BZT52B2V4-BZT52B75
500mW的2 ％容差贴片稳压二极管
小信号二极管
电气特性
TA = 25° C除非另有说明
V
F
正向电压= 1V最大@ I
F
= 10毫安的所有零件号
产品型号
BZT52B2V4
BZT52B2V7
BZT52B3V0
BZT52B3V3
BZT52B3V6
BZT52B3V9
BZT52B4V3
BZT52B4V7
BZT52B5V1
BZT52B5V6
BZT52B6V2
BZT52B6V8
BZT52B7V5
BZT52B8V2
BZT52B9V1
BZT52B10
BZT52B11
BZT52B12
BZT52B13
BZT52B15
BZT52B16
BZT52B18
BZT52B20
BZT52B22
BZT52B24
BZT52B27
BZT52B30
BZT52B33
BZT52B36
BZT52B39
BZT52B43
BZT52B47
BZT52B51
BZT52B56
BZT52B62
BZT52B68
BZT52B75
V
Z
@ I
ZT
（伏）
喃
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
民
2.35
2.65
2.94
3.23
3.53
3.82
4.21
4.61
5
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.78
11.76
12.74
14.7
15.68
17.64
19.6
21.56
23.52
26.46
29.4
32.34
35.28
38.22
42.14
46.06
49.98
54.88
60.76
66.64
73.5
最大
2.45
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.22
12.24
13.26
15.3
16.32
18.36
20.4
22.44
24.48
27.54
30.6
33.66
36.72
39.78
43.86
47.94
52.02
57.12
63.24
69.36
76.5
I
ZT
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
Z
ZT
@ I
ZT
()
最大
100
100
100
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
I
ZK
（MA ）
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
Z
ZK
@ I
ZK
()
最大
564
564
564
564
564
564
564
470
451
376
141
75
75
75
94
141
141
141
160
188
188
212
212
235
235
282
282
306
329
329
353
353
376
400
423
447
470
I
R
@ V
R
(μA)
最大
45
18
9
4.5
4.5
2.7
2.7
2.7
1.8
0.9
2.7
1.8
0.9
0.63
0.45
0.18
0.09
0.09
0.09
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
V
R
(V)
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23
25.2
27.3
30.1
33
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
注意事项：
1.齐纳电压（V
Z
）为10ms的脉冲条件下进行测试。
2.列出的设备的数字对的±2％的额定齐纳电压的标准容差。
3.关于价格，可用性和交付额定齐纳电压的详细信息之间显示的电压和
更严格的电压容差，请联系距您最近的
台湾积体电路
代表性。
4.齐纳阻抗从60周期的交流电压时，具有有效值的交流电流时，其导致来自
等于DC齐纳电流的10％ （我
ZT
or
I
ZK
）被叠加到
I
ZT
or
I
ZK
.
版本： C09
BZT52B2V4 THRU BZT52B75
小信号二极管
2.45V - 76.5V 2A -5A
特点
SOD-123F
广齐纳电压范围选择： 2.4V至75V
VZTolerance选择的±2％
湿度敏感度等级1
雾锡（Sn ），铅涂层与镍（Ni ），下板
无铅版本，并符合RoHS标准
绿色化合物（无卤素）与后缀"G"
包装上的日期代码代码和前缀"G"
机械数据
案例：扁平引脚SOD- 123小外形塑料封装
终端：雾锡电镀，无铅，焊
每MIL -STD- 202方法208保证
高温焊接保证： 260
°
极性：由阴极频带指示
重量： 8.85 ± 0.5毫克
最大额定值和电气特性
等级25
°C
环境温度，除非另有规定。
最大额定值
类型编号
功耗
正向电压
热阻（结到环境）
结温和存储温度范围
I
F
=10mA
（注1 ）
符号
P
D
V
F
RΘJA
T
J
, T
英镑
价值
500
1
350
-65到+ 150
单位
mW
V
° C / W
°C
注： 1 。有效的条件是电极被保持在环境温度
电子信箱： sales@taychipst.com
1
of
3
网站： www.taychipst.com
BZT52B2V4 THRU BZT52B75
小信号二极管
2.45V - 76.5V 2A -5A
电气特性
TA = 25° C除非另有说明
V
F
正向电压= 1V最大@ I
F
= 10毫安的所有零件号
产品型号
BZT52B2V4
BZT52B2V7
BZT52B3V0
BZT52B3V3
BZT52B3V6
BZT52B3V9
BZT52B4V3
BZT52B4V7
BZT52B5V1
BZT52B5V6
BZT52B6V2
BZT52B6V8
BZT52B7V5
BZT52B8V2
BZT52B9V1
BZT52B10
BZT52B11
BZT52B12
BZT52B13
BZT52B15
BZT52B16
BZT52B18
BZT52B20
BZT52B22
BZT52B24
BZT52B27
BZT52B30
BZT52B33
BZT52B36
BZT52B39
BZT52B43
BZT52B47
BZT52B51
BZT52B56
BZT52B62
BZT52B68
BZT52B75
V
Z
@ I
ZT
（伏）
喃
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
民
2.35
2.65
2.94
3.23
3.53
3.82
4.21
4.61
5
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.78
11.76
12.74
14.7
15.68
17.64
19.6
21.56
23.52
26.46
29.4
32.34
35.28
38.22
42.14
46.06
49.98
54.88
60.76
66.64
73.5
最大
2.45
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.22
12.24
13.26
15.3
16.32
18.36
20.4
22.44
24.48
27.54
30.6
33.66
36.72
39.78
43.86
47.94
52.02
57.12
63.24
69.36
76.5
I
ZT
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
Z
ZT
@ I
ZT
()
最大
100
100
100
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
I
ZK
（MA ）
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
Z
ZK
@ I
ZK
()
最大
564
564
564
564
564
564
564
470
451
376
141
75
75
75
94
141
141
141
160
188
188
212
212
235
235
282
282
306
329
329
353
353
376
400
423
447
470
I
R
@ V
R
(μA)
最大
45
18
9
4.5
4.5
2.7
2.7
2.7
1.8
0.9
2.7
1.8
0.9
0.63
0.45
0.18
0.09
0.09
0.09
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
V
R
(V)
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23
25.2
27.3
30.1
33
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
注意事项：
1.齐纳电压（V
Z
）为10ms的脉冲条件下进行测试。
2.列出的设备的数字对的±2％的额定齐纳电压的标准公差
.
3.关于价格，可用性和交付额定齐纳电压的详细信息之间显示的电压和
更严格的电压容差，请联系距您最近的
台湾积体电路
代表性。
4.齐纳阻抗从60周期的交流电压时，具有有效值的交流电流时，其导致来自
等于DC齐纳电流的10％ （我
ZT
or
I
ZK
）被叠加到
I
ZT
or
I
ZK
.
电子信箱： sales@taychipst.com
2 3
网站： www.taychipst.com
BZT52B2V4 THRU BZT52B75
小信号二极管
2.45V - 76.5V 2A -5A
收视率和特性曲线
BZT52B2V4 THRU BZT52B75
图1典型的正向特性
1000
100
图2齐纳击穿特性
Ta=25°C
10
正向电流（mA ）
100
齐纳电流（毫安）
1
1.1
1.2
Ta=25°C
10
1
0
0.1
1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
正向电压（ V）
齐纳电压（V）
图3齐纳击穿特性
100
500
图4容许电力Disspation曲线
功耗（MW ）
齐纳电流（毫安）
10
400
300
200
100
0
1
0
0
15
25
35
45
55
65
75
0
50
100
150
200
齐纳电压（V）
环境Tempeture （ ° C）
图5典型电容
动态阻抗（ ）
1000
1000
齐纳电压对阻抗图6的影响
Iz=1mA
电容（pF）
100
1V偏置
100
Iz=5mA
10
Iz=20m
1
Ta=150°C
10
偏向于VZ的50 ％ （标称）
Ta=25°C
1
1
10
100
1
10
100
齐纳电压（V）
齐纳电压（V）
电子信箱： sales@taychipst.com
3 3
网站： www.taychipst.com
BZT52-Series
www.vishay.com
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
硅平面稳压二极管
齐纳电压是根据分级
国际标准E24
AEC- Q101标准
符合AEC -Q101 ESD能力：
人体模型> 8千伏
机器型号> 800 V
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.4 75
2.5; 5
脉冲电流
单身
单位
V
mA
基P / N - E3 - 符合RoHS标准的商用级
基P / N - HE3 - 符合RoHS标准，符合AEC - Q101标准
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
订购信息
设备名称
订购代码
BZT52C2V4 - E3-08到BZT52C75 - E3-08
BZT52B2V4 - E3-08到BZT52B75 - E3-08
BZT52C2V4 - HE3-08到BZT52C75 ， HE3-08
BZT52-series
BZT52B2V4 - HE3-08到BZT52B75 ， HE3-08
BZT52C2V4 - E3-18到BZT52C75 - E3-18
BZT52B2V4 - E3-18到BZT52B75 - E3-18
BZT52C2V4 - HE3-18到BZT52C75 ， HE3-18
BZT52B2V4 - HE3-18到BZT52B75 ， HE3-18
10 000（ 13"上排8毫米磁带）
10 000 /盒
3000 （上7"卷轴8mm带）
15 000 /盒
每卷胶带单位
最小起订量
包
包名称
SOD-123
重量
10.3毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气敏感度
水平
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
测试条件
二极管上的陶瓷基板0.7毫米; 5毫米
2
焊盘区
二极管上的陶瓷基板0.7毫米; 2.5毫米
2
焊盘区
请参阅表“电气特性”
有效的条件是电极被保持在
环境温度
R
thJA
T
j
T
英镑
T
op
300
150
- 65至+ 150
- 55至+ 150
K / W
°C
°C
°C
符号
P
合计
P
合计
价值
500
410
单位
mW
mW
功耗
齐纳电流
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
工作温度范围
修订版1.8 ， 26 -FEB- 13
文档编号： 85760
1
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
BZT52-Series
www.vishay.com
威世半导体
Admissable
齐纳
当前
(4)
I
Z
at
T
AMB
=
45 °C
I
Z
at
T
AMB
=
25 °C
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
(1)
产品型号
记号
CODE
V
Z
在我
ZT1
V
分钟。喃。马克斯。
BZT52C2V4
BZT52C2V7
BZT52C3V0
BZT52C3V3
BZT52C3V6
BZT52C3V9
BZT52C4V3
BZT52C4V7
BZT52C5V1
BZT52C5V6
BZT52C6V2
BZT52C6V8
BZT52C7V5
BZT52C8V2
BZT52C9V1
BZT52C10
BZT52C11
BZT52C12
BZT52C13
BZT52C15
BZT52C16
BZT52C18
BZT52C20
BZT52C22
BZT52C24
BZT52C27
BZT52C30
BZT52C33
BZT52C36
BZT52C39
BZT52C43
BZT52C47
BZT52C51
BZT52C56
BZT52C62
BZT52C68
BZT52C75
W1
W2
W3
W4
W5
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W9
WA
WB
WC
WD
WE
WF
WG
WH
WI
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
WY
WZ
X1
X2
X3
X4
X5
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2.5
2.8
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3.4
3.7
4
4.4
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2.5
2.5
2.5
2.5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
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1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
> 0.8
>1
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>3
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>6
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＆ GT ; 7.5
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-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
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100
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100
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100
100
100
100
100
100
-
-
-
-
85
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80 （ < 95 ）
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80 （ < 95 ）
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70 （ < 100 ）
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(2)
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(2)
(2)
TEST
当前
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ZT1
I
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R
V
nA
动态
阻力
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Z
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< 70
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< 110
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< 170
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< 220
< 220
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＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
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＆ LT ; 750
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(3)
＆ LT ;
＆ LT ;
1000
(3)
1000
(3)
温度。
系数
VZ
10
-4
/°C
- 9 - 4
- 9 - 4
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- 1 + 7
+2至+ 7
+ 3 + 7的
+ 4 + 7
+5至+ 8
+5至+ 8
+ 5 + 9
+ 6 + 9
+ 7 + 9
+ 7 + 9
+ 8 + 9.5
+ 8 + 9.5
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
+ 8 + 10
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+ 10 + 12
（典型值） 。 +10
(2)
（典型值） 。 +10
典型值。
(2)
mA
mA
-
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-
-
-
-
-
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44
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18
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16
13
12
10
9
9
8
7
6
6
-
-
-
-
> 22.5 100
+10
(2)
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(2)
＆ LT ; 1500
(3)
（典型值） 。 +10
(2)
笔记
I
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= 5毫安，我
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(1)
测量脉冲T = 5毫秒
p
(2)
I
ZT1
= 2.5毫安
(3)
I
ZT2
- 0.5毫安
(4)
有效的条件是电极被保持在环境温度
修订版1.8 ， 26 -FEB- 13
文档编号： 85760
2
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BZT52-Series
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威世半导体
Admissable
齐纳
当前
(4)
I
Z
at
T
AMB
=
45 °C
I
Z
at
T
AMB
=
25 °C
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
(1)
产品型号
记号
CODE
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Z
在我
ZT1
V
分钟。喃。马克斯。
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BZT52B2V7
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BZT52B36
BZT52B39
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BZT52B47
BZT52B51
BZT52B56
BZT52B62
BZT52B68
BZT52B75
W1
W2
W3
W4
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WL
WM
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WX
WY
WZ
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X2
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X4
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5.71
6.32
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10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.4
24.5
27.5
30.6
33.7
36.7
39.8
43.9
47.9
52
57.1
63.2
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5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
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1
1
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1
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1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
> 0.8
>1
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>5
>6
>7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
>9
＆ GT ; 10
> 11
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＆ GT ; 14
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> 18
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> 29
> 32
> 35
> 38
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
-
-
-
-
85
75 （ < 83 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
70 （ < 78 ）
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4.5 （ < 8 ）
4 （ < 7 ）
4.5 （ < 7 ）
4.8 （ < 10 ）
5.2 （ < 15 ）
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7 （ < 20 ）
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70 （ < 100 ）
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
135
(2)
200
(2)
250
(2)
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ; 150
(2)
600
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＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
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＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
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< 70
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< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
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＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 300
＆ LT ; 700
＆ LT ; 750
＆ LT ; 750
1000
(3)
1000
(3)
1500
(3)
＆ LT ; 1000
(3)
- 9 - 4
- 9 - 4
- 9 - 3
- 8 - 3
- 8 - 3
- 7 - 3
- 6 - 1
- 5至+ 2
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+2至+ 7
+ 3 + 7的
+ 4 + 7
+5至+ 8
+5至+ 8
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+ 8 + 9.5
+ 8 + 9.5
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+ 8 + 10
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+ 10 + 12
（典型值） 。 +
（典型值） 。 +
（典型值） 。 +
10
(2)
10
(2)
10
(2)
（典型值） 。 + 10
(2)
-
113
98
92
85
77
71
64
56
50
45
41
37
34
30
28
25
23
21
19
17
15
14
13
11
10
9
8
8
7
6
5
5
-
-
-
-
-
134
118
109
100
92
84
76
67
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54
49
44
40
36
33
30
28
25
23
20
18
17
16
13
12
10
9
9
8
7
6
6
-
-
-
-
TEST
当前
I
ZT1
I
ZT2
反向
电压
V
R
在我
R
V
nA
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
at
I
ZT2
温度。
系数
VZ
10
-4
/°C
mA
mA
笔记
I
ZT1
= 5毫安，我
ZT2
= 1毫安
(1)
测量脉冲T = 5毫秒
p
(2)
I
ZT1
= 2.5毫安
(3)
I
ZT2
- 0.5毫安
(4)
有效的条件是电极被保持在环境温度
修订版1.8 ， 26 -FEB- 13
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3
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
mA
10
3
10
2
威世半导体
Ω
100
T
J
= 25 °C
5
4
I
F
10
1
10
-1
10
-2
T
J
= 100 °C
r
zj
3
2
33
27
22
18
15
12
10
6.8/8.2
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10
T
J
= 25 °C
5
4
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2
10
-3
10
-4
10
-5
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18114
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0.2
0.4
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1V
0.1
18119
2
5
1
2
5
V
F
10
I
Z
2
5
百毫安
图。 1 -
正向特性
图。 4 -
动态电阻与齐纳电流
mW
500
Ω
10
3
7
T
j
= 25 °C
400
5
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P
合计
300
R
zj
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2
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10
2
200
7
5
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100
2
0
0
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100
200 °C
10
0.1
18120
2
3
4 5
1
2
3 4 5
T
AMB
I
Z
10
mA
图。 2 -
受理的功耗与环境温度
图。 5 -
动态电阻与齐纳电流
Ω
1000
5
4
3
2
Ω
10
3
T
J
= 25 °C
5
4
3
2
R
ZTH
= R
THA
x
V
Z
x
Δ
V
Z
Δ
T
j
r
zj
R
ZTH
100
5
4
3
2
10
2
5
4
3
2
10
5
4
3
2
2.7
3.6
4.7
5.1
5.6
10
5
4
3
2
负
积极
1
0.1
18117
2
5
1
1
18121
2
3
4 5
1
2
5
10
I
Z
2
5
百毫安
10
2
3 4 5
100
V
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 3 -
动态电阻与齐纳电流
图。 6 -
热微分电阻与齐纳电压
修订版1.8 ， 26 -FEB- 13
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BZT52-Series
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威世半导体
毫伏/°C的
100
I
Z
= 5毫安
Ω
100
7
5
4
R
zj
3
2
Δ
V
Z
Δ
T
j
80
60
10
7
5
4
3
2
40
20
T
j
= 25 °C
I
Z
= 5毫安
1
2
3
4 5
1
10
2
0
0
18136
3 4 5
100
V
20
40
60
80
100
V
18122
V
Z
V
Z
在我
Z
= 2毫安
图。 7 -
动态电阻与齐纳电压
图。 10 -
齐纳电压与温度的关系
齐纳电压
毫伏/°C的
25
V
9
8
5毫安
1毫安
20毫安
Δ
V
Z
Δ
T
j
20
15
10
5
0
-5
1
18135
2
3
4 5
I
Z
=
7
ΔV
Z
6
5
4
3
2
1
0
-1
0
20
40
60
V
Z
在我
Z
= 5毫安
51
43
36
I
Z
= 5毫安
80
100
T
j
120
140 °C
10
2
3 4 5
100
V
18158
V
Z
在我
Z
= 5毫安
V
≥
27
V,
I = 2毫安
图。 8 -
齐纳电压与温度的关系
齐纳电压
图。 11 -
更改齐纳电压与结温
V
0.8
0.7
0.6
V
Z
在我
Z
= 5毫安
25
15
10
V
1.6
1.4
1.2
ΔV
Z
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 0.2
- 0.4
1
18159
ΔV
Z
= r
ZTH
X我
Z
I
Z
= 5毫安
V
Z
> = 56 V ;我
Z
= 2.5毫安
Δ
V
Z
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-1
- 0.2
0
18124
3.6
4.7
8
7
6.2
5.9
5.6
5.1
10
20
40
60
80
100 120 140 C
V
Z
在我
Z
= 5毫安
100 V
T
j
图。 9 -
更改齐纳电压与结温
图。 12 -
更改齐纳电压从打开上最多的点
热平衡与齐纳电压
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