTION /环境(K / M)
500
400
300
总功耗(MW )
0
5
10
15
20
铅长度(mm)
500
400
300
200
200
100
0
100
0
0
40
80
120
160
200
环境温度( ℃)
工作电压图3 - 典型变化
根据经营条件环境温度Tamb = 25°C
1000
电压CHAGNE (毫安)
T
J
=25°C
相对电压变化
图。 4 - 工作电压与典型的变化
结温
1.3
V
Z
tn=Vzt/Vz(25°C)
1.2
TKyz=10x10
-4/
K
1.1
6x10
-4/
K
8x10
-4/
K
4x10
-4/
K
2x10
-4/
K
0
-2x10
-4/
K
-4x10
-4/
K
100
Iz=5mA
1.0
10
0.9
0.8
1
0
5
15
10
Z-电压( V)
20
25
-60
0
60
120
180
240
结温( ° C)
图5 - 工作电压与典型的改变
结温
Vz的温度系数( 10
-4
/K)
15
二极管电容(pF )
200
图6 - 二极管电容VS.Z -VOLTAGE
10
150
V
R
=2V
T
J
=25°C
5
100
Iz=5mA
0
50
0
0
-5
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
25
Z-电压( V)
Z-电压( V)
~ 404 ~
额定值和特性曲线
BZV55C系列
图7 - 正向电流与
正向电压
正向电流(mA )
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
4
8
12
16
20
Z-电压( V)
正向电压( V)
T
J
=25°C
Z-电流(mA)
100
80
60
40
20
图8 - Z- CURRENT VS. Z- VOLTAGE
Ptot=500mW
Tamb=25°C
图9 - Z- CURRENT VS. Z- VOLTAGE
(
Ω
)
50
40
Z-电流(mA)
30
20
Ptot=500mW
Tamb=25°C
1000
图10 - 微分Z-性
VZ VS. Z- VOLTAGE
微分电阻
Iz=1mA
100
5mA
10
10
0
15
10m
1
0
5
10
15
T
J
=25°C
20
25
20
25
30
35
Z-电压( V)
Z-电压( V)
图11 - 热响应
热电阻脉冲电导率。 (K / W)
1000
100
10
1
10
-1
10
0
10
1
脉冲宽度(毫秒)
10
2
~ 405 ~
BZV55C系列
500mW的齐纳二极管/ DO- 35 / DL -35 ( MINI MELF )
公称
齐纳
电压
VZ @ IZT
TEST
当前
OPRERATING和储存温度-55 ℃ + 200 ℃
最大齐纳
阻抗
TYPE
I
ZK
最大反向
漏电流
最高可
浪涌
当前
最大
规
当前
I
ZT
mA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
民
BZV55C2V4
2.28
BZV55C2V7
2.50
BZV55C3V0
2.80
BZV55C3V3
3.10
BZV55C3V6
3.40
BZV55C3V9
3.70
BZV55C4V3
4.00
BZV55C4V7
4.40
BZV55C5V1
4.80
BZV55C5V6
5.20
BZV55C6V2
5.80
BZV55C6V8
6.40
BZV55C7V5
7.00
BZV55C8V2
7.70
BZV55C9V1
8.50
BZV55C10
9.40
BZV55C11
10.4
BZV55C12
11.4
BZV55C13
12.4
BZV55C15
13.8
BZV55C16
15.3
BZV55C18
16.8
BZV55C20
18.8
BZV55C22
20.8
BZV55C24
22.8
BZV55C27
25.1
BZV55C30
28.0
BZV55C33
31.0
BZV55C36
34.0
BZV55C39
37.0
BZV55C43
40.0
BZV55C47
44.0
BZV55C51
48.0
BZV55C56
52.0
BZV55C62
58.0
BZV55C68
64.0
BZV55C75
70.0
BZV55C82
77.0
BZV55C91
85.0
BZV55C100
94.0
BZV55C110
104
BZV55C120
114
BZV55C130
124
BZV55C150
138
BZV55C160
153
BZV55C180
168
BZV55C188
188
注: 1。正常公差
±5%.
最大
2.56
2.90
3.20
3.50
3.80
4.10
4.60
5.00
5.40
6.00
6.60
7.20
7.90
8.70
9.60
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
46.0
50.0
54.0
60.0
66.0
72.0
80.0
87.0
96.0
106
116
127
141
156
171
191
212
Z
ZT
@
I
ZT
欧
85
85
85
85
85
85
75
60
35
25
10
8
7
7
10
15
20
20
26
30
40
50
55
55
80
80
80
80
80
90
90
110
125
135
150
200
250
300
450
450
600
800
1000
1200
1500
1800
2000
Z
ZT
@
I
ZK
欧
600
600
600
600
600
600
600
600
550
450
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
220
220
220
220
500
600
700
700
1000
1000
1000
1500
2000
5000
5000
5000
5000
5000
5000
5000
5000
5000
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
I
R
μA
50
10
4.0
2.0
2.0
2.0
1.0
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
@
V
R
I
ZM
mA
﹣0.085
﹣0.080
﹣0.075
﹣0.070
﹣0.065
﹣0.060
±0.055
±0.030
±0.030
﹢0.038
﹢0.045
﹢0.050
﹢0.058
﹢0.062
﹢0.068
﹢0.075
﹢0.076
﹢0.077
﹢0.079
﹢0.082
﹢0.083
﹢0.085
﹢0.086
﹢0.087
﹢0.088
﹢0.090
﹢0.091
﹢0.092
﹢0.093
﹢0.094
﹢0.095
﹢0.095
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
﹢0.096
mA
155
135
125
115
105
95
90
85
80
70
64
58
53
74
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.3
4.8
4.4
4.0
3.6
3.3
3.0
2.6
2.5
2.2
2.0
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
5.0
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
2. "BZV ... "Indicates MINI MELF封装。
~ 406 ~
额定值和特性曲线
BZV55C系列
图。 2 - 总功率DISSIPATIONVS 。
环境温度
600
图。 1 - 热阻VS.LEAD长度
THERM.RESIST.JUNCTION /环境(K / M)
500
400
300
总功耗(MW )
0
5
10
15
20
铅长度(mm)
500
400
300
200
200
100
0
100
0
0
40
80
120
160
200
环境温度( ℃)
工作电压图3 - 典型变化
根据经营条件环境温度Tamb = 25°C
1000
电压CHAGNE (毫安)
T
J
=25°C
相对电压变化
图。 4 - 工作电压与典型的变化
结温
1.3
V
Z
tn=Vzt/Vz(25°C)
1.2
TKyz=10x10
-4/
K
1.1
6x10
-4/
K
8x10
-4/
K
4x10
-4/
K
2x10
-4/
K
0
-2x10
-4/
K
-4x10
-4/
K
100
Iz=5mA
1.0
10
0.9
0.8
1
0
5
15
10
Z-电压( V)
20
25
-60
0
60
120
180
240
结温( ° C)
图5 - 工作电压与典型的改变
结温
Vz的温度系数( 10
-4
/K)
15
二极管电容(pF )
200
图6 - 二极管电容VS.Z -VOLTAGE
10
150
V
R
=2V
T
J
=25°C
5
100
Iz=5mA
0
50
0
0
-5
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
25
Z-电压( V)
Z-电压( V)
~ 404 ~
额定值和特性曲线
BZV55C系列
图7 - 正向电流与
正向电压
正向电流(mA )
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
4
8
12
16
20
Z-电压( V)
正向电压( V)
T
J
=25°C
Z-电流(mA)
100
80
60
40
20
图8 - Z- CURRENT VS. Z- VOLTAGE
Ptot=500mW
Tamb=25°C
图9 - Z- CURRENT VS. Z- VOLTAGE
(
Ω
)
50
40
Z-电流(mA)
30
20
Ptot=500mW
Tamb=25°C
1000
图10 - 微分Z-性
VZ VS. Z- VOLTAGE
微分电阻
Iz=1mA
100
5mA
10
10
0
15
10m
1
0
5
10
15
T
J
=25°C
20
25
20
25
30
35
Z-电压( V)
Z-电压( V)
图11 - 热响应
热电阻脉冲电导率。 (K / W)
1000
100
10
1
10
-1
10
0
10
1
脉冲宽度(毫秒)
10
2
~ 405 ~
BZV55C系列
500mW的齐纳二极管/ DO- 35 / DL -35 ( MINI MELF )
公称
齐纳
电压
VZ @ IZT
TEST
当前
OPRERATING和储存温度-55 ℃ + 200 ℃
最大齐纳
阻抗
TYPE
I
ZK
最大反向
漏电流
最高可
浪涌
当前
最大
规
当前
I
ZT
mA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
民
BZV55C2V4
2.28
BZV55C2V7
2.50
BZV55C3V0
2.80
BZV55C3V3
3.10
BZV55C3V6
3.40
BZV55C3V9
3.70
BZV55C4V3
4.00
BZV55C4V7
4.40
BZV55C5V1
4.80
BZV55C5V6
5.20
BZV55C6V2
5.80
BZV55C6V8
6.40
BZV55C7V5
7.00
BZV55C8V2
7.70
BZV55C9V1
8.50
BZV55C10
9.40
BZV55C11
10.4
BZV55C12
11.4
BZV55C13
12.4
BZV55C15
13.8
BZV55C16
15.3
BZV55C18
16.8
BZV55C20
18.8
BZV55C22
20.8
BZV55C24
22.8
BZV55C27
25.1
BZV55C30
28.0
BZV55C33
31.0
BZV55C36
34.0
BZV55C39
37.0
BZV55C43
40.0
BZV55C47
44.0
BZV55C51
48.0
BZV55C56
52.0
BZV55C62
58.0
BZV55C68
64.0
BZV55C75
70.0
BZV55C82
77.0
BZV55C91
85.0
BZV55C100
94.0
BZV55C110
104
BZV55C120
114
BZV55C130
124
BZV55C150
138
BZV55C160
153
BZV55C180
168
BZV55C188
188
注: 1。正常公差
±5%.
最大
2.56
2.90
3.20
3.50
3.80
4.10
4.60
5.00
5.40
6.00
6.60
7.20
7.90
8.70
9.60
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
46.0
50.0
54.0
60.0
66.0
72.0
80.0
87.0
96.0
106
116
127
141
156
171
191
212
Z
ZT
@
I
ZT
欧
85
85
85
85
85
85
75
60
35
25
10
8
7
7
10
15
20
20
26
30
40
50
55
55
80
80
80
80
80
90
90
110
125
135
150
200
250
300
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Z
ZT
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I
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I
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91
100
110
120
130
150
2. "BZV ... "Indicates MINI MELF封装。
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