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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第533页 > BZT52C56
BZT52C2V4-BZT52C75
500mW的, 5 %的容差贴片稳压二极管
小信号二极管
SOD-123F
B
特点
广齐纳电压范围选择: 2.4V至75V
V
Z
±5 %的容差选择
湿度敏感度等级1
雾锡(Sn ),铅涂层与镍(Ni ),下板
无铅版本,并符合RoHS标准
绿色化合物(无卤素)与后缀"G"
包装上的日期代码代码和前缀"G"
C
A
D
E
F
单位(mm )
1.5
3.3
0.5
2.5
0.8
0.05
最大
1.7
3.7
0.7
2.7
1.0
0.2
单位(英寸)
0.130
0.020
最大
0.146
0.028
0.059 0.067
机械数据
案例:扁平引脚SOD- 123小外形塑料封装
终端:雾锡电镀,无铅,焊
每MIL -STD- 202方法208保证
高温焊接保证: 260
°C/10s
极性:由阴极频带指示
重量: 8.85 ± 0.5毫克
尺寸
A
B
C
D
E
F
0.098 0.106
0.031 0.039
0.002 0.008
订购信息
产品型号
BZT52Bxx RH
SOD-123F
填料
3Kpcs / 7"卷轴
最大额定值和电气特性
评分在25 ° C环境温度,除非另有规定。
最大额定值
类型编号
功耗
正向电压
热阻(结到环境)
结温和存储温度范围
I
F
=10mA
(注1 )
符号
P
D
V
F
RΘJA
T
J
, T
英镑
价值
500
1
350
-65到+ 150
单位
mW
V
° C / W
°C
注: 1 。有效的条件是电极被保持在环境温度
齐纳我与V特性
当前
I
F
V
ZM
V
Z
V
BR
V
R
I
R
I
ZK
V
F
电压
V
BR
I
ZK
Z
ZK
I
ZT
V
Z
Z
ZT
前进区
:电压在我
ZK
:测试电流电压V
BR
:在我的动态阻抗
ZK
:测试电流电压V
Z
:在电压电流I
ZT
:在我的动态阻抗
ZT
:最大稳态电流
:电压在我
ZM
I
ZT
I
ZM
BreakdownRegion
泄露区域
I
ZM
V
ZM
版本: A09
BZT52C2V4-BZT52C75
500mW的, 5 %的容差贴片稳压二极管
小信号二极管
电气特性
TA = 25° C除非另有说明
V
F
正向电压= 1V最大@ I
F
= 10毫安的所有零件号
产品型号
BZT52C2V4
BZT52C2V7
BZT52C3V0
BZT52C3V3
BZT52C3V6
BZT52C3V9
BZT52C4V3
BZT52C4V7
BZT52C5V1
BZT52C5V6
BZT52C6V2
BZT52C6V8
BZT52C7V5
BZT52C8V2
BZT52C9V1
BZT52C10
BZT52C11
BZT52C12
BZT52C13
BZT52C15
BZT52C16
BZT52C18
BZT52C20
BZT52C22
BZT52C24
BZT52C27
BZT52C30
BZT52C33
BZT52C36
BZT52C39
BZT52C43
BZT52C47
BZT52C51
BZT52C56
BZT52C62
BZT52C68
BZT52C75
V
Z
@ I
ZT
(伏)
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.11
7.48
8.65
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.65
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
58.9
64.6
71.25
最大
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.1
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.86
8.61
9.56
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
78.75
I
ZT
(MA )
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
Z
ZT
@ I
ZT
()
最大
100
100
100
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
I
ZK
(MA )
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
Z
ZK
@ I
ZK
() I
R
@ V
R
(μA)
最大
最大
564
564
564
564
564
564
564
470
451
376
141
75
75
75
94
141
141
141
160
188
188
212
212
235
235
282
282
306
329
329
353
353
376
400
423
447
470
45
18
9
4.5
4.5
2.7
2.7
2.7
1.8
0.9
2.7
1.8
0.9
0.63
0.45
0.18
0.09
0.09
0.09
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
V
R
(V)
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23
25.2
27.3
30.1
33
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
注意事项:
1.齐纳电压(V
Z
)为10ms的脉冲条件下进行测试。
2.列出的设备数量对的额定齐纳电压容差标准
±5%.
3.关于价格,可用性和交付额定齐纳电压的详细信息之间显示的电压和
更严格的电压容差,请联系距您最近的
台湾积体电路
代表性。
4.齐纳阻抗从60周期的交流电压时,具有有效值的交流电流时,其导致来自
等于DC齐纳电流的10% (我
ZT
or
I
ZK
)被叠加到
I
ZT
or
I
ZK
.
版本: A09
BZT52C2V4-BZT52C75
500mW的, 5 %的容差贴片稳压二极管
小信号二极管
评级和Sharacteristic曲线
图2齐纳击穿特性
100
图1典型的正向特性
1000
正向电流(mA )
齐纳电流(毫安)
Ta=25°C
10
100
Ta=25°C
10
1
0
0.1
1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0.01
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
正向电压( V)
齐纳电压(V)
图3齐纳击穿特性
100
700
图4容许电力Disspation曲线
功耗(MW )
600
500
400
300
200
100
0
齐纳电流(毫安)
10
1
0
0
15
25
35
45
55
65
75
0
50
100
150
200
齐纳电压(V)
环境Tempeture ( ° C)
图5典型电容
1000
齐纳电压对阻抗图6的影响
动态阻抗( )
1000
Iz=1mA
电容(pF)
100
1V偏置
100
Ta=150°C
Iz=5mA
10
偏向于VZ的50 % (标称)
10
Iz=20m
1
Ta=25°C
1
1
10
100
1
10
100
齐纳电压(V)
齐纳电压(V)
版本: C09
BZT52C2V4 C56 ...
表面贴装齐纳二极管
齐纳Dioden献给死去Oberflchenmontage
版本2004-07-26
齐纳二极管
功耗 - Verlustleistung
2.7
410毫瓦
2.4...56 V
SOD-123
0.01 g
额定齐纳电压
Nominale齐纳Spannung
0.6
TYPE
CODE
1.1
0.1
1.6
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
0.6
3.8
尺寸/集体单位为毫米
标准的齐纳电压容差分级,国际E 24 ( 5 %)的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 ( 5 % ) 。企业的其它Toleranzen UND hhere Spannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗
Verlustleistung
Grenz- UND Kennwerte
BZT52C2V4 C56 ...
T
A
= 50°C
I
FAV
T
j
T
S
R
THA
410毫瓦
1
)
150°C
- 55…+ 150°C
400 K / W
1
)
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
BZT52C2V4 = WX
BZT52C2V7 = W1
BZT52C3V0 = W2
BZT52C3V3 = W3
BZT52C3V6 = W4
BZT52C3V9 = W5
BZT52C4V3 = W6
BZT52C4V7 = W7
BZT52C5V1 = W8
标记 - Stempelung
BZT52C5V6 = W9
BZT52C6V2 = WA
BZT52C6V8 = WB
BZT52C7V5 = WC
BZT52C8V2 = WD
BZT52C9V1 = WE
BZT52C10 = WF
BZT52C11 = WG
BZT52C12 = WH
BZT52C13 = WI
BZT52C15 = WJ
BZT52C16 = WK
BZT52C18 = WL
BZT52C20 = WM
BZT52C22 = WN
BZT52C24 = WO
BZT52C27 = WP
BZT52C30 = WQ
BZT52C33 = WR
BZT52C36 = WS
BZT52C39 = WT
BZT52C43 =吴
BZT52C47 = WV
BZT52C51 = WW
BZT52C56 = XW
1
)安装在交媾板为25mm
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院25毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
2
)测试与脉冲吨
p
= 5毫秒 - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 5毫秒
1
小信号硅二极管
BZT52C2V4 C56 ...
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spanng 。
2
)
I
Z
= 5毫安
V
ZMIN
[V] V
ZMAX
2,2
2,5
2,8
3,1
3,4
3,7
4,0
4,4
4,8
5,2
5,8
6,4
7,0
7,7
8,5
9,4
10,4
11,4
12,4
13,8
15,3
16,8
18,8
20,8
22,8
25,1
28
31
34
37
40
44
48
52
2,6
2,9
3,2
3,5
3,8
4,1
4,6
5,0
5,4
6,0
6,6
7,2
7,9
8,7
9,6
10,6
11,6
12,7
14,1
15,6
17,1
19,1
21,2
23,3
25,6
28,9
32
35
38
41
46
50
54
60
动态电阻
Inhr 。差异。 Widerstand
r
zj
[ Ω ] ,在f = 1千赫
I
Z
= 1毫安
I
Z
= 5毫安
<85
<85
<85
<85
<85
<85
<75
<60
<35
<25
<10
<8
(7
<7
<10
<15
<20
<20
<26
<30
<40
<50
<55
<55
<80
<80
<80
<80
<80
<90
<90
<110
<125
<135
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 550
& LT ; 450
& LT ; 200
& LT ; 150
& LT ; 50
& LT ; 50
& LT ; 50
< 70
< 70
& LT ; 90
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
& LT ; 500
& LT ; 500
& LT ; 600
& LT ; 700
& LT ; 700
温度。 Coeffiz 。
Z-电压
... DER Z- spanng 。
α
VZ
10
-4
[°C]
-9...-6
-9...-6
-8...-5
-8...-5
-8...-5
-8…-5
-6…-3
-5…+2
-2…+2
-5…+5
+3…+6
+3…+7
+3…+7
+3…+8
+3…+9
+3…+10
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 100 nA的
V
R
[V]
1 (50A)
1 (10A)
1 (4A)
1 (2A)
1 (2A)
1 (2A)
1 (1A)
1 (0,5A)
1
1
2
3
5
6
6
7
8
9
9
10
11
13
14
16
17
19
21
23
26
28
30
33
36
39
Grenzwerte
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 25°C
I
ZMAX
[马]
158
141
128
117
108
100
89
82
76
68
62
57
52
47
43
39
35
32
29
26
24
21
19
18
16
14
13
12
11
10
9
8
8
7
BZT52C2V4
BZT52C2V7
BZT52C3V0
BZT52C3V3
BZT52C3V6
BZT52C3V9
BZT52C4V3
BZT52C4V7
BZT52C5V1
BZT52C5V6
BZT52C6V2
BZT52C6V8
BZT52C7V5
BZT52C8V2
BZT52C9V1
BZT52C10
BZT52C11
BZT52C12
BZT52C13
BZT52C15
BZT52C16
BZT52C18
BZT52C20
BZT52C22
BZT52C24
BZT52C27
BZT52C30
BZT52C33
BZT52C36
BZT52C39
BZT52C43
BZT52C47
BZT52C51
BZT52C56
1
)注意事项请参见上页 - Funoten世赫vorhergehende页首
2
410mW两个码头
贴片稳压二极管
BZT52C2V4
BZT52C51
410mW的两个端子贴片稳压二极管
特点
平面模具结构
410mW功耗
齐纳电压2.4V至51V
符合RoHS标准
SOD-123
机械数据
案例:
环氧树脂:
终端:
极性:
大约重量:
SOD- 123 ,模制塑料
塑料包装已UL阻燃94V- 0
每MIL -STD- 202G ,方法208
颜色频带为负极
0.01克
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明)
符号
描述
正向电压降
功耗
峰值正向浪涌电流, 8.3ms单
半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
工作结温
存储温度范围
价值
0.9
410
2.0
150
-55到150
单位
V
mW
A
°C
°C
IF=10mA
TA = 25° C(注1 )
(注2 )
条件
V
F
P
合计
I
FSM
T
J
T
英镑
注意:
1.安装在5.0mm ( 0.13毫米厚)土地面积
2.测的8.3ms的,单一正弦半波或等效方波,占空比= 4个脉冲
每分钟最高
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
联系电话: ( 800 ) -TAITRON ( 800 ) -824-8766 ( 661 ) -257-6060
传真: ( 800 ) -TAITFAX ( 800 ) -824-8329 ( 661 ) -257-6415
版本A / AH 2007-10-11
第1页4
410mW的两个端子贴片稳压二极管
BZT52C2V4
-
BZT52C51
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明)
公称齐纳电压
@
I
ZT
TEST
当前
马克斯。齐纳阻抗
马克斯。反向
漏电流
I
R
@
V
R
产品型号
记号
CODE
V
Z
(V)
喃。
分钟。
2.28
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
马克斯。
2.56
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
I
ZT
(MA )
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
Z
ZT
@
I
ZT
85
83
95
95
95
95
95
78
60
40
10
8
7
7
10
15
20
20
25
30
40
50
50
55
80
80
80
80
90
90
100
100
Z
ZK
@
I
ZK
600
500
500
500
500
500
500
500
480
400
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
250
250
250
250
300
700
750
I
ZK
(MA )
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
I
R
(μA)
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
(V)
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
1
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
14
15
17
18
20
22.5
25
27
29
32
35
BZT52C2V4
BZT52C2V7
BZT52C3V0
BZT52C3V3
BZT52C3V6
BZT52C3V9
BZT52C4V3
BZT52C4V7
BZT52C5V1
BZT52C5V6
BZT52C6V2
BZT52C6V8
BZT52C7V5
BZT52C8V2
BZT52C9V1
BZT52C10
BZT52C11
BZT52C12
BZT52C13
BZT52C15
BZT52C16
BZT52C18
BZT52C20
BZT52C22
BZT52C24
BZT52C27
BZT52C30
BZT52C33
BZT52C36
BZT52C39
BZT52C43
BZT52C47
W1
W2
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
WA
WB
WC
WD
WE
WF
WG
WH
WI
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
WY
WZ
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
版本A / AH 2007-08-17
www.taitroncomponents.com
第2页4
410mW的两个端子贴片稳压二极管
BZT52C2V4
-
BZT52C51
公称齐纳电压
@
I
ZT
TEST
当前
马克斯。齐纳阻抗
马克斯。反向
漏电流
I
R
@
V
R
产品型号
记号
CODE
V
Z
(V)
喃。
分钟。
48
马克斯。
54
I
ZT
(MA )
5
Z
ZT
@
I
ZT
100
Z
ZK
@
I
ZK
750
I
ZK
(MA )
1
I
R
(μA)
0.1
V
R
(V)
38
BZT52C51
XA
51
典型特性曲线
Fig.1-功耗
Fig.2-
典型正向特性
P合计,功耗(MW )
I
F
,正向电流(mA )
温度(℃)
图3 ,典型的齐纳阻抗
Z
ZT
,动态阻抗( Ω )
V
F
,正向电压( V)
VZ ,普通的齐纳电压(V )
版本A / AH 2007-08-17
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第3页4
410mW的两个端子贴片稳压二极管
BZT52C2V4
-
BZT52C51
英制尺寸(mm)
SOD-123
如何联系我们
美国总部
28040西哈里森PARKWAY ,瓦伦西亚,CA 91355-4162
联系电话: ( 800 ) TAITRON ( 800 ) 824-8766 ( 661 ) 257-6060
传真: ( 800 ) TAITFAX ( 800 ) 824-8329 ( 661 ) 257-6415
电子邮件:
taitron@taitroncomponents.com
Http://www.taitroncomponents.com
TAITRON组件墨西哥, S.A .DE C.V。
中央大道5000室内5 PARQUE工业ATITALAQUIA ,伊达尔戈CP
42970 MEXICO
电话: + 52-55-5560-1519
传真: + 52-55-5560-2190
TAITRON组件INCORPORATED REPRESENTAES DO BRASIL LTDA
RUA DOMINGOS DE MORAIS , 2777 , 2.ANDAR , SALA 24 SADE - 圣保罗 - SP 04035-001 BRAZIL
电话: + 55-11-5574-7949
传真: + 55-11-5572-0052
TAITRON组件INCORPORATED上海代表处
首都银行大厦1160西延安路, SUITE 1503 ,上海, 200052 ,中国
电话: + 86-21-5424-9942
传真: + 86-21-5424-9931
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第4页4
BZT52C2V4 ... BZT52C75 ( 500毫瓦)
BZT52C2V4 ... BZT52C75 ( 500毫瓦)
表面贴装硅平面稳压二极管
Silizium -平面齐纳Dioden献给死去Oberflchenmontage
版本2010-09-09
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
标称Z-电压
Nominale Z- Spannung
0.1
TYPE
CODE
500毫瓦
3...75 V
SOD-123
0.01 g
2.7
1.1
0.6
1.6
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。
Gewicht约
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
0.6
3.8
尺寸 - 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差分级,国际E 24 ( ± 5 %)的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 ( ± 5 % ) 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗 - Verlustleistung
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
T
A
= 25°C
P
合计
T
j
T
S
R
THA
R
THT
Grenz- UND Kennwerte
BZT52-series
500毫瓦
1
)
-50...+150°C
-50...+150°C
& LT ; 300 K / W
1
)
< 240 K / W
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
标记 - Stempelung (二选一)
BZT52C2V4 = MH , WX , 4C
BZT52C2V7 = MJ , W1 , 4D
BZT52C3V0 = MK , W2 , 4E
BZT52C3V3 = MM , W3 , 4F
BZT52C3V6 = MN, W4 ,4H
BZT52C3V9 = MP , W5 , 4J
BZT52C4V3 = MR, W6 , 4K
BZT52C4V7 = MX , W7 , 4M
BZT52C5V1 = MY , W8 , 4N
BZT52C5V6 = MZ , W9 , 4P
BZT52C6V2 = NA , WA , 4R
BZT52C6V8 = NB , WB , 4X
BZT52C7V5 = NC , WC , 4Y
BZT52C8V2 = ND , WD , 4Z
BZT52C9V1 = NE , WE , 5A
BZT52C10 = NE , WF , 5B
BZT52C11 = NH , WG , 5C
BZT52C12 = NJ , WH , 5D
BZT52C13 = NK , WI , 5E
BZT52C15 = NM , WJ , 5F
BZT52C16 = NN , WK , 5H
BZT52C18 = NP , WL , 5J
BZT52C20 = NR , WM , 5K
BZT52C22 = NX , WN , 5M
BZT52C24 = NY, WO , 5N
BZT52C27 = NZ , WP , 5P
BZT52C30 = PA , WQ , 5R
BZT52C33 = PB , WR , 5X
BZT52C36 = PC , WS , 5Y
BZT52C39 = PD , WT , 5Z
BZT52C43 =吴, 6A
BZT52C47 = WV , 6B
BZT52C51 = WW , 6C
BZT52C56 = 6D
BZT52C62 = 6E
BZT52C68 = 6F
BZT52C75 = 6H
1
安装在P.C。板为25mm
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院25毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad的jedem并吞)
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
BZT52C2V4 ... BZT52C75 ( 500毫瓦)
最大额定值
TYPE
典型值
Z-电压范围
1
)
Z- Spanngs. - Bereich
1
)
I
ZT
= 5毫安
V
分钟
[V]
BZT52C2V4
BZT52C2V7
BZT52C3V0
BZT52C3V3
BZT52C3V6
BZT52C3V9
BZT52C4V3
BZT52C4V7
BZT52C5V1
BZT52C5V6
BZT52C6V2
BZT52C6V8
BZT52C7V5
BZT52C8V2
BZT52C9V1
BZT52C10
BZT52C11
BZT52C12
BZT52C13
BZT52C15
BZT52C16
BZT52C18
BZT52C20
BZT52C22
BZT52C24
BZT52C27
BZT52C30
BZT52C33
BZT52C36
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.6
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
V
最大
[V]
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.2
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
动态电阻
差异。 Widerstand
Z
ZK
[Ω]
& LT ; 100
< 110
& LT ; 120
& LT ; 130
& LT ; 130
& LT ; 130
& LT ; 130
& LT ; 130
& LT ; 130
< 80
& LT ; 50
& LT ;三十
& LT ;三十
& LT ;三十
& LT ;三十
& LT ;三十
& LT ;三十
& LT ; 35
& LT ; 35
& LT ; 40
& LT ; 40
< 45
& LT ; 50
& LT ; 55
< 60
< 70
< 80
< 80
& LT ; 90
I
ZK
[马]
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
温度。 Coeffic 。
Z-电压
... DER Z- Spannung
α
VZ
[10
-4
/°C]
-9...-6
-9...-6
-8...-5
-8...-5
-8...-5
-8...-5
-6...-3
-5...+2
-2...+2
-5...+5
-3...+6
+3...+7
+3...+7
+8...+7
+3...+9
+3...+10
+3...+11
+3...+11
+3...+11
+3...+11
+3...+11
+3...+11
+3...+11
+4...+12
+4...+12
+4...+12
+4...+12
+4...+12
+4...+12
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 100 nA的
V
R
[V]
1 ( <120 μA )
1 ( <120 μA )
1 ( <50 μA )
1 ( <20 μA )
1 ( <10 μA )
1 ( <5 μA )
1 ( <5 μA )
1 ( <2 μA )
1.5 ( <2 μA )
2.5 ( <1 μA )
3 ( <1 μA )
3.5 ( <0.5 μA )
4 ( <0.5 μA )
5 ( <0.5 μA )
6 ( <0.5 μA )
7
8
9
10
11
12
13
15
17
19
21
23
25
27
Grenzwerte
Z-电流
2
)
Z-斯特罗姆
2
)
T
A
= 25°C
I
ZMAX
[马]
192
172
156
143
132
119
109
100
93
83
76
69
63
57
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
16
14
13
I
ZT
= 2.5毫安
BZT52C39
BZT52C43
BZT52C47
BZT52C51
BZT52C56
BZT52C62
BZT52C68
BZT52C75
37
40
44
48
52
58
64
70
41
46
50
54
60
66
72
79
<100
<130
<150
<180
<180
<200
<250
<300
2
2
2
2
2
2
2
2
+4...+12
+4...+12
+4...+12
+4...+12
+4...+12
+4...+12
+4...+12
+4...+12
30 ( < 2 μA )
33 ( < 2 μA )
36 ( < 2 μA )
39 ( < 1 μA )
43 ( < 1 μA )
47 ( <0.2 μA )
52 ( <0.2 μA )
57 ( <0.2 μA )
12
11
10
9
8
8
7
6
1
2
测试了脉冲( 20毫秒) - Gemessen MIT Impulsen ( 20毫秒)
安装在P.C。板为25mm
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院25毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad的jedem并吞)
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
BZT52-Series
www.vishay.com
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
硅平面稳压二极管
齐纳电压是根据分级
国际标准E24
AEC- Q101标准
符合AEC -Q101 ESD能力:
人体模型> 8千伏
机器型号> 800 V
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.4 75
2.5; 5
脉冲电流
单身
单位
V
mA
基P / N - E3 - 符合RoHS标准的商用级
基P / N - HE3 - 符合RoHS标准,符合AEC - Q101标准
材料分类:为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
订购信息
设备名称
订购代码
BZT52C2V4 - E3-08到BZT52C75 - E3-08
BZT52B2V4 - E3-08到BZT52B75 - E3-08
BZT52C2V4 - HE3-08到BZT52C75 , HE3-08
BZT52-series
BZT52B2V4 - HE3-08到BZT52B75 , HE3-08
BZT52C2V4 - E3-18到BZT52C75 - E3-18
BZT52B2V4 - E3-18到BZT52B75 - E3-18
BZT52C2V4 - HE3-18到BZT52C75 , HE3-18
BZT52B2V4 - HE3-18到BZT52B75 , HE3-18
10 000( 13"上排8毫米磁带)
10 000 /盒
3000 (上7"卷轴8mm带)
15 000 /盒
每卷胶带单位
最小起订量
包名称
SOD-123
重量
10.3毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气敏感度
水平
MSL等级1
(根据J- STD- 020 )
焊接条件
260 ℃/ 10秒,在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
测试条件
二极管上的陶瓷基板0.7毫米; 5毫米
2
焊盘区
二极管上的陶瓷基板0.7毫米; 2.5毫米
2
焊盘区
请参阅表“电气特性”
有效的条件是电极被保持在
环境温度
R
thJA
T
j
T
英镑
T
op
300
150
- 65至+ 150
- 55至+ 150
K / W
°C
°C
°C
符号
P
合计
P
合计
价值
500
410
单位
mW
mW
功耗
齐纳电流
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
工作温度范围
修订版1.8 , 26 -FEB- 13
文档编号: 85760
1
您所在区域内的技术问题:
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受到特定的免责声明,阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
BZT52-Series
www.vishay.com
威世半导体
Admissable
齐纳
当前
(4)
I
Z
at
T
AMB
=
45 °C
I
Z
at
T
AMB
=
25 °C
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
齐纳电压
范围
(1)
产品型号
记号
CODE
V
Z
在我
ZT1
V
分钟。喃。马克斯。
BZT52C2V4
BZT52C2V7
BZT52C3V0
BZT52C3V3
BZT52C3V6
BZT52C3V9
BZT52C4V3
BZT52C4V7
BZT52C5V1
BZT52C5V6
BZT52C6V2
BZT52C6V8
BZT52C7V5
BZT52C8V2
BZT52C9V1
BZT52C10
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WE
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WG
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WI
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WM
WN
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WR
WS
WT
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WW
WX
WY
WZ
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2.5
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2.5
2.5
2.5
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-
-
-
-
-
-
-
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-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
100
100
100
100
100
100
100
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-
-
-
85
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(2)
TEST
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I
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< 110
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< 220
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& LT ; 750
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(3)
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& LT ;
1000
(3)
1000
(3)
温度。
系数
VZ
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+2至+ 7
+ 3 + 7的
+ 4 + 7
+5至+ 8
+5至+ 8
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+ 6 + 9
+ 7 + 9
+ 7 + 9
+ 8 + 9.5
+ 8 + 9.5
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+ 8 + 10
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+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
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(2)
(典型值) 。 +10
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(2)
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mA
-
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-
-
-
-
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9
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6
6
-
-
-
-
> 22.5 100
+10
(2)
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(2)
& LT ; 1500
(3)
(典型值) 。 +10
(2)
笔记
I
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(1)
测量脉冲T = 5毫秒
p
(2)
I
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(3)
I
ZT2
- 0.5毫安
(4)
有效的条件是电极被保持在环境温度
修订版1.8 , 26 -FEB- 13
文档编号: 85760
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BZT52-Series
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威世半导体
Admissable
齐纳
当前
(4)
I
Z
at
T
AMB
=
45 °C
I
Z
at
T
AMB
=
25 °C
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
齐纳电压
范围
(1)
产品型号
记号
CODE
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11.2
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5
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5
5
5
5
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5
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5
5
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5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
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1
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0.5
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-
-
-
-
-
-
-
-
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-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
-
-
-
-
85
75 ( < 83 )
80 ( < 95 )
80 ( < 95 )
80 ( < 95 )
80 ( < 95 )
80 ( < 95 )
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70 ( < 100 )
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& LT ;
& LT ;
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(2)
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(2)
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(2)
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& LT ;
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(2)
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& LT ; 500
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& LT ; 500
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< 220
< 220
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& LT ; 250
& LT ; 250
& LT ; 250
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& LT ; 750
1000
(3)
1000
(3)
1500
(3)
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(3)
- 9 - 4
- 9 - 4
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- 5至+ 2
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+2至+ 7
+ 3 + 7的
+ 4 + 7
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(典型值) 。 +
(典型值) 。 +
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(2)
10
(2)
10
(2)
(典型值) 。 + 10
(2)
-
113
98
92
85
77
71
64
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50
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41
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34
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25
23
21
19
17
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14
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8
8
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5
-
-
-
-
-
134
118
109
100
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84
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28
25
23
20
18
17
16
13
12
10
9
9
8
7
6
6
-
-
-
-
TEST
当前
I
ZT1
I
ZT2
反向
电压
V
R
在我
R
V
nA
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
at
I
ZT2
温度。
系数
VZ
10
-4
/°C
mA
mA
笔记
I
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= 5毫安,我
ZT2
= 1毫安
(1)
测量脉冲T = 5毫秒
p
(2)
I
ZT1
= 2.5毫安
(3)
I
ZT2
- 0.5毫安
(4)
有效的条件是电极被保持在环境温度
修订版1.8 , 26 -FEB- 13
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BZT52-Series
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
mA
10
3
10
2
威世半导体
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T
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5
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r
zj
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J
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5
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10
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-4
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0.4
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V
F
10
I
Z
2
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百毫安
图。 1 -
正向特性
图。 4 -
动态电阻与齐纳电流
mW
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10
3
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T
j
= 25 °C
400
5
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P
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0
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100
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10
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18120
2
3
4 5
1
2
3 4 5
T
AMB
I
Z
10
mA
图。 2 -
受理的功耗与环境温度
图。 5 -
动态电阻与齐纳电流
Ω
1000
5
4
3
2
Ω
10
3
T
J
= 25 °C
5
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R
ZTH
= R
THA
x
V
Z
x
Δ
V
Z
Δ
T
j
r
zj
R
ZTH
100
5
4
3
2
10
2
5
4
3
2
10
5
4
3
2
2.7
3.6
4.7
5.1
5.6
10
5
4
3
2
积极
1
0.1
18117
2
5
1
1
18121
2
3
4 5
1
2
5
10
I
Z
2
5
百毫安
10
2
3 4 5
100
V
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 3 -
动态电阻与齐纳电流
图。 6 -
热微分电阻与齐纳电压
修订版1.8 , 26 -FEB- 13
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4
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受到特定的免责声明,阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
BZT52-Series
www.vishay.com
威世半导体
毫伏/°C的
100
I
Z
= 5毫安
Ω
100
7
5
4
R
zj
3
2
Δ
V
Z
Δ
T
j
80
60
10
7
5
4
3
2
40
20
T
j
= 25 °C
I
Z
= 5毫安
1
2
3
4 5
1
10
2
0
0
18136
3 4 5
100
V
20
40
60
80
100
V
18122
V
Z
V
Z
在我
Z
= 2毫安
图。 7 -
动态电阻与齐纳电压
图。 10 -
齐纳电压与温度的关系
齐纳电压
毫伏/°C的
25
V
9
8
5毫安
1毫安
20毫安
Δ
V
Z
Δ
T
j
20
15
10
5
0
-5
1
18135
2
3
4 5
I
Z
=
7
ΔV
Z
6
5
4
3
2
1
0
-1
0
20
40
60
V
Z
在我
Z
= 5毫安
51
43
36
I
Z
= 5毫安
80
100
T
j
120
140 °C
10
2
3 4 5
100
V
18158
V
Z
在我
Z
= 5毫安
V
27
V,
I = 2毫安
图。 8 -
齐纳电压与温度的关系
齐纳电压
图。 11 -
更改齐纳电压与结温
V
0.8
0.7
0.6
V
Z
在我
Z
= 5毫安
25
15
10
V
1.6
1.4
1.2
ΔV
Z
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 0.2
- 0.4
1
18159
ΔV
Z
= r
ZTH
X我
Z
I
Z
= 5毫安
V
Z
> = 56 V ;我
Z
= 2.5毫安
Δ
V
Z
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-1
- 0.2
0
18124
3.6
4.7
8
7
6.2
5.9
5.6
5.1
10
20
40
60
80
100 120 140 C
V
Z
在我
Z
= 5毫安
100 V
T
j
图。 9 -
更改齐纳电压与结温
图。 12 -
更改齐纳电压从打开上最多的点
热平衡与齐纳电压
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5
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威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
硅平面稳压二极管
齐纳电压是根据分级
国际标准E24
AEC- Q101标准
符合AEC -Q101 ESD能力:
人体模型> 8千伏
机器型号> 800 V
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.4 75
2.5; 5
脉冲电流
单身
单位
V
mA
基P / N - E3 - 符合RoHS标准的商用级
基P / N - HE3 - 符合RoHS标准,符合AEC - Q101标准
材料分类:为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
订购信息
设备名称
订购代码
BZT52C2V4 - E3-08到BZT52C75 - E3-08
BZT52B2V4 - E3-08到BZT52B75 - E3-08
BZT52C2V4 - HE3-08到BZT52C75 , HE3-08
BZT52-series
BZT52B2V4 - HE3-08到BZT52B75 , HE3-08
BZT52C2V4 - E3-18到BZT52C75 - E3-18
BZT52B2V4 - E3-18到BZT52B75 - E3-18
BZT52C2V4 - HE3-18到BZT52C75 , HE3-18
BZT52B2V4 - HE3-18到BZT52B75 , HE3-18
10 000( 13"上排8毫米磁带)
10 000 /盒
3000 (上7"卷轴8mm带)
15 000 /盒
每卷胶带单位
最小起订量
包名称
SOD-123
重量
10.3毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气敏感度
水平
MSL等级1
(根据J- STD- 020 )
焊接条件
260 ℃/ 10秒,在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
测试条件
二极管上的陶瓷基板0.7毫米; 5毫米
2
焊盘区
二极管上的陶瓷基板0.7毫米; 2.5毫米
2
焊盘区
请参阅表“电气特性”
有效的条件是电极被保持在
环境温度
R
thJA
T
j
T
英镑
T
op
300
150
- 65至+ 150
- 55至+ 150
K / W
°C
°C
°C
符号
P
合计
P
合计
价值
500
410
单位
mW
mW
功耗
齐纳电流
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
工作温度范围
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文档编号: 85760
1
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威世半导体
Admissable
齐纳
当前
(4)
I
Z
at
T
AMB
=
45 °C
I
Z
at
T
AMB
=
25 °C
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
齐纳电压
范围
(1)
产品型号
记号
CODE
V
Z
在我
ZT1
V
分钟。喃。马克斯。
BZT52C2V4
BZT52C2V7
BZT52C3V0
BZT52C3V3
BZT52C3V6
BZT52C3V9
BZT52C4V3
BZT52C4V7
BZT52C5V1
BZT52C5V6
BZT52C6V2
BZT52C6V8
BZT52C7V5
BZT52C8V2
BZT52C9V1
BZT52C10
BZT52C11
BZT52C12
BZT52C13
BZT52C15
BZT52C16
BZT52C18
BZT52C20
BZT52C22
BZT52C24
BZT52C27
BZT52C30
BZT52C33
BZT52C36
BZT52C39
BZT52C43
BZT52C47
BZT52C51
BZT52C56
BZT52C62
BZT52C68
BZT52C75
W1
W2
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
WA
WB
WC
WD
WE
WF
WG
WH
WI
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
WY
WZ
X1
X2
X3
X4
X5
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
> 0.8
>1
>2
>3
>5
>6
>7
& GT ; 7.5
> 8.5
>9
& GT ; 10
> 11
& GT ; 12
& GT ; 14
> 15
& GT ; 17
> 18
& GT ; 20
& GT ; 25
> 27
> 29
> 32
> 35
> 38
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
-
-
-
-
85
75 ( < 83 )
80 ( < 95 )
80 ( < 95 )
80 ( < 95 )
80 ( < 95 )
80 ( < 95 )
70 ( < 78 )
30 ( < 60 )
10 ( < 40 )
4.8 ( < 10 )
4.5 ( < 8 )
4 ( < 7 )
4.5 ( < 7 )
4.8 ( < 10 )
5.2 ( < 15 )
6 ( < 20 )
7 ( < 20 )
9 ( < 25 )
11 ( < 30 )
13 ( < 40 )
18 ( < 50 )
20 ( < 50 )
25 ( < 55 )
28 ( < 80 )
30 ( < 80 )
35 ( < 80 )
40 ( < 80 )
40 ( < 90 )
50 ( < 90 )
60 ( < 100 )
70 ( < 100 )
70 ( < 100 )
& LT ; 135
(2)
& LT ; 150
& LT ; 200
(2)
(2)
TEST
当前
I
ZT1
I
ZT2
反向
电压
V
R
在我
R
V
nA
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
在我
ZT2
600
& LT ; 500
& LT ; 500
& LT ; 500
& LT ; 500
& LT ; 500
& LT ; 500
& LT ; 500
< 480
& LT ; 400
& LT ; 200
& LT ; 150
& LT ; 50
& LT ; 50
& LT ; 50
< 70
< 70
& LT ; 90
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
& LT ; 250
& LT ; 250
& LT ; 250
& LT ; 250
& LT ; 300
& LT ; 700
& LT ; 750
& LT ; 750
& LT ; 1000
(3)
& LT ;
& LT ;
1000
(3)
1000
(3)
温度。
系数
VZ
10
-4
/°C
- 9 - 4
- 9 - 4
- 9 - 3
- 8 - 3
- 8 - 3
- 7 - 3
- 6 - 1
- 5至+ 2
- 3到+ 4
- 2 + 6
- 1 + 7
+2至+ 7
+ 3 + 7的
+ 4 + 7
+5至+ 8
+5至+ 8
+ 5 + 9
+ 6 + 9
+ 7 + 9
+ 7 + 9
+ 8 + 9.5
+ 8 + 9.5
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 10 + 12
+ 10 + 12
+ 10 + 12
+ 10 + 12
(典型值) 。 +10
(2)
(典型值) 。 +10
典型值。
(2)
mA
mA
-
113
98
92
85
77
71
64
56
50
45
41
37
34
30
28
25
23
21
19
17
15
14
13
11
10
9
8
8
7
6
5
5
-
-
-
-
-
134
118
109
100
92
84
76
67
59
54
49
44
40
36
33
30
28
25
23
20
18
17
16
13
12
10
9
9
8
7
6
6
-
-
-
-
> 22.5 100
+10
(2)
& LT ; 250
(2)
& LT ; 1500
(3)
(典型值) 。 +10
(2)
笔记
I
ZT1
= 5毫安,我
ZT2
= 1毫安
(1)
测量脉冲T = 5毫秒
p
(2)
I
ZT1
= 2.5毫安
(3)
I
ZT2
- 0.5毫安
(4)
有效的条件是电极被保持在环境温度
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BZT52-Series
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威世半导体
Admissable
齐纳
当前
(4)
I
Z
at
T
AMB
=
45 °C
I
Z
at
T
AMB
=
25 °C
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
齐纳电压
范围
(1)
产品型号
记号
CODE
V
Z
在我
ZT1
V
分钟。喃。马克斯。
BZT52B2V4
BZT52B2V7
BZT52B3V0
BZT52B3V3
BZT52B3V6
BZT52B3V9
BZT52B4V3
BZT52B4V7
BZT52B5V1
BZT52B5V6
BZT52B6V2
BZT52B6V8
BZT52B7V5
BZT52B8V2
BZT52B9V1
BZT52B10
BZT52B11
BZT52B12
BZT52B13
BZT52B15
BZT52B16
BZT52B18
BZT52B20
BZT52B22
BZT52B24
BZT52B27
BZT52B30
BZT52B33
BZT52B36
BZT52B39
BZT52B43
BZT52B47
BZT52B51
BZT52B56
BZT52B62
BZT52B68
BZT52B75
W1
W2
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
WA
WB
WC
WD
WE
WF
WG
WH
WI
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
WY
WZ
X1
X2
X3
X4
X5
2.35
2.65
2.94
3.23
3.53
3.82
4.21
4.61
5
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.8
11.8
12.7
14.7
15.7
17.6
19.6
21.6
23.5
26.5
29.4
32.3
35.3
38.2
42.1
46.1
50
54.9
60.8
66.6
73.5
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
2.45
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.4
24.5
27.5
30.6
33.7
36.7
39.8
43.9
47.9
52
57.1
63.2
69.4
76.5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
> 0.8
>1
>2
>3
>5
>6
>7
& GT ; 7.5
> 8.5
>9
& GT ; 10
> 11
& GT ; 12
& GT ; 14
> 15
& GT ; 17
> 18
& GT ; 20
> 22.5
& GT ; 25
> 27
> 29
> 32
> 35
> 38
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
-
-
-
-
85
75 ( < 83 )
80 ( < 95 )
80 ( < 95 )
80 ( < 95 )
80 ( < 95 )
80 ( < 95 )
70 ( < 78 )
30 ( < 60 )
10 ( < 40 )
4.8 ( < 10 )
4.5 ( < 8 )
4 ( < 7 )
4.5 ( < 7 )
4.8 ( < 10 )
5.2 ( < 15 )
6 ( < 20 )
7 ( < 20 )
9 ( < 25 )
11 ( < 30 )
13 ( < 40 )
18 ( < 50 )
20 ( < 50 )
25 ( < 55 )
28 ( < 80 )
30 ( < 80 )
35 ( < 80 )
40 ( < 80 )
40 ( < 90 )
50 ( < 90 )
60 ( < 100 )
70 ( < 100 )
70 ( < 100 )
& LT ;
& LT ;
& LT ;
135
(2)
200
(2)
250
(2)
& LT ;
& LT ;
& LT ;
& LT ; 150
(2)
600
& LT ; 500
& LT ; 500
& LT ; 500
& LT ; 500
& LT ; 500
& LT ; 500
& LT ; 500
< 480
& LT ; 400
& LT ; 200
& LT ; 150
& LT ; 50
& LT ; 50
& LT ; 50
< 70
< 70
& LT ; 90
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
& LT ; 250
& LT ; 250
& LT ; 250
& LT ; 250
& LT ; 300
& LT ; 700
& LT ; 750
& LT ; 750
1000
(3)
1000
(3)
1500
(3)
& LT ; 1000
(3)
- 9 - 4
- 9 - 4
- 9 - 3
- 8 - 3
- 8 - 3
- 7 - 3
- 6 - 1
- 5至+ 2
- 3到+ 4
- 2 + 6
- 1 + 7
+2至+ 7
+ 3 + 7的
+ 4 + 7
+5至+ 8
+5至+ 8
+ 5 + 9
+ 6 + 9
+ 7 + 9
+ 7 + 9
+ 8 + 9.5
+ 8 + 9.5
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 10 + 12
+ 10 + 12
+ 10 + 12
+ 10 + 12
(典型值) 。 +
(典型值) 。 +
(典型值) 。 +
10
(2)
10
(2)
10
(2)
(典型值) 。 + 10
(2)
-
113
98
92
85
77
71
64
56
50
45
41
37
34
30
28
25
23
21
19
17
15
14
13
11
10
9
8
8
7
6
5
5
-
-
-
-
-
134
118
109
100
92
84
76
67
59
54
49
44
40
36
33
30
28
25
23
20
18
17
16
13
12
10
9
9
8
7
6
6
-
-
-
-
TEST
当前
I
ZT1
I
ZT2
反向
电压
V
R
在我
R
V
nA
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
at
I
ZT2
温度。
系数
VZ
10
-4
/°C
mA
mA
笔记
I
ZT1
= 5毫安,我
ZT2
= 1毫安
(1)
测量脉冲T = 5毫秒
p
(2)
I
ZT1
= 2.5毫安
(3)
I
ZT2
- 0.5毫安
(4)
有效的条件是电极被保持在环境温度
修订版1.8 , 26 -FEB- 13
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
mA
10
3
10
2
威世半导体
Ω
100
T
J
= 25 °C
5
4
I
F
10
1
10
-1
10
-2
T
J
= 100 °C
r
zj
3
2
33
27
22
18
15
12
10
6.8/8.2
6.2
10
T
J
= 25 °C
5
4
3
2
10
-3
10
-4
10
-5
0
18114
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1V
0.1
18119
2
5
1
2
5
V
F
10
I
Z
2
5
百毫安
图。 1 -
正向特性
图。 4 -
动态电阻与齐纳电流
mW
500
Ω
10
3
7
T
j
= 25 °C
400
5
4
P
合计
300
R
zj
3
2
47 + 51
43
39
36
10
2
200
7
5
4
3
100
2
0
0
18888
100
200 °C
10
0.1
18120
2
3
4 5
1
2
3 4 5
T
AMB
I
Z
10
mA
图。 2 -
受理的功耗与环境温度
图。 5 -
动态电阻与齐纳电流
Ω
1000
5
4
3
2
Ω
10
3
T
J
= 25 °C
5
4
3
2
R
ZTH
= R
THA
x
V
Z
x
Δ
V
Z
Δ
T
j
r
zj
R
ZTH
100
5
4
3
2
10
2
5
4
3
2
10
5
4
3
2
2.7
3.6
4.7
5.1
5.6
10
5
4
3
2
积极
1
0.1
18117
2
5
1
1
18121
2
3
4 5
1
2
5
10
I
Z
2
5
百毫安
10
2
3 4 5
100
V
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 3 -
动态电阻与齐纳电流
图。 6 -
热微分电阻与齐纳电压
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威世半导体
毫伏/°C的
100
I
Z
= 5毫安
Ω
100
7
5
4
R
zj
3
2
Δ
V
Z
Δ
T
j
80
60
10
7
5
4
3
2
40
20
T
j
= 25 °C
I
Z
= 5毫安
1
2
3
4 5
1
10
2
0
0
18136
3 4 5
100
V
20
40
60
80
100
V
18122
V
Z
V
Z
在我
Z
= 2毫安
图。 7 -
动态电阻与齐纳电压
图。 10 -
齐纳电压与温度的关系
齐纳电压
毫伏/°C的
25
V
9
8
5毫安
1毫安
20毫安
Δ
V
Z
Δ
T
j
20
15
10
5
0
-5
1
18135
2
3
4 5
I
Z
=
7
ΔV
Z
6
5
4
3
2
1
0
-1
0
20
40
60
V
Z
在我
Z
= 5毫安
51
43
36
I
Z
= 5毫安
80
100
T
j
120
140 °C
10
2
3 4 5
100
V
18158
V
Z
在我
Z
= 5毫安
V
27
V,
I = 2毫安
图。 8 -
齐纳电压与温度的关系
齐纳电压
图。 11 -
更改齐纳电压与结温
V
0.8
0.7
0.6
V
Z
在我
Z
= 5毫安
25
15
10
V
1.6
1.4
1.2
ΔV
Z
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 0.2
- 0.4
1
18159
ΔV
Z
= r
ZTH
X我
Z
I
Z
= 5毫安
V
Z
> = 56 V ;我
Z
= 2.5毫安
Δ
V
Z
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-1
- 0.2
0
18124
3.6
4.7
8
7
6.2
5.9
5.6
5.1
10
20
40
60
80
100 120 140 C
V
Z
在我
Z
= 5毫安
100 V
T
j
图。 9 -
更改齐纳电压与结温
图。 12 -
更改齐纳电压从打开上最多的点
热平衡与齐纳电压
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