BZT52H系列
单齐纳二极管的SOD123F包
版本01 - 2005年12月22日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
通用型齐纳二极管的SOD123F小而扁平的引线表面贴装器件
（ SMD ）塑料封装。
1.2产品特点
s
总功耗：
≤
830毫瓦
s
宽工作电压范围：额定
2.4 V至75 V （ E24范围）
s
适用于小塑料包
表面贴装设计
s
低压微分电阻
1.3应用
s
一般调节功能
1.4快速参考数据
表1：
符号
V
F
P
合计
快速参考数据
参数
正向电压
总功耗
条件
I
F
= 10毫安
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
0.9
375
830
单位
V
mW
mW
[1]
[2]
[3]
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
飞利浦半导体
BZT52H系列
单齐纳二极管的SOD123F包
2.管脚信息
表2：
针
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
符号
1
2
sym001
1
2
[1]
标记栏显示的阴极。
3.订购信息
表3：
订购信息
包
名字
BZT52H - C2V4到
BZT52H-C75
[1]
[1]
类型编号
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
VERSION
SOD123F
-
该系列由37种标称工作电压为2.4 V至75 V.
4.标记
表4：
标记代码
记号
CODE
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B9
BA
BB
BC
BD
BE
BF
类型编号
BZT52H-C8V2
BZT52H-C9V1
BZT52H-C10
BZT52H-C11
BZT52H-C12
BZT52H-C13
BZT52H-C15
BZT52H-C16
BZT52H-C18
BZT52H-C20
BZT52H-C22
BZT52H-C24
BZT52H-C27
记号
CODE
BG
BH
BJ
BK
BL
BM
BN
BP
BQ
BR
BS
BT
BU
类型编号
BZT52H-C30
BZT52H-C33
BZT52H-C36
BZT52H-C39
BZT52H-C43
BZT52H-C47
BZT52H-C51
BZT52H-C56
BZT52H-C62
BZT52H-C68
BZT52H-C75
-
-
记号
CODE
BV
BW
BX
BY
BZ
C1
C2
C3
C4
C5
C6
-
-
类型编号
BZT52H-C2V4
BZT52H-C2V7
BZT52H-C3V0
BZT52H-C3V3
BZT52H-C3V6
BZT52H-C3V9
BZT52H-C4V3
BZT52H-C4V7
BZT52H-C5V1
BZT52H-C5V6
BZT52H-C6V2
BZT52H-C6V8
BZT52H-C7V5
9397 750 15082
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
版本01 - 2005年12月22日
2 10
飞利浦半导体
BZT52H系列
单齐纳二极管的SOD123F包
5.极限值
表5：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
I
F
I
ZSM
P
ZSM
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
正向电流
非重复性峰值
反向电流
非重复性峰值
反向功率耗散
总功耗
结温
环境温度
储存温度
条件
民
-
-
[1]
最大
250
SEE
表8,9
和
10
40
375
830
150
+150
+150
单位
mA
-
-
-
-
65
65
W
mW
mW
°C
°C
°C
T
AMB
≤
25
°C
[2]
[3]
t
p
= 100
s;
方波;牛逼
j
= 25
°C
暴涨前
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
6.热特性
表6：
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
[3]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结点到焊点
条件
在自由空气
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
330
150
70
单位
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
焊接点阴极标签。
9397 750 15082
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
版本01 - 2005年12月22日
3 10
飞利浦半导体
BZT52H系列
单齐纳二极管的SOD123F包
7.特点
表7：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
[1]
参数
正向电压
条件
I
F
= 10毫安
[1]
民
-
典型值
-
最大
0.9
单位
V
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
表8：
每种类型的特点; BZT52H - C2V4到BZT52H - C24
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
BZT52H
-CxxX
工作
电压
V
Z
(V);
I
Z
= 5毫安
民
2V4
2V7
3V0
3V3
3V6
3V9
4V3
4V7
5V1
5V6
6V2
6V8
7V5
8V2
9V1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
[1]
[2]
最大的差异
阻力
r
DIF
()
I
Z
= 1毫安
400
500
500
500
500
500
500
500
480
400
150
80
80
80
100
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
I
Z
= 5毫安
85
83
95
95
95
95
95
78
60
40
10
8
10
10
10
10
10
10
10
15
20
20
20
25
30
反向
当前
I
R
(A)
最大
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
(V)
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
温度
COEF网络cient
S
Z
（毫伏/ K） ;
I
Z
= 5毫安
民
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
2.7
2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
最大
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
13.0
14.0
16.0
18.0
20.0
22.0
二极管
电容
C
d
（PF ）
[1]
最大
450
450
450
450
450
450
450
300
300
300
200
200
150
150
150
90
85
85
80
75
75
70
60
60
55
非重复性峰值
反向电流
I
ZSM
(A)
[2]
最大
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
3.0
3.0
2.5
2.5
2.5
2.0
1.5
1.5
1.5
1.25
1.25
最大
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
t
p
= 100
s;
T
AMB
= 25
°C
9397 750 15082
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
版本01 - 2005年12月22日
4 10
飞利浦半导体
BZT52H系列
单齐纳二极管的SOD123F包
表9 ：
每种类型的特点; BZT52H - C27到BZT52H -C51
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
BZT52H
-CxxX
工作
电压
V
Z
(V);
I
Z
= 2毫安
民
27
30
33
36
39
43
47
51
[1]
[2]
最大的差异
阻力
r
DIF
()
I
Z
= 1毫安
250
250
250
250
300
325
325
350
I
Z
= 5毫安
40
40
40
60
75
80
90
100
反向
当前
I
R
(A)
最大
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
(V)
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
温度
COEF网络cient
S
Z
（毫伏/ K） ;
I
Z
= 5毫安
民
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
37.6
42.0
46.6
最大
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
46.6
51.8
57.2
二极管
非重复性峰值
电容反向电流
C
d
（PF ）
[1]
I
ZSM
(A)
[2]
最大
50
50
45
45
45
40
40
40
最大
1.0
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
最大
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
46.0
50.0
54.0
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
40.0
44.0
48.0
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
t
p
= 100
s;
T
AMB
= 25
°C
表10 ：每种类型特征; BZT52H - C56到BZT52H - C75
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
BZT52H
-CxxX
工作
电压
V
Z
(V);
I
Z
= 2毫安
民
56
62
68
75
[1]
[2]
最大的差异
阻力
r
DIF
()
反向
当前
I
R
(A)
V
R
(V)
39.2
43.4
47.6
52.5
温度
COEF网络cient
S
Z
（毫伏/ K） ;
I
Z
= 5毫安
民
52.2
58.8
65.6
73.4
最大
63.8
71.6
79.8
88.6
二极管
非重复性峰值
电容反向电流
C
d
（PF ）
[1]
I
ZSM
(A)
[2]
最大
40
35
35
35
最大
0.3
0.3
0.25
0.20
最大
60.0
66.0
72.0
79.0
I
Z
= 0.5毫安我
Z
= 2 mA最大
375
400
400
400
120
140
160
175
0.05
0.05
0.05
0.05
52.0
58.0
64.0
70.0
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
t
p
= 100
s;
T
AMB
= 25
°C
9397 750 15082
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
版本01 - 2005年12月22日
5 10
BZT52H系列
单齐纳二极管的SOD123F包
第3版 - 2010年12月7日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
通用型齐纳二极管的SOD123F小而扁平引脚表面贴装
器件（SMD ）塑料封装。
1.2特点和优点
总功耗：
≤
830毫瓦
宽工作电压范围：额定
2.4 V至75 V （ E24范围）
适用于小塑料包
表面安装设计
低压微分电阻
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
一般调节功能
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
F
P
合计
快速参考数据
参数
正向电压
总功耗
条件
I
F
= 10毫安
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
0.9
375
830
单位
V
mW
mW
[1]
[2]
[3]
脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
图形符号
1
2
1
2
006aaa152
[1]
标记栏显示的阴极。
恩智浦半导体
BZT52H系列
单齐纳二极管的SOD123F包
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BZT52H - B2V4到
BZT52H-C75
[1]
[1]
类型编号
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
VERSION
SOD123F
-
该系列由74种标称工作电压为2.4 V至75 V.
4.标记
表4 。
标记代码
记号
CODE
DC
DD
DE
DF
DG
DH
DJ
DK
DL
DM
DN
DP
DQ
DR
DS
DT
DU
DV
DW
类型编号
BZT52H-B15
BZT52H-B16
BZT52H-B18
BZT52H-B20
BZT52H-B22
BZT52H-B24
BZT52H-B27
BZT52H-B30
BZT52H-B33
BZT52H-B36
BZT52H-B39
BZT52H-B43
BZT52H-B47
BZT52H-B51
BZT52H-B56
BZT52H-B62
BZT52H-B68
BZT52H-B75
-
记号
CODE
DX
DY
DZ
E1
E2
E3
E4
E5
E6
E7
E8
E9
EA
EB
EC
ED
EE
EF
-
类型编号
BZT52H-C2V4
BZT52H-C2V7
BZT52H-C3V0
BZT52H-C3V3
BZT52H-C3V6
BZT52H-C3V9
BZT52H-C4V3
BZT52H-C4V7
BZT52H-C5V1
BZT52H-C5V6
BZT52H-C6V2
BZT52H-C6V8
BZT52H-C7V5
BZT52H-C8V2
BZT52H-C9V1
BZT52H-C10
BZT52H-C11
BZT52H-C12
BZT52H-C13
记号
CODE
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B9
BA
BB
BC
BD
BE
BF
BG
BH
BJ
BK
BL
BM
类型编号
BZT52H-C15
BZT52H-C16
BZT52H-C18
BZT52H-C20
BZT52H-C22
BZT52H-C24
BZT52H-C27
BZT52H-C30
BZT52H-C33
BZT52H-C36
BZT52H-C39
BZT52H-C43
BZT52H-C47
BZT52H-C51
BZT52H-C56
BZT52H-C62
BZT52H-C68
BZT52H-C75
-
记号
CODE
BN
BP
BQ
BR
BS
BT
BU
BV
BW
BX
BY
BZ
C1
C2
C3
C4
C5
C6
-
类型编号
BZT52H-B2V4
BZT52H-B2V7
BZT52H-B3V0
BZT52H-B3V3
BZT52H-B3V6
BZT52H-B3V9
BZT52H-B4V3
BZT52H-B4V7
BZT52H-B5V1
BZT52H-B5V6
BZT52H-B6V2
BZT52H-B6V8
BZT52H-B7V5
BZT52H-B8V2
BZT52H-B9V1
BZT52H-B10
BZT52H-B11
BZT52H-B12
BZT52H-B13
BZT52H_SER
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
第3版 - 2010年12月7日
2 13
恩智浦半导体
BZT52H系列
单齐纳二极管的SOD123F包
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
I
F
I
ZSM
参数
正向电流
非重复性峰值
反向电流
非重复性峰值
反向功率耗散
总功耗
结温
环境温度
储存温度
t
p
= 100
μs;
方波;牛逼
j
= 25
°C
前激增。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
[1]
条件
民
-
-
最大
250
SEE
表8,9
和
10
40
375
830
150
+150
+150
单位
mA
P
ZSM
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
-
-
-
-
65
65
W
mW
mW
°C
°C
°C
T
AMB
≤
25
°C
[2]
[3]
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
[3]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结点到焊点
条件
在自由空气
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
330
150
70
单位
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
焊接点阴极标签。
BZT52H_SER
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
第3版 - 2010年12月7日
3 13
恩智浦半导体
BZT52H系列
单齐纳二极管的SOD123F包
7.特点
表7中。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
[1]
参数
正向电压
条件
I
F
= 10毫安
[1]
民
-
典型值
-
最大
0.9
单位
V
脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
表8 。
每种类型的特点; BZT52H - B2V4到BZT52H - C24
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
BZT52H SEL
-xxx
工作
电压
V
Z
(V);
I
Z
= 5毫安
民
2V4
2V7
3V0
3V3
3V6
3V9
4V3
4V7
5V1
5V6
6V2
6V8
7V5
8V2
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
2.35
2.2
2.65
2.5
2.94
2.8
3.23
3.1
3.53
3.4
3.82
3.7
4.21
4.0
4.61
4.4
5.0
4.8
5.49
5.2
6.08
5.8
6.66
6.4
7.35
7.0
8.04
7.7
最大
2.45
2.6
2.75
2.9
3.06
3.2
3.37
3.5
3.67
3.8
3.98
4.1
4.39
4.6
4.79
5.0
5.2
5.4
5.71
6.0
6.32
6.6
6.94
7.2
7.65
7.9
8.36
8.7
80
10
0.7
5
3.2
6.2
150
4.0
80
10
1
5
2.5
5.3
150
4.0
80
8
2
4
1.2
4.5
200
6.0
150
10
3
4
0.4
3.7
200
6.0
400
40
1
2
2.0
2.5
300
6.0
480
60
2
2
2.7
1.2
300
6.0
500
78
3
2
3.5
0.2
300
6.0
500
95
3
1
3.5
0.0
450
6.0
500
95
3
1
3.5
0.0
450
6.0
500
95
5
1
3.5
0.0
450
6.0
500
95
5
1
3.5
0.0
450
6.0
500
95
10
1
3.5
0.0
450
6.0
500
83
20
1
3.5
0.0
450
6.0
最大的差异
电阻R
DIF
(Ω)
反向
电流I
R
(μA)
温度
系数
S
Z
（毫伏/ K） ;
I
Z
= 5毫安
民
3.5
最大
0.0
二极管
电容
C
d
（PF ）
[1]
最大
450
不重复
反向峰值
当前
I
ZSM
(A)
[2]
最大
6.0
I
Z
= 1毫安
400
I
Z
= 5毫安
85
最大
50
V
R
(V)
1
BZT52H_SER
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
第3版 - 2010年12月7日
4 13
恩智浦半导体
BZT52H系列
单齐纳二极管的SOD123F包
表8 。
每种类型的特点; BZT52H - B2V4到BZT52H - C24
- 续
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
BZT52H SEL
-xxx
工作
电压
V
Z
(V);
I
Z
= 5毫安
民
9V1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
[1]
[2]
最大的差异
电阻R
DIF
(Ω)
反向
电流I
R
(μA)
温度
系数
S
Z
（毫伏/ K） ;
I
Z
= 5毫安
民
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
最大
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
13.0
14.0
16.0
18.0
20.0
22.0
二极管
电容
C
d
（PF ）
[1]
最大
150
90
85
85
80
75
75
70
60
60
55
不重复
反向峰值
当前
I
ZSM
(A)
[2]
最大
3.0
3.0
2.5
2.5
2.5
2.0
1.5
1.5
1.5
1.25
1.25
最大
9.28
9.6
10.2
10.6
11.2
11.6
12.2
12.7
13.3
14.1
15.3
15.6
16.3
17.1
18.4
19.1
20.4
21.2
22.4
23.3
24.5
25.6
I
Z
= 1毫安
100
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
I
Z
= 5毫安
10
10
10
10
10
15
20
20
20
25
30
最大
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
(V)
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
8.92
8.5
9.8
9.4
10.8
10.4
11.8
11.4
12.7
12.4
14.7
13.8
15.7
15.3
17.6
16.8
19.6
18.8
21.6
20.8
23.5
22.8
F = 1兆赫; V
R
= 0 V.
t
p
= 100
μs;
T
AMB
= 25
°C.
BZT52H_SER
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
第3版 - 2010年12月7日
5 13
BZT52H系列
单齐纳二极管的SOD123F包
第3版 - 2010年12月7日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
通用型齐纳二极管的SOD123F小而扁平引脚表面贴装
器件（SMD ）塑料封装。
1.2特点和优点
总功耗：
≤
830毫瓦
宽工作电压范围：额定
2.4 V至75 V （ E24范围）
适用于小塑料包
表面安装设计
低压微分电阻
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
一般调节功能
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
F
P
合计
快速参考数据
参数
正向电压
总功耗
条件
I
F
= 10毫安
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
0.9
375
830
单位
V
mW
mW
[1]
[2]
[3]
脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
图形符号
1
2
1
2
006aaa152
[1]
标记栏显示的阴极。
恩智浦半导体
BZT52H系列
单齐纳二极管的SOD123F包
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BZT52H - B2V4到
BZT52H-C75
[1]
[1]
类型编号
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
VERSION
SOD123F
-
该系列由74种标称工作电压为2.4 V至75 V.
4.标记
表4 。
标记代码
记号
CODE
DC
DD
DE
DF
DG
DH
DJ
DK
DL
DM
DN
DP
DQ
DR
DS
DT
DU
DV
DW
类型编号
BZT52H-B15
BZT52H-B16
BZT52H-B18
BZT52H-B20
BZT52H-B22
BZT52H-B24
BZT52H-B27
BZT52H-B30
BZT52H-B33
BZT52H-B36
BZT52H-B39
BZT52H-B43
BZT52H-B47
BZT52H-B51
BZT52H-B56
BZT52H-B62
BZT52H-B68
BZT52H-B75
-
记号
CODE
DX
DY
DZ
E1
E2
E3
E4
E5
E6
E7
E8
E9
EA
EB
EC
ED
EE
EF
-
类型编号
BZT52H-C2V4
BZT52H-C2V7
BZT52H-C3V0
BZT52H-C3V3
BZT52H-C3V6
BZT52H-C3V9
BZT52H-C4V3
BZT52H-C4V7
BZT52H-C5V1
BZT52H-C5V6
BZT52H-C6V2
BZT52H-C6V8
BZT52H-C7V5
BZT52H-C8V2
BZT52H-C9V1
BZT52H-C10
BZT52H-C11
BZT52H-C12
BZT52H-C13
记号
CODE
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B9
BA
BB
BC
BD
BE
BF
BG
BH
BJ
BK
BL
BM
类型编号
BZT52H-C15
BZT52H-C16
BZT52H-C18
BZT52H-C20
BZT52H-C22
BZT52H-C24
BZT52H-C27
BZT52H-C30
BZT52H-C33
BZT52H-C36
BZT52H-C39
BZT52H-C43
BZT52H-C47
BZT52H-C51
BZT52H-C56
BZT52H-C62
BZT52H-C68
BZT52H-C75
-
记号
CODE
BN
BP
BQ
BR
BS
BT
BU
BV
BW
BX
BY
BZ
C1
C2
C3
C4
C5
C6
-
类型编号
BZT52H-B2V4
BZT52H-B2V7
BZT52H-B3V0
BZT52H-B3V3
BZT52H-B3V6
BZT52H-B3V9
BZT52H-B4V3
BZT52H-B4V7
BZT52H-B5V1
BZT52H-B5V6
BZT52H-B6V2
BZT52H-B6V8
BZT52H-B7V5
BZT52H-B8V2
BZT52H-B9V1
BZT52H-B10
BZT52H-B11
BZT52H-B12
BZT52H-B13
BZT52H_SER
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
第3版 - 2010年12月7日
2 13
恩智浦半导体
BZT52H系列
单齐纳二极管的SOD123F包
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
I
F
I
ZSM
参数
正向电流
非重复性峰值
反向电流
非重复性峰值
反向功率耗散
总功耗
结温
环境温度
储存温度
t
p
= 100
μs;
方波;牛逼
j
= 25
°C
前激增。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
[1]
条件
民
-
-
最大
250
SEE
表8,9
和
10
40
375
830
150
+150
+150
单位
mA
P
ZSM
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
-
-
-
-
65
65
W
mW
mW
°C
°C
°C
T
AMB
≤
25
°C
[2]
[3]
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
[3]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结点到焊点
条件
在自由空气
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
330
150
70
单位
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
焊接点阴极标签。
BZT52H_SER
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
第3版 - 2010年12月7日
3 13
恩智浦半导体
BZT52H系列
单齐纳二极管的SOD123F包
7.特点
表7中。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
[1]
参数
正向电压
条件
I
F
= 10毫安
[1]
民
-
典型值
-
最大
0.9
单位
V
脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
表8 。
每种类型的特点; BZT52H - B2V4到BZT52H - C24
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
BZT52H SEL
-xxx
工作
电压
V
Z
(V);
I
Z
= 5毫安
民
2V4
2V7
3V0
3V3
3V6
3V9
4V3
4V7
5V1
5V6
6V2
6V8
7V5
8V2
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
2.35
2.2
2.65
2.5
2.94
2.8
3.23
3.1
3.53
3.4
3.82
3.7
4.21
4.0
4.61
4.4
5.0
4.8
5.49
5.2
6.08
5.8
6.66
6.4
7.35
7.0
8.04
7.7
最大
2.45
2.6
2.75
2.9
3.06
3.2
3.37
3.5
3.67
3.8
3.98
4.1
4.39
4.6
4.79
5.0
5.2
5.4
5.71
6.0
6.32
6.6
6.94
7.2
7.65
7.9
8.36
8.7
80
10
0.7
5
3.2
6.2
150
4.0
80
10
1
5
2.5
5.3
150
4.0
80
8
2
4
1.2
4.5
200
6.0
150
10
3
4
0.4
3.7
200
6.0
400
40
1
2
2.0
2.5
300
6.0
480
60
2
2
2.7
1.2
300
6.0
500
78
3
2
3.5
0.2
300
6.0
500
95
3
1
3.5
0.0
450
6.0
500
95
3
1
3.5
0.0
450
6.0
500
95
5
1
3.5
0.0
450
6.0
500
95
5
1
3.5
0.0
450
6.0
500
95
10
1
3.5
0.0
450
6.0
500
83
20
1
3.5
0.0
450
6.0
最大的差异
电阻R
DIF
(Ω)
反向
电流I
R
(μA)
温度
系数
S
Z
（毫伏/ K） ;
I
Z
= 5毫安
民
3.5
最大
0.0
二极管
电容
C
d
（PF ）
[1]
最大
450
不重复
反向峰值
当前
I
ZSM
(A)
[2]
最大
6.0
I
Z
= 1毫安
400
I
Z
= 5毫安
85
最大
50
V
R
(V)
1
BZT52H_SER
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
第3版 - 2010年12月7日
4 13
恩智浦半导体
BZT52H系列
单齐纳二极管的SOD123F包
表8 。
每种类型的特点; BZT52H - B2V4到BZT52H - C24
- 续
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
BZT52H SEL
-xxx
工作
电压
V
Z
(V);
I
Z
= 5毫安
民
9V1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
[1]
[2]
最大的差异
电阻R
DIF
(Ω)
反向
电流I
R
(μA)
温度
系数
S
Z
（毫伏/ K） ;
I
Z
= 5毫安
民
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
最大
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
13.0
14.0
16.0
18.0
20.0
22.0
二极管
电容
C
d
（PF ）
[1]
最大
150
90
85
85
80
75
75
70
60
60
55
不重复
反向峰值
当前
I
ZSM
(A)
[2]
最大
3.0
3.0
2.5
2.5
2.5
2.0
1.5
1.5
1.5
1.25
1.25
最大
9.28
9.6
10.2
10.6
11.2
11.6
12.2
12.7
13.3
14.1
15.3
15.6
16.3
17.1
18.4
19.1
20.4
21.2
22.4
23.3
24.5
25.6
I
Z
= 1毫安
100
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
I
Z
= 5毫安
10
10
10
10
10
15
20
20
20
25
30
最大
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
(V)
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
8.92
8.5
9.8
9.4
10.8
10.4
11.8
11.4
12.7
12.4
14.7
13.8
15.7
15.3
17.6
16.8
19.6
18.8
21.6
20.8
23.5
22.8
F = 1兆赫; V
R
= 0 V.
t
p
= 100
μs;
T
AMB
= 25
°C.
BZT52H_SER
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
第3版 - 2010年12月7日
5 13
QQ：2880707522 复制
