飞利浦半导体
产品speci fi cation
超快速低损耗
控制雪崩整流器器
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
V
（ BR ）R
参数
正向电压
反向雪崩
击穿电压
BYW28-500
BYW28-600
I
R
反向电流
V
R
= V
RRMmax
;见图9
V
R
= V
RRMmax
; T
j
= 165
°C;
见图9
t
rr
反向恢复时间
从我开机时，
F
= 0.5 A
到我
R
= 1 ;在测
I
R
= 0.25 A;见图12
F = 1兆赫; V
R
= 0;见图10
从我开机时，
F
= 1 A到
V
R
≥
30 V和DI
F
/ DT =
1
A / μs的;
见图13
条件
I
F
= 3.5 A;牛逼
j
= T
j max的情况
;参见图8
I
F
= 3.5 A;参见图8
I
R
- 0.1毫安
560
675
分钟。
BYW28系列
典型值。
马克斯。
0.90
1.15
V
V
单位
5
150
50
V
V
A
A
ns
C
d
dI
R
--------
dt
二极管电容
反向的最大斜率
恢复电流
275
4
pF
A / μs的
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
记
1.装置安装在环氧玻璃印刷电路板， 1.5mm厚; Cu层的厚度
≥40 m,
见图11 。
欲了解更多信息，请参阅
“总则手册SC01的” 。
参数
从结热阻，以配合点
从结点到环境的热阻
注1
条件
导线长度= 10毫米
价值
20
70
单位
K / W
K / W
1997年11月26日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超快速低损耗
控制雪崩整流器器
图形数据
BYW28系列
手册， halfpage
8
MBK237
手册， halfpage
3
MBK236
IF （ AV ）
(A)
6
IF （ AV ）
(A)
2
4
1
2
0
0
40
80
120
200
160
TTP （ ° C）
0
0
40
80
120
A = 1.42 ; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5.
设备安装，如图11所示。
开关模式的应用。
160
200
TAMB （ ° C）
A = 1.42 ; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5.
开关模式的应用。
Fig.2
最大允许正向平均
当前，作为扎点温度的函数
（包括因损失反向漏） 。
Fig.3
最大允许正向平均
当前环境温度的函数的
（包括因损失反向漏） 。
手册，全页宽
50
MGL262
IFRM
(A)
40
δ
= 0.05
30
0.1
20
0.2
10
0.5
1
0
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
TP（ ms）的
10
4
T
tp
= 85
°C;
R
日J- TP
= 20 K / W 。
V
RRMmax
在1
δ;
曲线包括降额对于T
j max的情况
在V
RRM
= V
RRMmax
.
图4最大正向重复峰值电流的脉冲时间（方波脉冲）和关税因素的函数。
1997年11月26日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超快速低损耗
控制雪崩整流器器
BYW28系列
手册，全页宽
30
MBK238
IFRM
(A)
20
δ
= 0.05
0.1
10
0.2
0.5
1
0
10
-2
10
-1
1
10
10
2
10
3
10
4
TP（ ms）的
T
AMB
= 60
°C;
R
日J-一
= 70 K / W 。
V
RRMmax
在1
δ;
曲线包括降额对于T
j max的情况
在V
RRM
= V
RRMmax
.
图5.最大正向重复峰值电流的脉冲时间（方波脉冲）和关税因素的函数。
手册， halfpage
5.0
MGL261
P合计
手册， halfpage
200
MGK645
(W)
4.0
a = 3 2.5 2
1.57
1.42
Tj
(°C)
3.0
100
2.0
1.0
0
0
1
2
3
4
5
IF （ AV ） （A ）
0
0
50
VR （ ％ VRmax ）
100
一个=我
F（ RMS ）
/I
F（ AV ）
; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5.
Fig.6
最大稳态功耗
（正向加漏电流损耗，
除开关损耗），为功能
平均正向电流。
Fig.7
最大允许结温
作为反向电压的函数。
1997年11月26日
5
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