BZM55-Series
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
节省空间
密封的密封件
电气数据相同的设备
BZT55..Series/TZM..Series
适合到SOD- 323 / SOD- 110的脚印
非常尖锐的反向特性
低反向电流水平
非常高的稳定性
- 低噪声
有严格的公差
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
符合IEC 61249-2-21无卤素
德网络nition
9612315
机械数据
案例：
MicroMELF
重量：
约。 12毫克
包装代码/选项：
TR / 2.5 每7"卷轴， 12.5 K /盒
每13"卷轴TR3 / 10 K， 10 K /盒
应用
电压稳定
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
功耗
Z-电流
结温
存储温度范围
测试条件
R
thJA
≤
300 K / W
符号
P
V
I
Z
T
j
T
英镑
价值
500
P
V
/V
Z
175
- 65 + 175
单位
mW
mA
°C
°C
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结到环境空气
结领带点
测试条件
安装在环氧树脂 - 玻璃硬
组织，图1
35微米的铜包铝， 0.9毫米
2
每个电极铜面积
符号
R
thJA
R
thJL
价值
500
300
单位
K / W
K / W
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 200毫安
符号
V
F
分钟。
典型值。
马克斯。
1.5
单位
V
文档编号85597
2.0版本， 26 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
BZM55-Series
威世半导体
电气特性
BZM55C..
齐纳电压
范围
产品型号
1)
动态
阻力
r
ZJT
at
I
ZT
,
F = 1kHz时
Ω
r
张家口
at
I
ZK
,
F = 1kHz时
TEST
当前
I
ZT
mA
温度
系数
TK
VZ
%/K
分钟。
马克斯。
- 0.06
- 0.06
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.03
0.02
0.02
0.05
0.06
0.07
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
- 0.09
- 0.09
- 0.08
- 0.08
-0.08
- 0.08
- 0.06
- 0.05
- 0.02
- 0.05
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
TEST
当前
I
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
反向漏电流
I
R
I
R
在T
AMB
在T
AMB
= 25 °C = 150 °C
A
＆ LT ; 50
＆ LT ; 10
<4
<2
<2
<2
<1
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 100
＆ LT ; 50
＆ LT ; 40
＆ LT ; 40
＆ LT ; 40
＆ LT ; 40
＆ LT ; 20
＆ LT ; 10
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<5
<5
<5
＆ LT ; 10
＆ LT ; 10
＆ LT ; 10
＆ LT ; 10
＆ LT ; 10
V
Z
在我
ZT
V
分钟。
马克斯。
2.56
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
0.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
在V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
BZM55C2V4
BZM55C2V7
BZM55C3V0
BZM55C3V3
BZM55C3V6
BZM55C3V9
BZM55C4V3
BZM55C4V7
BZM55C5V1
BZM55C5V6
BZM55C6V2
BZM55C6V8
BZM55C7V5
BZM55C8V2
BZM55C9V1 *
BZM55C10 *
BZM55C11 *
BZM55C12 *
BZM55C13 *
BZM55C15 *
BZM55C16 *
BZM55C18 *
BZM55C20 *
BZM55C22 *
BZM55C24 *
BZM55C27 *
BZM55C30 *
BZM55C33 *
BZM55C36 *
BZM55C39 *
BZM55C43 *
BZM55C47 *
BZM55C51 *
BZM55C56 *
BZM55C62 *
BZM55C68 *
BZM55C75 *
2.28
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
< 85
< 85
＆ LT ; 90
＆ LT ; 90
＆ LT ; 90
＆ LT ; 90
＆ LT ; 90
< 80
< 60
＆ LT ; 40
＆ LT ; 10
<8
<7
<7
＆ LT ; 10
＆ LT ; 15
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
< 26
＆ LT ;三十
＆ LT ; 40
＆ LT ; 50
＆ LT ; 55
＆ LT ; 55
< 80
< 80
< 80
< 80
< 80
＆ LT ; 90
＆ LT ; 90
110
125
135
150
200
250
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 550
＆ LT ; 450
＆ LT ; 200
＆ LT ; 150
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
< 70
< 70
＆ LT ; 90
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 700
＆ LT ; 700
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1500
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
注意事项：
1)
t
p
≤
10毫秒，T / T
p
＆ GT ; 1000
*)
电压组9V1的其它附加测量到75％ ，在95 ％的V
ZMIN 。
≤
35 nA的在T
j
25 °C
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85597
2.0版本， 26 - 8 - 10
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
BZM55-Series
威世半导体
电气特性
BZM55B..
齐纳电压
范围
产品型号
1)
动态
阻力
r
ZJT
at
I
ZT
,
F = 1kHz时
Ω
r
张家口
at
I
ZK
,
F = 1kHz时
TEST
当前
I
ZT
mA
温度
系数
TK
VZ
%/K
分钟。
马克斯。
- 0.06
- 0.06
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.03
0.02
0.02
0.05
0.06
0.07
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
- 0.09
- 0.09
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.06
- 0.05
- 0.02
- 0.05
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
TEST
当前
I
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
反向漏电流
I
R
at
T
AMB
=
25 °C
A
＆ LT ; 50
＆ LT ; 10
<4
<2
<2
<2
<1
＆ LT ; 0.5
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 100
＆ LT ; 50
＆ LT ; 40
＆ LT ; 40
＆ LT ; 40
＆ LT ; 40
＆ LT ; 20
＆ LT ; 10
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<5
<5
<5
＆ LT ; 10
＆ LT ; 10
＆ LT ; 10
＆ LT ; 10
＆ LT ; 10
I
R
at
T
AMB
=
150 °C
V
Z
在我
ZT
V
分钟。
马克斯。
2.45
2.76
3.06
3.36
3.68
3.98
4.38
4.80
5.20
5.72
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.20
11.22
12.24
13.26
15.30
16.30
18.36
20.40
22.45
24.5
27.6
30.6
33.6
36.7
39.8
43.9
47.9
52.0
57.1
63.2
69.4
76.5
在V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
BZM55B2V4
BZM55B2V7
BZM55B3V0
BZM55B3V3
BZM55B3V6
BZM55B3V9
BZM55B4V3
BZM55B4V7
BZM55B5V1
BZM55B5V6
BZM55B6V2
BZM55B6V8
BZM55B7V5
BZM55B8V2
BZM55B9V1 *
BZM55B10 *
BZM55B11 *
BZM55B12 *
BZM55B13 *
BZM55B15 *
BZM55B16 *
BZM55B18 *
BZM55B20 *
BZM55B22 *
BZM55B24 *
BZM55B27 *
BZM55B30 *
BZM55B33 *
BZM55B36 *
BZM55B39 *
BZM55B43 *
BZM55B47 *
BZM55B51 *
BZM55B56 *
BZM55B62 *
BZM55B68 *
BZM55B75 *
2.35
2.64
2.94
3.24
3.52
3.82
4.22
4.6
5
5.48
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.78
11.76
12.74
14.7
15.7
17.64
19.6
21.55
23.5
26.4
29.4
32.4
35.3
38.2
42.1
46.1
50
54.9
60.8
66.6
73.5
< 85
< 85
＆ LT ; 90
＆ LT ; 90
＆ LT ; 90
＆ LT ; 90
＆ LT ; 90
< 80
< 60
＆ LT ; 40
＆ LT ; 10
<8
<7
<7
＆ LT ; 10
＆ LT ; 15
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
< 26
＆ LT ;三十
＆ LT ; 40
＆ LT ; 50
＆ LT ; 55
＆ LT ; 55
< 80
< 80
< 80
< 80
< 80
＆ LT ; 90
＆ LT ; 90
< 110
＆ LT ; 125
＆ LT ; 135
＆ LT ; 150
＆ LT ; 200
＆ LT ; 250
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 550
＆ LT ; 450
＆ LT ; 200
＆ LT ; 150
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
< 70
< 70
＆ LT ; 90
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 700
＆ LT ; 700
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1500
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
注意事项：
1)
t
p
≤
10毫秒，T / T
p
＆ GT ; 1000
*)
电压组9V1的其它附加测量到75％ ，在95 ％的V
ZMIN 。
≤
35 nA的在T
j
25 °C
文档编号85597
2.0版本， 26 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
3
BZM55-Series
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
600
500
400
300
200
100
0
0
95 9602
200
C
D
- 二极管电容（pF ）
150
V
R
= 2
V
T
j
= 25 °C
100
50
0
80
120
160
40
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
200
95 9601
0
5
10
15
20
25
V
Z
- z - 电压（V）
图1.总功率耗散与环境温度
图4.二极管电容与Z-电压
1000
1.3
V
ZTN
- 相对电压变化
V
ZTN
= V
Zt
/V
Z
(25 °C)
1.2
TK
VZ
= 10 x 10
-4
/K
8 x 10
-4
/K
6 x 10
-4
/K
4 x 10
-4
/K
2 x 10
-4
/K
V
Z
-
电压
CHANGE （MV ）
T
j
= 25 °C
100
1.1
I
Z
= 5毫安
10
1.0
0.9
0.8
0
- 2 x 10
-4
/K
- 4 x 10
-4
/K
1
0
95 9598
5
10
15
20
25
95 9599
- 60
0
60
120
180
240
V
Z
- z - 电压（V）
T
j
- 结温（ ° C）
工作电压下运行图2.典型的变化
在T条件
AMB
=25°C
15
工作电压与图5.典型的变化
结温
100
TK
VZ
- 温度系数
of
V
Z
(10
-4
/K)
I
F
- 正向电流（mA ）
10
10
T
j
= 25 °C
1
5
I
Z
= 5毫安
0
0.1
0.01
-5
0.001
0
95 9600
10
20
30
40
50
95 9605
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
Z
- z - 电压（V）
V
F
- 前进
电压
(V)
Vz的图3.温度系数与Z-电压
图6.正向电流与正向电压
www.vishay.com
4
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85597
2.0版本， 26 - 8 - 10
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
BZM55-Series
威世半导体
100
0.71
0.152
1.3
1.27
80
I
Z
- Z-电流（mA ）
60
25
0.355
40
10
20
2.5
0
95 9604
0
4
6
8
12
20
95 10329
24
V
Z
- z - 电压（V）
图7. Z-电流与Z-电压
图10.董事会对R
thJA
定义（单位mm）
50
P
合计
= 500毫瓦
T
AMB
= 25 °C
再溢流焊接
40
I
Z
- Z-电流（mA ）
30
1.2
20
10
0.8
15
20
25
30
35
16773
0.8
2.4
0.8
0
95 9607
V
Z
- z - 电压（V）
图8. Z-电流与Z-电压
图11.推荐的脚垫（单位mm）
1000
r
Z
- 微分Z-电阻（Ω ）
WAVE
焊接
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
10 10毫安
1.4
0.9
1
0
5
10
15
T
j
= 25 °C
20
25
16774
1.0
2.8
0.9
95 9606
V
Z
- z - 电压（V）
图9.差分Z-电阻与Z-电压
图12.推荐的脚垫（单位mm）
文档编号85597
2.0版本， 26 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
5
9.9
P
合计
= 500毫瓦
T
AMB
= 25 °C
BZM55-Series
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
节省空间
密封的密封件
e2
电气数据相同的设备
BZT55..Series / TZM..Series
适合到SOD323 / SOD110脚印
非常尖锐的反向特性
低反向电流水平
非常高的稳定性
- 低噪声
有严格的公差
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
9612315
应用
电压稳定
机械数据
案例：
MicroMELF
重量：
约。 12毫克
包装代码/选项：
TR / 2.5 每7"卷轴， 12.5 K /盒
每13"卷轴TR3 / 10 K， 10 K /盒
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
功耗
Z-电流
结温
存储温度范围
测试条件
R
thJA
≤
300 K / W
符号
P
V
I
Z
T
j
T
英镑
价值
500
P
V
/V
Z
175
- 65 + 175
单位
mW
mA
°C
°C
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结到环境空气
结领带点
测试条件
安装在环氧树脂 - 玻璃硬
组织，图1
35微米的铜包铝， 0.9毫米
2
每个电极铜面积
符号
R
thJA
R
thJL
价值
500
300
单位
K / W
K / W
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 200毫安
符号
V
F
民
典型值。
最大
1.5
单位
V
文档编号85597
修订版1.9 ， 10 -MAR -06
www.vishay.com
1
QQ：2881677436 复制
