BZD27系列
新产品
威世半导体
原通用半导体
V
Z
范围
3.6 200V
TVS V
WM
范围
6.2 160V
功耗
2.3W
齐纳二极管
DO- 219AB （ SMF ）
阴极带
顶视图
1.8
±
0.1
1.0
±
0.2
5
°
0.98
±
0.1
5
°
详细信息
Z
扩大
Z
2.8
±
0.1
0.05 - 0.30
摊晒
TEN
Pa
贴装焊盘布局
1.6
1.2
0.60
±
0.25
1.2
单位：毫米
0.00 – 0.10
3.7
±
0.2
机械数据
案例：
JEDEC DO -219塑料外壳
重量：
约。 0.01克
包装代码选项：
13元“卷（ 8mm带） ， 50K /箱G1-10K
每7 “卷轴（8毫米磁带） ， 30K /箱G2-3K
特点
硅平面功率齐纳二极管。
薄型表面贴装封装。
齐纳二极管和TVS规范。
最大额定值和热特性
参数
在T功耗
L
= 105°C
在T功耗
A
= 25°C
非重复性峰值脉冲功率耗散
与100μs的方波脉冲
(2)
非重复性峰值脉冲功率耗散
10 / 1000μs波（ BZ027 - C7V5到-C200 ）
(2)
热阻结到环境空气
(1)
热电阻交界处领导
最高结温
存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）安装在环氧玻璃PCB用3 x 3mm的铜垫（ ≥ 40微米厚）
(2) T
J
= 25°暴涨之前
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
P
合计
P
合计
P
ZSM
P
RSM
R
θJA
R
θJL
T
j
T
S
价值
2.3
0.8
(1)
300
150
188
30
175
-65到+175
单位
W
W
W
W
° C / W
° C / W
°C
°C
文档编号88311
06-May-02
www.vishay.com
1
BZD27系列
新产品
威世半导体
原通用半导体
V
Z
范围
3.6 200V
TVS V
WM
范围
6.2 160V
功耗
2.3W
齐纳二极管
DO- 219AB （ SMF ）
阴极带
顶视图
1.8
±
0.1
1.0
±
0.2
5
°
0.98
±
0.1
5
°
详细信息
Z
扩大
Z
2.8
±
0.1
0.05 - 0.30
摊晒
TEN
Pa
贴装焊盘布局
1.6
1.2
0.60
±
0.25
1.2
单位：毫米
0.00 – 0.10
3.7
±
0.2
机械数据
案例：
JEDEC DO -219塑料外壳
重量：
约。 0.01克
包装代码选项：
13元“卷（ 8mm带） ， 50K /箱G1-10K
每7 “卷轴（8毫米磁带） ， 30K /箱G2-3K
特点
硅平面功率齐纳二极管。
薄型表面贴装封装。
齐纳二极管和TVS规范。
最大额定值和热特性
参数
在T功耗
L
= 105°C
在T功耗
A
= 25°C
非重复性峰值脉冲功率耗散
与100μs的方波脉冲
(2)
非重复性峰值脉冲功率耗散
10 / 1000μs波（ BZ027 - C7V5到-C200 ）
(2)
热阻结到环境空气
(1)
热电阻交界处领导
最高结温
存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）安装在环氧玻璃PCB用3 x 3mm的铜垫（ ≥ 40微米厚）
(2) T
J
= 25°暴涨之前
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
P
合计
P
合计
P
ZSM
P
RSM
R
θJA
R
θJL
T
j
T
S
价值
2.3
0.8
(1)
300
150
188
30
175
-65到+175
单位
W
W
W
W
° C / W
° C / W
°C
°C
文档编号88311
06-May-02
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