【WTE功率半导体BZT52C2V4 - BZT52C51Pb410mW表面贴装稳压二极管特点!!!!】,IC型号BZT52C3,BZT52C3 PDF资料,BZT52C3经销商,ic,电子元器件-51电子网

WTE

功率半导体

BZT52C2V4 - BZT52C51

Pb

410mW表面贴装稳压二极管

特点

!

平面模具结构

A

SOD-123

暗淡

A

民

3.6

2.5

1.4

0.5

—

0.4

0.95

—

最大

3.9

2.8

1.8

0.7

0.2

—

1.35

0.12

410mW功耗

2.4 - 51V额定齐纳电压

5％的标准Vz的公差

专为表面贴装应用

C

塑料材料 - UL认证防火

分类94V -O

E

D

B

C

D

E

G

H

J

机械数据

!

案例： SOD- 123 ，模压塑料

终端：每焊镀信息

MIL- STD- 202方法208

极性：负极频带

重0.01克数（大约）

标识：设备代码，请参阅第2页

无铅：对于符合RoHS /无铅版本，

新增“ -LF ”后缀型号，请参见第5页

G

H

J

尺寸：mm

最大额定值

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

特征

在T峰值脉冲功率耗散

A

= 25 ° C（注1 ）

正向电压@ I

F

= 10毫安

热阻结到环境（注1 ）

工作和存储温度范围

注：1，二极管上的陶瓷基板10毫米x10采用8mm x至0.7mm。

符号

P

d

V

F

R

θJA

T

j

, T

英镑

价值

410

0.9

300

-65到+150

单位

mW

V

° C / W

°C

BZT52C2V4 - BZT52C51

1 5

2006韩元鼎好电子

电气特性

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

TYPE

数

（注1 ）

设备

记号

CODE

齐纳电压范围

（注2 ）

V

Z

@ I

ZT

喃（ V）

敏（ V）

2.28

2.57

2.85

3.14

3.42

3.71

4.09

4.47

4.85

5.32

5.89

6.46

7.13

7.79

8.65

9.50

10.45

11.40

12.35

14.25

15.20

17.10

19.00

20.90

22.80

25.65

28.50

31.35

34.20

37.05

40.85

44.65

48.45

MAX（ V）

2.52

2.84

3.15

3.47

3.78

4.10

4.52

4.94

5.36

5.88

6.51

7.14

7.88

8.61

9.56

10.50

11.55

12.60

13.65

15.75

16.80

18.90

21.00

23.10

25.20

28.35

31.50

34.65

37.80

40.95

45.15

49.35

53.55

最大齐纳阻抗

（注3）

Z

ZT

@ I

ZT

()

85

83

95

78

60

40

10

8.0

7.0

10

15

20

25

30

40

50

55

80

90

100

（MA ）

5.0

Z

ZK

@ I

ZK

()

600

500

480

400

150

80

100

150

170

200

225

250

300

325

350

700

750

（MA ）

1.0

最大反向

漏电流

I

R

(A)

100

75

50

25

15

10

5.0

0.1

@ V

R

(V)

1.0

0.8

1.0

2.0

3.0

5.0

6.0

7.0

7.5

8.5

9.0

10

11

12

14

15

17

18

20

22.5

25

27

29

32

35

38

温度。

对COEF网络cient

齐纳电压

@ I

ZT

毫伏/°C的

民

-3.5

-2.7

-2.0

0.4

1.2

2.5

3.2

3.8

4.5

5.4

6.0

7.0

9.2

10.4

12.4

14.4

16.4

18.4

21.4

24.4

27.4

30.4

33.4

10.0

最大

0

0.2

1.2

2.5

3.7

4.5

5.3

6.2

7.0

8.0

9.0

10

11

13

14

16

18

20

22

25.3

29.4

33.4

37.4

41.2

12

BZT52C2V4

BZT52C2V7

BZT52C3

BZT52C3V3

BZT52C3V6

BZT52C3V9

BZT52C4V3

BZT52C4V7

BZT52C5V1

BZT52C5V6

BZT52C6V2

BZT52C6V8

BZT52C7V5

BZT52C8V2

BZT52C9V1

BZT52C10

BZT52C11

BZT52C12

BZT52C13

BZT52C15

BZT52C16

BZT52C18

BZT52C20

BZT52C22

BZT52C24

BZT52C27

BZT52C30

BZT52C33

BZT52C36

BZT52C39

BZT52C43

BZT52C47

BZT52C51

W1

W2

W3

W4

W5

W6

W7

W8

W9

WA

WB

WC

WD

WE

WF

WG

WH

WI

WK

WL

WM

WN

WO

WP

WR

WS

WT

WU

WW

WX

WY

WZ

XA

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

注： 1所列类型的数字对的±5％的额定齐纳电压标准公差。

2.测得脉冲吨

p

= 5毫秒。

3， F = 1KHz的

BZT52C2V4 - BZT52C51

2 5

2006韩元鼎好电子

0.6

50

T

j

= 25°C

C2V7

C3V9

C5V6

C6V8

C6V2

C8V2

0.5

C3V3

0.4

I

Z

，齐纳电流（毫安）

40

C4V7

P

D

，功耗（ W）

30

0.3

20

0.2

0.1

10

测试电流I

Z

5.0mA

0

25

50

75

100

125

150

0

1

T

A

，环境温度（

°

C)

图。 1功耗与环境温度

3

4

5

6

8

9

7

V

Z

齐纳电压（V）

图。 2齐纳击穿特性

C39

C47

C43 C51

2

10

30

T

j

= 25°C

C10

C12

10

TJ = 25°C

I

Z

，齐纳电流（毫安）

20

C15

I

Z

，齐纳电流（毫安）

8

6

C18

测试电流I

Z

2mA

C27

C33

C36

10

C22

测试电流I

Z

5mA

4

测试电流I

Z

2mA

2

0

10

20

30

V

Z

齐纳电压（V）

图。 3齐纳击穿特性

1000

40

0

10

30 40 50 60 70 80 90 100

V

Z

齐纳电压（V）

图。 4齐纳击穿特性

20

T

j

= 25 °C

C

j

，结电容（pF ）

V

R

= 1V

V

R

= 2V

100

V

R

= 1V

V

R

= 2V

10

1

10

100

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

图。 5结电容VS额定齐纳电压

BZT52C2V4 - BZT52C51

3 5

2006韩元鼎好电子

标识信息

推荐足迹

0.036

(0.91)

xx

阴极

xx

=极性带

=设备代码，请参阅第2页

0.093

(2.36)

0.048

(1.22)

英寸（毫米）

包装信息

磁带&卷轴

检查孔

退绕方向

4mm

178mm

8mm

4mm

8mm

产品ID标签

1.6mm

卷筒直径

(mm)

178

QUANTITY

（ PCS）的

3,000

内箱尺寸

长x宽x高（mm ）

187 x 187 x 65

QUANTITY

（ PCS）的

15,000

外箱尺寸

长x宽x高（mm ）

390 x 240 x 420

QUANTITY

（ PCS）的

150,000

约。总重量

（公斤）

10.0

注意：

1.防静电塑料卷盘，白色，清澈的水或蓝色。检查孔可能会在不同的取向而改变。

2.组件是按照包装符合EIA标准481-1和481-2 。

BZT52C2V4 - BZT52C51

4 5

2006韩元鼎好电子

订购信息

产品编号

BZT52Cxx-T1

1.

2.

套餐类型

SOD-123

送货数量

3000 /磁带&卷轴

鉴于航运量仅为最小包装量。对于最低

订货量，请咨询售楼部。

订购RoHS /无铅版本（与无铅完成），加上“ -LF ”后缀

上面的零件编号。例如， BZT52C2V4 -T1 -LF 。

韩元鼎好电子有限公司（ WTE ）已仔细检查了所有的信息，并认为它是正确的，准确的。然而， WTE不承担任何

责任不准确。此外，这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可

制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息，而无需另行通知的权利。

警告：

不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件

支持设备或系统未经明确的书面批准。

韩元鼎好电子有限公司

44号谷喀嗯北三路，茅根陈DIST。，高雄，台湾

电话：

886-7-822-5408或886-7-822-5410

传真：

886-7-822-5417

电子邮件：

sales@wontop.com

互联网：

http://www.wontop.com

我们日常供电。

BZT52C2V4 - BZT52C51

5

2006韩元鼎好电子

MCC

特点

l

?????????? ?????? omponents

21201 Itasca的街查茨沃斯

???? ?????? ？！ ?? " ＃ ???

$ ％？？？ ???? ？！ ?? " ＃ ???

BZT52C2V4

THRU

BZT52C39

410毫瓦

齐纳二极管

2.4 39伏特

平面模具结构

410mW功耗

齐纳电压从2.4V - 39V

非常适合于自动装配程序

机械数据

l

案例：

SOD- 123模压塑料

SOD123

A

B

C

E

码头：每MIL -STD- 202方法208

约。重量： 0.008克

安装位置：任意

存储&工作结温范围：-55 ℃ + 150℃

o

最大额定值@ 25

o

C除非另有说明

齐纳电流

I

F

100

mA

最大正向

V

F

1.2

V

电压

功耗

P

（AV）

410

mWatt

（无释A）

峰值前向S冲动

I

FSM

2.0

安培

电流（不是电子S B ）

注意事项：

A.安装在5.0平方毫米（ 0.013毫米厚）土地面积。

B.在8.3ms经单半正弦波或同等测量

方波，占空比= 4个脉冲每分钟最高

.

H

D

J

G

暗淡

A

B

C

D

E

G

H

J

尺寸

英寸

MM

民

最大

民

最大

.140

.152

3.55

3.85

.100

.112

2.55

2.85

.055

.071

1.40

1.80

-----

.053

-----

1.35

.012

.031

0.30

.78

.006

-----

0.15

-----

.01

-----

.25

-----

.006

-----

.15

记

建议焊料

焊盘布局

0.093"

0.048”

0.036”

www.mccsemi.com

MCC

BZT52C2V4通BZT52C39

电气特性@ 25

o

C除非另有说明

MCC部分

数

正常

齐纳

电压

VZ @ IZT

TEST

当前IZT

最大齐纳

阻抗

“B”后缀ONLY

ZZT @ IZT ZZK @ Izk = 1.0毫安

最大反向

漏电流

IR @ VR

马克斯。齐纳电流

IZM @ TA

记号

伏

mA

欧

nA

伏

mA

BZT52C2V4

BZT52C2V7

BZT52C3

BZT52C3V3

BZT52C3V6

BZT52C3V9

BZT52C4V3

BZT52C4V7

BZT52C5V1

BZT52C5V6

BZT52C6V2

BZT52C6V8

BZT52C7V5

BZT52C8V2

BZT52C9V1

BZT52C10

BZT52C11

BZT52C12

BZT52C13

BZT52C15

BZT52C16

BZT52C18

BZT52C20

BZT52C22

BZT52C24

BZT52C27

BZT52C30

BZT52C33

BZT52C36

BZT52C39

W1

W2

W3

W4

W5

W6

W7

W8

W9

WA

WB

WC

WD

WE

WF

WG

WH

WI

WK

WL

WM

WN

WO

WP

WR

WS

WT

WU

WW

WX

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

5

85

83

95

78

60

40

10

8.0

7.0

10

15

20

25

30

40

50

55

80

90

600

500

480

400

200

150

50

70

90

110

170

220

250

300

100000

75000

50000

25000

15000

10000

5000

100

1.0

0.8

1.0

2.0

3.0

5.0

6.0

7.0

7.5

8.5

9.0

10

11

12

14

15

17

18

20

22.5

25

27

29

-

134

118

109

100

92

84

76

67

59

54

49

44

40

36

33

30

28

25

23

20

18

17

16

13

12

10

9

8

注意：

1.Tolerance和类型编号标识。列出的类型的数字对的±5％的额定齐纳电压的标准容差。

2，特价优惠包括：

所示的电压和更严格的电压容差之间A.额定齐纳电压。

B.匹配套。

3.齐纳电压（V

Z

）测量。当以90秒为单位，同时保持了领先的温度，保证齐纳电压（T

L

） 30

O

C，自二极管体。

4.齐纳阻抗（Z

Z

）推导。齐纳阻抗从60周期的交流电压时，具有有效值等于直流稳压的10％的交流电流时，其导致来自

电流（I

ZT

还是我

ZK

）被叠加在我

ZT

还是我

ZK

.

5.浪涌电流（I

R

）不重复。在电气特性表中列出的评级是最大峰值，非重复性，反向浪涌的1/2方波或正弦波等效电流

1/120秒的持续时间的脉冲波叠加在测试电流，我

ZT

，根据JEDEC注册;然而，实际的设备能力是如在图5中描述。

www.mccsemi.com

BZT52C2V4通BZT52C39

MCC

100

8

7

温度系数，毫伏/

o

C)

6

5

4

3

2

1

0

-1

-2

-3

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

温度系数，毫伏/

o

C)

10

1

10

100

额定齐纳电压，电压

典型的反向电流

稳态功率降额

1000

动态阻抗，

W

IZ = 1毫安

正向电流毫安

T

J

=25 C

I

Z(AC)=0.1

I

Z（ DC ）

F = 1千赫

O

1000

100

5毫安

20毫安

100

10

150

O

C

75 C

O

25 C

O

5C

O

1

10

作者齐纳电压，电压

100

1

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

正向电压，伏

齐纳电压的齐纳阻抗效应

典型正向电压

1000

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

电容，PF

0 V BIAS

1 V BIAS

100

偏压

VZ NOM的50 ％

10

T

A

=25

o

C

功耗瓦

P

D V

.

S

. T

A

1

25

50

75

100

125

150

155

1

10

100

温度（

o

C)

额定齐纳电压，电压

稳态功率降额

典型电容

www.mccsemi.com

BZT52C2V4通BZT52C39

MCC

100

T

A

=25

o

C

100

T

A

=25

o

C

齐纳电流，马

10

1

0.1

0.01

0

2

4

6

8

10

12

0.01

10

30

50

70

90

齐纳电压，电压

齐纳电压V.S.齐纳电流

1000

漏电流（

m

A)

100

10

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.00001

0

10

20

30

40

50

60

70

+150 C

O

+25

O

C

-55

O

C

80

90

额定齐纳电压， Vlots

典型LEAKGE CURRENT

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