【BZM55-Serieswww.vishay.com威世半导体小信号齐纳二极管特点节省空间密封的密封】,IC型号BZM55B7V5-TR3,BZM55B7V5-TR3 PDF资料,BZM55B7V5-TR3经销商,ic,电子元器件-51电子网

BZM55-Series

www.vishay.com

威世半导体

小信号齐纳二极管

特点

节省空间

密封的密封件

电气数据相同的设备

BZT55..series ， TZM..series

适合到SOD- 323

非常尖锐的反向特性

低反向电流水平

非常高的稳定性

单位

V

mA

主要特征

参数

V

Z

范围NOM 。

测试电流I

ZT

V

Z

规范

诠释。施工

价值

2.4 75

2.5; 5

脉冲电流

单身

- 低噪声

AEC- Q101标准

符合RoHS指令2002/95 / EC和

根据WEEE指令2002/96 / EC

无卤素，符合IEC 61249-2-21定义

应用

电压稳定

订购信息

设备名称

BZM55-series

订购代码

BZM55-series-TR3

BZM55-series-TR

每卷胶带单位

10 000（ 13"上排8毫米磁带）

2500 （上7"卷轴8mm带）

最小起订量

10 000

12 500

包

包名称

MicroMELF

重量

12毫克

模塑料湿度敏感度

可燃性等级

水平

符合UL 94 V -0

MSL等级1

（根据J- STD- 020 ）

焊接

条件

260 ℃/ 10秒，在终端

绝对最大额定值

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

参数

功耗

结到环境空气

结领带点

结温

存储温度范围

齐纳电流

正向电压

I

F

= 200毫安

测试条件

R

thJA

300 K / W

安装在环氧树脂玻璃硬组织，图1

35微米的铜包铝， 0.9毫米

2

每个铜面积

电极

符号

P

合计

R

thJA

R

thJL

T

j

T

英镑

I

Z

V

F

价值

500

300

175

- 65 + 175

P

合计

/V

Z

1.5

单位

mW

K / W

°C

mA

V

2.1版， 25 -NOV- 11

文档编号： 85597

1

您所在区域内的技术问题：

DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com

本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档

受到特定的免责声明，阐明的AT

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BZM55-Series

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威世半导体

TEST

当前

I

ZT1

mA

I

ZT2

反向漏

当前

I

R

在V

R

在T

AMB

=在T

AMB

=

25 °C

125 °C

μA

1

0.5

＆ LT ; 50

＆ LT ; 10

<4

<2

<1

＆ LT ; 0.5

＆ LT ; 0.1

＆ LT ; 100

＆ LT ; 50

＆ LT ; 40

＆ LT ; 20

＆ LT ; 10

<2

<5

＆ LT ; 10

V

马克斯。

5

2.5

1

2

3

5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

< 85

＆ LT ; 90

< 80

< 60

＆ LT ; 40

＆ LT ; 10

<8

<7

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

< 26

＆ LT ;三十

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 55

< 80

＆ LT ; 90

110

125

135

150

200

250

动态

阻力

Z

在我

ZT1

Z

ZK

在我

ZT2

TK

VZ

%/K

马克斯。

＆ LT ; 600

＆ LT ; 550

＆ LT ; 450

＆ LT ; 200

＆ LT ; 150

＆ LT ; 50

< 70

＆ LT ; 90

< 110

< 170

< 220

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 700

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

分钟。

- 0.09

- 0.08

-0.08

- 0.08

- 0.06

- 0.05

- 0.02

- 0.05

0.03

0.04

马克斯。

- 0.06

- 0.05

- 0.03

0.02

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

0.1

0.11

0.12

温度

系数

电气特性

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

齐纳电压

范围

(1)

产品型号

V

Z

在我

ZT1

V

分钟。

BZM55C2V4

BZM55C2V7

BZM55C3V0

BZM55C3V3

BZM55C3V6

BZM55C3V9

BZM55C4V3

BZM55C4V7

BZM55C5V1

BZM55C5V6

BZM55C6V2

BZM55C6V8

BZM55C7V5

BZM55C8V2

BZM55C9V1

BZM55C10

BZM55C11

BZM55C12

BZM55C13

BZM55C15

BZM55C16

BZM55C18

BZM55C20

BZM55C22

BZM55C24

BZM55C27

BZM55C30

BZM55C33

BZM55C36

BZM55C39

BZM55C43

BZM55C47

BZM55C51

BZM55C56

BZM55C62

BZM55C68

BZM55C75

2.28

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

喃。

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

马克斯。

2.56

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5

5.4

6

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

79

F = 1千赫

笔记

电压组9V1的附加测量到75在95 ％V

ZMIN 。

35 nA的在T

j

= 25 °C

(1)

t

10毫秒，T / T > 1000

p

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2

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威世半导体

TEST

当前

I

ZT1

mA

I

ZT2

反向漏

当前

I

R

在V

R

在T

AMB

=在T

AMB

=

25 °C

125 °C

μA

1

0.5

＆ LT ; 50

＆ LT ; 10

<4

<2

<1

＆ LT ; 0.5

＆ LT ; 0.1

＆ LT ; 100

＆ LT ; 50

＆ LT ; 40

＆ LT ; 20

＆ LT ; 10

<2

<5

＆ LT ; 10

V

马克斯。

5

2.5

1

2

3

5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

< 85

＆ LT ; 90

< 80

< 60

＆ LT ; 40

＆ LT ; 10

<8

<7

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

< 26

＆ LT ;三十

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 55

< 80

＆ LT ; 90

< 110

＆ LT ; 125

＆ LT ; 135

＆ LT ; 150

＆ LT ; 200

＆ LT ; 250

动态

阻力

Z

在我

ZT1

Z

ZK

在我

ZT2

TK

VZ

%/K

马克斯。

＆ LT ; 600

＆ LT ; 550

＆ LT ; 450

＆ LT ; 200

＆ LT ; 150

＆ LT ; 50

< 70

＆ LT ; 90

< 110

< 170

< 220

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 700

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

分钟。

- 0.09

- 0.08

- 0.06

- 0.05

- 0.02

- 0.05

0.03

0.04

马克斯。

- 0.06

- 0.05

- 0.03

0.02

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

0.1

0.11

0.12

温度

系数

电气特性

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

齐纳电压

范围

(1)

产品型号

V

Z

在我

ZT1

V

分钟。

BZM55B2V4

BZM55B2V7

BZM55B3V0

BZM55B3V3

BZM55B3V6

BZM55B3V9

BZM55B4V3

BZM55B4V7

BZM55B5V1

BZM55B5V6

BZM55B6V2

BZM55B6V8

BZM55B7V5

BZM55B8V2

BZM55B9V1

BZM55B10

BZM55B11

BZM55B12

BZM55B13

BZM55B15

BZM55B16

BZM55B18

BZM55B20

BZM55B22

BZM55B24

BZM55B27

BZM55B30

BZM55B33

BZM55B36

BZM55B39

BZM55B43

BZM55B47

BZM55B51

BZM55B56

BZM55B62

BZM55B68

BZM55B75

2.35

2.64

2.94

3.24

3.52

3.82

4.22

4.6

5

5.48

6.08

6.66

7.35

8.04

8.92

9.8

10.78

11.76

12.74

14.7

15.7

17.64

19.6

21.55

23.5

26.4

29.4

32.4

35.3

38.2

42.1

46.1

50

54.9

60.8

66.6

73.5

喃。

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

马克斯。

2.45

2.76

3.06

3.36

3.68

3.98

4.38

4.8

5.2

5.72

6.32

6.94

7.65

8.36

9.28

10.2

11.22

12.24

13.26

15.3

16.3

18.36

20.4

22.45

24.5

27.6

30.6

33.6

36.7

39.8

43.9

47.9

52

57.1

63.2

69.4

76.5

F = 1千赫

笔记

电压组9V1的附加测量到75在95 ％V

ZMIN 。

35 nA的在T

j

= 25 °C

(1)

t

10毫秒，T / T > 1000

p

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3

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基本特征

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

600

500

400

300

200

100

0

95 9602

威世半导体

P

合计

- 总功率耗散（ mW）的

200

C

D

- 二极管电容（pF ）

150

V

R

= 2

V

T

j

= 25 °C

100

50

0

80

120

160 200

40

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

0

95 9601

5

10

15

20

25

V

Z

- z - 电压（V）

图。 1 -

总功率耗散与环境温度

图。 4 -

二极管电容与Z-电压

1000

1.3

V

ZTN

- 相对电压变化

V

ZTN

= V

Zt

/V

Z

(25 °C)

1.2

TK

VZ

= 10 x 10

-4

/K

8 x 10

-4

/K

6 x 10

-4

/K

4 x 10

-4

/K

2 x 10

-4

/K

V

Z

-

电压

CHANGE （MV ）

T

j

= 25 °C

100

1.1

I

Z

= 5毫安

10

1.0

0.9

0

- 2 x 10

-4

/K

- 4 x 10

-4

/K

1

0

95 9598

0.8

5

10

15

20

25

95 9599

- 60

0

60

120

180

240

V

Z

- z - 电压（V）

T

j

- 结温（ ° C）

图。 2 - 工作电压下工作的典型变化

在T条件

AMB

=25°C

图。 5 -

工作电压与典型的变化

结温

15

100

TK

VZ

- 温度系数

of

V

Z

(10

-4

/K)

I

F

- 正向电流（mA ）

10

T

j

= 25 °C

1

5

I

Z

= 5毫安

0

0.1

0.01

-5

0.001

0

95 9600

10

20

30

40

50

95 9605

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

Z

- z - 电压（V）

V

F

- 前进

电压

(V)

图。 3 -

Vz的温度系数与Z-电压

图。 6 -

正向电流与正向电压

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威世半导体

100

0.71

0.152

1.3

1.27

80

I

Z

- Z-电流（mA ）

60

25

0.355

40

10

20

2.5

0

95 9604

0

4

6

8

12

20

95 10329

24

V

Z

- z - 电压（V）

图。 7 -

Z-电流与Z-电压

图。 10 - 董事会对R

thJA

定义（单位mm）

50

P

合计

= 500毫瓦

T

AMB

= 25 °C

再溢流焊接

40

I

Z

- Z-电流（mA ）

30

1.2

20

10

0.8

15

20

25

30

35

16773

0.8

2.4

0.8

0

95 9607

V

Z

- z - 电压（V）

图。 8 -

Z-电流与Z-电压

图。 11 -

推荐的脚垫（单位mm）

1000

r

Z

- 微分Z-电阻（Ω ）

WAVE

焊接

I

Z

= 1毫安

100

5毫安

10 10毫安

1.4

0.9

1

0

5

10

15

T

j

= 25 °C

20

25

16774

1.0

2.8

0.9

95 9606

V

Z

- z - 电压（V）

图。 9 -

差分Z-电阻与Z-电压

图。 12 -

推荐的脚垫（单位mm）

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5

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9.9

P

合计

= 500毫瓦

T

AMB

= 25 °C