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日前，Vishay
BYW172D / 172F / 172G
威世半导体
快速雪崩二极管Sinterglass
特点
玻璃钝化结
密封包装
软恢复特性
低反向电流
949588
低正向压降
高脉冲电流能力
机械数据
案例：
SOD- 64烧结玻璃柜
终端：
镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
约。 858毫克
应用
在S.M.P.S快速整流二极管
零件表
部分
BYW172D
BYW172F
BYW172G
类型分化
V
R
= 200 V ;我
FAV
= 3 A
V
R
= 300 V ;我
FAV
= 3 A
V
R
= 400 V ;我
FAV
= 3 A
SOD-64
SOD-64
SOD-64
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压=重复
峰值反向电压
测试条件
请参阅电气特性
部分
BYW172D
BYW172F
BYW172G
峰值正向浪涌电流
平均正向电流
结存储
温度范围
非反向重复
雪崩能量
I
（ BR ）R
= 1 A
t
p
= 10毫秒，单一正弦半波
符号
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
I
FAV
T
j
= T
英镑
E
R
价值
200
300
400
100
3
- 55 + 175
20
单位
V
V
V
A
A
°C
mJ
最大热阻
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
交界处的环境
测试条件
升= 10毫米，T
L
=常数
在PC板间距
25 mm
符号
R
thJA
R
thJA
价值
25
70
单位
K / W
K / W
文档编号86096
修订版1.2 ， 12 - 8 - 04
www.vishay.com
1
BYW172D / 172F / 172G
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
反向电流
反向恢复时间
I
F
= 3 A
I
F
= 9 A
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
, T
j
= 100 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1 A，I
R
= 0.25 A
测试条件
符号
V
F
V
F
I
R
I
R
t
rr
75
民
典型值。
最大
1.1
1.5
1
20
100
日前，Vishay
单位
V
V
A
A
ns
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
R
thJA
- 千卡。抗拒。结/环境（K / W）
40
I
FAV
- 平均正向电流（ A）
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
R
thJA
= 70 K / W
PCB ： D = 25毫米
30
V
R
= V
RRM
半正弦波
R
thJA
= 25 K / W
L = 10毫米
20
l
10
l
0
0
5
10
15
T
L
=常数
20
25
30
L - 引线长度（mm ）
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
94 9466
16388
图1.最大。热敏电阻与导线长度
图3.最大。平均正向电流与环境温度
100
I
F
- 正向电流（ A）
1000
I
R
- 反向电流（
A
)
V
R
= V
RRM
10
T
j
= 175
°C
1
0.1
0.01
T
j
= 25° C
100
10
0.001
0
16387
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
16389
25
50
75
100
125
150
175
V
F
- 正向电压（ V）
T
j
- 结温（
°
C )
图2.正向电流与正向电压
图4.反向电流与结温
www.vishay.com
2
文档编号86096
修订版1.2 ， 12 - 8 - 04
日前，Vishay
BYW172D / 172F / 172G
威世半导体
P - 反向功率耗散（MW ）
R
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
P
R
-limit
@80 % V
R
120
C
D
- 二极管电容（pF ）
V
R
= V
RRM
F = 1 MHz的
100
80
60
40
20
0
0.1
P
R
-limit
@100 % V
R
125
150
175
16391
1
10
100
16390
T
j
- 结温（
°
C )
V
R
- 反向电压（ V）
图5.最大。反向功率耗散与结
温度
Z
THP
- 热阻F。脉冲电导率。 （K / W
图6.二极管电容与反向电压
1000
V
RRM
= 600 V
R
thJA
= 70 K / W
100
t
p
/T= 0.5
t
p
/T= 0.2
10
t
p
/T= 0.1
t
p
/T= 0.05
0.02
1
10
-4
t
p
/T= 0.01
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
t
p
- 脉冲宽度（S ）
10
0
10
1
10
2
I
FRM
- 重复峰值
正向电流（ A）
70°C
T
AMB
= 25°C
100
°C
45°C
94 9562
图7.热响应
单位：mm包装尺寸（英寸）
烧结玻璃柜
SOD-64
阴极鉴定
4.3 （ 0.168 ）最大。
ISO方法E
1.35 （ 0.053 ）最大。
26 （ 1.014 ）分钟。
4.0 （ 0.156 ）最大。
26 （ 1.014 ）分钟。
94 9587
文档编号86096
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3
BYW172D / 172F / 172G
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前，Vishay
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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日前，Vishay
BYW172D / 172F / 172G
威世半导体
快速雪崩二极管Sinterglass
特点
玻璃钝化结
密封包装
软恢复特性
低反向电流
949588
低正向压降
高脉冲电流能力
机械数据
案例：
SOD- 64烧结玻璃柜
终端：
镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
约。 858毫克
应用
在S.M.P.S快速整流二极管
零件表
部分
BYW172D
BYW172F
BYW172G
类型分化
V
R
= 200 V ;我
FAV
= 3 A
V
R
= 300 V ;我
FAV
= 3 A
V
R
= 400 V ;我
FAV
= 3 A
SOD-64
SOD-64
SOD-64
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压=重复
峰值反向电压
测试条件
请参阅电气特性
部分
BYW172D
BYW172F
BYW172G
峰值正向浪涌电流
平均正向电流
结存储
温度范围
非反向重复
雪崩能量
I
（ BR ）R
= 1 A
t
p
= 10毫秒，单一正弦半波
符号
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
I
FAV
T
j
= T
英镑
E
R
价值
200
300
400
100
3
- 55 + 175
20
单位
V
V
V
A
A
°C
mJ
最大热阻
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
交界处的环境
测试条件
升= 10毫米，T
L
=常数
在PC板间距
25 mm
符号
R
thJA
R
thJA
价值
25
70
单位
K / W
K / W
文档编号86096
修订版1.2 ， 12 - 8 - 04
www.vishay.com
1
BYW172D / 172F / 172G
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
反向电流
反向恢复时间
I
F
= 3 A
I
F
= 9 A
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
, T
j
= 100 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1 A，I
R
= 0.25 A
测试条件
符号
V
F
V
F
I
R
I
R
t
rr
75
民
典型值。
最大
1.1
1.5
1
20
100
日前，Vishay
单位
V
V
A
A
ns
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
R
thJA
- 千卡。抗拒。结/环境（K / W）
40
I
FAV
- 平均正向电流（ A）
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
R
thJA
= 70 K / W
PCB ： D = 25毫米
30
V
R
= V
RRM
半正弦波
R
thJA
= 25 K / W
L = 10毫米
20
l
10
l
0
0
5
10
15
T
L
=常数
20
25
30
L - 引线长度（mm ）
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
94 9466
16388
图1.最大。热敏电阻与导线长度
图3.最大。平均正向电流与环境温度
100
I
F
- 正向电流（ A）
1000
I
R
- 反向电流（
A
)
V
R
= V
RRM
10
T
j
= 175
°C
1
0.1
0.01
T
j
= 25° C
100
10
0.001
0
16387
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
16389
25
50
75
100
125
150
175
V
F
- 正向电压（ V）
T
j
- 结温（
°
C )
图2.正向电流与正向电压
图4.反向电流与结温
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文档编号86096
修订版1.2 ， 12 - 8 - 04
日前，Vishay
BYW172D / 172F / 172G
威世半导体
P - 反向功率耗散（MW ）
R
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
P
R
-limit
@80 % V
R
120
C
D
- 二极管电容（pF ）
V
R
= V
RRM
F = 1 MHz的
100
80
60
40
20
0
0.1
P
R
-limit
@100 % V
R
125
150
175
16391
1
10
100
16390
T
j
- 结温（
°
C )
V
R
- 反向电压（ V）
图5.最大。反向功率耗散与结
温度
Z
THP
- 热阻F。脉冲电导率。 （K / W
图6.二极管电容与反向电压
1000
V
RRM
= 600 V
R
thJA
= 70 K / W
100
t
p
/T= 0.5
t
p
/T= 0.2
10
t
p
/T= 0.1
t
p
/T= 0.05
0.02
1
10
-4
t
p
/T= 0.01
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
t
p
- 脉冲宽度（S ）
10
0
10
1
10
2
I
FRM
- 重复峰值
正向电流（ A）
70°C
T
AMB
= 25°C
100
°C
45°C
94 9562
图7.热响应
单位：mm包装尺寸（英寸）
烧结玻璃柜
SOD-64
阴极鉴定
4.3 （ 0.168 ）最大。
ISO方法E
1.35 （ 0.053 ）最大。
26 （ 1.014 ）分钟。
4.0 （ 0.156 ）最大。
26 （ 1.014 ）分钟。
94 9587
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威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前，Vishay
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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BYW172D ， BYW172F ， BYW172G
威世半导体
快速雪崩二极管Sinterglass
特点
玻璃钝化结
密封包装
低反向电流
软恢复特性
低正向压降
949588
高脉冲电流能力
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
机械数据
案例：
SOD-64
终端：
镀轴向引线，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
约。 858毫克
应用
在S.M.P.S快速整流二极管
零件表
部分
BYW172D
BYW172F
BYW172G
类型分化
V
R
= 200 V ;我
FAV
= 3 A
V
R
= 300 V ;我
FAV
= 3 A
V
R
= 400 V ;我
FAV
= 3 A
包
SOD-64
SOD-64
SOD-64
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
反向电压=重复峰值
反向电压
峰值正向浪涌电流
平均正向电流
不重复反向雪崩
能源
结温和存储温度
范围
I
（ BR ）R
= 1 A
测试条件
请参阅电气特性
t
p
= 10毫秒，半正弦波
部分
BYW172D
BYW172F
BYW172G
符号
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
I
FAV
E
R
T
j
= T
英镑
价值
200
300
400
100
3
20
- 55 + 175
单位
V
V
V
A
A
mJ
°C
最大热阻
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
交界处的环境
测试条件
导线长度L = 10毫米，T
L
=常数
在PC板间距25毫米
符号
R
thJA
R
thJA
价值
25
70
单位
K / W
K / W
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
正向电压
反向电流
反向恢复时间
测试条件
I
F
= 3 A
I
F
= 9 A
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
, T
j
= 100 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1 A，I
R
= 0.25 A
部分
符号
V
F
V
F
I
R
I
R
t
rr
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
75
马克斯。
1.1
1.5
1
20
100
单位
V
V
μA
μA
ns
文档编号： 86096
修订版1.3 ， 30 10年7月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
BYW172D ， BYW172F ， BYW172G
威世半导体
快速雪崩二极管Sinterglass
典型特征
(T
AMB
= 25
°C,
除非另有规定编）
R
thJA
- 疗法。抗拒。结/环境（K / W）
40
1000
V
R
= V
RRM
30
I
R
- 反向电流（ μA ）
25
30
100
20
l
l
10
10
T
L
=常数
0
0
949466
5
10
15
20
1
25
16389
50
75
100
125
150
175
L - 引线长度（mm ）
T
j
- 结温（ ° C）
图。 1 - 最大。热敏电阻与导线长度
图。 4 - 最大。反向电流与结温
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
100
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
175
P
R
-limit
在80 ％的V
R
P
R
-limit
在100 ％的V
R
V
R
= V
RRM
I
F
- 正向电流（ A）
10
T
j
= 175 °C
T
j
= 25 °C
1
0.1
0.01
0.001
0
16387
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
16390
V
F
- 正向电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
图。 2 - 马克斯。正向电流与正向电压
图。 5 - 最大。反向功率耗散与结温
3.5
120
I
FAV
- 平均正向电流（ A）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
60
R
thJA
= 70 K / W
PCB ： D = 25毫米
C
D
- 二极管电容（pF ）
V
R
= V
RRM
半
正弦波
R
thJA
= 25 K / W
I = 10毫米
F = 1 MHz的
100
80
60
40
20
0
0.1
16391
80 100 120 140 160 180
1
10
100
16388
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 马克斯。平均正向电流与环境温度
图。 6 - 二极管电容与反向电压
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文档编号： 86096
修订版1.3 ， 30 10年7月
BYW172D ， BYW172F ， BYW172G
快速雪崩二极管Sinterglass
威世半导体
Z
THP
- 热抵抗。脉冲电导率。 （K / W）
1000
V
RRM
= 600 V
R
thJA
= 70 K / W
100
t
p
/T = 0.5
0.2
10
0.1
0.05
0.02
0.01
1
10
-4
949562
T
AMB
= 25 °C
100 °C
45 °C
70 °C
10
-3
10
-2
10
-1
10
-0
10
1
10
2
10
0
10
1
10
2
t
p
- 脉冲宽度（S ）
I
FRM
- 重复峰值
正向电流（ A）
图。 7 - 热响应
包装尺寸
以毫米（英寸）：
SOD-64
烧结玻璃柜
SOD-64
阴极鉴定
4.3 （ 0.168 ）最大。
1.35 （ 0.053 ）最大。
26 （ 1.014 ）分钟。
4 （ 0.156 ）最大。
26 （ 1.014 ）分钟。
文档编号： 6.563-5006.4-4
第3版 - 日期： 09.February.2005
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放弃
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产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
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获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
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修订： 11 -MAR- 11
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