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SMBYW04-200
BYW4200B
高效率快恢复二极管
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
V
F
(最大)
Tj max的
4A
200 V
0.85 V
150 °C
4
3
2
4 ( TAB )
特点和优点
适用于开关电源和驱动器
表面贴装封装
非常低正向损失
开关损耗极小
高浪涌电流能力
描述
单芯片整流器适用于开关模式电源
电源和高频转换器。
包装DPAK和SMC ,这个表面贴装
设备旨在用于在低电压,高
高频逆变器,续流和整改
应用程序。
绝对额定值
(限制值)
符号
V
RRM
I
F( RMS )
I
F( AV )
I
FSM
TSTG
Tj
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向电流
δ
= 0.5
浪涌不重复正向电流
存储温度范围
最大工作结温
DPAK
SMC
TCASE = 130℃
Tlead = 70℃
TP = 10毫秒
正弦
价值
200
10
4
70
- 65至+ 150
150
单位
V
A
A
A
°C
°C
2
1(nc)
3
DPAK
BYW4200B
SMC
( JEDEC DO- 214AB )
SMBYW04-200
1999年10月 - 埃德: 4C
1/6
SMBYW04-200 / BYW4200B
热阻
符号
R
日(J -C )
R
号(j -1)的
参数
结到外壳
结到引线
DPAK
SMC
价值
5
20
单位
° C / W
° C / W
静态电气特性
符号
I
R
*
V
F
**
测试条件
反向漏电流
正向电压降
* TP = 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
** TP = 380
s, δ
& LT ; 2 %
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = 25°C
TJ = 100℃
I
F
= 12 A
I
F
= 4 A
V
R
= V
RRM
分钟。
典型值。
0.15
0.8
马克斯。
10
0.5
1.25
0.85
单位
A
mA
V
脉冲测试:
为了评估损失使用下面的方程的最大导通:
P = 0.7 ×1
F( AV )
+ 0.037 I
F2(RMS)
恢复特性
符号
t
rr
t
fr
V
FP
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
测试条件
I
F
= 1A
V
F
= 30V
I
F
= 4A
V
FR
= 1.1× V
F
最大
I
F
= 4A
dI
F
/ DT = -50 A / μs的
dI
F
/ DT = -50 A / μs的
dI
F
/ DT = -50 A / μs的
分钟。
典型值。
26
20
5
马克斯。
35
单位
ns
ns
V
图。 1 :
正向平均功耗与
平均正向电流。
PF (AV) (W)的
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.0 0.5 1.0
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ=1
图。 2 :
峰电流与外形。
IM ( A)
20
18
16
14
12
10
8
6
P=1.0W
4
P=1.5W
2
0
0.0 0.1 0.2
T
δ
= TP / T
P=2.0W
tp
P=2.5W
T
IF ( AV ) (A )
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
δ
= TP / T
tp
δ
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
4.0
4.5
5.0
2/6
SMBYW04-200 / BYW4200B
图。 3 :
平均正向电流与环境
温度( δ = 0.5) 。
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
IF ( AV ) (A )
SMC
Rth的第(j-一)= Rth的第(j-升)
DPAK
RTH ( J- A)=的Rth (J -C )
图。 4 :
正向压降与前进
电流(最大值) 。
70.0
IFM ( A)
Tj=100°C
(典型值)
10.0
Tj=100°C
Rth(j-a)=75°C/W
Tj=25°C
1.0
T
δ
= TP / T
tp
TAMB ( ° C)
50
75
100
125
150
VFM ( V)
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
25
图。 5-1 :
不重复浪涌峰值正向电流
与过载时间( SMBYW04-200 ) 。
12
10
8
Ta=25°C
图。 5-2 :
不重复浪涌峰值正向电流
与过载时间( BYW4200B ) 。
IM ( A)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
I
M
5
0
1E-3
IM ( A)
Tc=125°C
6
4
2
1E-3
I
M
t
Ta=50°C
Tc=75°C
t
δ
=0.5
T( S)
δ
=0.5
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
1E-2
1E-1
1E+0
图。 6-1 :
热阻抗交界处变化
环境与脉冲持续时间(建议垫
布局,环氧树脂FR4 , E(铜) = 35微米) ( SMBYW04-200 ) 。
第i个第(j-一) / Rth的第(j-一)
1.00
δ
= 0.5
δ
= 0.2
图。 6-2 :
热阻抗变化结
到外壳与脉冲持续时间( BYW4200B ) 。
1.0
第Z (J -C ) / Rth的(J -C )
δ
= 0.5
0.5
δ
= 0.2
0.10
δ
= 0.1
单脉冲
δ
= 0.1
T
0.2
单脉冲
T
TP (多个)
0.01
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
δ
= TP / T
tp
TP (多个)
0.1
1E-3
1E-2
1E-1
δ
= TP / T
tp
1E+2
5E+2
1E+0
3/6
SMBYW04-200 / BYW4200B
图。 7 :
反向恢复电流对的dI
F
/ DT 。
IRM ( A)
IF = IF ( AV)
90%的置信
图。 8 :
反向恢复时间对的dI
F
/ DT 。
TRR ( NS )
IF = IF ( AV)
90%的置信
2.5
2.0
1.5
1.0
Tj=100°C
Tj=25°C
0.5
DIF / DT ( A / μs)内
0.0
1
10
100
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Tj=100°C
Tj=25°C
DIF / DT ( A / μs)内
1
10
100
图。 9 :
结电容与反向
电压施加(典型值)。
100
C( pF)的
F=1MHz
Tj=25°C
图。 10 :
动态参数与结
温度。
%
250
IF=4A
dIF/dt=50A/s
VR=30V
QRR
50
200
IRM
20
VR ( V)
10
1
10
100
200
150
TRR
100
25
TJ ( ° C)
50
75
100
125
150
图。 11-1 :
热阻结到环境
相对于在每个铅(环氧铜表面
印刷电路板FR4,铜厚度:
35毫米) ( SMBYW04-200 ) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0 0.5 1.0 1.5
图。 11-2 :
热阻结到环境
与选项卡下的铜表面(环氧树脂印刷
电路板FR4 ,铜厚度: 35毫米)
(BYW4200B).
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
S(铜)(平方厘米)
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
S(铜)(平方厘米)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
4/6
SMBYW04-200 / BYW4200B
包装机械数据
DPAK
尺寸
REF 。
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
E
G
H
L2
L4
V2
MILLIMETERS
分钟。
最大
2.20
2.40
0.90
1.10
0.03
0.23
0.64
0.90
5.20
5.40
0.45
0.60
0.48
0.60
6.00
6.20
6.40
6.60
4.40
4.60
9.35
10.10
0.80典型。
0.60
1.00
英寸
分钟。
马克斯。
0.086
0.094
0.035
0.043
0.001
0.009
0.025
0.035
0.204
0.212
0.017
0.023
0.018
0.023
0.236
0.244
0.251
0.259
0.173
0.181
0.368
0.397
0.031典型。
0.023
0.039
FOOT PRINT
(单位:毫米)
6.7
6.7
3
3
1.6
2.3
2.3
1.6
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