BZB84系列
双齐纳二极管
牧师03 - 2009年6月9日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
采用SOT23通用的齐纳二极管（ TO- 236AB ）小型表面贴装
器件（SMD ）塑料封装。
1.2产品特点
I
非重复性峰值反向功率
功耗：
≤
40 W
I
总功耗：
≤
300毫瓦
I
两个公差系列：
B =
±2
％和C =
±5
%
I
工作电压范围宽：
标称2.4 V至75 V （ E24范围）
I
适用于小塑料包
表面安装设计
I
双共阳极CON组fi guration
I
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
I
一般调节功能
1.4快速参考数据
表1中。
符号
每二极管
V
F
P
ZSM
[1]
[2]
快速参考数据
参数
正向电压
非重复性峰值反向
功耗
条件
I
F
= 10毫安
[1]
[2]
民
-
-
典型值
-
-
最大
0.9
40
单位
V
W
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
t
p
= 100
s;
方波;牛逼
j
= 25
°C
暴涨前
恩智浦半导体
BZB84系列
双齐纳二极管
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
钉扎
描述
阴极（二极管1 ）
阴极（二极管2 ）
共阳极
1
2
3
3
简化的轮廓
图形符号
1
2
006aaa154
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BZB84 - B2V4到
BZB84-C75
[1]
[1]
类型编号
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
-
该系列由74种标称工作电压为2.4 V至75 V.
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
[1]
V9*
VA *
VB *
VC *
VD *
VE *
VF *
VG *
VH *
VK *
VL *
VM *
VN *
VP *
VR *
类型编号
BZB84-C2V4
BZB84-C2V7
BZB84-C3V0
BZB84-C3V3
BZB84-C3V6
BZB84-C3V9
BZB84-C4V3
BZB84-C4V7
BZB84-C5V1
BZB84-C5V6
BZB84-C6V2
BZB84-C6V8
BZB84-C7V5
BZB84-C8V2
BZB84-C9V1
标识代码
[1]
U9*
UA *
UB *
UC *
UD *
UE *
用友*
UG *
UH *
英国*
UL *
UM *
UN *
UP *
UR *
类型编号
BZB84-B2V4
BZB84-B2V7
BZB84-B3V0
BZB84-B3V3
BZB84-B3V6
BZB84-B3V9
BZB84-B4V3
BZB84-B4V7
BZB84-B5V1
BZB84-B5V6
BZB84-B6V2
BZB84-B6V8
BZB84-B7V5
BZB84-B8V2
BZB84-B9V1
BZB84_SER_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
BZB84系列
双齐纳二极管
标记代码
- 续
标识代码
[1]
VS *
VT *
VU *
VV*
VW *
PT *
PU *
RP *
PV *
PW *
PX *
PY *
PZ *
RA *
RB *
RC *
RD *
RE *
RF *
RG *
RH *
RJ *
类型编号
BZB84-C10
BZB84-C11
BZB84-C12
BZB84-C13
BZB84-C15
BZB84-C16
BZB84-C18
BZB84-C20
BZB84-C22
BZB84-C24
BZB84-C27
BZB84-C30
BZB84-C33
BZB84-C36
BZB84-C39
BZB84-C43
BZB84-C47
BZB84-C51
BZB84-C56
BZB84-C62
BZB84-C68
BZB84-C75
标识代码
[1]
美国*
UT *
UU*
UV *
UW *
PB *
PC *
RQ *
PD *
PE *
pF的*
PG *
pH值*
PJ *
PK *
PL *
PM *
PN *
PP*
PQ *
PR *
PS *
表4 。
类型编号
BZB84-B10
BZB84-B11
BZB84-B12
BZB84-B13
BZB84-B15
BZB84-B16
BZB84-B18
BZB84-B20
BZB84-B22
BZB84-B24
BZB84-B27
BZB84-B30
BZB84-B33
BZB84-B36
BZB84-B39
BZB84-B43
BZB84-B47
BZB84-B51
BZB84-B56
BZB84-B62
BZB84-B68
BZB84-B75
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
I
F
I
ZSM
正向电流
非重复性峰值
反向电流
非重复性峰值
反向功率耗散
[1]
参数
条件
民
-
-
最大
200
SEE
表8,9
10
和
11
40
单位
mA
P
ZSM
[1]
-
W
BZB84_SER_3
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恩智浦半导体
BZB84系列
双齐纳二极管
表5 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每个器件
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
参数
总功耗
结温
环境温度
储存温度
条件
T
AMB
≤
25
°C
[2]
民
-
-
55
65
最大
300
150
+150
+150
单位
mW
°C
°C
°C
t
p
= 100
s;
方波;牛逼
j
= 25
°C
暴涨前
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结点到焊点
条件
在自由空气
[1]
民
-
-
典型值
-
-
最大
417
100
单位
K / W
K / W
每台设备;单二极管装
[2]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
焊接点，引脚1和2 。
7.特点
表7中。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
[1]
参数
正向电压
条件
I
F
= 10毫安
[1]
民
-
典型值
-
最大
0.9
单位
V
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
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恩智浦半导体
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双齐纳二极管
表8 。
每种类型的特点; BZB84 - B2V4到BZB84 -B24
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
BZB84-
Bxxx
工作电压
V
Z
(V)
迪FF erential
阻力
r
DIF
()
I
Z
= 5毫安
民
2V4
2V7
3V0
3V3
3V6
3V9
4V3
4V7
5V1
5V6
6V2
6V8
7V5
8V2
9V1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
[1]
[2]
反向电流温度
COEF网络cient
I（ μA ）
R
S
Z
（毫伏/ K）的
I
Z
= 5毫安
最大
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.70
0.50
0.20
0.10
0.10
0.10
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
(V)
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
民
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
2.7
2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
最大
0
0
0
0
0
0
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
13.0
14.0
16.0
18.0
20.0
22.0
二极管
不重复
电容反向峰值
当前
C（ pF）的
[1]
d
I
ZSM
(A)
[2]
I
Z
= 1毫安我
Z
= 5毫安
最大
2.45
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
5.20
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.20
11.20
12.20
13.30
15.30
16.30
18.40
20.4
22.4
24.5
最大
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
最大
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
最大
450
450
450
450
450
450
450
300
300
300
200
200
150
150
150
90
85
85
80
75
75
70
60
60
55
最大
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
3.0
3.0
2.5
2.5
2.5
2.0
1.5
1.5
1.5
1.25
1.25
2.35
2.65
2.94
3.23
3.53
3.82
4.21
4.61
5.00
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.80
10.80
11.80
12.70
14.70
15.70
17.60
19.6
21.6
23.5
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
t
p
= 100
s;
方波;牛逼
j
= 25
°C
暴涨前
BZB84_SER_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年6月9日
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