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分立半导体
数据表
手册, 2列
M3D116
BYV95系列
快速软恢复
控制雪崩整流器
产品speci fi cation
取代1982年4月的数据
在分离式半导体文件, SC01
1996年6月7日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
快速软恢复
控制雪崩整流器器
特点
玻璃钝化
较高的最大工作
温度
低漏电流
卓越的稳定性
保证雪崩能量
吸收能力
提供弹药包。
2/3页
k
(数据表)
a
BYV95系列
密封和疲劳免费
为扩大所有的系数
使用部分匹配。
描述
坚固的玻璃SOD57封装,
使用高温合金
建设。这个包是
MAM047
Fig.1简化外形( SOD57 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
RRM
BYV95A
BYV95B
BYV95C
V
R
连续反向电压
BYV95A
BYV95B
BYV95C
I
F( AV )
平均正向电流
T
tp
= 65
°C;
导线长度= 10毫米
参照图2 ;
平均超过任何20毫秒的时间;
也参见图6
T
AMB
= 65
°C;
印刷电路板安装(见
图11 ) ;参照图3 ;
平均超过任何20毫秒的时间;
也参见图6
I
FRM
I
FSM
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
T
tp
= 65
°C;
见图。 4
T
AMB
= 65
°C;
参见图。五
T = 10 ms半正弦波;
T
j
= T
j max的情况
前激增;
V
R
= V
RRMmax
L = 120 mH的;牛逼
j
= T
j max的情况
之前
浪涌;感性负载断开
参见图。 7
200
400
600
1.5
V
V
V
A
参数
反向重复峰值电压
200
400
600
V
V
V
条件
分钟。
马克斯。
单位
0.8
A
17
9
35
A
A
A
E
RSM
T
英镑
T
j
非重复性峰值反向
雪崩能量
储存温度
结温
65
65
10
+175
+175
mJ
°C
°C
1996年6月7日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
快速软恢复
控制雪崩整流器器
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
V
( BR )R
参数
正向电压
反向雪崩
击穿电压
BYV95A
BYV95B
BYV95C
I
R
反向电流
V
R
= V
RRMmax
;
参照图9
V
R
= V
RRMmax
; T
j
= 165
°C;
参照图9
t
rr
反向恢复时间
从我开机时,
F
= 0.5 A
到我
R
= 1 ;在测
I
R
= 0.25 A;参照图12
F = 1兆赫; V
R
= 0 V ;参照图10
从我开机时,
F
= 1 A到
V
R
30 V和DI
F
/ DT =
1
A / μs的;
见图13
条件
I
F
= 3 A;牛逼
j
= T
j max的情况
;参照图8
I
F
= 3 A;参照图8
I
R
- 0.1毫安
300
500
700
分钟。
典型值。
BYV95系列
马克斯。
1.35
1.60
V
V
单位
1
150
250
V
V
V
A
A
ns
C
d
dI
R
--------
dt
二极管电容
最大坡度
反向恢复电流
45
7
pF
A / μs的
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
1.装置安装在环氧玻璃印刷电路板, 1.5mm厚; Cu层的厚度
≥40 m,
见图11 。
欲了解更多信息,请参阅
“总则手册SC01的”
.
参数
从结热阻,以配合点
从结点到环境的热阻
条件
导线长度= 10毫米
注1
价值
46
100
单位
K / W
K / W
1996年6月7日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
快速软恢复
控制雪崩整流器器
图形数据
MGC581
BYV95系列
MGC580
手册, halfpage
2.0
IF ( AV )
(A)
手册, halfpage
1.2
引线长度10毫米
1.6
IF ( AV )
(A)
0.8
1.2
0.8
0.4
0.4
0
0
100
TTP ( C)
o
0
200
0
100
TAMB (
o
C)
200
A = 1.42 ; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5.
开关模式的应用。
A = 1.42 ; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5.
设备安装,如图11所示。
开关模式的应用。
Fig.2
最大允许正向平均
当前,作为扎点温度的函数
(包括因损失反向漏) 。
Fig.3
最大允许正向平均
当前环境温度的函数的
(包括因损失反向漏) 。
MGC578
手册,全页宽
20
IFRM
(A)
16
δ
=
0.05
12
0.1
8
0.2
4
0.5
1
0
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
TP( ms)的
10
4
T
tp
= 65
°C;
R
日J- TP
= 46 K / W 。
V
RRMmax
在1
δ;
曲线包括降额对于T
j max的情况
在V
RRM
= 600 V.
图4最大正向重复峰值电流的脉冲时间(方波脉冲)和关税因素的函数。
1996年6月7日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
快速软恢复
控制雪崩整流器器
BYV95系列
MGC579
手册,全页宽
10
IFRM
(A)
8
δ
=
0.05
6
0.1
4
0.2
2
0.5
1
0
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
TP( ms)的
10
4
T
AMB
= 65
°C;
R
日J-一
= 100 K / W 。
V
RRMmax
在1
δ;
曲线包括降额对于T
j max的情况
在V
RRM
= 600 V.
图5.最大正向重复峰值电流的脉冲时间(方波脉冲)和关税因素的函数。
MGC576
MGC575
手册, halfpage
3
手册, halfpage
200
P
(W)
a = 3 2.5
2
1.57
1.42
Tj
( C)
o
2
100
1
A
B
C
0
0
1
IF ( AV ) (A )
2
0
0
200
400
600
VR ( V)
800
一个=我
F( RMS )
/I
F( AV )
; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5.
实线= V
R
.
Fig.6
最大稳态功耗
(正向加漏电流损耗,
除开关损耗),为功能
平均正向电流。
虚线= V
RRM
;
δ
= 0.5.
Fig.7
最大允许结温
作为反向电压的函数。
1996年6月7日
5
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